基板割れ検出装置および基板処理装置
【課題】簡素、かつ安価な構成で、搬送中の基板の割れをより確実に検出する。
【解決手段】コンベア５により搬送される基板Ｂの割れを検出する装置であって、基板検知センサ３０Ａ，３０Ｂおよび制御部３８を有する。基板検知センサ３０Ａ，３０Ｂは、センサヘッド３２およびセンサアンプ３６を有し、前記ヘッド３２により基板Ｂに対して光を照射しつつその反射光を受光し、その受光状態に応じた信号をセンサアンプ３６から出力する。制御部３８は、光の照射位置を基板Ｂが通過する間に、センサアンプ３６から出力される信号に基づき基板の割れを検知する。なお、センサアンプ３６は、光の受光状態が基板有りの状態から無しの状態に変化するときに、前記信号として、制御部３８により処理可能な最小時間幅よりも常に大きい時間幅をもつ信号を出力する。
【解決手段】コンベア５により搬送される基板Ｂの割れを検出する装置であって、基板検知センサ３０Ａ，３０Ｂおよび制御部３８を有する。基板検知センサ３０Ａ，３０Ｂは、センサヘッド３２およびセンサアンプ３６を有し、前記ヘッド３２により基板Ｂに対して光を照射しつつその反射光を受光し、その受光状態に応じた信号をセンサアンプ３６から出力する。制御部３８は、光の照射位置を基板Ｂが通過する間に、センサアンプ３６から出力される信号に基づき基板の割れを検知する。なお、センサアンプ３６は、光の受光状態が基板有りの状態から無しの状態に変化するときに、前記信号として、制御部３８により処理可能な最小時間幅よりも常に大きい時間幅をもつ信号を出力する。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、液晶表示デバイス（ＬＣＤ）やプラズマ表示デバイス（ＰＤＰ）用ガラス基板などの基板を搬送しながら各種処理を施す基板処理装置に適した基板割れ検出装置およびこの検出装置が組み込まれた基板処理装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来から、処理対象となる基板に生じた割れ、欠け等（以下、単に割れという）を検出する装置として種々のものが考えられており、例えば、特許文献１には、投光器と受光器とを備えた光学式センサを用い、半導体基板の欠片（かけら）が当該センサの光経路を通過するときの受光器における受光レベルの変化に基づいて基板に割れが生じているか否かを検出する基板割れ検出器が開示されている。
【０００３】
また、特許文献２には、導電膜が形成されたガラス基板に対し、一対の電極を使って前記導電膜が形成された部分の抵抗値を検出することにより、当該抵抗値の変化に基づいてガラス基板の割れを検出する技術が提案されている。
【特許文献１】特許第２９５３８５０号公報
【特許文献２】特開２００５−１００３３０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
近年、ＬＣＤやＰＤＰ用ガラス基板などの処理装置では、効率化の観点から基板を搬送しながら各種処理を施すことが行われており、特許文献１のような装置を用いて基板の割れを検出することが有効となるが、ここに次のような課題がある。
【０００５】
すなわち、基板の搬送速度が速い場合、あるいは割れが微細なものである場合には、割れに対応する受光レベルの変化が微細（時間的に短い）なものとなるため割れの検出が難しくなる。これは例えば受光信号のサンプリング周期（検出周期）との関係で、受光レベルの変化が微細化すると自ずと当該変化を検出できない可能性が高くなるためである。
【０００６】
そこで、センサの位置で一時的に基板の搬送速度を落とすか、あるいは受光信号のサンプリング周期を短期化することにより割れの検出信頼性を高めることが考えられるが、前者の場合には、基板の処理効率を下落させることとなり、また、後者の場合には、より高性能の制御装置が求められる分コスト高になるといった問題があり、いずれも得策とは言えない。
【０００７】
なお、特許文献２の技術を適用することも考えられるが、この場合には導電膜が形成された部分以外の割れを検知するのは困難である。また、ＣＣＤ（Charge-Coupled Devices）等の撮像装置を用いて基板を撮像し、その画像に基づいて基板の割れを検出することも考えられるが、この場合はコスト高を招き、また画像処理等の制御負担が大きくなるため有効策とは言えない。
【０００８】
本発明は、上記の問題を解決するためになされたもので、簡素、かつ安価な構成で、搬送中の基板の割れ（割れ、欠け等）をより確実に検出することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記課題を解決するために、本発明は、搬送路に沿って搬送される基板の割れを検出するための装置であって、前記搬送路に沿って搬送される基板に対して光を照射可能な照射手段と前記光の受光手段とを含み、この受光手段による光の受光状態に基づき信号を出力する信号出力手段と、前記基板が前記照射手段による光の照射位置を通過する間に、これに対応して前記信号出力手段から出力される信号に基づき基板の割れを検知する割れ検知手段とを有し、前記信号出力手段は、前記受光手段による光の受光状態が基板有りの状態から無しの状態に変化するときに、前記割れ検知手段により処理可能な最小時間幅よりも常に大きい時間幅をもつ前記信号を出力するように構成されているものである（請求項１）。
【００１０】
この装置よれば、照射手段により光が照射されつつその照射位置を基板が通過する間に、受光手段による光の受光状態に応じた信号が信号出力手段から出力され、この信号に基づき割れ検知手段により割れが検知される。つまり、基板に割れがある場合には、光の受光状態が基板有りの状態から無しの状態に変化し、これに対応した信号が信号出力手段から出力されるため、この信号に基づき割れ検知手段において割れが検知されることとなる。その際、信号出力手段は、割れ検知手段により処理可能な最小時間幅よりも常に大きい時間幅をもつ信号を出力するように構成されているので、基板の搬送速度が速い場合や割れが極微細なものであっても、割れ検知手段は確実に当該信号に基づき割れを検知することが可能となる。
【００１１】
なお、「基板に対して光を照射可能な照射手段と前記光の受光手段とを含み」とは、照射手段から光を基板に対して照射しつつその反射光を受光手段により受光する構成、および照射手段から基板に対して光を照射しつつその透過光を受光する構成の双方を意味するものである。
【００１２】
上記の構成においては、複数の前記信号出力手段を有し、これら信号出力手段の前記照射手段による光の照射位置が前記搬送路の幅方向に並んでいるのが好適である（請求項２）。
【００１３】
この構成によれば、基板のより広い範囲にわたって割れを検知することが可能となり、割れ検出の信頼性が向上する。
【００１４】
なお、信号出力手段は、受光手段による光の受光状態が基板有りの状態から無しの状態に変化するときに信号を出力するものであるため、基板先端に割れがある場合には割れを検知できない場合も考えられる。
【００１５】
そこで、上記の構成においては、前記信号出力手段を第１信号出力手段としたときに、さらに、前記搬送路に沿って搬送される基板に対して光を照射可能な照射手段と前記光の受光手段とを含み、この受光手段による光の受光状態に基づき基板の有無に対応した信号を出力する複数の第２信号出力手段を有し、これら第２信号出力手段の前記照射手段による光の照射位置が前記搬送路の幅方向に並び、前記割れ検知手段が、第１および第２信号出力手段から出力される信号に基づき前記割れを検知するように構成されているのが好適である（請求項３）。
【００１６】
この構成によれば、基板先端に割れがある場合には、基板先端が第２信号出力手段の照射手段による光の照射位置に到達した時、各第２信号出力手段から出力される信号のうち、割れに対応するものの信号状態だけが他の信号状態と異なるものとなる。そのため、基板先端の割れを検知することが可能となる。
【００１７】
この構成においては、第１信号出力手段および第２信号出力手段の前記照射手段および受光手段として共通の照射手段および受光手段が設けられているのが好適である（請求項４）。
【００１８】
この構成によると、第１信号出力手段および第２信号出力手段の照射手段および受光手段を共通化した合理的で、安価な構成が達成される。また、第１信号出力手段および第２信号出力手段の照射手段による光の照射位置が同じ位置となるので、基板幅方向（搬送路の幅方向に同じ）の特定の位置において、基板の先端（搬送方向先端）から後端までその全体にわたって割れを検知することが可能となる。
【００１９】
なお、上記の構成においては、前記搬送路に沿って搬送される基板に対して光を照射可能な照射手段と前記光の受光手段とを含み、この受光手段による光の受光状態に基づき基板の有無に対応した信号を出力する第３信号出力手段をさらに有し、この第３信号出力手段の前記照射手段による光の照射位置が前記搬送路の幅方向中央であって、かつ前記第２信号出力手段の各照射手段による光の照射位置よりも基板搬送方向下流側の位置にあり、前記割れ検知手段が、第３信号出力手段から出力される信号に基づき基板の先端を検知し、当該検知後に第１および第２信号出力手段から出力される信号に基づき前記割れを検知するように構成されているのが好適である（請求項５）。
【００２０】
また、前記搬送路に沿って搬送される基板に対して光を照射可能な照射手段と前記光の受光手段とを含み、この受光手段による光の受光状態に基づき基板の有無に対応した信号を出力する第４信号出力手段を有し、この第４信号出力手段の前記照射手段による光の照射位置が前記搬送路の幅方向中央であって、かつ前記第２信号出力手段の各照射手段による光の照射位置よりも基板搬送方向上流側の位置に設定され、前記割れ検知手段が、第４信号出力手段から出力される信号に基づき基板の後端を検知し、当該検知後に第１および第２信号出力手段から出力される信号を無視するように構成されているのが好適である（請求項６）。
【００２１】
これらの構成によると、発明を実施するための最良の形態で詳しく説明するように、基板が搬送方向に対して斜めになる、いわゆる斜め搬送が生じた場合の基板先端、基板後端における割れの誤検出を有効に回避して、割れの検出信頼性を高めることが可能となる。
【００２２】
一方、本発明に係る基板処理装置は、基板の搬送路と、この搬送路に沿って搬送される基板に対して所定の処理を施す処理手段と、前記搬送路に沿って搬送される基板の割れを検出する基板割れ検出装置とを備えた基板処理装置であって、前記基板割れ検出装置として上記何れかに記載の基板割れ検出装置を備えているものである（請求項７）。
【００２３】
このような基板処理装置によると、上記の基板割れ検出装置が組み込まれているので、基板の搬送速度が速い場合や割れが極微細なものであっても、基板の割れをより確実に検出することが可能となる。
【００２４】
なお、この基板処理装置において、前記基板割れ検出装置は、基板の搬送を開始する搬送開始地点と前記処理手段との間、又は前記処理手段と処理後の基板の搬送終了地点との間の少なくとも一方に設けられているのが好適である（請求項８）。
【００２５】
この構成によれば、割れの検出位置を搬送開始地点と前記処理手段との間に設定した場合には、処理手段による処理前に事前に基板の割れを検出してラインアウトさせることが可能となり、また、割れの検出位置を処理手段と搬送終了地点との間に設定した場合には、処理手段による処理後、当該基板が次工程の装置に搬出される前に基板の割れを検出してラインアウトさせることが可能となる。なお、「搬送終了地点」とは、処理対象となる基板の終点位置を意味するものであって、この地点で基板を停止させるものであることを限定する趣旨ではない。つまり、搬送終了地点で基板を一旦停止させるもの、あるいは通過させるものの何れであってもよい。
【発明の効果】
【００２６】
本発明に係る基板割れ検出装置によると、照射手段の光の照射位置を基板が通過する際の受光手段による光の受光状態に応じた信号を信号出力手段から出力させ、この信号に基づいて割れ検知手段において基板の割れを検知するようにした上で、信号出力手段について、さらに光の受光状態が基板有りの状態から無しの状態に変化する際に、割れ検知手段により処理可能な最小時間幅よりも常に大きい時間幅をもつ信号を出力するように構成したので、基板の搬送速度が速い場合や割れが極微細なものであっても確実に割れを検知させることができる。しかも、割れ検知手段において処理可能な最小時間幅が大きくなっても、それ以上に信号出力手段から出力される上記信号の時間幅を大きく設定すれば微細な割れを検知可能なため、装置をより簡単に、かつ安価に構成することが可能となる。
【００２７】
一方、本発明に係る基板処理装置によると、上記のような基板割れ検出装置を備えているので、搬送中の基板の割れをより確実に検出してラインアウトさせることが可能となる。そのため、割れを伴う基板が引き続き処理に供されることに因るトラブル等の発生を未然に防止できるようになる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２８】
本発明の実施の形態について図面を用いて説明する。
【００２９】
図１は、本発明に係る基板処理装置（本発明に係る基板割れ検出装置が組み込まれた基板処理装置）の第１の実施形態を概略的に示している。
【００３０】
同図に示すように、基板処理装置１は、基板導入部２、処理部３（本発明に係る処理手段に相当する）および基板導出部４を直列に備えるとともに基板Ｂを搬送する搬送機構とを有しており、前記基板導入部２に導入される基板Ｂを前記搬送機構により搬送しつつ処理部３において各種処理を施した後、基板導出部４から次工程へと導出するように構成されている。なお、搬送機構は、例えばローラコンベア５から構成されている。
【００３１】
前記基板導入部２には、上流側引き継ぎ装置１０と、基板割れ検出装置１２とが配置されている。上流側引き継ぎ装置１０は、基板Ｂを基板導入部２に導入するもので、前工程からコンベア等により搬送されてくる基板Ｂを上記ローラコンベア５（以下、コンベア５と略す）上に移載するようになっている。
【００３２】
基板割れ検出装置１２は、基板導入部２に導入された基板Ｂの割れを検出するもので、所定の搬送開始地点、すなわち基板Ｂの導入地点と処理部３との間に固定的に配置されており、コンベア５の駆動により処理部３に向かって搬送される基板Ｂの割れ（欠けを含む）を非接触で検知するように構成されている。なお、この基板割れ検出装置１２については後に詳述する。
【００３３】
上記処理部３は、当実施形態においては、薬洗部３Ａ、水洗部３Ｂおよび乾燥部３Ｃから構成されおり、これら各部３Ａ〜３Ｃがこの順番で基板Ｂの搬送方向上流（以下、単に上流側という）から順に配置されている。
【００３４】
薬洗部３Ａは、コンベア５によって搬送される基板Ｂの表裏に所定の薬液を供給して基板Ｂを洗浄（薬洗）するもので、コンベア５を挟んでその上下両側に複数の薬液供給ノズル２１を有するとともにブラッシング処理用のブラシ２２を備えている。
【００３５】
水洗部３Ｂは、コンベア５によって搬送される基板Ｂに洗浄水を供給して洗浄（水洗）するもので、その内部は、上流側から順に低圧水供給部２４、高圧水供給部２５、超音波洗浄水供給部２６および純水供給部２７に区分されており、各供給部２４〜２７には、それぞれコンベア５の上下両側に洗浄水供給用のノズル２４ａ〜２７ａ等が配置されている。
【００３６】
乾燥部３Ｃは、水洗部３Ｂ（純水供給部２７）から導出された基板Ｂに乾燥処理を施すもので、その内部にはコンベア５を挟むように、上下一対のエアーナイフ２８が配置されている。
【００３７】
前記基板導出部４には、下流側引き継ぎ装置１４と、基板割れ検出装置１２とが配置されている。下流側引き継ぎ装置１４は、基板Ｂを基板導出部４に導出するもので、ローラコンベア５上の基板Ｂを次工程に移載するものである。
【００３８】
基板割れ検出装置１２は、乾燥部３Ｃから基板導出部４に導出された基板Ｂの割れを検出するもので、基板導入部２に設けられるものと基本的に同一のものである。基板導出部４の基板割れ検出装置１２は、乾燥部３Ｃと所定の搬送終了地点、すなわち下流側引き継ぎ装置１４による基板Ｂの導出地点との間に固定的に配置されており乾燥部３Ｃから搬出された基板Ｂの割れを検知するように構成されている。
【００３９】
以上のような基板処理装置１において、基板導入部２に導入された基板Ｂは、前記コンベア５により搬送され、薬洗部３Ａでの薬洗処理、水洗部３Ｂでの水洗処理および乾燥部３Ｃでの乾燥処理が順次施された後、基板導入部２から次工程へと搬出される。そして、このような一連の処理において、基板導入部２、又は基板導出部４の各基板割れ検出装置１２により割れが検出された場合には、直ちにラインアウトされるようになっている。
【００４０】
図２は、基板導入部２および基板導出部４に設けられる前記基板割れ検出装置１２の構成をブロック図で示している。
【００４１】
この図に示すように、基板割れ検出装置１２は、第１基板検知センサ３０Ａ、第２基板検知センサ３０Ｂおよび制御部３８を有している。
【００４２】
各基板検知センサ３０Ａ，３０Ｂは、それぞれセンサアンプ３６とこれに光ファイバ３５を介して接続されるセンサヘッド３２とを有し、コンベア５により搬送される基板Ｂに対してそれぞれ光を照射しつつその反射光を受光し、その受光状態に応じた所定の信号を前記制御部３８に出力するように構成されている。なお、各基板検知センサ３０Ａ，３０Ｂのセンサヘッド３２を区別する必要がある場合には、それぞれ第１センサヘッド３２ａ、第２センサヘッド３２ｂと称する。
【００４３】
図３は、基板検知センサ３０Ａ，３０Ｂの具体的な構成を示している。同図に示すように、基板検知センサ３０Ａ，３０Ｂのセンサアンプ３６には、ＬＥＤ（Light Emitting Diode）等からなる発光部４０と受光部４２とが設けられており、発光部４０からの光を、光ファイバ３５を介してセンサヘッド３２に導光しつつ基板Ｂに照射し、基板Ｂで反射した反射光を再度センサヘッド３２および光ファイバ３５を介して受光部４２に導光し受光するように構成されている。
【００４４】
センサヘッド３２は、ファイバヘッド部３３とスポットレンズ３４とから構成されており、同図に示すように、発光部４０から導光された光を、コンベア５上の基板Ｂに対してその真上からピンポイント（当実施形態では投光スポット径が０．５ｍｍ程度）で照射するようになっている。
【００４５】
なお、第１センサヘッド３２ａおよび第２センサヘッド３２ｂは、図４に示すように、搬送路の幅方向（搬送方向と直交する方向；同図では上下方向）両端であって、かつ同方向に一列に並ぶように配置されている。これにより光の照射位置が、それぞれ搬送される基板Ｂに対してその幅方向両端の部分に位置するようになっている。
【００４６】
図３に戻って、センサアンプ３６にはさらに信号出力回路４４が設けられている。この信号出力回路４４は、その機能構成として信号出力部４６とタイマ部４８とを含んでいる。
【００４７】
信号出力部４６は、受光部４２による光の受光状態に応じて制御部３８に信号を出力するもので、受光部４２の受光レベルが予め設定された受光レベルよりも低いときにオン信号を出力し、当該受光レベルを超えるときにオフ信号を出力するように構成されている。つまり、図５に示すように、センサヘッド３２に対向する位置に基板Ｂが存在していない場合にはオン信号を出力し、基板Ｂが存在しているときにはオフ信号を出力するようになっている。
【００４８】
一方、タイマ部４８は、例えばワンショットタイマから構成されており、信号出力部４６から出力される信号の変化に応じて制御部３８にパルス信号を出力するもので、具体的には、図５に示すように、通常はオフ信号を出力し、信号出力回路４４の出力信号がオフ信号からオン信号に変化したときに所定パルス幅Ｔ１（時間幅）のオン信号を出力するように構成されている。なお、タイマ部４８は、当該オン信号のパルス幅Ｔ１が、制御部３８により処理可能な最小時間幅より大きくなるようにタイマ値が設定されており、当実施形態では、処理部３８における信号のサンプリング周期（検出周期）よりもパルス幅が大きくなるようにタイマ値が設定されている。
【００４９】
すなわち、この基板割れ検出装置１２では、センサヘッド３２およびセンサアンプ３６が本発明に係る第１信号出力手段に相当し、センサヘッド３２およびセンサアンプ３６のうちタイマ部４８を除く部分が本発明に係る第２信号出力手段に相当する。
【００５０】
なお、以下の説明においては、信号出力部４６から出力される信号をタイマ無出力信号と呼び、タイマ部４８から出力される信号をタイマ有出力信号と呼ぶことにする。
【００５１】
上記制御部３８は、基板割れ検出装置１２を制御するもので、論理演算を実行する周知のＣＰＵ等から構成されており、各基板検知センサ３０Ａ，３０Ｂから出力される信号を予め設定されたサンプリング周期（検出周期）で検出することにより、基板Ｂの割れを検知するように構成されている。すなわち、当実施形態では、この制御部３８が本発明に係る割れ検知手段に相当する。
【００５２】
なお、制御部３８は、図示を省略するが基板処理装置１を統括的に制御するコントローラに接続されており、基板Ｂの割れを検知した場合にはその旨の信号（割れ検知信号）をコントローラに出力するようになっている。この場合、コントローラは、基板Ｂの搬送を停止すべくコンベア５の駆動を制御するとともに、オペレータに報知すべく図外のアラーム装置等を駆動制御するようになっている。
【００５３】
次に、基板割れ検出装置１２の上記制御部３８による基板の割れ検知制御について図６のフローチャートに従って説明する。なお、ここでは基板導入部２における基板割れ検出装置１２を例に説明することにする。
【００５４】
基板導入部２に基板Ｂが搬入され、コンベア５が駆動されて基板Ｂの搬送が開始されると、制御部３８は、各基板検知センサ３０Ａ，３０Ｂから出力されるタイマ無出力信号がオフ信号になるのを待って、何れか一方でもオフ信号になると基板Ｂの監視を開始する（ステップＳ１，Ｓ２）。つまり、基板Ｂの先端がセンサヘッド３２の位置（すなわち光の照射位置）に到達すると、上記サンプリング周期で各基板検知センサ３０Ａ，３０Ｂから出力される信号の検出を開始する。
【００５５】
次いで、各基板検知センサ３０Ａ，３０Ｂのタイマ無信出力信号が両方ともオフ信号か否かを判断し（ステップＳ３）、ここでＮＯと判断した場合には、基板Ｂの先端に割れが有ると判断し（ステップＳ７）、ステップＳ９に移行して前記コントローラに割れ検知信号を出力する。これにより基板Ｂの搬送を停止させるとともに各種アラーム装置を作動させてオペレータに報知する。
【００５６】
これに対して、ステップＳ３でＹＥＳと判断した場合には、さらに各基板検知センサ３０Ａ，３０Ｂのタイマ有出力信号のうち少なくとも一方がオン信号か否かを判断する（ステップ４）。そして、ここでＮＯと判断した場合には、さらに各基板検知センサ３０Ａ，３０Ｂのタイマ無出力信号が両方ともオン信号か否か、つまり基板Ｂが両センサヘッド３２の位置を通過したか否かを判断し（ステップＳ５）、ここでＹＥＳと判断した場合には、基板Ｂの監視を終了する（ステップＳ６）。
【００５７】
これに対して、ステップＳ４でＹＥＳと判断した場合には、基板Ｂに割れが有るものと判断し（ステップＳ８）、詳しくは基板Ｂのうち先端以外の部分に割れがあると判断してステップＳ９に移行し、前記コントローラに割れ検知信号を出力する。
【００５８】
次に、このような制御部３８の制御に基づく割れ検知動作の具体例について図７〜図９を用いつつ作用効果と共に説明する。
【００５９】
図７は、基板Ｂが割れを伴わない正常な基板である場合の各基板検知センサ３０Ａ，３０Ｂからの信号出力状態を示すタイミングチャートである。
【００６０】
この図に示すように、まず基板Ｂが正常なものである場合には、基板Ｂの搬送に伴いその先端がセンサヘッド３２ａ，３２ｂの位置に到達すると、各基板検知センサ３０Ａ，３０Ｂのタイマ無出力信号がオン信号からオフ信号に変わり、これにより制御部３８による割れの監視が開始される（ｔ１時点）。この際、双方のタイマ無出力信号が同時にオフ信号に変わるため、制御部３８は基板Ｂの先端には割れがないと判断する。
【００６１】
そして、さらに基板Ｂが搬送されて、基板Ｂが各センサヘッド３２ａ，３２ｂの位置を通過すると、各基板検知センサ３０Ａ，３０Ｂのタイマ無出力信号がオフ信号からオン信号に同時に変わり、これにより制御部３８による割れの監視が終了する（ｔ２時点）。
【００６２】
この間（ｔ１〜ｔ２時点）、タイマ無出力信号は何れもオフ信号からオン信号に変わることがないので、各基板検知センサ３０Ａ，３０Ｂのタイマ有出力信号がオフ信号からオン信号に変わることはなく、従って、制御部３８は基板Ｂに割れがないと判断する。
【００６３】
なお、基板Ｂが各センサヘッド３２ａ，３２ｂの位置を通過すると、タイマ無出力信号がオフ信号からオン信号に変わり、その結果、各基板検知センサ３０Ａ，３０Ｂのタイマ有出力信号がオフ信号からオン信号に変わるが、この時点では割れの監視は終了しているため制御部３８は当該信号を無視する。従って、割れがあると誤検知されることはない。
【００６４】
これに対して、例えば図８（ａ）に示すように基板Ｂの途中部分であってその幅方向一端（第２センサヘッド３２ｂ側）に割れがある基板Ｂが搬送されてきた場合には、図８（ｂ）に示すように、制御部３８による割れの監視が開始された後（ｔ１時点）、第２基板検知センサ３０Ｂのタイマ無出力信号がオフ信号からオン信号に変わる（ｔ２時点）。つまり、割れにより反射光が低減することによって受光部４２の受光レベルが低下し、第２基板検知センサ３０Ｂのタイマ無出力信号がオフ信号からオン信号に変わることとなる。
【００６５】
そして、これに伴い第２基板検知センサ３０Ｂのタイマ有出力信号がオン信号に変り（ｔ２〜ｔ３時点）、これによって制御部３８は、基板Ｂの途中部分に割れがあると判断する。この際、タイマ有出力信号（オン信号）のパルス幅Ｔ１は、上記の通り処理部３８のサンプリング周期よりも大きい値に設定されているため、割れが微細な場合、あるいは基板Ｂの搬送速度が速い場合であっても制御部３８は確実に当該タイマ有出力信号（オン信号）を検出することが可能であり、従って、基板Ｂの割れが確実に検知されることとなる。
【００６６】
また別の例として、例えば図９（ａ）に示すように基板Ｂの先端であってその幅方向一端（第１センサヘッド３２ａ側）に割れがある基板Ｂが搬送されてきた場合には、図９（ｂ）に示すように、第２基板検知センサ３０Ｂのタイマ無出力信号がオン信号からオフ信号に変わることにより制御部３８による割れの監視が開始される（ｔ１時点）。そして、その後、遅れて第１基板検知センサ３０Ａのタイマ無出力信号がオン信号からオフ信号に変わる（ｔ２時点）。つまり、割れの部分で受光部４２の受光レベルが低下する結果、第１基板検知センサ３０Ａのタイマ無出力信号の切り替わりタイミングが遅れることとなる。従って、制御部３８は、その間（ｔ１時点〜ｔ２時点）の各タイマ無出力信号の信号状態に基づき基板Ｂの先端に割れがあると判断する。
【００６７】
なお、図８（ｂ）中の時点ｔ４、図９（ｂ）中の時点ｔ３はそれぞれ制御部３８による基板Ｂの割れ監視が終了した時点を示している。
【００６８】
以上説明したように、この基板処理装置１では、基板導入部２および基板導出部４に基板割れ検出装置１２を設け、基板Ｂが割れを伴うものである場合には、その割れを検知して基板Ｂの搬送を停止させるとともにアラーム装置を作動させてオペレータに報知するように構成されているので、割れを伴う基板Ｂを早期に検知してラインアウトさせることができる。従って、割れを伴う基板Ｂが処理部３に搬入されたり、あるいは処理部３での処理中に割れが生じた基板Ｂが次工程に搬出されるといった事態を未然に回避し、これにより本来不要な処理が基板Ｂに施されたり、あるいは設備故障を招くといったトラブルの発生を未然に防止することができるようになる。
【００６９】
特に、基板割れ検出装置１２については、反射型の基板検知センサ３０Ａ，３０Ｂを使った基板Ｂの有無検出に基づき基板Ｂの割れを検知するように構成する一方で、基板Ｂに割れがある場合には基板検知センサ３０Ａ，３０Ｂから上記のようなタイマ有出力信号（オン信号）、すなわち処理部３８のサンプリング周期よりも大きいパルス幅Ｔ１をもつ信号を常に出力させるようにし、これによって基板Ｂの搬送速度が速い場合や割れが微細な場合でも制御部３８において確実に割れを検知できるように構成しているので、基板の割れ検知の信頼性が極めて高い。従って、上記のようなトラブルをより一層確実に防止することができるという利点がある。
【００７０】
しかも、上記のように処理部３８のサンプリング周期よりも大きいパルス幅をもつタイマ有出力信号（オン信号）を生成、出力させることで、制御部３８として見れば、そのサンプリング周波数を高く設定することなく微細な割れを高い精度で検知することが可能となる。従って、例えば処理速度の速いＣＰＵ等を制御部３８に用いることなく微細な割れを検知することが可能となり、その結果、基板割れ検出装置１２をより簡素に、かつ安価に構成することができるようになるという利点もある。
【００７１】
次に、本発明に係る基板処理装置１の第２の実施形態について説明する。
【００７２】
第２の実施形態の基板処理装置１は、第１の実施形態のものと基本的に共通の構成を有しているが、基板割れ検出装置１２の構成が以下の点で相違している。なお、以下の説明において第１の実施形態と共通するものについては同一符号を付して説明を省略し、相違点についてのみ詳細に説明することにする。
【００７３】
図１０は、第２の実施形態に係る基板割れ検出装置１２の構成をブロック図で示している。この図に示すように、第２の実施形態に係る基板割れ検出装置１２は、第１の実施形態のものにさらに先端検知センサ３０Ｃ（本発明に係る第３信号出力手段）および後端検知センサ３０Ｄ（本発明に係る第４信号出力手段）を備えた構成となっており、制御部３８は、これらセンサ３０Ａ〜３０Ｄから出力される信号に基づいて基板Ｂの割れを検知するように構成されている。
【００７４】
先端検知センサ３０Ｃおよび後端検知センサ３０Ｄの構成は、基本的には前記基板検知センサ３０Ａ，３０Ｂと共通するが、センサアンプ３６にはタイマ部４８が設けられておらず、この点で基板検知センサ３０Ａ，３０Ｂと構成が相違している。つまり、先端検知センサ３０Ｃおよび後端検知センサ３０Ｄは、受光部４２の光の受光状態に対応した信号を信号出力部４６から出力するだけの構成となっている。
【００７５】
先端検知センサ３０Ｃのセンサヘッド３２（必要に応じて先端側センサヘッド３２ｃという）は、図１１に示すように、基板検知センサ３０Ａ，３０Ｂの各センサヘッド３２ａ，３２ｂの並び方向のほぼ中央（搬送路の幅方向中央）であって、これらセンサヘッド３２ａ，３２ｂよりも僅かに下流側に配置されている。一方、後端検知センサ３０Ｄのセンサヘッド３２（必要に応じて後端側センサヘッド３２ｄという）は、先端側センサヘッド３２ｃと同様に前記各センサヘッド３２ａ，３２ｂの中央であるが、各センサヘッド３２ａ，３２ｂよりも僅かに上流側に配置されている。
【００７６】
次に、第２実施形態の上記基板割れ検出装置１２の制御部３８による基板の割れ検知制御について図１２のフローチャートに従って説明する。なお、ここでは基板導入部２における基板割れ検出装置１２を例に説明することにする。
【００７７】
基板導入部２に基板Ｂが搬入され、コンベア５が駆動されて基板Ｂの搬送が開始されると、制御部３８は、先端検知センサ３０Ｃにより基板Ｂが検知されるのを待って、つまり先端検知センサ３０Ｃのタイマ無出力信号がオフ信号に変わるのを待って基板Ｂの監視を開始する（ステップＳ２１，Ｓ２２）。
【００７８】
次いで、各基板検知センサ３０Ａ，３０Ｂのタイマ無信出力信号が両方ともオフ信号に変わったか否かを判断し（ステップＳ２３）、ここでＮＯと判断した場合には、基板Ｂの先端に割れが有るものと判断し（ステップＳ２７）、ステップＳ２９に移行して前記コントローラに割れ検知信号を出力し、基板Ｂの搬送を停止させるとともに各種アラーム装置を作動させてオペレータに報知する。
【００７９】
これに対して、ステップＳ２３でＹＥＳと判断した場合には、さらに各基板検知センサ３０Ａ，３０Ｂのタイマ有出力信号のうち少なくとも一方がオン信号か否かを判断する（ステップ２４）。そして、ここで、ＮＯと判断した場合には、後端検知センサ３０Ｄにより基板Ｂの後端通過が検知されたか、つまり後端検知センサ３０Ｄのタイマ無出力信号がオン信号に変わったか否かを判断し（ステップＳ２５）、ここでＹＥＳと判断した場合には、基板Ｂの監視を終了する（ステップＳ２６）。
【００８０】
これに対して、ステップＳ２４でＹＥＳと判断した場合には、基板Ｂのうちその先端以外の部分に割れが有ると判断し（ステップＳ２８）、ステップＳ２９に移行して前記コントローラに割れ検知信号を出力する。
【００８１】
次に、このような第２の実施形態における制御部３８の制御に基づく割れ検知動作について図１３〜図１５を用いて説明する。
【００８２】
図１３は、基板Ｂが割れを伴わない正常な基板である場合の各センサ３０Ａ〜３０Ｄからの信号出力状態を示すタイミングチャートである。
【００８３】
この図に示すように、基板Ｂが正常なものである場合には、基板Ｂの搬送に伴い、後端検知センサ３０Ｄ、両基板検知センサ３０Ａ，３０Ｂ、先端検知センサ３０Ｃの順でこれらのタイマ無出力信号がオン信号からオフ信号に変わる。そして、先端検知センサ３０からのタイマ無出力信号がオフ信号に変わった時点で制御部３８による割れの監視が開始される（ｔ２時点）。この際、基板検知センサ３０Ａ，３０Ｂの双方のタイマ無出力信号がオフ信号であるため、制御部３８は、基板Ｂの先端には割れがないと判断する。
【００８４】
そして、さらに基板Ｂが搬送されて、基板Ｂが後端側センサヘッド３２ｄの位置を通過すると、後端検知センサ３０Ｄのタイマ無出力信号がオフ信号からオン信号に変わり、これにより制御部３８による割れの監視が終了する（ｔ３時点）。
【００８５】
この間（ｔ２〜ｔ３時点）、基板検知センサ３０Ａ，３０Ｂのタイマ無出力信号は何れもオフ信号からオン信号に変わることがないので、各基板検知センサ３０Ａ，３０Ｂのタイマ有出力信号がオフ信号からオン信号に変わることはなく、従って、制御部３８は基板Ｂに割れがないと判断する。
【００８６】
これに対して、例えば図１４（ａ）に示すように基板Ｂの途中部分であってその幅方向一端（第２センサヘッド３２ｂ側）に割れがある基板Ｂが搬送されてきた場合には、図１４（ｂ）に示すように、制御部３８による割れの監視が開始された後（ｔ２時点）、割れのために第２基板検知センサ３０Ｂのタイマ無出力信号がオフ信号からオン信号に変わり（ｔ３時点）、これに伴い第２基板検知センサ３０Ｂのタイマ有出力信号が一定期間Ｔ１だけオン信号に変わる（ｔ３〜ｔ４時点）。従って、制御部３８は、基板Ｂの途中部分に割れがあると判断する。
【００８７】
さらに別の例として、例えば図１５（ａ）に示すように基板Ｂの先端であってその幅方向一端（第１センサヘッド３２ａ側）に割れがある基板Ｂが搬送されてきた場合には、図１５（ｂ）に示すように、例えば制御部３８による基板Ｂの割れの監視が開始された時点（ｔ２時点）よりも後に第１基板検知センサ３０Ａのタイマ無出力信号がオフ信号に変わる（ｔ３時点）。従って、制御部３８は、その間（ｔ２時点〜ｔ３時点）の各基板検知センサ３０Ａ，３０Ｂのタイマ無出力信号の信号状態に基づき基板Ｂの先端に割れがあると判断する。
【００８８】
なお、図１４（ｂ）中の時点ｔ５、図１５（ｂ）中の時点ｔ４はそれぞれ制御部３８による基板Ｂの割れ監視が終了した時点を示している。
【００８９】
以上のように、第２の実施形態に係る基板割れ検出装置１２では、先端検知センサ３０Ｃによる基板Ｂの先端検出に基づき制御部３８による割れの監視を開始し、後端検知センサ３０Ｄによる基板Ｂの通過検出に基づき制御部３８による割れの監視を終了するように構成されており、この点で第１の実際形態のものと構成および制御内容が相違している。そして、このような相違を有する結果、第２の実施形態の基板割れ検出装置１２によると、基板Ｂの先端や後端での割れ検知の精度をより一層高めることができるという利点がある。
【００９０】
すなわち、図１１に示すような矩形の基板Ｂを搬送する場合、通常は、その先端が搬送方向とほぼ直交するように基板Ｂの姿勢が保たれた状態で搬送されるが、例えば図１１に一点鎖線で示すように、基板Ｂが若干斜めに傾いた姿勢のまま搬送されるいわゆる斜め搬送が発生するケースもある。この場合、第１の実施形態の基板割れ検出装置１２の構成であると、基板Ｂの搬送に伴い、まず、第２基板検知センサ３０Ｂのタイマ無出力信号がオフ信号に変わった後に、第１基板検知センサ３０Ａのタイマ無出力信号がオフ信号に変わる結果、図９（ｂ）に示した場合と同様の信号出力状態となり、これによって制御部３８が基板Ｂの先端に割れが有ると誤認することが考えられる。同様に、基板Ｂの後端についても、第２基板検知センサ３０Ｂのタイマ無出力信号がオン信号に変わった後に、第１基板検知センサ３０Ａのタイマ無出力信号がオン信号に変わる結果、制御部３８が基板Ｂの後端に割れが有ると誤認することが考えられる。
【００９１】
これに対して、第２の実施形態の基板割れ検出装置１２によると、予め発生し得る基板Ｂの傾きを想定し、この傾きに応じ、基板Ｂの先端が両センサヘッド３２ａ，３２ｂの位置に到達した後、当該先端が常に先端側センサヘッド３２ｃに到達するように先端側センサヘッド３２ｃの位置を両センサヘッド３２ａ，３２ｂに対して下流側にオフセットしておくことで、上記のような基板Ｂの斜め搬送に伴う割れの誤検知を防止することが可能となる。この点は、基板Ｂの後端側についても同様である。従って、この第２の実施形態の構成によると、基板Ｂの先端や後端での割れ検知の精度を高めることができ、その分、割れ検知の信頼性をより一層高めることができる。
【００９２】
なお、この第２の実施形態では、先端側センサヘッド３２ｃおよび後端側センサヘッド３２ｄが、上記の通り各センサヘッド３２ａ，３２ｂに対して搬送方向にオフセットされている結果、各基板検知センサ３０Ａ，３０Ｂのタイマ無出力信号がオフ信号に切り替わってから基板Ｂの監視が開始されるまでの間（例えば図１３のｔ１時点〜ｔ２時点）、基板Ｂの先端に未監視部分が発生し、また同様に、基板Ｂの監視が終了してから各基板検知センサ３０Ａ，３０Ｂのタイマ無出力信号がオン信号に切り替わるまで（例えば図１３のｔ３時点〜ｔ４時点）、基板Ｂの後端に未監視部分が生じることとなる。しかし、このような未監視部分が発生しても、基板Ｂの先端および後端に発生し得る割れの大きさを想定して先端側センサヘッド３２ｃおよび第２センサヘッド３２ｂの配置位置を予め設定しておけば、実質的な検出精度に影響を与えることはない。
【００９３】
なお、以上説明した基板処理装置１は、本発明に係る基板処理装置１（本発明に係る基板割れ検出装置１２が適用された基板処理装置）の好ましい実施形態の一例であって、その具体的な構成は、本発明の要旨を逸脱しない範囲で適宜変更可能である。例えば、以下のような構成を採用することも可能である。
【００９４】
（１） 第１の実施形態の基板割れ検出装置１２では、２つの基板検知センサ３０Ａ，３０Ｂを設け、これらのセンサヘッド３２ａ，３２ｂを基板Ｂの幅方向両端に対向する位置に配設する（すなわち各センサヘッド３２ａ，３２ｂの光の照射位置が幅方向両端に位置する）ようにしているが、これは、基板Ｂの割れの多くがその幅方向両端で発生するため、少ない基板検知センサの数で効率的に基板Ｂの割れを検知するための工夫であり、勿論、より多くの基板検知センサを設け、図１６に示すように、これらのセンサヘッド３２を基板の幅方向に並べるようにしてもよい。なお、この点は、第２の実施形態についても同様である。
【００９５】
（２） 上記実施形態では、基板検知センサ３０Ａ，３０Ｂとして反射型のものを用いているが、例えば、図１７に示すように、光ファイバ３５を介して発光部４０に接続される投光側ヘッド３２ａ（３２ｂ）と、同じく光ファイバ３５を介して受光部４２に接続される受光側ヘッド３２ａ′（３２ｂ′）とを備えた透過型センサを用いるようにしてもよい。
【００９６】
（３） 上記実施形態では、受光部４２の光の受光状態に基づきタイマ無出力信号とタイマ有出力信号の双方を出力するように基板検知センサ３０Ａ，３０Ｂが構成されているが、勿論、光の照射手段および受光手段（センサヘッド３２、発光部４０，受光部４２）を持ち、タイマ有出力信号だけを出力する専用のセンサ（第１信号出力手段）を設ける一方、これとは別に光の照射手段および受光手段をもちタイマ無出力信号だけを出力する専用のセンサ（第２信号出力手段）を設けるようにしてもよい。但し、上記のように、タイマ無出力信号とタイマ有出力信号を出力する手段として照射手段および受光手段を共通化した構成によれば、合理的で、安価に基板割れ検出装置１２を構成することができるという利点がある。
【００９７】
（４） 上記実施形態の各基板検知センサ３０Ａ，３０Ｂでは、タイマ部４８がワンショットタイマから構成され、信号出力部４６か出力される信号の変化（オフ信号からオン信号への変化）に基づき所定パルス幅Ｔ１のオン信号を出力するように構成されているが、例えばタイマ部４８をオフディレイタイマから構成し、信号出力部４６か出力される信号を、タイマ部４８を経由して出力させることにより、タイマ無出力信号のうちオン信号からオフ信号への変化時点だけを一定期間遅延させた信号（タイマ有出力信号）を生成して出力させるようにしてもよい。つまり、例えば基板Ｂの途中部分（搬送方向の途中部分）に割れがあると、当該割れに対応してタイマ無出力信号がオフ信号からオン信号に変った後、再度オフ信号に変わるため（図８（ｂ）参照）、オフディレイタイマからなるタイマ部４８を経由させて、この割れに対応する部分の信号のうちオン信号からオフ信号へ変化時点を遅延させるようにする。この際、割れに対応する部分の信号の時間幅が、制御部３８により処理可能な最小時間幅よりも常に大きい時間幅となるように上記遅延期間（すなわちタイマ部４８のタイマ値）を設定するようにしておけば、上記実施形態の場合と同様に、制御部３８はタイマ有出力信号のうち割れに対応する部分の信号を確実に検出することが可能となり、その結果、微細な割れをより確実に検出できるようになる。
【００９８】
（５） 上記実施形態中では特に説明していないが、例えば受光部４２の受光レベルの変化量（微分値）を演算する演算回路を各基板検知センサ３０Ａ，３０Ｂに組み込み、その変化量が一定値を超えた場合に、一定のパルス信号、すなわち処理部３８により処理可能な最小時間幅よりも大きい時間幅をもつ信号を出力させるようにしてもよい。すなわち、ひび等、完全な割れや欠けに至っていない損傷箇所に光を照射すると、光の受光レベルが短時間で大きく変化するため、上記のような構成によると、びひ等の損傷についてもその検出精度を高めることが可能となる。
【００９９】
（６） 上記実施形態の各センサ３０Ａ〜３０Ｄは、いずれも基板Ｂが無い状態でオン信号を、有る状態でオフ信号をそれぞれ出力するように論理設定されているが、勿論、逆の論理設定であっても構わない。すなわち、基板が有る状態でオン信号を、無い状態でオフ信号を出力するようにしてもよい。
【０１００】
（７） 上記実施形態の各センサ３０Ａ〜３０Ｄは、いずれもセンサヘッド３２（３２ａ〜３２ｄ）にスポットレンズ３４を備えているがこれは必須ではない。但し、微細な割れをより確実に検出する上ではスポットレンズ３４を設けるのが好ましい。
【０１０１】
（８） 上記実施形態では、基板割れ検出装置１２の制御部３８と、基板処理装置１のコントローラとが別構成となっているが、勿論、基板処理装置１のコントローラが制御部３８の機能を兼ねるものであってもよい。つまり、上記コントローラが本発明の割れ検知手段として機能する構成であってもよい。
【図面の簡単な説明】
【０１０２】
【図１】本発明の第１実施形態に係る基板処理装置（本発明に係る基板割れ検出装置を備えた基板処理装置）を示す模式図である。
【図２】基板割れ検出装置の構成を示すブロック図である。
【図３】基板割れ検出装置の構成を示すブロック図（詳細図）である。
【図４】第１，第２基板検知センサの各センサヘッドの配置を説明する模式図である。
【図５】基板検知センサからの出力信号を示すタイミングチャートである。
【図６】制御部による割れ検知動作制御の一例を示すフローチャートである。
【図７】割れの無い基板の場合の基板検知センサからの信号出力状態を示すタイミングチャートである。
【図８】（ａ）は、割れの有る基板の一例を示す平面図、（ｂ）は、（ａ）に示す基板の場合の各基板検知センサからの信号出力状態を示すタイミングチャートである。
【図９】（ａ）は、割れの有る基板の一例を示す平面図、（ｂ）は、（ａ）の場合の各基板検知センサからの信号出力状態を示すタイミングチャートである。
【図１０】第２実施形態に係る基板割れ検出装置の構成を示すブロック図である。
【図１１】第１，第２基板検知センサ、先端検知センサ、後端検知センサの各センサヘッドの配置を説明する模式図である。
【図１２】制御部による割れ検知動作制御の一例を示すフローチャートである。
【図１３】割れの無い基板の場合の基板検知センサからの信号出力状態を示すタイミングチャートである。
【図１４】（ａ）は、割れの有る基板の一例を示す平面図、（ｂ）は、（ａ）に示す基板の場合の各基板検知センサからの信号出力状態を示すタイミングチャートである。
【図１５】（ａ）は、割れの有る基板の一例を示す平面図、（ｂ）は、（ａ）の場合の各基板検知センサからの信号出力状態を示すタイミングチャートである。
【図１６】基板検知センサのセンサヘッドの配置例を示す模式図である。
【図１７】基板割れ検出装置の別の構成を示すブロック図である。
【符号の説明】
【０１０３】
１ 基板処理装置
２ 基板導入部
３ 処理部
４ 基板導出部
１２ 基板割れ検出装置
３０Ａ，３０Ｂ 基板検知センサ
３２（３２ａ〜３２ｄ） センサヘッド
３６ センサアンプ
３８ 制御部
４０ 発光部
４２ 受光部
４４ 信号出力回路
４６ 信号出力部
４８ タイマ部
Ｂ 基板
【技術分野】
【０００１】
本発明は、液晶表示デバイス（ＬＣＤ）やプラズマ表示デバイス（ＰＤＰ）用ガラス基板などの基板を搬送しながら各種処理を施す基板処理装置に適した基板割れ検出装置およびこの検出装置が組み込まれた基板処理装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来から、処理対象となる基板に生じた割れ、欠け等（以下、単に割れという）を検出する装置として種々のものが考えられており、例えば、特許文献１には、投光器と受光器とを備えた光学式センサを用い、半導体基板の欠片（かけら）が当該センサの光経路を通過するときの受光器における受光レベルの変化に基づいて基板に割れが生じているか否かを検出する基板割れ検出器が開示されている。
【０００３】
また、特許文献２には、導電膜が形成されたガラス基板に対し、一対の電極を使って前記導電膜が形成された部分の抵抗値を検出することにより、当該抵抗値の変化に基づいてガラス基板の割れを検出する技術が提案されている。
【特許文献１】特許第２９５３８５０号公報
【特許文献２】特開２００５−１００３３０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
近年、ＬＣＤやＰＤＰ用ガラス基板などの処理装置では、効率化の観点から基板を搬送しながら各種処理を施すことが行われており、特許文献１のような装置を用いて基板の割れを検出することが有効となるが、ここに次のような課題がある。
【０００５】
すなわち、基板の搬送速度が速い場合、あるいは割れが微細なものである場合には、割れに対応する受光レベルの変化が微細（時間的に短い）なものとなるため割れの検出が難しくなる。これは例えば受光信号のサンプリング周期（検出周期）との関係で、受光レベルの変化が微細化すると自ずと当該変化を検出できない可能性が高くなるためである。
【０００６】
そこで、センサの位置で一時的に基板の搬送速度を落とすか、あるいは受光信号のサンプリング周期を短期化することにより割れの検出信頼性を高めることが考えられるが、前者の場合には、基板の処理効率を下落させることとなり、また、後者の場合には、より高性能の制御装置が求められる分コスト高になるといった問題があり、いずれも得策とは言えない。
【０００７】
なお、特許文献２の技術を適用することも考えられるが、この場合には導電膜が形成された部分以外の割れを検知するのは困難である。また、ＣＣＤ（Charge-Coupled Devices）等の撮像装置を用いて基板を撮像し、その画像に基づいて基板の割れを検出することも考えられるが、この場合はコスト高を招き、また画像処理等の制御負担が大きくなるため有効策とは言えない。
【０００８】
本発明は、上記の問題を解決するためになされたもので、簡素、かつ安価な構成で、搬送中の基板の割れ（割れ、欠け等）をより確実に検出することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記課題を解決するために、本発明は、搬送路に沿って搬送される基板の割れを検出するための装置であって、前記搬送路に沿って搬送される基板に対して光を照射可能な照射手段と前記光の受光手段とを含み、この受光手段による光の受光状態に基づき信号を出力する信号出力手段と、前記基板が前記照射手段による光の照射位置を通過する間に、これに対応して前記信号出力手段から出力される信号に基づき基板の割れを検知する割れ検知手段とを有し、前記信号出力手段は、前記受光手段による光の受光状態が基板有りの状態から無しの状態に変化するときに、前記割れ検知手段により処理可能な最小時間幅よりも常に大きい時間幅をもつ前記信号を出力するように構成されているものである（請求項１）。
【００１０】
この装置よれば、照射手段により光が照射されつつその照射位置を基板が通過する間に、受光手段による光の受光状態に応じた信号が信号出力手段から出力され、この信号に基づき割れ検知手段により割れが検知される。つまり、基板に割れがある場合には、光の受光状態が基板有りの状態から無しの状態に変化し、これに対応した信号が信号出力手段から出力されるため、この信号に基づき割れ検知手段において割れが検知されることとなる。その際、信号出力手段は、割れ検知手段により処理可能な最小時間幅よりも常に大きい時間幅をもつ信号を出力するように構成されているので、基板の搬送速度が速い場合や割れが極微細なものであっても、割れ検知手段は確実に当該信号に基づき割れを検知することが可能となる。
【００１１】
なお、「基板に対して光を照射可能な照射手段と前記光の受光手段とを含み」とは、照射手段から光を基板に対して照射しつつその反射光を受光手段により受光する構成、および照射手段から基板に対して光を照射しつつその透過光を受光する構成の双方を意味するものである。
【００１２】
上記の構成においては、複数の前記信号出力手段を有し、これら信号出力手段の前記照射手段による光の照射位置が前記搬送路の幅方向に並んでいるのが好適である（請求項２）。
【００１３】
この構成によれば、基板のより広い範囲にわたって割れを検知することが可能となり、割れ検出の信頼性が向上する。
【００１４】
なお、信号出力手段は、受光手段による光の受光状態が基板有りの状態から無しの状態に変化するときに信号を出力するものであるため、基板先端に割れがある場合には割れを検知できない場合も考えられる。
【００１５】
そこで、上記の構成においては、前記信号出力手段を第１信号出力手段としたときに、さらに、前記搬送路に沿って搬送される基板に対して光を照射可能な照射手段と前記光の受光手段とを含み、この受光手段による光の受光状態に基づき基板の有無に対応した信号を出力する複数の第２信号出力手段を有し、これら第２信号出力手段の前記照射手段による光の照射位置が前記搬送路の幅方向に並び、前記割れ検知手段が、第１および第２信号出力手段から出力される信号に基づき前記割れを検知するように構成されているのが好適である（請求項３）。
【００１６】
この構成によれば、基板先端に割れがある場合には、基板先端が第２信号出力手段の照射手段による光の照射位置に到達した時、各第２信号出力手段から出力される信号のうち、割れに対応するものの信号状態だけが他の信号状態と異なるものとなる。そのため、基板先端の割れを検知することが可能となる。
【００１７】
この構成においては、第１信号出力手段および第２信号出力手段の前記照射手段および受光手段として共通の照射手段および受光手段が設けられているのが好適である（請求項４）。
【００１８】
この構成によると、第１信号出力手段および第２信号出力手段の照射手段および受光手段を共通化した合理的で、安価な構成が達成される。また、第１信号出力手段および第２信号出力手段の照射手段による光の照射位置が同じ位置となるので、基板幅方向（搬送路の幅方向に同じ）の特定の位置において、基板の先端（搬送方向先端）から後端までその全体にわたって割れを検知することが可能となる。
【００１９】
なお、上記の構成においては、前記搬送路に沿って搬送される基板に対して光を照射可能な照射手段と前記光の受光手段とを含み、この受光手段による光の受光状態に基づき基板の有無に対応した信号を出力する第３信号出力手段をさらに有し、この第３信号出力手段の前記照射手段による光の照射位置が前記搬送路の幅方向中央であって、かつ前記第２信号出力手段の各照射手段による光の照射位置よりも基板搬送方向下流側の位置にあり、前記割れ検知手段が、第３信号出力手段から出力される信号に基づき基板の先端を検知し、当該検知後に第１および第２信号出力手段から出力される信号に基づき前記割れを検知するように構成されているのが好適である（請求項５）。
【００２０】
また、前記搬送路に沿って搬送される基板に対して光を照射可能な照射手段と前記光の受光手段とを含み、この受光手段による光の受光状態に基づき基板の有無に対応した信号を出力する第４信号出力手段を有し、この第４信号出力手段の前記照射手段による光の照射位置が前記搬送路の幅方向中央であって、かつ前記第２信号出力手段の各照射手段による光の照射位置よりも基板搬送方向上流側の位置に設定され、前記割れ検知手段が、第４信号出力手段から出力される信号に基づき基板の後端を検知し、当該検知後に第１および第２信号出力手段から出力される信号を無視するように構成されているのが好適である（請求項６）。
【００２１】
これらの構成によると、発明を実施するための最良の形態で詳しく説明するように、基板が搬送方向に対して斜めになる、いわゆる斜め搬送が生じた場合の基板先端、基板後端における割れの誤検出を有効に回避して、割れの検出信頼性を高めることが可能となる。
【００２２】
一方、本発明に係る基板処理装置は、基板の搬送路と、この搬送路に沿って搬送される基板に対して所定の処理を施す処理手段と、前記搬送路に沿って搬送される基板の割れを検出する基板割れ検出装置とを備えた基板処理装置であって、前記基板割れ検出装置として上記何れかに記載の基板割れ検出装置を備えているものである（請求項７）。
【００２３】
このような基板処理装置によると、上記の基板割れ検出装置が組み込まれているので、基板の搬送速度が速い場合や割れが極微細なものであっても、基板の割れをより確実に検出することが可能となる。
【００２４】
なお、この基板処理装置において、前記基板割れ検出装置は、基板の搬送を開始する搬送開始地点と前記処理手段との間、又は前記処理手段と処理後の基板の搬送終了地点との間の少なくとも一方に設けられているのが好適である（請求項８）。
【００２５】
この構成によれば、割れの検出位置を搬送開始地点と前記処理手段との間に設定した場合には、処理手段による処理前に事前に基板の割れを検出してラインアウトさせることが可能となり、また、割れの検出位置を処理手段と搬送終了地点との間に設定した場合には、処理手段による処理後、当該基板が次工程の装置に搬出される前に基板の割れを検出してラインアウトさせることが可能となる。なお、「搬送終了地点」とは、処理対象となる基板の終点位置を意味するものであって、この地点で基板を停止させるものであることを限定する趣旨ではない。つまり、搬送終了地点で基板を一旦停止させるもの、あるいは通過させるものの何れであってもよい。
【発明の効果】
【００２６】
本発明に係る基板割れ検出装置によると、照射手段の光の照射位置を基板が通過する際の受光手段による光の受光状態に応じた信号を信号出力手段から出力させ、この信号に基づいて割れ検知手段において基板の割れを検知するようにした上で、信号出力手段について、さらに光の受光状態が基板有りの状態から無しの状態に変化する際に、割れ検知手段により処理可能な最小時間幅よりも常に大きい時間幅をもつ信号を出力するように構成したので、基板の搬送速度が速い場合や割れが極微細なものであっても確実に割れを検知させることができる。しかも、割れ検知手段において処理可能な最小時間幅が大きくなっても、それ以上に信号出力手段から出力される上記信号の時間幅を大きく設定すれば微細な割れを検知可能なため、装置をより簡単に、かつ安価に構成することが可能となる。
【００２７】
一方、本発明に係る基板処理装置によると、上記のような基板割れ検出装置を備えているので、搬送中の基板の割れをより確実に検出してラインアウトさせることが可能となる。そのため、割れを伴う基板が引き続き処理に供されることに因るトラブル等の発生を未然に防止できるようになる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２８】
本発明の実施の形態について図面を用いて説明する。
【００２９】
図１は、本発明に係る基板処理装置（本発明に係る基板割れ検出装置が組み込まれた基板処理装置）の第１の実施形態を概略的に示している。
【００３０】
同図に示すように、基板処理装置１は、基板導入部２、処理部３（本発明に係る処理手段に相当する）および基板導出部４を直列に備えるとともに基板Ｂを搬送する搬送機構とを有しており、前記基板導入部２に導入される基板Ｂを前記搬送機構により搬送しつつ処理部３において各種処理を施した後、基板導出部４から次工程へと導出するように構成されている。なお、搬送機構は、例えばローラコンベア５から構成されている。
【００３１】
前記基板導入部２には、上流側引き継ぎ装置１０と、基板割れ検出装置１２とが配置されている。上流側引き継ぎ装置１０は、基板Ｂを基板導入部２に導入するもので、前工程からコンベア等により搬送されてくる基板Ｂを上記ローラコンベア５（以下、コンベア５と略す）上に移載するようになっている。
【００３２】
基板割れ検出装置１２は、基板導入部２に導入された基板Ｂの割れを検出するもので、所定の搬送開始地点、すなわち基板Ｂの導入地点と処理部３との間に固定的に配置されており、コンベア５の駆動により処理部３に向かって搬送される基板Ｂの割れ（欠けを含む）を非接触で検知するように構成されている。なお、この基板割れ検出装置１２については後に詳述する。
【００３３】
上記処理部３は、当実施形態においては、薬洗部３Ａ、水洗部３Ｂおよび乾燥部３Ｃから構成されおり、これら各部３Ａ〜３Ｃがこの順番で基板Ｂの搬送方向上流（以下、単に上流側という）から順に配置されている。
【００３４】
薬洗部３Ａは、コンベア５によって搬送される基板Ｂの表裏に所定の薬液を供給して基板Ｂを洗浄（薬洗）するもので、コンベア５を挟んでその上下両側に複数の薬液供給ノズル２１を有するとともにブラッシング処理用のブラシ２２を備えている。
【００３５】
水洗部３Ｂは、コンベア５によって搬送される基板Ｂに洗浄水を供給して洗浄（水洗）するもので、その内部は、上流側から順に低圧水供給部２４、高圧水供給部２５、超音波洗浄水供給部２６および純水供給部２７に区分されており、各供給部２４〜２７には、それぞれコンベア５の上下両側に洗浄水供給用のノズル２４ａ〜２７ａ等が配置されている。
【００３６】
乾燥部３Ｃは、水洗部３Ｂ（純水供給部２７）から導出された基板Ｂに乾燥処理を施すもので、その内部にはコンベア５を挟むように、上下一対のエアーナイフ２８が配置されている。
【００３７】
前記基板導出部４には、下流側引き継ぎ装置１４と、基板割れ検出装置１２とが配置されている。下流側引き継ぎ装置１４は、基板Ｂを基板導出部４に導出するもので、ローラコンベア５上の基板Ｂを次工程に移載するものである。
【００３８】
基板割れ検出装置１２は、乾燥部３Ｃから基板導出部４に導出された基板Ｂの割れを検出するもので、基板導入部２に設けられるものと基本的に同一のものである。基板導出部４の基板割れ検出装置１２は、乾燥部３Ｃと所定の搬送終了地点、すなわち下流側引き継ぎ装置１４による基板Ｂの導出地点との間に固定的に配置されており乾燥部３Ｃから搬出された基板Ｂの割れを検知するように構成されている。
【００３９】
以上のような基板処理装置１において、基板導入部２に導入された基板Ｂは、前記コンベア５により搬送され、薬洗部３Ａでの薬洗処理、水洗部３Ｂでの水洗処理および乾燥部３Ｃでの乾燥処理が順次施された後、基板導入部２から次工程へと搬出される。そして、このような一連の処理において、基板導入部２、又は基板導出部４の各基板割れ検出装置１２により割れが検出された場合には、直ちにラインアウトされるようになっている。
【００４０】
図２は、基板導入部２および基板導出部４に設けられる前記基板割れ検出装置１２の構成をブロック図で示している。
【００４１】
この図に示すように、基板割れ検出装置１２は、第１基板検知センサ３０Ａ、第２基板検知センサ３０Ｂおよび制御部３８を有している。
【００４２】
各基板検知センサ３０Ａ，３０Ｂは、それぞれセンサアンプ３６とこれに光ファイバ３５を介して接続されるセンサヘッド３２とを有し、コンベア５により搬送される基板Ｂに対してそれぞれ光を照射しつつその反射光を受光し、その受光状態に応じた所定の信号を前記制御部３８に出力するように構成されている。なお、各基板検知センサ３０Ａ，３０Ｂのセンサヘッド３２を区別する必要がある場合には、それぞれ第１センサヘッド３２ａ、第２センサヘッド３２ｂと称する。
【００４３】
図３は、基板検知センサ３０Ａ，３０Ｂの具体的な構成を示している。同図に示すように、基板検知センサ３０Ａ，３０Ｂのセンサアンプ３６には、ＬＥＤ（Light Emitting Diode）等からなる発光部４０と受光部４２とが設けられており、発光部４０からの光を、光ファイバ３５を介してセンサヘッド３２に導光しつつ基板Ｂに照射し、基板Ｂで反射した反射光を再度センサヘッド３２および光ファイバ３５を介して受光部４２に導光し受光するように構成されている。
【００４４】
センサヘッド３２は、ファイバヘッド部３３とスポットレンズ３４とから構成されており、同図に示すように、発光部４０から導光された光を、コンベア５上の基板Ｂに対してその真上からピンポイント（当実施形態では投光スポット径が０．５ｍｍ程度）で照射するようになっている。
【００４５】
なお、第１センサヘッド３２ａおよび第２センサヘッド３２ｂは、図４に示すように、搬送路の幅方向（搬送方向と直交する方向；同図では上下方向）両端であって、かつ同方向に一列に並ぶように配置されている。これにより光の照射位置が、それぞれ搬送される基板Ｂに対してその幅方向両端の部分に位置するようになっている。
【００４６】
図３に戻って、センサアンプ３６にはさらに信号出力回路４４が設けられている。この信号出力回路４４は、その機能構成として信号出力部４６とタイマ部４８とを含んでいる。
【００４７】
信号出力部４６は、受光部４２による光の受光状態に応じて制御部３８に信号を出力するもので、受光部４２の受光レベルが予め設定された受光レベルよりも低いときにオン信号を出力し、当該受光レベルを超えるときにオフ信号を出力するように構成されている。つまり、図５に示すように、センサヘッド３２に対向する位置に基板Ｂが存在していない場合にはオン信号を出力し、基板Ｂが存在しているときにはオフ信号を出力するようになっている。
【００４８】
一方、タイマ部４８は、例えばワンショットタイマから構成されており、信号出力部４６から出力される信号の変化に応じて制御部３８にパルス信号を出力するもので、具体的には、図５に示すように、通常はオフ信号を出力し、信号出力回路４４の出力信号がオフ信号からオン信号に変化したときに所定パルス幅Ｔ１（時間幅）のオン信号を出力するように構成されている。なお、タイマ部４８は、当該オン信号のパルス幅Ｔ１が、制御部３８により処理可能な最小時間幅より大きくなるようにタイマ値が設定されており、当実施形態では、処理部３８における信号のサンプリング周期（検出周期）よりもパルス幅が大きくなるようにタイマ値が設定されている。
【００４９】
すなわち、この基板割れ検出装置１２では、センサヘッド３２およびセンサアンプ３６が本発明に係る第１信号出力手段に相当し、センサヘッド３２およびセンサアンプ３６のうちタイマ部４８を除く部分が本発明に係る第２信号出力手段に相当する。
【００５０】
なお、以下の説明においては、信号出力部４６から出力される信号をタイマ無出力信号と呼び、タイマ部４８から出力される信号をタイマ有出力信号と呼ぶことにする。
【００５１】
上記制御部３８は、基板割れ検出装置１２を制御するもので、論理演算を実行する周知のＣＰＵ等から構成されており、各基板検知センサ３０Ａ，３０Ｂから出力される信号を予め設定されたサンプリング周期（検出周期）で検出することにより、基板Ｂの割れを検知するように構成されている。すなわち、当実施形態では、この制御部３８が本発明に係る割れ検知手段に相当する。
【００５２】
なお、制御部３８は、図示を省略するが基板処理装置１を統括的に制御するコントローラに接続されており、基板Ｂの割れを検知した場合にはその旨の信号（割れ検知信号）をコントローラに出力するようになっている。この場合、コントローラは、基板Ｂの搬送を停止すべくコンベア５の駆動を制御するとともに、オペレータに報知すべく図外のアラーム装置等を駆動制御するようになっている。
【００５３】
次に、基板割れ検出装置１２の上記制御部３８による基板の割れ検知制御について図６のフローチャートに従って説明する。なお、ここでは基板導入部２における基板割れ検出装置１２を例に説明することにする。
【００５４】
基板導入部２に基板Ｂが搬入され、コンベア５が駆動されて基板Ｂの搬送が開始されると、制御部３８は、各基板検知センサ３０Ａ，３０Ｂから出力されるタイマ無出力信号がオフ信号になるのを待って、何れか一方でもオフ信号になると基板Ｂの監視を開始する（ステップＳ１，Ｓ２）。つまり、基板Ｂの先端がセンサヘッド３２の位置（すなわち光の照射位置）に到達すると、上記サンプリング周期で各基板検知センサ３０Ａ，３０Ｂから出力される信号の検出を開始する。
【００５５】
次いで、各基板検知センサ３０Ａ，３０Ｂのタイマ無信出力信号が両方ともオフ信号か否かを判断し（ステップＳ３）、ここでＮＯと判断した場合には、基板Ｂの先端に割れが有ると判断し（ステップＳ７）、ステップＳ９に移行して前記コントローラに割れ検知信号を出力する。これにより基板Ｂの搬送を停止させるとともに各種アラーム装置を作動させてオペレータに報知する。
【００５６】
これに対して、ステップＳ３でＹＥＳと判断した場合には、さらに各基板検知センサ３０Ａ，３０Ｂのタイマ有出力信号のうち少なくとも一方がオン信号か否かを判断する（ステップ４）。そして、ここでＮＯと判断した場合には、さらに各基板検知センサ３０Ａ，３０Ｂのタイマ無出力信号が両方ともオン信号か否か、つまり基板Ｂが両センサヘッド３２の位置を通過したか否かを判断し（ステップＳ５）、ここでＹＥＳと判断した場合には、基板Ｂの監視を終了する（ステップＳ６）。
【００５７】
これに対して、ステップＳ４でＹＥＳと判断した場合には、基板Ｂに割れが有るものと判断し（ステップＳ８）、詳しくは基板Ｂのうち先端以外の部分に割れがあると判断してステップＳ９に移行し、前記コントローラに割れ検知信号を出力する。
【００５８】
次に、このような制御部３８の制御に基づく割れ検知動作の具体例について図７〜図９を用いつつ作用効果と共に説明する。
【００５９】
図７は、基板Ｂが割れを伴わない正常な基板である場合の各基板検知センサ３０Ａ，３０Ｂからの信号出力状態を示すタイミングチャートである。
【００６０】
この図に示すように、まず基板Ｂが正常なものである場合には、基板Ｂの搬送に伴いその先端がセンサヘッド３２ａ，３２ｂの位置に到達すると、各基板検知センサ３０Ａ，３０Ｂのタイマ無出力信号がオン信号からオフ信号に変わり、これにより制御部３８による割れの監視が開始される（ｔ１時点）。この際、双方のタイマ無出力信号が同時にオフ信号に変わるため、制御部３８は基板Ｂの先端には割れがないと判断する。
【００６１】
そして、さらに基板Ｂが搬送されて、基板Ｂが各センサヘッド３２ａ，３２ｂの位置を通過すると、各基板検知センサ３０Ａ，３０Ｂのタイマ無出力信号がオフ信号からオン信号に同時に変わり、これにより制御部３８による割れの監視が終了する（ｔ２時点）。
【００６２】
この間（ｔ１〜ｔ２時点）、タイマ無出力信号は何れもオフ信号からオン信号に変わることがないので、各基板検知センサ３０Ａ，３０Ｂのタイマ有出力信号がオフ信号からオン信号に変わることはなく、従って、制御部３８は基板Ｂに割れがないと判断する。
【００６３】
なお、基板Ｂが各センサヘッド３２ａ，３２ｂの位置を通過すると、タイマ無出力信号がオフ信号からオン信号に変わり、その結果、各基板検知センサ３０Ａ，３０Ｂのタイマ有出力信号がオフ信号からオン信号に変わるが、この時点では割れの監視は終了しているため制御部３８は当該信号を無視する。従って、割れがあると誤検知されることはない。
【００６４】
これに対して、例えば図８（ａ）に示すように基板Ｂの途中部分であってその幅方向一端（第２センサヘッド３２ｂ側）に割れがある基板Ｂが搬送されてきた場合には、図８（ｂ）に示すように、制御部３８による割れの監視が開始された後（ｔ１時点）、第２基板検知センサ３０Ｂのタイマ無出力信号がオフ信号からオン信号に変わる（ｔ２時点）。つまり、割れにより反射光が低減することによって受光部４２の受光レベルが低下し、第２基板検知センサ３０Ｂのタイマ無出力信号がオフ信号からオン信号に変わることとなる。
【００６５】
そして、これに伴い第２基板検知センサ３０Ｂのタイマ有出力信号がオン信号に変り（ｔ２〜ｔ３時点）、これによって制御部３８は、基板Ｂの途中部分に割れがあると判断する。この際、タイマ有出力信号（オン信号）のパルス幅Ｔ１は、上記の通り処理部３８のサンプリング周期よりも大きい値に設定されているため、割れが微細な場合、あるいは基板Ｂの搬送速度が速い場合であっても制御部３８は確実に当該タイマ有出力信号（オン信号）を検出することが可能であり、従って、基板Ｂの割れが確実に検知されることとなる。
【００６６】
また別の例として、例えば図９（ａ）に示すように基板Ｂの先端であってその幅方向一端（第１センサヘッド３２ａ側）に割れがある基板Ｂが搬送されてきた場合には、図９（ｂ）に示すように、第２基板検知センサ３０Ｂのタイマ無出力信号がオン信号からオフ信号に変わることにより制御部３８による割れの監視が開始される（ｔ１時点）。そして、その後、遅れて第１基板検知センサ３０Ａのタイマ無出力信号がオン信号からオフ信号に変わる（ｔ２時点）。つまり、割れの部分で受光部４２の受光レベルが低下する結果、第１基板検知センサ３０Ａのタイマ無出力信号の切り替わりタイミングが遅れることとなる。従って、制御部３８は、その間（ｔ１時点〜ｔ２時点）の各タイマ無出力信号の信号状態に基づき基板Ｂの先端に割れがあると判断する。
【００６７】
なお、図８（ｂ）中の時点ｔ４、図９（ｂ）中の時点ｔ３はそれぞれ制御部３８による基板Ｂの割れ監視が終了した時点を示している。
【００６８】
以上説明したように、この基板処理装置１では、基板導入部２および基板導出部４に基板割れ検出装置１２を設け、基板Ｂが割れを伴うものである場合には、その割れを検知して基板Ｂの搬送を停止させるとともにアラーム装置を作動させてオペレータに報知するように構成されているので、割れを伴う基板Ｂを早期に検知してラインアウトさせることができる。従って、割れを伴う基板Ｂが処理部３に搬入されたり、あるいは処理部３での処理中に割れが生じた基板Ｂが次工程に搬出されるといった事態を未然に回避し、これにより本来不要な処理が基板Ｂに施されたり、あるいは設備故障を招くといったトラブルの発生を未然に防止することができるようになる。
【００６９】
特に、基板割れ検出装置１２については、反射型の基板検知センサ３０Ａ，３０Ｂを使った基板Ｂの有無検出に基づき基板Ｂの割れを検知するように構成する一方で、基板Ｂに割れがある場合には基板検知センサ３０Ａ，３０Ｂから上記のようなタイマ有出力信号（オン信号）、すなわち処理部３８のサンプリング周期よりも大きいパルス幅Ｔ１をもつ信号を常に出力させるようにし、これによって基板Ｂの搬送速度が速い場合や割れが微細な場合でも制御部３８において確実に割れを検知できるように構成しているので、基板の割れ検知の信頼性が極めて高い。従って、上記のようなトラブルをより一層確実に防止することができるという利点がある。
【００７０】
しかも、上記のように処理部３８のサンプリング周期よりも大きいパルス幅をもつタイマ有出力信号（オン信号）を生成、出力させることで、制御部３８として見れば、そのサンプリング周波数を高く設定することなく微細な割れを高い精度で検知することが可能となる。従って、例えば処理速度の速いＣＰＵ等を制御部３８に用いることなく微細な割れを検知することが可能となり、その結果、基板割れ検出装置１２をより簡素に、かつ安価に構成することができるようになるという利点もある。
【００７１】
次に、本発明に係る基板処理装置１の第２の実施形態について説明する。
【００７２】
第２の実施形態の基板処理装置１は、第１の実施形態のものと基本的に共通の構成を有しているが、基板割れ検出装置１２の構成が以下の点で相違している。なお、以下の説明において第１の実施形態と共通するものについては同一符号を付して説明を省略し、相違点についてのみ詳細に説明することにする。
【００７３】
図１０は、第２の実施形態に係る基板割れ検出装置１２の構成をブロック図で示している。この図に示すように、第２の実施形態に係る基板割れ検出装置１２は、第１の実施形態のものにさらに先端検知センサ３０Ｃ（本発明に係る第３信号出力手段）および後端検知センサ３０Ｄ（本発明に係る第４信号出力手段）を備えた構成となっており、制御部３８は、これらセンサ３０Ａ〜３０Ｄから出力される信号に基づいて基板Ｂの割れを検知するように構成されている。
【００７４】
先端検知センサ３０Ｃおよび後端検知センサ３０Ｄの構成は、基本的には前記基板検知センサ３０Ａ，３０Ｂと共通するが、センサアンプ３６にはタイマ部４８が設けられておらず、この点で基板検知センサ３０Ａ，３０Ｂと構成が相違している。つまり、先端検知センサ３０Ｃおよび後端検知センサ３０Ｄは、受光部４２の光の受光状態に対応した信号を信号出力部４６から出力するだけの構成となっている。
【００７５】
先端検知センサ３０Ｃのセンサヘッド３２（必要に応じて先端側センサヘッド３２ｃという）は、図１１に示すように、基板検知センサ３０Ａ，３０Ｂの各センサヘッド３２ａ，３２ｂの並び方向のほぼ中央（搬送路の幅方向中央）であって、これらセンサヘッド３２ａ，３２ｂよりも僅かに下流側に配置されている。一方、後端検知センサ３０Ｄのセンサヘッド３２（必要に応じて後端側センサヘッド３２ｄという）は、先端側センサヘッド３２ｃと同様に前記各センサヘッド３２ａ，３２ｂの中央であるが、各センサヘッド３２ａ，３２ｂよりも僅かに上流側に配置されている。
【００７６】
次に、第２実施形態の上記基板割れ検出装置１２の制御部３８による基板の割れ検知制御について図１２のフローチャートに従って説明する。なお、ここでは基板導入部２における基板割れ検出装置１２を例に説明することにする。
【００７７】
基板導入部２に基板Ｂが搬入され、コンベア５が駆動されて基板Ｂの搬送が開始されると、制御部３８は、先端検知センサ３０Ｃにより基板Ｂが検知されるのを待って、つまり先端検知センサ３０Ｃのタイマ無出力信号がオフ信号に変わるのを待って基板Ｂの監視を開始する（ステップＳ２１，Ｓ２２）。
【００７８】
次いで、各基板検知センサ３０Ａ，３０Ｂのタイマ無信出力信号が両方ともオフ信号に変わったか否かを判断し（ステップＳ２３）、ここでＮＯと判断した場合には、基板Ｂの先端に割れが有るものと判断し（ステップＳ２７）、ステップＳ２９に移行して前記コントローラに割れ検知信号を出力し、基板Ｂの搬送を停止させるとともに各種アラーム装置を作動させてオペレータに報知する。
【００７９】
これに対して、ステップＳ２３でＹＥＳと判断した場合には、さらに各基板検知センサ３０Ａ，３０Ｂのタイマ有出力信号のうち少なくとも一方がオン信号か否かを判断する（ステップ２４）。そして、ここで、ＮＯと判断した場合には、後端検知センサ３０Ｄにより基板Ｂの後端通過が検知されたか、つまり後端検知センサ３０Ｄのタイマ無出力信号がオン信号に変わったか否かを判断し（ステップＳ２５）、ここでＹＥＳと判断した場合には、基板Ｂの監視を終了する（ステップＳ２６）。
【００８０】
これに対して、ステップＳ２４でＹＥＳと判断した場合には、基板Ｂのうちその先端以外の部分に割れが有ると判断し（ステップＳ２８）、ステップＳ２９に移行して前記コントローラに割れ検知信号を出力する。
【００８１】
次に、このような第２の実施形態における制御部３８の制御に基づく割れ検知動作について図１３〜図１５を用いて説明する。
【００８２】
図１３は、基板Ｂが割れを伴わない正常な基板である場合の各センサ３０Ａ〜３０Ｄからの信号出力状態を示すタイミングチャートである。
【００８３】
この図に示すように、基板Ｂが正常なものである場合には、基板Ｂの搬送に伴い、後端検知センサ３０Ｄ、両基板検知センサ３０Ａ，３０Ｂ、先端検知センサ３０Ｃの順でこれらのタイマ無出力信号がオン信号からオフ信号に変わる。そして、先端検知センサ３０からのタイマ無出力信号がオフ信号に変わった時点で制御部３８による割れの監視が開始される（ｔ２時点）。この際、基板検知センサ３０Ａ，３０Ｂの双方のタイマ無出力信号がオフ信号であるため、制御部３８は、基板Ｂの先端には割れがないと判断する。
【００８４】
そして、さらに基板Ｂが搬送されて、基板Ｂが後端側センサヘッド３２ｄの位置を通過すると、後端検知センサ３０Ｄのタイマ無出力信号がオフ信号からオン信号に変わり、これにより制御部３８による割れの監視が終了する（ｔ３時点）。
【００８５】
この間（ｔ２〜ｔ３時点）、基板検知センサ３０Ａ，３０Ｂのタイマ無出力信号は何れもオフ信号からオン信号に変わることがないので、各基板検知センサ３０Ａ，３０Ｂのタイマ有出力信号がオフ信号からオン信号に変わることはなく、従って、制御部３８は基板Ｂに割れがないと判断する。
【００８６】
これに対して、例えば図１４（ａ）に示すように基板Ｂの途中部分であってその幅方向一端（第２センサヘッド３２ｂ側）に割れがある基板Ｂが搬送されてきた場合には、図１４（ｂ）に示すように、制御部３８による割れの監視が開始された後（ｔ２時点）、割れのために第２基板検知センサ３０Ｂのタイマ無出力信号がオフ信号からオン信号に変わり（ｔ３時点）、これに伴い第２基板検知センサ３０Ｂのタイマ有出力信号が一定期間Ｔ１だけオン信号に変わる（ｔ３〜ｔ４時点）。従って、制御部３８は、基板Ｂの途中部分に割れがあると判断する。
【００８７】
さらに別の例として、例えば図１５（ａ）に示すように基板Ｂの先端であってその幅方向一端（第１センサヘッド３２ａ側）に割れがある基板Ｂが搬送されてきた場合には、図１５（ｂ）に示すように、例えば制御部３８による基板Ｂの割れの監視が開始された時点（ｔ２時点）よりも後に第１基板検知センサ３０Ａのタイマ無出力信号がオフ信号に変わる（ｔ３時点）。従って、制御部３８は、その間（ｔ２時点〜ｔ３時点）の各基板検知センサ３０Ａ，３０Ｂのタイマ無出力信号の信号状態に基づき基板Ｂの先端に割れがあると判断する。
【００８８】
なお、図１４（ｂ）中の時点ｔ５、図１５（ｂ）中の時点ｔ４はそれぞれ制御部３８による基板Ｂの割れ監視が終了した時点を示している。
【００８９】
以上のように、第２の実施形態に係る基板割れ検出装置１２では、先端検知センサ３０Ｃによる基板Ｂの先端検出に基づき制御部３８による割れの監視を開始し、後端検知センサ３０Ｄによる基板Ｂの通過検出に基づき制御部３８による割れの監視を終了するように構成されており、この点で第１の実際形態のものと構成および制御内容が相違している。そして、このような相違を有する結果、第２の実施形態の基板割れ検出装置１２によると、基板Ｂの先端や後端での割れ検知の精度をより一層高めることができるという利点がある。
【００９０】
すなわち、図１１に示すような矩形の基板Ｂを搬送する場合、通常は、その先端が搬送方向とほぼ直交するように基板Ｂの姿勢が保たれた状態で搬送されるが、例えば図１１に一点鎖線で示すように、基板Ｂが若干斜めに傾いた姿勢のまま搬送されるいわゆる斜め搬送が発生するケースもある。この場合、第１の実施形態の基板割れ検出装置１２の構成であると、基板Ｂの搬送に伴い、まず、第２基板検知センサ３０Ｂのタイマ無出力信号がオフ信号に変わった後に、第１基板検知センサ３０Ａのタイマ無出力信号がオフ信号に変わる結果、図９（ｂ）に示した場合と同様の信号出力状態となり、これによって制御部３８が基板Ｂの先端に割れが有ると誤認することが考えられる。同様に、基板Ｂの後端についても、第２基板検知センサ３０Ｂのタイマ無出力信号がオン信号に変わった後に、第１基板検知センサ３０Ａのタイマ無出力信号がオン信号に変わる結果、制御部３８が基板Ｂの後端に割れが有ると誤認することが考えられる。
【００９１】
これに対して、第２の実施形態の基板割れ検出装置１２によると、予め発生し得る基板Ｂの傾きを想定し、この傾きに応じ、基板Ｂの先端が両センサヘッド３２ａ，３２ｂの位置に到達した後、当該先端が常に先端側センサヘッド３２ｃに到達するように先端側センサヘッド３２ｃの位置を両センサヘッド３２ａ，３２ｂに対して下流側にオフセットしておくことで、上記のような基板Ｂの斜め搬送に伴う割れの誤検知を防止することが可能となる。この点は、基板Ｂの後端側についても同様である。従って、この第２の実施形態の構成によると、基板Ｂの先端や後端での割れ検知の精度を高めることができ、その分、割れ検知の信頼性をより一層高めることができる。
【００９２】
なお、この第２の実施形態では、先端側センサヘッド３２ｃおよび後端側センサヘッド３２ｄが、上記の通り各センサヘッド３２ａ，３２ｂに対して搬送方向にオフセットされている結果、各基板検知センサ３０Ａ，３０Ｂのタイマ無出力信号がオフ信号に切り替わってから基板Ｂの監視が開始されるまでの間（例えば図１３のｔ１時点〜ｔ２時点）、基板Ｂの先端に未監視部分が発生し、また同様に、基板Ｂの監視が終了してから各基板検知センサ３０Ａ，３０Ｂのタイマ無出力信号がオン信号に切り替わるまで（例えば図１３のｔ３時点〜ｔ４時点）、基板Ｂの後端に未監視部分が生じることとなる。しかし、このような未監視部分が発生しても、基板Ｂの先端および後端に発生し得る割れの大きさを想定して先端側センサヘッド３２ｃおよび第２センサヘッド３２ｂの配置位置を予め設定しておけば、実質的な検出精度に影響を与えることはない。
【００９３】
なお、以上説明した基板処理装置１は、本発明に係る基板処理装置１（本発明に係る基板割れ検出装置１２が適用された基板処理装置）の好ましい実施形態の一例であって、その具体的な構成は、本発明の要旨を逸脱しない範囲で適宜変更可能である。例えば、以下のような構成を採用することも可能である。
【００９４】
（１） 第１の実施形態の基板割れ検出装置１２では、２つの基板検知センサ３０Ａ，３０Ｂを設け、これらのセンサヘッド３２ａ，３２ｂを基板Ｂの幅方向両端に対向する位置に配設する（すなわち各センサヘッド３２ａ，３２ｂの光の照射位置が幅方向両端に位置する）ようにしているが、これは、基板Ｂの割れの多くがその幅方向両端で発生するため、少ない基板検知センサの数で効率的に基板Ｂの割れを検知するための工夫であり、勿論、より多くの基板検知センサを設け、図１６に示すように、これらのセンサヘッド３２を基板の幅方向に並べるようにしてもよい。なお、この点は、第２の実施形態についても同様である。
【００９５】
（２） 上記実施形態では、基板検知センサ３０Ａ，３０Ｂとして反射型のものを用いているが、例えば、図１７に示すように、光ファイバ３５を介して発光部４０に接続される投光側ヘッド３２ａ（３２ｂ）と、同じく光ファイバ３５を介して受光部４２に接続される受光側ヘッド３２ａ′（３２ｂ′）とを備えた透過型センサを用いるようにしてもよい。
【００９６】
（３） 上記実施形態では、受光部４２の光の受光状態に基づきタイマ無出力信号とタイマ有出力信号の双方を出力するように基板検知センサ３０Ａ，３０Ｂが構成されているが、勿論、光の照射手段および受光手段（センサヘッド３２、発光部４０，受光部４２）を持ち、タイマ有出力信号だけを出力する専用のセンサ（第１信号出力手段）を設ける一方、これとは別に光の照射手段および受光手段をもちタイマ無出力信号だけを出力する専用のセンサ（第２信号出力手段）を設けるようにしてもよい。但し、上記のように、タイマ無出力信号とタイマ有出力信号を出力する手段として照射手段および受光手段を共通化した構成によれば、合理的で、安価に基板割れ検出装置１２を構成することができるという利点がある。
【００９７】
（４） 上記実施形態の各基板検知センサ３０Ａ，３０Ｂでは、タイマ部４８がワンショットタイマから構成され、信号出力部４６か出力される信号の変化（オフ信号からオン信号への変化）に基づき所定パルス幅Ｔ１のオン信号を出力するように構成されているが、例えばタイマ部４８をオフディレイタイマから構成し、信号出力部４６か出力される信号を、タイマ部４８を経由して出力させることにより、タイマ無出力信号のうちオン信号からオフ信号への変化時点だけを一定期間遅延させた信号（タイマ有出力信号）を生成して出力させるようにしてもよい。つまり、例えば基板Ｂの途中部分（搬送方向の途中部分）に割れがあると、当該割れに対応してタイマ無出力信号がオフ信号からオン信号に変った後、再度オフ信号に変わるため（図８（ｂ）参照）、オフディレイタイマからなるタイマ部４８を経由させて、この割れに対応する部分の信号のうちオン信号からオフ信号へ変化時点を遅延させるようにする。この際、割れに対応する部分の信号の時間幅が、制御部３８により処理可能な最小時間幅よりも常に大きい時間幅となるように上記遅延期間（すなわちタイマ部４８のタイマ値）を設定するようにしておけば、上記実施形態の場合と同様に、制御部３８はタイマ有出力信号のうち割れに対応する部分の信号を確実に検出することが可能となり、その結果、微細な割れをより確実に検出できるようになる。
【００９８】
（５） 上記実施形態中では特に説明していないが、例えば受光部４２の受光レベルの変化量（微分値）を演算する演算回路を各基板検知センサ３０Ａ，３０Ｂに組み込み、その変化量が一定値を超えた場合に、一定のパルス信号、すなわち処理部３８により処理可能な最小時間幅よりも大きい時間幅をもつ信号を出力させるようにしてもよい。すなわち、ひび等、完全な割れや欠けに至っていない損傷箇所に光を照射すると、光の受光レベルが短時間で大きく変化するため、上記のような構成によると、びひ等の損傷についてもその検出精度を高めることが可能となる。
【００９９】
（６） 上記実施形態の各センサ３０Ａ〜３０Ｄは、いずれも基板Ｂが無い状態でオン信号を、有る状態でオフ信号をそれぞれ出力するように論理設定されているが、勿論、逆の論理設定であっても構わない。すなわち、基板が有る状態でオン信号を、無い状態でオフ信号を出力するようにしてもよい。
【０１００】
（７） 上記実施形態の各センサ３０Ａ〜３０Ｄは、いずれもセンサヘッド３２（３２ａ〜３２ｄ）にスポットレンズ３４を備えているがこれは必須ではない。但し、微細な割れをより確実に検出する上ではスポットレンズ３４を設けるのが好ましい。
【０１０１】
（８） 上記実施形態では、基板割れ検出装置１２の制御部３８と、基板処理装置１のコントローラとが別構成となっているが、勿論、基板処理装置１のコントローラが制御部３８の機能を兼ねるものであってもよい。つまり、上記コントローラが本発明の割れ検知手段として機能する構成であってもよい。
【図面の簡単な説明】
【０１０２】
【図１】本発明の第１実施形態に係る基板処理装置（本発明に係る基板割れ検出装置を備えた基板処理装置）を示す模式図である。
【図２】基板割れ検出装置の構成を示すブロック図である。
【図３】基板割れ検出装置の構成を示すブロック図（詳細図）である。
【図４】第１，第２基板検知センサの各センサヘッドの配置を説明する模式図である。
【図５】基板検知センサからの出力信号を示すタイミングチャートである。
【図６】制御部による割れ検知動作制御の一例を示すフローチャートである。
【図７】割れの無い基板の場合の基板検知センサからの信号出力状態を示すタイミングチャートである。
【図８】（ａ）は、割れの有る基板の一例を示す平面図、（ｂ）は、（ａ）に示す基板の場合の各基板検知センサからの信号出力状態を示すタイミングチャートである。
【図９】（ａ）は、割れの有る基板の一例を示す平面図、（ｂ）は、（ａ）の場合の各基板検知センサからの信号出力状態を示すタイミングチャートである。
【図１０】第２実施形態に係る基板割れ検出装置の構成を示すブロック図である。
【図１１】第１，第２基板検知センサ、先端検知センサ、後端検知センサの各センサヘッドの配置を説明する模式図である。
【図１２】制御部による割れ検知動作制御の一例を示すフローチャートである。
【図１３】割れの無い基板の場合の基板検知センサからの信号出力状態を示すタイミングチャートである。
【図１４】（ａ）は、割れの有る基板の一例を示す平面図、（ｂ）は、（ａ）に示す基板の場合の各基板検知センサからの信号出力状態を示すタイミングチャートである。
【図１５】（ａ）は、割れの有る基板の一例を示す平面図、（ｂ）は、（ａ）の場合の各基板検知センサからの信号出力状態を示すタイミングチャートである。
【図１６】基板検知センサのセンサヘッドの配置例を示す模式図である。
【図１７】基板割れ検出装置の別の構成を示すブロック図である。
【符号の説明】
【０１０３】
１ 基板処理装置
２ 基板導入部
３ 処理部
４ 基板導出部
１２ 基板割れ検出装置
３０Ａ，３０Ｂ 基板検知センサ
３２（３２ａ〜３２ｄ） センサヘッド
３６ センサアンプ
３８ 制御部
４０ 発光部
４２ 受光部
４４ 信号出力回路
４６ 信号出力部
４８ タイマ部
Ｂ 基板
【特許請求の範囲】
【請求項１】
搬送路に沿って搬送される基板の割れを検出するための装置であって、
前記搬送路に沿って搬送される基板に対して光を照射可能な照射手段と前記光の受光手段とを含み、この受光手段による光の受光状態に基づき信号を出力する信号出力手段と、
前記基板が前記照射手段による光の照射位置を通過する間に、これに対応して前記信号出力手段から出力される信号に基づき基板の割れを検知する割れ検知手段とを有し、
前記信号出力手段は、前記受光手段による光の受光状態が基板有りの状態から無しの状態に変化するときに、前記割れ検知手段により処理可能な最小時間幅よりも常に大きい時間幅をもつ前記信号を出力する
ことを特徴とする基板割れ検出装置。
【請求項２】
請求項１に記載の基板割れ検出装置において、
複数の前記信号出力手段を有し、これら信号出力手段の前記照射手段による光の照射位置が前記搬送路の幅方向に並んでいる
ことを特徴とする基板割れ検出装置。
【請求項３】
請求項１又は２記載の基板割れ検出装置において、
前記信号出力手段を第１信号出力手段としたときに、さらに、前記搬送路に沿って搬送される基板に対して光を照射可能な照射手段と前記光の受光手段とを含み、この受光手段による光の受光状態に基づき基板の有無に対応した信号を出力する複数の第２信号出力手段を有し、
これら第２信号出力手段の前記照射手段による光の照射位置が前記搬送路の幅方向に並び、
前記割れ検知手段は、第１および第２信号出力手段から出力される信号に基づき前記割れを検知する
ことを特徴とする基板割れ検出装置。
【請求項４】
請求項３に記載の基板割れ検出装置において、
前記第１信号出力手段および第２信号出力手段の前記照射手段および受光手段として共通の照射手段および受光手段が設けられている
ことを特徴とする基板割れ検出装置。
【請求項５】
請求項３又は４に記載の基板割れ検出装置において、
前記搬送路に沿って搬送される基板に対して光を照射可能な照射手段と前記光の受光手段とを含み、この受光手段による光の受光状態に基づき基板の有無に対応した信号を出力する第３信号出力手段を有し、
この第３信号出力手段の前記照射手段による光の照射位置が前記搬送路の幅方向中央であって、かつ前記第２信号出力手段の各照射手段による光の照射位置よりも基板搬送方向下流側の位置にあり、
前記割れ検知手段は、第３信号出力手段から出力される信号に基づき基板の先端を検知し、当該検知後に第１および第２信号出力手段から出力される信号に基づき前記割れを検知する
ことを特徴とする基板割れ検出装置。
【請求項６】
請求項３乃至５の何れかに記載の基板割れ検出装置において、
前記搬送路に沿って搬送される基板に対して光を照射可能な照射手段と前記光の受光手段とを含み、この受光手段による光の受光状態に基づき基板の有無に対応した信号を出力する第４信号出力手段を有し、
この第４信号出力手段の前記照射手段による光の照射位置が前記搬送路の幅方向中央であって、かつ前記第２信号出力手段の各照射手段による光の照射位置よりも基板搬送方向上流側の位置に設定され、
前記割れ検知手段は、第４信号出力手段から出力される信号に基づき基板の後端を検知し、当該検知後に第１および第２信号出力手段から出力される信号を無視する
ことを特徴とする基板割れ検出装置。
【請求項７】
基板の搬送路と、この搬送路に沿って搬送される基板に対して所定の処理を施す処理手段と、前記搬送路に沿って搬送される基板の割れを検出する基板割れ検出装置とを備えた基板処理装置であって、
前記基板割れ検出装置として請求項１乃至６の何れかに記載の基板割れ検出装置を備えている
ことを特徴とする基板処理装置。
【請求項８】
請求項７に記載の基板処理装置において、
前記基板割れ検出装置は、基板の搬送を開始する搬送開始地点と前記処理手段との間、又は前記処理手段と処理後の基板の搬送終了地点との間の少なくとも一方に設けられている
ことを特徴とする基板処理装置。
【請求項１】
搬送路に沿って搬送される基板の割れを検出するための装置であって、
前記搬送路に沿って搬送される基板に対して光を照射可能な照射手段と前記光の受光手段とを含み、この受光手段による光の受光状態に基づき信号を出力する信号出力手段と、
前記基板が前記照射手段による光の照射位置を通過する間に、これに対応して前記信号出力手段から出力される信号に基づき基板の割れを検知する割れ検知手段とを有し、
前記信号出力手段は、前記受光手段による光の受光状態が基板有りの状態から無しの状態に変化するときに、前記割れ検知手段により処理可能な最小時間幅よりも常に大きい時間幅をもつ前記信号を出力する
ことを特徴とする基板割れ検出装置。
【請求項２】
請求項１に記載の基板割れ検出装置において、
複数の前記信号出力手段を有し、これら信号出力手段の前記照射手段による光の照射位置が前記搬送路の幅方向に並んでいる
ことを特徴とする基板割れ検出装置。
【請求項３】
請求項１又は２記載の基板割れ検出装置において、
前記信号出力手段を第１信号出力手段としたときに、さらに、前記搬送路に沿って搬送される基板に対して光を照射可能な照射手段と前記光の受光手段とを含み、この受光手段による光の受光状態に基づき基板の有無に対応した信号を出力する複数の第２信号出力手段を有し、
これら第２信号出力手段の前記照射手段による光の照射位置が前記搬送路の幅方向に並び、
前記割れ検知手段は、第１および第２信号出力手段から出力される信号に基づき前記割れを検知する
ことを特徴とする基板割れ検出装置。
【請求項４】
請求項３に記載の基板割れ検出装置において、
前記第１信号出力手段および第２信号出力手段の前記照射手段および受光手段として共通の照射手段および受光手段が設けられている
ことを特徴とする基板割れ検出装置。
【請求項５】
請求項３又は４に記載の基板割れ検出装置において、
前記搬送路に沿って搬送される基板に対して光を照射可能な照射手段と前記光の受光手段とを含み、この受光手段による光の受光状態に基づき基板の有無に対応した信号を出力する第３信号出力手段を有し、
この第３信号出力手段の前記照射手段による光の照射位置が前記搬送路の幅方向中央であって、かつ前記第２信号出力手段の各照射手段による光の照射位置よりも基板搬送方向下流側の位置にあり、
前記割れ検知手段は、第３信号出力手段から出力される信号に基づき基板の先端を検知し、当該検知後に第１および第２信号出力手段から出力される信号に基づき前記割れを検知する
ことを特徴とする基板割れ検出装置。
【請求項６】
請求項３乃至５の何れかに記載の基板割れ検出装置において、
前記搬送路に沿って搬送される基板に対して光を照射可能な照射手段と前記光の受光手段とを含み、この受光手段による光の受光状態に基づき基板の有無に対応した信号を出力する第４信号出力手段を有し、
この第４信号出力手段の前記照射手段による光の照射位置が前記搬送路の幅方向中央であって、かつ前記第２信号出力手段の各照射手段による光の照射位置よりも基板搬送方向上流側の位置に設定され、
前記割れ検知手段は、第４信号出力手段から出力される信号に基づき基板の後端を検知し、当該検知後に第１および第２信号出力手段から出力される信号を無視する
ことを特徴とする基板割れ検出装置。
【請求項７】
基板の搬送路と、この搬送路に沿って搬送される基板に対して所定の処理を施す処理手段と、前記搬送路に沿って搬送される基板の割れを検出する基板割れ検出装置とを備えた基板処理装置であって、
前記基板割れ検出装置として請求項１乃至６の何れかに記載の基板割れ検出装置を備えている
ことを特徴とする基板処理装置。
【請求項８】
請求項７に記載の基板処理装置において、
前記基板割れ検出装置は、基板の搬送を開始する搬送開始地点と前記処理手段との間、又は前記処理手段と処理後の基板の搬送終了地点との間の少なくとも一方に設けられている
ことを特徴とする基板処理装置。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【図１７】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【図１７】
【公開番号】特開２００７−２２５３２３（Ｐ２００７−２２５３２３Ａ）
【公開日】平成１９年９月６日（２００７．９．６）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００６−４４１６３（Ｐ２００６−４４１６３）
【出願日】平成１８年２月２１日（２００６．２．２１）
【出願人】（０００２０７５５１）大日本スクリーン製造株式会社 (2,640)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成１９年９月６日（２００７．９．６）
【国際特許分類】
【出願日】平成１８年２月２１日（２００６．２．２１）
【出願人】（０００２０７５５１）大日本スクリーン製造株式会社 (2,640)
【Ｆターム（参考）】
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