基板処理装置とこれを利用した基板処理方法
【課題】
本発明は、基板処理が均一に行われる基板処理装置を提供する。
【解決手段】
本発明は、基板処理装置と基板処理方法に関する。本発明による基板処理装置は基板(100)の板面に処理液を供給する処理液供給部と、前記基板を移送する移送装置(30)と、前記基板を前記基板の移送方向と交差する方向で交互的に傾けて移送するように前記移送装置を制御する制御部を含むことを特徴とする。
本発明は、基板処理が均一に行われる基板処理装置を提供する。
【解決手段】
本発明は、基板処理装置と基板処理方法に関する。本発明による基板処理装置は基板(100)の板面に処理液を供給する処理液供給部と、前記基板を移送する移送装置(30)と、前記基板を前記基板の移送方向と交差する方向で交互的に傾けて移送するように前記移送装置を制御する制御部を含むことを特徴とする。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は基板処理装置とこれを利用した基板処理方法に関する。
【背景技術】
【0002】
液晶表示装置は、薄膜トランジスターが形成される薄膜トランジスター基板と、カラーフィルター層が形成されるカラーフィルター基板とを有し、そして基板の間に液晶層が形成される液晶パネルを含む。
【0003】
液晶パネルは非発光素子であるため、薄膜トランジスター基板の後面には光を照射するバックライトユニットが形成される。バックライトユニットから照射された光は、液晶層の配列状態により透過量が調節される。
【0004】
また、液晶パネルの各画素を駆動するため、駆動回路と、駆動回路から駆動信号を受けて、表示領域内のデータ線とゲート線に電圧を印加するデータドライバーとゲートドライバーが形成される。
【0005】
カラーフィルター基板と薄膜トランジスター基板の製造過程の中では、処理液を基板に供給して基板を処理する工程がある。具体的には露光された感光膜から感光膜パターンを形成する現像工程、現像工程で形成された感光膜パターンを利用して金属層パターンまたは電極パターンなどを形成する食刻工程、現像工程や食刻工程を経た基板を洗浄する洗浄工程がある。各工程で使われる処理液は、各々現像液、食刻液、DI(Deionized:除イオン)ウォーターである。
【0006】
基板処理は、通常基板を移送しながら、処理液を基板に噴射して行われる。この時、基板を処理した処理液が基板から容易に除去されるように、基板の一側が傾くように移送する。
【0007】
この場合、基板の傾斜面下部は基板の傾斜面上部から流れてくる処理液により、基板の傾斜面上部に比べて、処理液の層が厚くなった状態となる。厚く存在する処理液により、基板表面が受ける処理液噴射圧は基板傾斜面下部より基板傾斜面上部の方が強くなる。
【0008】
このような基板の位置により処理条件が変わると、処理が不均一になる問題が発生する。このような問題は基板の大きさが大きくなるほど一層大きくなる。基板を処理液に浸漬させるディッピング(dipping)方法を使用する場合,このような問題は発生しないが、ディッピング方法は基板が一定の大きさ以上になると、基板を安定的に移送することができない問題がある。
【0009】
最近基板の大きさが大きくなりつつ、配線の線間の幅及び食刻プロファイルの均一性が重要な問題になっている。基板全体を均一に処理するためには、処理作用の均一性を確保することが重要であるが、従来のように基板の部分により処理条件が変わる場合、処理の均一性を確保することができない。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【0010】
前記の問題点を解決するため、本発明の目的は、基板処理が均一に行える基板処理装置を提供することである。
また、本発明の他の目的は、基板処理が均一に行える基板処理方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【0011】
本発明による基板処理装置は、基板の板面に処理液を供給する処理液供給部と、前記基板を移送する移送装置と、前記基板を前記基板の移送方向と交差する方向に交互的に傾けて移送させるため前記移送装置を制御する制御部を含む。
【0012】
本発明による他の基板処理装置は、基板を傾けて移送する移送装置と、前記移送装置上部に位置して、前記基板の傾斜面下部に加えられる処理液の噴射圧が前記基板の傾斜面上部に加えられる処理液の噴射圧より強くなるよう処理液を供給する処理液供給部を含む。
【0013】
本発明の1つの例においては、前記処理液供給部は、複数のノズルを含んで、前記基板の傾斜面下部に処理液を噴射する前記ノズルは、前記基板の傾斜面上部に処理液を噴射する前記ノズルに比べて前記基板に近く配置される。
【0014】
本発明の1つの例においては前記処理液供給部は、前記基板の移送方向と交差する方向に配置されている処理液配管と、前記処理液配管に連結される複数のノズルを含む。
本発明の1つの例においては前記処理液配管は、傾斜角度を調節できるように形成される。また、前記基板と平行に配置され、前記基板の傾斜面下部に処理液を噴射する前記ノズルは、前記基板の傾斜面上部に処理液を噴射する前記ノズルに比べて、長さが長くなるようにしても良い。
【0015】
また、前記処理液配管を基板と平行に配置し、前記ノズルの長さを前記基板の傾斜面下部に近づくほど長くなるようにもできる。本発明の1つの例においては前記処理液配管は、前記基板の傾斜面上部より前記基板の傾斜面下部に近く配置される。
【0016】
本発明の1つの例においては前記処理液供給部は、前記基板の傾斜面上部に処理液を噴射する第1ノズルと、前記基板の傾斜面下部に処理液を噴射する第2ノズルを含むノズル装置と、前記第1ノズルと連結される第1処理液配管と、第2ノズルと連結される第2処理液配管が形成されている処理液配管を含む。また、前記基板の移送方向と平行に配置される複数の処理液配管と、前記処理液配管に連結される複数のノズルを含むようにしてもよい。
【0017】
本発明の1つの例においては前記基板の傾斜面上部とそれに隣接した前記処理液配管との間の距離は、前記基板の傾斜面下部とそれに隣接した前記処理液配管との間の距離より長くすることができる。
【0018】
本発明の1つの例においては前記基板の傾斜面下部に処理液を噴射する前記ノズルは、前記基板の傾斜面上部に処理液を噴射する前記ノズルに比べて、前記基板に近く配置される。
【0019】
本発明による基板処理方法は、基板と処理液を準備する段階と、前記基板に前記処理液を供給しながら、前記基板を前記基板の移送方向と交差する方向に少なくとも1回交互的に傾けて移送する段階を含む。
【0020】
本発明の1つの例においては、前記移送する段階は、前記移送方向に関し前記基板を少なくとも1回往復移送することができる。
本発明の1つの例においては、前記基板の傾斜角は、3°乃至7°でとすることができる。
【0021】
本発明の1つの例においては、前記処理液は、現像液、食刻液、そして洗浄液の中の、いずれか1つでありうる。
本発明による基板処理方法は、第1処理ユニットで基板を移送方向と交差する方向に第1傾斜角程度に傾けて移送しながら、処理液を板面に供給する段階と、第2処理ユニットで前記基板を移送方向と交差する方向に前記第1傾斜角より小さい第2傾斜角程度に傾けて移送しながら、処理液を板面に供給する段階と、第3処理ユニットで前記基板を移送方向と交差する方向に前記第1傾斜角と反対方向である第3傾斜角程度に傾けて移送しながら、処理液を板面に供給する段階を含む。
【0022】
本発明の1つの例においては、前記第2処理ユニットで前記基板は水平に移送される。
本発明の1つの例においては、前記第1傾斜角と前記第3傾斜角は同じ大きさとすることができる。
【0023】
本発明による基板処理方法は、基板を移送方向と交差する方向に傾けて移送する段階と、前記基板の傾斜面下部に加えられる処理液の噴射圧が前記基板の傾斜面上部に加えられる処理液の噴射圧より強くなるよう処理液を供給する段階を含む。
【発明の効果】
【0024】
本発明により、基板の処理が均一に行われる基板処理装置が提供され、また、基板の処理が均一に行われる基板処理方法が提供される。
【発明を実施するための最良の形態】
【0025】
以下添付図を参照してより詳細に説明する。
種々の実施例で繰り返される構成要素に対しては、同一番号を付与し、代表的に第1実施例のみで説明して他の実施例では省略する。
【0026】
まず本発明の第1実施例による基板処理装置1を図1と図2を参照して説明する。
本発明の第1実施例による基板処理装置1は、類似する構成の多数の処理ユニット10a、10b、10cで構成されている。
【0027】
各処理ユニット10a、10b、10cは、互いに隣接するように連結されている。各処理ユニット10a、10b、10cの間には、お互いを連結する通路40が形成され、基板100を搬入/搬出できる。
【0028】
各処理ユニット10a、10b、10cの上部には、基板100に処理液23を供給する処理液供給部20が形成されている。処理液供給部20は、処理液23をスプレーして、基板100に供給し、基板100全体に処理液23が均一に供給されるように基板100の移送経路に沿って複数個が設置されている。図示されていないが処理液供給部20は処理液貯蔵タンクをさらに含む。
【0029】
処理液23は、各処理装置1の用途に合わせて、現像液、食刻液、洗浄液の中の、いずれか1つが選ばれる。他の処理目的の場合はそれに応じた対応する処理液が用いられる。
処理液23が現像液の場合、メタル成分を含まない有機アルカリである溶液系列が使われて、洗浄過程を通し、アルカリ性である成分は完全除去される。
【0030】
処理液23が食刻液の場合、食刻対象によりその成分が変わる。アルミやモリブデンを食刻する場合、食刻液は燐酸、硝酸、酢酸を含む。タンタルを食刻する場合、食刻液はフッ酸と硝酸を含む。クロムを食刻する場合、食刻液は硝酸アンモニウムセシウムと硝酸を含む。またITO(Indiun Tin Oxide)を食刻する場合、食刻液は塩酸、硝酸、塩化鉄を含む。
【0031】
処理液23が洗浄液の場合、処理液23は通常 DIウォーターである。また、この場合処理ユニット10a、10b、10cは迅速な洗浄のために、処理液供給部20の他にノズルが基板100移送方向と交差する方向に形成されるアクアナイフ(水薄膜ナイフ)をさらに含む。
【0032】
基板100は移送装置30に安着され、移送方向に関し処理ユニット10a、10b、10cの中で往復運動させられあるいは、または処理ユニット10a、10b、10cの間で移送される。基板100は、処理液供給部20からスプレーされる処理液23の供給を受けるために、処理液供給部20の下部に位置し、処理液23で処理される部分を露出している。処理が現像の場合には、露光処理された感光膜が露出している。処理が食刻の場合には、食刻される金属層、透明電極層、絶縁層などが露出しており、食刻されない部分は感光膜で覆われている。処理が洗浄の場合、現像液または食刻液そして現像されて分離した感光層、食刻によって分離された金属層などが洗浄液に対し露出されている。
【0033】
移送装置30はコンベアタイプになっており、処理ユニット10a、10b、10cの間で基板100を移送したり、1つの処理ユニット10a、10b、10cの中で基板100を往復運動させたりする。コンベアとしてベルトタイプを利用することも可能である。また、移送装置30は、正回転、または逆回転することができて、1列に配列された多数のローラ31と、ローラ31と結合されて基板100の背面と直接接触する支持部32、そして基板100の運動により、回転しつつ基板100の側面と接触して支持し、基板100が移送装置30から離脱するのを防止するサイドローラ33を含む。サイドローラ33は、基板100の両側面に沿って形成される。移送装置30は、処理液23により変質しない材質になっており、この中で、支持部32は基板100に衝撃を与えることを防ぐため、プラスチック材質で製造されることが望ましい。移送装置30はこれ以外にローラ31の回転・停止や回転方向を制御する制御部(図示せず)をさらに含む。
【0034】
制御部は基板100が移送方向と交差する方向に交互的に傾いて移送されるように移送装置30を制御する。第1処理ユニット10aでは例えば、移送装置30は基板100の一側辺が上部に位置されるように、また基板100移送方向と交差する方向に前記基板100を傾けて移送させることができる。図2で互いに反対方向である第1傾斜角(θ1)と第2傾斜角(θ2)は3°乃至7°の間でありうる。傾斜角が3°より小さい場合は、処理液23の除去速度が遅く、逆に7°より大きい場合は、処理液23が基板100に留まる時間が短くなり過ぎる。また前記両傾斜角(θ1、θ2)の大きさは同一としてもよい。
【0035】
また図示されていないが、本発明の移送装置30は、基板100を基板100と交差する方向に傾ける度合いを変化させるように傾斜調節部材をさらに含むことが望ましい。傾斜調節部材はピストン装置などで構成可能である。
【0036】
本発明の実施例による処理装置1は、様々な変形が可能であり、例えば、処理ユニット10a、10b、10cは4ケ以上で形成されることもできる。
以下では、本発明の第1実施例を利用した基板処理方法を、図3を参照して説明する。基板100上にゲート配線を形成する工程を例とする。
【0037】
基板素材上にゲート金属層を蒸着し、感光液を塗布する。その後ソフトベイク過程を経て、感光液内のソルベントを除去して、感光膜を形成する。ソルベントが除去された感光膜に一定パターンのマスクを利用して、露光を実施する。その後次のような現像工程を経る。
【0038】
まず第1処理ユニット10aに移送装置30に安着されるよう基板100が搬入される(S100)。処理液供給部20でスプレーされた処理液23、即ち現像液は、基板100が通常第1処理ユニット10aに搬入されてから基板100に供給されて、感光膜を現像する(S200)。基板100の感光膜は、感光膜がネガティブの場合には、露光されていない領域が処理液23と反応して溶解して、感光膜がポジティブの場合には、露光された領域が処理液23と反応して溶解する。この時基板100の移送方向は、第1処理ユニット10aから第2処理ユニット10bに向かう第1移送方向である。また移送装置30は、基板100を第1傾斜方向に傾けた状態で移送する。ここで第1傾斜方向は基板100の移送方向に対し交差する方向になる。図示の例では直交する方向である。この過程で基板100が一方向に傾いて、基板100の下部に位置した部分では処理液23と接触する時間が上部に位置した部分に比べて長くなる。
【0039】
第1移送方向に所定時間の間移送した後、移送装置30は基板100を第1移送方向と反対方向である第2移送方向に移送する(S300)。これと共に、移送装置30は基板100を第2傾斜方向に傾けて移送する。第2傾斜方向は、第1傾斜方向と傾斜角は同一であるが、その方向は反対である。即ち、第1傾斜方向で下部に位置した基板100部分が上部に移動して、反対に第1傾斜方向で上部に位置した基板100部分が下部に移動する。これによって、先の移送(S200)で処理液23と相対的に多く接触した部分は、少なく接触するようになって、反対に処理液23と相対的に少なく接触した部分は多く接触するようになる。
【0040】
第2移送方向への移送(S300)が終了すると、移送装置30は基板100をまた第1移送方向に移送させる(S400)。この時、基板100の傾斜方向はまた第1傾斜方向に転換される。傾斜方向を上記の通りに交互的に転換しても、サイドローラ33が基板100の両側面に設置されているため、基板100が移送装置30から離脱することはない。
【0041】
2回目の第1移送方向への移送(S400)により、基板100が通路40に到達すると、移送装置30は基板100を隣接した処理ユニット10bに搬出する(S500)。基板100を搬入した第2処理ユニット10bでは、前記のような過程を繰り返した後、基板100を第3処理ユニット10cに搬出する。
【0042】
一方、第1処理ユニット10aにはまた他の基板100が搬入されて、前記過程を繰り返す。
こういう過程を経て、第3処理ユニット10cから搬出された基板100は、感光膜の現像が完了した状態となる。現像過程で基板100は交互的に傾いて移送されたため、特定の部分が現像液と多く接する問題が減少する。
【0043】
以後基板100は洗浄過程、食刻過程、また他の洗浄過程を経るが、この過程の具体的な内容は前記の現像過程と類似する。
基板100全体が処理液23との接触程度が均一であったために、完成されたゲート配線の不均一性は減少する。
【0044】
以下では、本発明の第1実施例による基板処理装置を利用した他の基板処理方法を図4及び図5を参照して説明する。
基板100は、1つの処理ユニット10a、10b、10cでは同じ傾斜角を維持する。現像過程を例として説明する。
【0045】
第1処理ユニット10aに移送装置30に装着されて基板100が搬入される(S110)。処理液供給部20でスプレーされた処理液23、即ち現像液は基板100が通常第1処理ユニット10aに搬入された後、基板100に供給されて感光膜を現像する(S210)。基板100の移送方向は、第1処理ユニット10aから第2処理ユニット10bに向かう第1移送方向である。また移送装置30は、基板100を基板100の移送方向に対し交差する方向に第1傾斜角(θ3)程度傾けて移送する。基板100の下部に位置した部分では処理液23と接触する時間が上部に位置した部分に比べて長くなる。
【0046】
場合によって、移送装置30は、基板100を第1移送方向の反対である第2移送方向に移送させて、基板100を往復運動させることができる。
その後基板100は、第2処理ユニット10bに搬入される(S310)。これと共に移送装置30は、基板100を水平に移送して、基板100を現像処理する(S410)。即ち、第2処理ユニット10bの第2傾斜角(θ4)は0°となる。これにより、基板100の全体部分で処理液23と接触する時間が一定になる。第1処理ユニット10aのように、移送装置30は基板100を第1移送方向の反対である第2移送方向に移送させて、基板100を往復運動させることができる。
【0047】
以後基板は第3処理ユニット10cに搬入される(S510)。
これと共に移送装置30は、基板100を第3傾斜角(θ5)程度傾けて移送する(S610)。
【0048】
第3傾斜角(θ5)は、第1傾斜角(θ3)と大きさは同一であるが、その方向は反対である。即ち、第1処理ユニット10aで下部に位置した基板100部分が上部に位置し、逆に上部に位置した基板100部分が下部に位置する。これによって最初の移送段階(S210)で処理液23と相対的に多く接触した部分は少なく接触するようになり、逆に処理液23と相対的に少なく接触した部分は多く接触するようになる。場合によって、移送装置30は基板100を第1移送方向の反対である第2移送方向に移送させて、基板100を往復運動させることができる。
【0049】
一方、第1処理ユニット10aには、また他の基板100が搬入されて、前記過程を繰り返す。
以下、本発明の第2実施例による基板処理装置を図6および図7を参照して説明する。
【0050】
処理液供給部20は、基板100移送方向の垂直方向に伸張され、互いに平行の複数の処理液配管21と、各処理液配管21に連結される複数のノズル22を含む。処理液23は図示されていない処理液タンクと処理液ポンプを通し、処理液配管21に供給される。
【0051】
処理液配管21に供給された処理液23はノズル22を通して、基板100表面に噴射される。
図6のように、基板100の移送方向が基板100の長辺と平行な場合、処理液配管21は基板100の短辺と平行に配置される。処理液配管21の間隔は、これに限定はされないが一定である。ノズル22の間隔も、これに限定はされないが一定である。
【0052】
基板100に加えられる処理液23の噴射圧に対して述べる。
図7のように、移送装置30に安着されて移送される基板100は、所定角度(θ6)に傾いている。これは処理液23を基板100から迅速に除去するためである。ここで基板100の傾斜角(θ6)は3°乃至7°の間でありうる。
【0053】
基板100の上部に位置した処理液配管21も傾斜配置されていて、その傾斜角(θ7)は基板100の傾斜角(θ6)より大きい。処理液配管21は、傾斜角(θ7)を変更可能なように形成されることもできる。傾斜角の差により、基板100傾斜面上部Aとノズル22との距離(d1)は基板100傾斜面下部Bとノズル22との距離(d2)より大きい。各ノズル22から同じ噴射圧で処理液23を噴射する場合、傾斜面下部Bは傾斜面上部Aに比べて、強い噴射圧を受ける。
【0054】
第2実施例による基板処理装置1を利用した基板処理過程は次のようである。
基板100が移送装置30により処理液供給部20下部に移送されると、ノズル22を通して、処理液23が基板100全体に均一に噴射される。傾斜面上部Aに噴射される処理液23は、傾斜面上部Aを処理した後、基板100の傾斜面下部Bに流される。また傾斜面上部Aと傾斜面下部Bの間に噴射される処理液23も、基板100を処理した後、傾斜面下部Bに流される。これにより、傾斜面下部Bには処理液23の層が厚く存在する結果となって、処理液23に沈んだような(ディッピング)状態になる。したがって、傾斜面上部Aは処理液23の噴射による処理が行われる反面、傾斜面下部Bは処理液23のディッピングが主となったような処理が行われて、基板100処理が不均一になる。
【0055】
第2実施例のように、傾斜面下部Bとノズル22間の距離(d2)を減少させて、基板100に加えられる処理液23噴射圧を増加させると、傾斜面下部Bも噴射による処理が行われる。また処理液23の強い噴射圧により傾斜面下部B上に層を成している処理液23も基板100から迅速に除去される。このように基板100全体が処理液23の噴射により処理されて、基板100の処理が均一に行われる。
【0056】
このように基板100全体に対する処理が完了すると、基板100は次の工程に移送される。処理が現像工程の場合には洗浄または食刻工程に、処理が食刻工程の場合には洗浄工程に、処理が洗浄工程の場合には乾燥工程に移送される場合が多い。
【0057】
本発明の第3実施例による基板処理装置を、図8を参照して説明する。
基板100の傾斜角(θ6)と処理液配管21の傾斜角(θ8)は同一である。反面ノズル22の長さは傾斜面下部Bに近くなるほど長くなるように形成されている。このような構成により、傾斜面上部Aとノズル22との距離(d3)は傾斜面下部Bとノズル22との距離(d4)より長い。各ノズル22で同じ噴射圧で処理液23を噴射する場合、傾斜面下部Bは傾斜面上部Aに比べて、強い噴射圧を受けて基板100の処理は均一になる。
【0058】
本発明の第4実施例による基板処理装置を、図9を参照して説明する。
基板100の傾斜角(θ6)と処理液配管21の傾斜角(θ9)は同一である。処理液配管21は、傾斜面上部Aに処理液23を供給する第1処理液配管21aと、傾斜面下部Bに処理液23を供給する第2処理液配管21bを含む。ノズル22は第1処理液配管21aに連結されている第1ノズル22aと、第2処理液配管21bに連結されている第2ノズル22bを含む。図示されていないが、第1処理液配管21aと第2処理液配管22bは、処理液供給圧力が異なるそれぞれの処理液ポンプに連結されている。第4実施例では、第2処理液配管21bに連結されている第2ノズル22bから噴射される処理液23の噴射圧力が、第1処理液配管21aに連結されている第1ノズル22aから噴射される処理液23の噴射圧力より強い。従って、傾斜面下部Bは傾斜面上部Aに比べて、強い処理液23の噴射圧を受けて、基板100の処理が均一に行われる。
【0059】
本発明の第5実施例による基板処理装置を図10及び図11を参照して説明する。
処理液配管21は、基板100の移送方向と平行になるように、配置されている。処理液配管21の間隔は、これに限定はされないが互いに一定である。ノズル22の間隔も、これに限定はされないが互いに一定である。
【0060】
処理液配管21は、傾斜面下部Bに近くなるほど基板100との間隔が小さく配置されている。即ち、傾斜面上部Aとノズル22間の距離(d5)は傾斜面下部Bとノズル22間の距離(d6)より大きい。これに伴い傾斜面下部Bは傾斜面上部Aに比べて、強い処理液23の噴射圧を受けて基板100処理が均一になる。
【0061】
以上の実施例は多様に変形される。例えば、基板と処理液配管の傾斜角が互いに異なり、同時にノズルの長さも変わりうる。基板傾斜を交互的に変化させることと処理液噴射圧の調節は同時に適用され得る。
【0062】
実施例では液晶表示装置用基板に対して説明したが、本発明での基板は有機電気発光装置のような平板表示装置に使われる基板等の全ての基板や半導体ウェハーも含む。
【図面の簡単な説明】
【0063】
【図1】本発明の第1実施例による基板処理装置の断面図である。
【図2】本発明の第1実施例による基板処理装置の作動を説明する斜視図である。
【図3】本発明の第1実施例による基板処理装置を利用した基板処理方法を示した図である。
【図4】本発明の第1実施例による基板処理装置の他の作動を説明する斜視図である。
【図5】本発明の第1実施例による基板処理装置を利用した他の基板処理方法を示した図である。
【図6】本発明の第2実施例による基板処理装置の要部斜視図である。
【図7】本発明の第2実施例による基板処理装置の要部側面図である。
【図8】本発明の第3実施例による基板処理装置の要部側面図である。
【図9】本発明の第4実施例による基板処理装置の要部側面図である。
【図10】本発明の第5実施例による基板処理装置の要部斜視図である。
【図11】本発明の第5実施例による基板処理装置の要部側面図である。
【符号の説明】
【0064】
10a、10b、10c 処理ユニット
20 処理液供給部
23 処理液
30 移送装置
31 ローラ
32 支持部
33 サイドローラ
40 通路
100 基板
【技術分野】
【0001】
本発明は基板処理装置とこれを利用した基板処理方法に関する。
【背景技術】
【0002】
液晶表示装置は、薄膜トランジスターが形成される薄膜トランジスター基板と、カラーフィルター層が形成されるカラーフィルター基板とを有し、そして基板の間に液晶層が形成される液晶パネルを含む。
【0003】
液晶パネルは非発光素子であるため、薄膜トランジスター基板の後面には光を照射するバックライトユニットが形成される。バックライトユニットから照射された光は、液晶層の配列状態により透過量が調節される。
【0004】
また、液晶パネルの各画素を駆動するため、駆動回路と、駆動回路から駆動信号を受けて、表示領域内のデータ線とゲート線に電圧を印加するデータドライバーとゲートドライバーが形成される。
【0005】
カラーフィルター基板と薄膜トランジスター基板の製造過程の中では、処理液を基板に供給して基板を処理する工程がある。具体的には露光された感光膜から感光膜パターンを形成する現像工程、現像工程で形成された感光膜パターンを利用して金属層パターンまたは電極パターンなどを形成する食刻工程、現像工程や食刻工程を経た基板を洗浄する洗浄工程がある。各工程で使われる処理液は、各々現像液、食刻液、DI(Deionized:除イオン)ウォーターである。
【0006】
基板処理は、通常基板を移送しながら、処理液を基板に噴射して行われる。この時、基板を処理した処理液が基板から容易に除去されるように、基板の一側が傾くように移送する。
【0007】
この場合、基板の傾斜面下部は基板の傾斜面上部から流れてくる処理液により、基板の傾斜面上部に比べて、処理液の層が厚くなった状態となる。厚く存在する処理液により、基板表面が受ける処理液噴射圧は基板傾斜面下部より基板傾斜面上部の方が強くなる。
【0008】
このような基板の位置により処理条件が変わると、処理が不均一になる問題が発生する。このような問題は基板の大きさが大きくなるほど一層大きくなる。基板を処理液に浸漬させるディッピング(dipping)方法を使用する場合,このような問題は発生しないが、ディッピング方法は基板が一定の大きさ以上になると、基板を安定的に移送することができない問題がある。
【0009】
最近基板の大きさが大きくなりつつ、配線の線間の幅及び食刻プロファイルの均一性が重要な問題になっている。基板全体を均一に処理するためには、処理作用の均一性を確保することが重要であるが、従来のように基板の部分により処理条件が変わる場合、処理の均一性を確保することができない。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【0010】
前記の問題点を解決するため、本発明の目的は、基板処理が均一に行える基板処理装置を提供することである。
また、本発明の他の目的は、基板処理が均一に行える基板処理方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【0011】
本発明による基板処理装置は、基板の板面に処理液を供給する処理液供給部と、前記基板を移送する移送装置と、前記基板を前記基板の移送方向と交差する方向に交互的に傾けて移送させるため前記移送装置を制御する制御部を含む。
【0012】
本発明による他の基板処理装置は、基板を傾けて移送する移送装置と、前記移送装置上部に位置して、前記基板の傾斜面下部に加えられる処理液の噴射圧が前記基板の傾斜面上部に加えられる処理液の噴射圧より強くなるよう処理液を供給する処理液供給部を含む。
【0013】
本発明の1つの例においては、前記処理液供給部は、複数のノズルを含んで、前記基板の傾斜面下部に処理液を噴射する前記ノズルは、前記基板の傾斜面上部に処理液を噴射する前記ノズルに比べて前記基板に近く配置される。
【0014】
本発明の1つの例においては前記処理液供給部は、前記基板の移送方向と交差する方向に配置されている処理液配管と、前記処理液配管に連結される複数のノズルを含む。
本発明の1つの例においては前記処理液配管は、傾斜角度を調節できるように形成される。また、前記基板と平行に配置され、前記基板の傾斜面下部に処理液を噴射する前記ノズルは、前記基板の傾斜面上部に処理液を噴射する前記ノズルに比べて、長さが長くなるようにしても良い。
【0015】
また、前記処理液配管を基板と平行に配置し、前記ノズルの長さを前記基板の傾斜面下部に近づくほど長くなるようにもできる。本発明の1つの例においては前記処理液配管は、前記基板の傾斜面上部より前記基板の傾斜面下部に近く配置される。
【0016】
本発明の1つの例においては前記処理液供給部は、前記基板の傾斜面上部に処理液を噴射する第1ノズルと、前記基板の傾斜面下部に処理液を噴射する第2ノズルを含むノズル装置と、前記第1ノズルと連結される第1処理液配管と、第2ノズルと連結される第2処理液配管が形成されている処理液配管を含む。また、前記基板の移送方向と平行に配置される複数の処理液配管と、前記処理液配管に連結される複数のノズルを含むようにしてもよい。
【0017】
本発明の1つの例においては前記基板の傾斜面上部とそれに隣接した前記処理液配管との間の距離は、前記基板の傾斜面下部とそれに隣接した前記処理液配管との間の距離より長くすることができる。
【0018】
本発明の1つの例においては前記基板の傾斜面下部に処理液を噴射する前記ノズルは、前記基板の傾斜面上部に処理液を噴射する前記ノズルに比べて、前記基板に近く配置される。
【0019】
本発明による基板処理方法は、基板と処理液を準備する段階と、前記基板に前記処理液を供給しながら、前記基板を前記基板の移送方向と交差する方向に少なくとも1回交互的に傾けて移送する段階を含む。
【0020】
本発明の1つの例においては、前記移送する段階は、前記移送方向に関し前記基板を少なくとも1回往復移送することができる。
本発明の1つの例においては、前記基板の傾斜角は、3°乃至7°でとすることができる。
【0021】
本発明の1つの例においては、前記処理液は、現像液、食刻液、そして洗浄液の中の、いずれか1つでありうる。
本発明による基板処理方法は、第1処理ユニットで基板を移送方向と交差する方向に第1傾斜角程度に傾けて移送しながら、処理液を板面に供給する段階と、第2処理ユニットで前記基板を移送方向と交差する方向に前記第1傾斜角より小さい第2傾斜角程度に傾けて移送しながら、処理液を板面に供給する段階と、第3処理ユニットで前記基板を移送方向と交差する方向に前記第1傾斜角と反対方向である第3傾斜角程度に傾けて移送しながら、処理液を板面に供給する段階を含む。
【0022】
本発明の1つの例においては、前記第2処理ユニットで前記基板は水平に移送される。
本発明の1つの例においては、前記第1傾斜角と前記第3傾斜角は同じ大きさとすることができる。
【0023】
本発明による基板処理方法は、基板を移送方向と交差する方向に傾けて移送する段階と、前記基板の傾斜面下部に加えられる処理液の噴射圧が前記基板の傾斜面上部に加えられる処理液の噴射圧より強くなるよう処理液を供給する段階を含む。
【発明の効果】
【0024】
本発明により、基板の処理が均一に行われる基板処理装置が提供され、また、基板の処理が均一に行われる基板処理方法が提供される。
【発明を実施するための最良の形態】
【0025】
以下添付図を参照してより詳細に説明する。
種々の実施例で繰り返される構成要素に対しては、同一番号を付与し、代表的に第1実施例のみで説明して他の実施例では省略する。
【0026】
まず本発明の第1実施例による基板処理装置1を図1と図2を参照して説明する。
本発明の第1実施例による基板処理装置1は、類似する構成の多数の処理ユニット10a、10b、10cで構成されている。
【0027】
各処理ユニット10a、10b、10cは、互いに隣接するように連結されている。各処理ユニット10a、10b、10cの間には、お互いを連結する通路40が形成され、基板100を搬入/搬出できる。
【0028】
各処理ユニット10a、10b、10cの上部には、基板100に処理液23を供給する処理液供給部20が形成されている。処理液供給部20は、処理液23をスプレーして、基板100に供給し、基板100全体に処理液23が均一に供給されるように基板100の移送経路に沿って複数個が設置されている。図示されていないが処理液供給部20は処理液貯蔵タンクをさらに含む。
【0029】
処理液23は、各処理装置1の用途に合わせて、現像液、食刻液、洗浄液の中の、いずれか1つが選ばれる。他の処理目的の場合はそれに応じた対応する処理液が用いられる。
処理液23が現像液の場合、メタル成分を含まない有機アルカリである溶液系列が使われて、洗浄過程を通し、アルカリ性である成分は完全除去される。
【0030】
処理液23が食刻液の場合、食刻対象によりその成分が変わる。アルミやモリブデンを食刻する場合、食刻液は燐酸、硝酸、酢酸を含む。タンタルを食刻する場合、食刻液はフッ酸と硝酸を含む。クロムを食刻する場合、食刻液は硝酸アンモニウムセシウムと硝酸を含む。またITO(Indiun Tin Oxide)を食刻する場合、食刻液は塩酸、硝酸、塩化鉄を含む。
【0031】
処理液23が洗浄液の場合、処理液23は通常 DIウォーターである。また、この場合処理ユニット10a、10b、10cは迅速な洗浄のために、処理液供給部20の他にノズルが基板100移送方向と交差する方向に形成されるアクアナイフ(水薄膜ナイフ)をさらに含む。
【0032】
基板100は移送装置30に安着され、移送方向に関し処理ユニット10a、10b、10cの中で往復運動させられあるいは、または処理ユニット10a、10b、10cの間で移送される。基板100は、処理液供給部20からスプレーされる処理液23の供給を受けるために、処理液供給部20の下部に位置し、処理液23で処理される部分を露出している。処理が現像の場合には、露光処理された感光膜が露出している。処理が食刻の場合には、食刻される金属層、透明電極層、絶縁層などが露出しており、食刻されない部分は感光膜で覆われている。処理が洗浄の場合、現像液または食刻液そして現像されて分離した感光層、食刻によって分離された金属層などが洗浄液に対し露出されている。
【0033】
移送装置30はコンベアタイプになっており、処理ユニット10a、10b、10cの間で基板100を移送したり、1つの処理ユニット10a、10b、10cの中で基板100を往復運動させたりする。コンベアとしてベルトタイプを利用することも可能である。また、移送装置30は、正回転、または逆回転することができて、1列に配列された多数のローラ31と、ローラ31と結合されて基板100の背面と直接接触する支持部32、そして基板100の運動により、回転しつつ基板100の側面と接触して支持し、基板100が移送装置30から離脱するのを防止するサイドローラ33を含む。サイドローラ33は、基板100の両側面に沿って形成される。移送装置30は、処理液23により変質しない材質になっており、この中で、支持部32は基板100に衝撃を与えることを防ぐため、プラスチック材質で製造されることが望ましい。移送装置30はこれ以外にローラ31の回転・停止や回転方向を制御する制御部(図示せず)をさらに含む。
【0034】
制御部は基板100が移送方向と交差する方向に交互的に傾いて移送されるように移送装置30を制御する。第1処理ユニット10aでは例えば、移送装置30は基板100の一側辺が上部に位置されるように、また基板100移送方向と交差する方向に前記基板100を傾けて移送させることができる。図2で互いに反対方向である第1傾斜角(θ1)と第2傾斜角(θ2)は3°乃至7°の間でありうる。傾斜角が3°より小さい場合は、処理液23の除去速度が遅く、逆に7°より大きい場合は、処理液23が基板100に留まる時間が短くなり過ぎる。また前記両傾斜角(θ1、θ2)の大きさは同一としてもよい。
【0035】
また図示されていないが、本発明の移送装置30は、基板100を基板100と交差する方向に傾ける度合いを変化させるように傾斜調節部材をさらに含むことが望ましい。傾斜調節部材はピストン装置などで構成可能である。
【0036】
本発明の実施例による処理装置1は、様々な変形が可能であり、例えば、処理ユニット10a、10b、10cは4ケ以上で形成されることもできる。
以下では、本発明の第1実施例を利用した基板処理方法を、図3を参照して説明する。基板100上にゲート配線を形成する工程を例とする。
【0037】
基板素材上にゲート金属層を蒸着し、感光液を塗布する。その後ソフトベイク過程を経て、感光液内のソルベントを除去して、感光膜を形成する。ソルベントが除去された感光膜に一定パターンのマスクを利用して、露光を実施する。その後次のような現像工程を経る。
【0038】
まず第1処理ユニット10aに移送装置30に安着されるよう基板100が搬入される(S100)。処理液供給部20でスプレーされた処理液23、即ち現像液は、基板100が通常第1処理ユニット10aに搬入されてから基板100に供給されて、感光膜を現像する(S200)。基板100の感光膜は、感光膜がネガティブの場合には、露光されていない領域が処理液23と反応して溶解して、感光膜がポジティブの場合には、露光された領域が処理液23と反応して溶解する。この時基板100の移送方向は、第1処理ユニット10aから第2処理ユニット10bに向かう第1移送方向である。また移送装置30は、基板100を第1傾斜方向に傾けた状態で移送する。ここで第1傾斜方向は基板100の移送方向に対し交差する方向になる。図示の例では直交する方向である。この過程で基板100が一方向に傾いて、基板100の下部に位置した部分では処理液23と接触する時間が上部に位置した部分に比べて長くなる。
【0039】
第1移送方向に所定時間の間移送した後、移送装置30は基板100を第1移送方向と反対方向である第2移送方向に移送する(S300)。これと共に、移送装置30は基板100を第2傾斜方向に傾けて移送する。第2傾斜方向は、第1傾斜方向と傾斜角は同一であるが、その方向は反対である。即ち、第1傾斜方向で下部に位置した基板100部分が上部に移動して、反対に第1傾斜方向で上部に位置した基板100部分が下部に移動する。これによって、先の移送(S200)で処理液23と相対的に多く接触した部分は、少なく接触するようになって、反対に処理液23と相対的に少なく接触した部分は多く接触するようになる。
【0040】
第2移送方向への移送(S300)が終了すると、移送装置30は基板100をまた第1移送方向に移送させる(S400)。この時、基板100の傾斜方向はまた第1傾斜方向に転換される。傾斜方向を上記の通りに交互的に転換しても、サイドローラ33が基板100の両側面に設置されているため、基板100が移送装置30から離脱することはない。
【0041】
2回目の第1移送方向への移送(S400)により、基板100が通路40に到達すると、移送装置30は基板100を隣接した処理ユニット10bに搬出する(S500)。基板100を搬入した第2処理ユニット10bでは、前記のような過程を繰り返した後、基板100を第3処理ユニット10cに搬出する。
【0042】
一方、第1処理ユニット10aにはまた他の基板100が搬入されて、前記過程を繰り返す。
こういう過程を経て、第3処理ユニット10cから搬出された基板100は、感光膜の現像が完了した状態となる。現像過程で基板100は交互的に傾いて移送されたため、特定の部分が現像液と多く接する問題が減少する。
【0043】
以後基板100は洗浄過程、食刻過程、また他の洗浄過程を経るが、この過程の具体的な内容は前記の現像過程と類似する。
基板100全体が処理液23との接触程度が均一であったために、完成されたゲート配線の不均一性は減少する。
【0044】
以下では、本発明の第1実施例による基板処理装置を利用した他の基板処理方法を図4及び図5を参照して説明する。
基板100は、1つの処理ユニット10a、10b、10cでは同じ傾斜角を維持する。現像過程を例として説明する。
【0045】
第1処理ユニット10aに移送装置30に装着されて基板100が搬入される(S110)。処理液供給部20でスプレーされた処理液23、即ち現像液は基板100が通常第1処理ユニット10aに搬入された後、基板100に供給されて感光膜を現像する(S210)。基板100の移送方向は、第1処理ユニット10aから第2処理ユニット10bに向かう第1移送方向である。また移送装置30は、基板100を基板100の移送方向に対し交差する方向に第1傾斜角(θ3)程度傾けて移送する。基板100の下部に位置した部分では処理液23と接触する時間が上部に位置した部分に比べて長くなる。
【0046】
場合によって、移送装置30は、基板100を第1移送方向の反対である第2移送方向に移送させて、基板100を往復運動させることができる。
その後基板100は、第2処理ユニット10bに搬入される(S310)。これと共に移送装置30は、基板100を水平に移送して、基板100を現像処理する(S410)。即ち、第2処理ユニット10bの第2傾斜角(θ4)は0°となる。これにより、基板100の全体部分で処理液23と接触する時間が一定になる。第1処理ユニット10aのように、移送装置30は基板100を第1移送方向の反対である第2移送方向に移送させて、基板100を往復運動させることができる。
【0047】
以後基板は第3処理ユニット10cに搬入される(S510)。
これと共に移送装置30は、基板100を第3傾斜角(θ5)程度傾けて移送する(S610)。
【0048】
第3傾斜角(θ5)は、第1傾斜角(θ3)と大きさは同一であるが、その方向は反対である。即ち、第1処理ユニット10aで下部に位置した基板100部分が上部に位置し、逆に上部に位置した基板100部分が下部に位置する。これによって最初の移送段階(S210)で処理液23と相対的に多く接触した部分は少なく接触するようになり、逆に処理液23と相対的に少なく接触した部分は多く接触するようになる。場合によって、移送装置30は基板100を第1移送方向の反対である第2移送方向に移送させて、基板100を往復運動させることができる。
【0049】
一方、第1処理ユニット10aには、また他の基板100が搬入されて、前記過程を繰り返す。
以下、本発明の第2実施例による基板処理装置を図6および図7を参照して説明する。
【0050】
処理液供給部20は、基板100移送方向の垂直方向に伸張され、互いに平行の複数の処理液配管21と、各処理液配管21に連結される複数のノズル22を含む。処理液23は図示されていない処理液タンクと処理液ポンプを通し、処理液配管21に供給される。
【0051】
処理液配管21に供給された処理液23はノズル22を通して、基板100表面に噴射される。
図6のように、基板100の移送方向が基板100の長辺と平行な場合、処理液配管21は基板100の短辺と平行に配置される。処理液配管21の間隔は、これに限定はされないが一定である。ノズル22の間隔も、これに限定はされないが一定である。
【0052】
基板100に加えられる処理液23の噴射圧に対して述べる。
図7のように、移送装置30に安着されて移送される基板100は、所定角度(θ6)に傾いている。これは処理液23を基板100から迅速に除去するためである。ここで基板100の傾斜角(θ6)は3°乃至7°の間でありうる。
【0053】
基板100の上部に位置した処理液配管21も傾斜配置されていて、その傾斜角(θ7)は基板100の傾斜角(θ6)より大きい。処理液配管21は、傾斜角(θ7)を変更可能なように形成されることもできる。傾斜角の差により、基板100傾斜面上部Aとノズル22との距離(d1)は基板100傾斜面下部Bとノズル22との距離(d2)より大きい。各ノズル22から同じ噴射圧で処理液23を噴射する場合、傾斜面下部Bは傾斜面上部Aに比べて、強い噴射圧を受ける。
【0054】
第2実施例による基板処理装置1を利用した基板処理過程は次のようである。
基板100が移送装置30により処理液供給部20下部に移送されると、ノズル22を通して、処理液23が基板100全体に均一に噴射される。傾斜面上部Aに噴射される処理液23は、傾斜面上部Aを処理した後、基板100の傾斜面下部Bに流される。また傾斜面上部Aと傾斜面下部Bの間に噴射される処理液23も、基板100を処理した後、傾斜面下部Bに流される。これにより、傾斜面下部Bには処理液23の層が厚く存在する結果となって、処理液23に沈んだような(ディッピング)状態になる。したがって、傾斜面上部Aは処理液23の噴射による処理が行われる反面、傾斜面下部Bは処理液23のディッピングが主となったような処理が行われて、基板100処理が不均一になる。
【0055】
第2実施例のように、傾斜面下部Bとノズル22間の距離(d2)を減少させて、基板100に加えられる処理液23噴射圧を増加させると、傾斜面下部Bも噴射による処理が行われる。また処理液23の強い噴射圧により傾斜面下部B上に層を成している処理液23も基板100から迅速に除去される。このように基板100全体が処理液23の噴射により処理されて、基板100の処理が均一に行われる。
【0056】
このように基板100全体に対する処理が完了すると、基板100は次の工程に移送される。処理が現像工程の場合には洗浄または食刻工程に、処理が食刻工程の場合には洗浄工程に、処理が洗浄工程の場合には乾燥工程に移送される場合が多い。
【0057】
本発明の第3実施例による基板処理装置を、図8を参照して説明する。
基板100の傾斜角(θ6)と処理液配管21の傾斜角(θ8)は同一である。反面ノズル22の長さは傾斜面下部Bに近くなるほど長くなるように形成されている。このような構成により、傾斜面上部Aとノズル22との距離(d3)は傾斜面下部Bとノズル22との距離(d4)より長い。各ノズル22で同じ噴射圧で処理液23を噴射する場合、傾斜面下部Bは傾斜面上部Aに比べて、強い噴射圧を受けて基板100の処理は均一になる。
【0058】
本発明の第4実施例による基板処理装置を、図9を参照して説明する。
基板100の傾斜角(θ6)と処理液配管21の傾斜角(θ9)は同一である。処理液配管21は、傾斜面上部Aに処理液23を供給する第1処理液配管21aと、傾斜面下部Bに処理液23を供給する第2処理液配管21bを含む。ノズル22は第1処理液配管21aに連結されている第1ノズル22aと、第2処理液配管21bに連結されている第2ノズル22bを含む。図示されていないが、第1処理液配管21aと第2処理液配管22bは、処理液供給圧力が異なるそれぞれの処理液ポンプに連結されている。第4実施例では、第2処理液配管21bに連結されている第2ノズル22bから噴射される処理液23の噴射圧力が、第1処理液配管21aに連結されている第1ノズル22aから噴射される処理液23の噴射圧力より強い。従って、傾斜面下部Bは傾斜面上部Aに比べて、強い処理液23の噴射圧を受けて、基板100の処理が均一に行われる。
【0059】
本発明の第5実施例による基板処理装置を図10及び図11を参照して説明する。
処理液配管21は、基板100の移送方向と平行になるように、配置されている。処理液配管21の間隔は、これに限定はされないが互いに一定である。ノズル22の間隔も、これに限定はされないが互いに一定である。
【0060】
処理液配管21は、傾斜面下部Bに近くなるほど基板100との間隔が小さく配置されている。即ち、傾斜面上部Aとノズル22間の距離(d5)は傾斜面下部Bとノズル22間の距離(d6)より大きい。これに伴い傾斜面下部Bは傾斜面上部Aに比べて、強い処理液23の噴射圧を受けて基板100処理が均一になる。
【0061】
以上の実施例は多様に変形される。例えば、基板と処理液配管の傾斜角が互いに異なり、同時にノズルの長さも変わりうる。基板傾斜を交互的に変化させることと処理液噴射圧の調節は同時に適用され得る。
【0062】
実施例では液晶表示装置用基板に対して説明したが、本発明での基板は有機電気発光装置のような平板表示装置に使われる基板等の全ての基板や半導体ウェハーも含む。
【図面の簡単な説明】
【0063】
【図1】本発明の第1実施例による基板処理装置の断面図である。
【図2】本発明の第1実施例による基板処理装置の作動を説明する斜視図である。
【図3】本発明の第1実施例による基板処理装置を利用した基板処理方法を示した図である。
【図4】本発明の第1実施例による基板処理装置の他の作動を説明する斜視図である。
【図5】本発明の第1実施例による基板処理装置を利用した他の基板処理方法を示した図である。
【図6】本発明の第2実施例による基板処理装置の要部斜視図である。
【図7】本発明の第2実施例による基板処理装置の要部側面図である。
【図8】本発明の第3実施例による基板処理装置の要部側面図である。
【図9】本発明の第4実施例による基板処理装置の要部側面図である。
【図10】本発明の第5実施例による基板処理装置の要部斜視図である。
【図11】本発明の第5実施例による基板処理装置の要部側面図である。
【符号の説明】
【0064】
10a、10b、10c 処理ユニット
20 処理液供給部
23 処理液
30 移送装置
31 ローラ
32 支持部
33 サイドローラ
40 通路
100 基板
【特許請求の範囲】
【請求項1】
基板の板面に処理液を供給する処理液供給部と;
前記基板を移送する移送装置と;
前記基板を前記基板の移送方向と交差する方向に交互的に傾けて移送させるように前記移送装置を制御する制御部を含むことを特徴とする基板の処理装置。
【請求項2】
基板を傾けて移送する移送装置と;
前記移送装置上部に形成され、前記基板の傾斜面下部に加えられる処理液の噴射圧が前記基板の傾斜面上部に加えられる処理液の噴射圧より強くなるよう処理液を供給する処理液供給部を含むことを特徴とする基板処理装置。
【請求項3】
前記処理液供給部は複数のノズルを含んで、
前記基板の傾斜面下部に処理液を噴射する前記ノズルは、前記基板の傾斜面上部に処理液を噴射する前記ノズルに比べて、前記基板に近く配置されることを特徴とする請求項2に記載の基板処理装置。
【請求項4】
前記処理液供給部は、前記基板の移送方向と交差する方向に配置されている処理液配管と、前記処理液配管に連結される複数のノズルを含むことを特徴とする請求項2に記載の基板処理装置。
【請求項5】
前記処理液配管は、傾斜角度を調節することができるように形成されることを特徴とする請求項4に記載の基板処理装置。
【請求項6】
前記処理液配管は、前記基板と平行に配置され、
前記基板の傾斜面下部に処理液を噴射する前記ノズルは、前記基板の傾斜面上部に処理液を噴射する前記ノズルに比べて、長さが長いことを特徴とする請求項4に記載の基板処理装置。
【請求項7】
前記処理液配管は、前記基板と平行に配置され、
前記ノズルの長さは、前記基板の傾斜面下部に近づくほど長くなることを特徴とする請求項4に記載の基板処理装置。
【請求項8】
前記処理液配管は、前記基板の傾斜面上部より前記基板の傾斜面下部に近く配置されることを特徴とする請求項4に記載の基板処理装置。
【請求項9】
前記処理液供給部は、
前記基板の傾斜面上部に処理液を噴射する第1ノズルと前記基板の傾斜面下部に処理液を噴射する第2ノズルを含むノズル装置と;
前記第1ノズルと連結されている第1処理液配管と、第2ノズルと連結されている第2処理液配管を有する処理液配管を含むことを特徴とする請求項2に記載の基板処理装置。
【請求項10】
前記処理液供給部は、
前記基板の移送方向と平行に配置されている複数の処理液配管と、前記処理液配管に連結されている複数のノズルを含むことを特徴とする請求項2に記載の基板処理装置。
【請求項11】
前記基板の傾斜面上部とそれに隣接した前記処理液配管との間の距離は、前記基板の傾斜面下部とそれに隣接した前記処理液配管との間の距離より長いことを特徴とする請求項10に記載の基板処理装置。
【請求項12】
前記基板の傾斜面下部に処理液を噴射する前記ノズルは、前記基板の傾斜面上部に処理液を噴射する前記ノズルに比べて、前記基板に近く配置されていることを特徴とする請求項10に記載の基板処理装置。
【請求項13】
基板と処理液を準備する段階と;
前記基板に前記処理液を供給しながら、前記基板を前記基板の移送方向と交差する方向に少なくとも1回交互的に傾けて移送する段階を含むことを特徴とする基板処理方法。
【請求項14】
前記移送する段階は、前記移送方向に関して前記基板を少なくとも1回往復移送することを特徴とする請求項13に記載の基板処理方法。
【請求項15】
前記基板の傾斜角は、3°乃至7°であることを特徴とする請求項13に記載の基板処理方法。
【請求項16】
前記処理液は現像液、食刻液、そして洗浄液の中でいずれか1つであることを特徴とする請求項13に記載の基板処理方法。
【請求項17】
第1処理ユニットで基板を移送方向と交差する方向に第1傾斜角程度傾けて移送しながら、処理液を板面に供給する段階と;
第2処理ユニットで前記基板を移送方向と交差する方向に前記第1傾斜角より小さい第2傾斜角程度傾けて移送しながら、処理液を板面に供給する段階と;
第3処理ユニットで前記基板を移送方向と交差する方向に前記第1傾斜角と反対方向である第3傾斜角程度傾けて移送しながら、処理液を板面に供給する段階を含むことを特徴とする基板処理方法。
【請求項18】
前記第2処理ユニットで前記基板は、水平移送されることを特徴とする請求項17に記載の基板処理方法。
【請求項19】
前記第1傾斜角と前記第3傾斜角は同じ大きさであることを特徴とする請求項17又は18に記載の基板処理方法。
【請求項20】
基板を移送方向と交差する方向に傾けて移送する段階と;
前記基板の傾斜面下部に加えられる処理液の噴射圧が前記基板の傾斜面上部に加えられる処理液の噴射圧より強くなるよう処理液を供給する段階を含むことを特徴とする基板処理方法。
【請求項1】
基板の板面に処理液を供給する処理液供給部と;
前記基板を移送する移送装置と;
前記基板を前記基板の移送方向と交差する方向に交互的に傾けて移送させるように前記移送装置を制御する制御部を含むことを特徴とする基板の処理装置。
【請求項2】
基板を傾けて移送する移送装置と;
前記移送装置上部に形成され、前記基板の傾斜面下部に加えられる処理液の噴射圧が前記基板の傾斜面上部に加えられる処理液の噴射圧より強くなるよう処理液を供給する処理液供給部を含むことを特徴とする基板処理装置。
【請求項3】
前記処理液供給部は複数のノズルを含んで、
前記基板の傾斜面下部に処理液を噴射する前記ノズルは、前記基板の傾斜面上部に処理液を噴射する前記ノズルに比べて、前記基板に近く配置されることを特徴とする請求項2に記載の基板処理装置。
【請求項4】
前記処理液供給部は、前記基板の移送方向と交差する方向に配置されている処理液配管と、前記処理液配管に連結される複数のノズルを含むことを特徴とする請求項2に記載の基板処理装置。
【請求項5】
前記処理液配管は、傾斜角度を調節することができるように形成されることを特徴とする請求項4に記載の基板処理装置。
【請求項6】
前記処理液配管は、前記基板と平行に配置され、
前記基板の傾斜面下部に処理液を噴射する前記ノズルは、前記基板の傾斜面上部に処理液を噴射する前記ノズルに比べて、長さが長いことを特徴とする請求項4に記載の基板処理装置。
【請求項7】
前記処理液配管は、前記基板と平行に配置され、
前記ノズルの長さは、前記基板の傾斜面下部に近づくほど長くなることを特徴とする請求項4に記載の基板処理装置。
【請求項8】
前記処理液配管は、前記基板の傾斜面上部より前記基板の傾斜面下部に近く配置されることを特徴とする請求項4に記載の基板処理装置。
【請求項9】
前記処理液供給部は、
前記基板の傾斜面上部に処理液を噴射する第1ノズルと前記基板の傾斜面下部に処理液を噴射する第2ノズルを含むノズル装置と;
前記第1ノズルと連結されている第1処理液配管と、第2ノズルと連結されている第2処理液配管を有する処理液配管を含むことを特徴とする請求項2に記載の基板処理装置。
【請求項10】
前記処理液供給部は、
前記基板の移送方向と平行に配置されている複数の処理液配管と、前記処理液配管に連結されている複数のノズルを含むことを特徴とする請求項2に記載の基板処理装置。
【請求項11】
前記基板の傾斜面上部とそれに隣接した前記処理液配管との間の距離は、前記基板の傾斜面下部とそれに隣接した前記処理液配管との間の距離より長いことを特徴とする請求項10に記載の基板処理装置。
【請求項12】
前記基板の傾斜面下部に処理液を噴射する前記ノズルは、前記基板の傾斜面上部に処理液を噴射する前記ノズルに比べて、前記基板に近く配置されていることを特徴とする請求項10に記載の基板処理装置。
【請求項13】
基板と処理液を準備する段階と;
前記基板に前記処理液を供給しながら、前記基板を前記基板の移送方向と交差する方向に少なくとも1回交互的に傾けて移送する段階を含むことを特徴とする基板処理方法。
【請求項14】
前記移送する段階は、前記移送方向に関して前記基板を少なくとも1回往復移送することを特徴とする請求項13に記載の基板処理方法。
【請求項15】
前記基板の傾斜角は、3°乃至7°であることを特徴とする請求項13に記載の基板処理方法。
【請求項16】
前記処理液は現像液、食刻液、そして洗浄液の中でいずれか1つであることを特徴とする請求項13に記載の基板処理方法。
【請求項17】
第1処理ユニットで基板を移送方向と交差する方向に第1傾斜角程度傾けて移送しながら、処理液を板面に供給する段階と;
第2処理ユニットで前記基板を移送方向と交差する方向に前記第1傾斜角より小さい第2傾斜角程度傾けて移送しながら、処理液を板面に供給する段階と;
第3処理ユニットで前記基板を移送方向と交差する方向に前記第1傾斜角と反対方向である第3傾斜角程度傾けて移送しながら、処理液を板面に供給する段階を含むことを特徴とする基板処理方法。
【請求項18】
前記第2処理ユニットで前記基板は、水平移送されることを特徴とする請求項17に記載の基板処理方法。
【請求項19】
前記第1傾斜角と前記第3傾斜角は同じ大きさであることを特徴とする請求項17又は18に記載の基板処理方法。
【請求項20】
基板を移送方向と交差する方向に傾けて移送する段階と;
前記基板の傾斜面下部に加えられる処理液の噴射圧が前記基板の傾斜面上部に加えられる処理液の噴射圧より強くなるよう処理液を供給する段階を含むことを特徴とする基板処理方法。
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【公開番号】特開2006−32969(P2006−32969A)
【公開日】平成18年2月2日(2006.2.2)
【国際特許分類】
【出願番号】特願2005−208369(P2005−208369)
【出願日】平成17年7月19日(2005.7.19)
【出願人】(503447036)サムスン エレクトロニクス カンパニー リミテッド (2,221)
【Fターム(参考)】
【公開日】平成18年2月2日(2006.2.2)
【国際特許分類】
【出願日】平成17年7月19日(2005.7.19)
【出願人】(503447036)サムスン エレクトロニクス カンパニー リミテッド (2,221)
【Fターム(参考)】
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