放射線硬化性半導体加工用粘着テープ
【課題】半導体加工工程において優れた帯電防止性を発揮し、かつ、ダイシング工程においてヒゲ状切削屑の発生を著しく低減でき、放射線照射によりテープの弛みが少なく、ピックアップ時に被着体に粘着剤が残りにくい放射線硬化性半導体加工用粘着テープを提供する。
【解決手段】基材樹脂フィルム上に特定の粘着剤層が形成された放射線硬化性半導体加工用粘着テープであって、該基材樹脂フィルムが少なくとも２層以上からなり、
該基材樹脂フィルムの粘着剤層に接する層が、エチレン−酢酸ビニル共重合体（ａ１）と、構成成分として少なくともエチレン成分及び（メタ）アクリル酸成分を有する共重合体のカルボキシル基をカリウムイオンで架橋した樹脂（ａ２）を含有する樹脂組成物であり、前記粘着剤層に接する層以外の層が、高密度ポリエチレン又はポリプロピレンを含有する樹脂組成物である放射線硬化性半導体加工用粘着テープ。
【解決手段】基材樹脂フィルム上に特定の粘着剤層が形成された放射線硬化性半導体加工用粘着テープであって、該基材樹脂フィルムが少なくとも２層以上からなり、
該基材樹脂フィルムの粘着剤層に接する層が、エチレン−酢酸ビニル共重合体（ａ１）と、構成成分として少なくともエチレン成分及び（メタ）アクリル酸成分を有する共重合体のカルボキシル基をカリウムイオンで架橋した樹脂（ａ２）を含有する樹脂組成物であり、前記粘着剤層に接する層以外の層が、高密度ポリエチレン又はポリプロピレンを含有する樹脂組成物である放射線硬化性半導体加工用粘着テープ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電気部品や電子部品に用いられる半導体を加工する際に使用される放射線硬化性半導体加工用粘着テープに関する。
【背景技術】
【０００２】
従来から、電気部品や電子部品に用いられる半導体を加工する際に、半導体ウェハから半導体チップを得るためのダイシング工程や、その他の工程において、部品の固定や保護を目的とする半導体加工用粘着テープが用いられている。
半導体のダイシング工程では、半導体加工用粘着テープからセパレーターを剥離し、該粘着テープが貼合された状態で半導体ウェハのダイシング加工を行い、電気絶縁性の高い超純水により切削粉を洗浄し、切断・分離された半導体チップのピックアップが行われる。これらの工程で基板（ウェハ）や樹脂封止パッケージなどの被着体に静電気が発生する。回路を形成する部品の基板がセラミックスやガラスなどの絶縁材料である場合には、静電気が速やかに漏洩されず、短絡による回路の放電破壊や埃などの異物の付着などが起こる場合がある。
【０００３】
近年、ウェハの薄膜化に伴い回路の高集積化が加速しており、静電気による回路破壊を防ぐことが大きな課題となっている。静電気障害を防止するためにイオナイザーなどの静電気除去装置が利用されているが、十分な帯電防止効果は得られておらず、帯電防止性を有する半導体加工用粘着テープに対する需要が高まっている。
そこで、基材樹脂フィルムの片面又は両面にポリチオフェンやポリピロールなどの導電性高分子を含有する帯電防止層を設けた半導体固定用粘着テープが開示されている（例えば、特許文献１と特許文献２を参照。）。この粘着テープでは、ダイシング加工によって帯電防止層が分断されるため、ダイシング後は帯電防止性能を維持するのは困難である。
【０００４】
また、ダイシング工程においては、回転刃であるダイシングブレードが、半導体固定用粘着テープの基材樹脂フィルムの一部まで切り込まれる。このため、半導体デバイスウェハや半導体デバイスパッケージ切削屑の他に、該粘着テープの基材樹脂フィルムが切削時に溶融・延伸された糸状のヒゲ状切削屑が発生し、この切削屑が半導体デバイス表面の凹凸に残留することが多い。特に、一括封止されたパッケージをダイシングする際にはダイシングブレード刃厚が０．１〜０．５ｍｍ程度の厚いものを用いるため、ダイシングブレード刃厚が０．０２〜０．１ｍｍ程度の薄いものを用いる半導体デバイスウェハをダイシングする場合と比較して、特にヒゲ状切削屑が発生しやすい。この切削屑は半導体ウェハや樹脂封止パッケージなどを汚染し、歩留まりを低下させるため、極力低減させる必要がある。
【０００５】
半導体素子や樹脂封止パッケージなどの被着体を粘着テープからピックアップする際には、被着体に接している粘着層の粘着力を低下させておくことが好ましい。そのための方法として、粘着層として放射線照射により粘着力を低減させることのできるものを用いた放射線硬化性粘着テープが知られている。しかしながら、この放射線には少なからず赤外光が含まれるため、放射線照射により粘着テープが加熱されて粘着テープの伸びや部分的な弛みが発生することがある。テープの弛みは、加工工程間の移送に使用されるキャリアーカセットへの被着体の収納に支障を生じる他、被着体のピックアップ工程においても素子間隙のばらつきが生じ、素子のピックアップ不良を引き起こす原因にもなる。また、テープ弛みはダイシング時の切削熱によっても発生する場合もある。
【０００６】
また、半導体ウェハや樹脂封止パッケージなどの被着体には、粘着テープの貼合面に凹凸を有しているものや、一般にレーザーマークと言われる刻印（凹部）を有しているものがある。当該凹凸部分に対する粘着剤の追従性には限界があるため、粘着剤層と被着体の間に密着していない隙間が介在する場合がある。この隙間部分は空気と接しているため、粘着剤層として放射線照射により粘着力を大きく低減させて、ダイシング加工後のピックアップ工程で、切断されて得られた半導体チップをピックアップしやすくする場合には、空気中の酸素によって粘着剤の放射線硬化反応が阻害され、被着体の凹部分に糊残りが発生する場合がある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開２００８−２５５３４５号公報
【特許文献２】特開２００８−２８０５２０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
本発明は、半導体加工工程において優れた帯電防止性を発揮し、かつ、ダイシング工程においてヒゲ状切削屑の発生を著しく低減でき、放射線照射によりテープの弛みが少なく、ピックアップ時に被着体に粘着剤が残りにくい放射線硬化性半導体加工用粘着テープを提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明者らは、上記目的を達成するために鋭意検討を行った。その結果、基材樹脂フィルム上に主鎖の繰り返し単位に対して放射線硬化性炭素−炭素二重結合含有基が結合した(ペンダントした)重合体（Ｂ）を含有する粘着剤層が形成された放射線硬化性半導体加工用粘着テープであって、該基材樹脂フィルムが少なくとも２層以上からなり、
該基材樹脂フィルムの粘着剤層に接する層が、エチレン−酢酸ビニル共重合体（ａ１）と、構成成分として少なくともエチレン成分及び（メタ）アクリル酸成分を有する共重合体のカルボキシル基をカリウムイオンで架橋した樹脂（ａ２）と特定の割合で含有する樹脂組成物であり、
前記粘着剤層に接する層以外の層が、高密度ポリエチレン又はポリプロピレンを含有する樹脂組成物である放射線硬化性半導体加工用粘着テープが、半導体加工工程において優れた帯電防止性を示し、ダイシング工程においてヒゲ状切削屑の発生を著しく低減でき、放射線照射によりテープの弛みが少なく、ピックアップ時に被着体に粘着剤が残りにくいことを見出した。本発明はこれらの知見に基づきなされたものである。
【００１０】
すなわち、本発明は、
＜１＞基材樹脂フィルム上に主鎖の繰り返し単位に対して放射線硬化性炭素−炭素二重結合含有基が結合した重合体（Ｂ）を含有する粘着剤層が形成された放射線硬化性半導体加工用粘着テープであって、該基材樹脂フィルムが少なくとも２層以上からなり、
該基材樹脂フィルムの粘着剤層に接する層が、エチレン−酢酸ビニル共重合体（ａ１）９０〜７０質量％と、構成成分として少なくともエチレン成分及び（メタ）アクリル酸成分を有する共重合体のカルボキシル基をカリウムイオンで架橋した樹脂（ａ２）１０〜３０質量％を含有する樹脂組成物であり、
前記粘着剤層に接する層以外の層が、高密度ポリエチレン又はポリプロピレンを含有する樹脂組成物であることを特徴とする放射線硬化性半導体加工用粘着テープ、
＜２＞前記基材樹脂フィルムが３層以上からなり、前記粘着剤層に接する層１と最外層Ｘ２とで挟まれた中間層Ｘ１が高密度ポリエチレン又はポリプロピレンを含有する樹脂組成物であることを特徴とする＜１＞記載の放射線硬化性半導体加工用粘着テープ、
＜３＞前記エチレン−酢酸ビニル共重合体の酢酸ビニル成分含有量が５〜２５質量％であることを特徴とする＜１＞又は＜２＞記載の放射線硬化性半導体加工用粘着テープ、
＜４＞前記主鎖の繰り返し単位に対して放射線硬化性炭素−炭素二重結合含有基が結合した重合体（Ｂ）が、構成成分（ｂ１）として６５〜８７質量％の２−エチルヘキシルアクリレート成分を含むことを特徴とする＜１＞〜＜３＞のいずれか１項に記載の放射線硬化性半導体加工用粘着テープ、及び
＜５＞前記粘着剤層の放射線硬化前のガラス転移開始温度が−６５〜−４５℃であることを特徴とする＜１＞〜＜４＞のいずれか１項記載の放射線硬化性半導体加工用粘着テープ、
を提供するものである。
【発明の効果】
【００１１】
本発明は、半導体加工工程において優れた帯電防止性を発揮し、かつ、ダイシング工程においてヒゲ状切削屑の発生を著しく低減でき、放射線照射によりテープの弛みが少なく、ピックアップ時に被着体に粘着剤が残りにくい放射線硬化性半導体加工用粘着テープを提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】本発明の放射線硬化性半導体加工用粘着テープの一実施形態を模式的に示す断面図である。
【図２】本発明の放射線硬化性半導体加工用粘着テープの他の一実施形態を模式的に示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
本発明を、図面を参照しながら説明する。図１には、本発明の放射線硬化性半導体加工用粘着テープの好ましい一実施態様が模式的に示されている。放射線硬化性半導体加工用粘着テープ１００では、基材樹脂フィルム１０は、粘着剤層に接する層１と、該粘着剤層に接する層以外の層２とからなり、基材樹脂フィルム１０の粘着剤層に接する層１に粘着剤層２０が形成されている。
また図２には、本発明の放射線硬化性半導体加工用粘着テープの好ましい他の一実施形態が模式的に示されている。放射線硬化性半導体加工用粘着テープ２００では、基材樹脂フィルム１０が粘着剤層に接する層１と、該粘着剤層に接する層以外の層２とからなり、該粘着剤層に接する層以外の層２は、中間層Ｘ１と基材樹脂フィルムの最外層Ｘ２とからなる。
【００１４】
１．基材樹脂フィルム
本発明の放射線硬化性半導体加工用粘着テープの基材樹脂フィルムは、図１、２に示すように２層以上からなり、粘着剤層に接する層１は帯電防止性を有している。粘着剤層に接する層１は、エチレン−酢酸ビニル共重合体（ａ１）９０〜７０質量％と、構成成分として少なくともエチレン成分及び（メタ）アクリル酸成分を有する共重合体のカルボキシル基をカリウムイオンで架橋した樹脂（ａ２）１０〜３０質量％を含有する樹脂組成物で構成されている。本発明で共重合体のカルボキシル基をカリウムイオンで架橋するとはカルボキシル基の少なくとも０．５ｍｍoｌ／ｇを架橋することをいい、好ましくは１．５ｍｍoｌ／ｇ以上である。
【００１５】
（粘着剤層に接する層）
（１）構成成分として少なくともエチレン成分及び（メタ）アクリル酸成分を有する共重合体のカルボキシル基をカリウムイオンで架橋した樹脂（ａ２）
構成成分として少なくともエチレン成分及び（メタ）アクリル酸成分を有する共重合体のカルボキシル基をカリウムイオンで架橋した樹脂（ａ２）は、共重合体成分としてエチレン成分と、（メタ）アクリル酸成分を含み、（メタ）アクリル酸成分のカルボキシル基がカリウムイオンで架橋された樹脂である。なお、本明細書において、エチレン−（メタ）アクリル酸共重合体とは、エチレン−アクリル酸共重合体とエチレン−メタクリル酸共重合体の両方を含むものである。樹脂（ａ２）は、エチレン成分と、（メタ）アクリル酸成分を含む２元系の共重合体でもよいが、さらにその他の成分を含む３元系以上の共重合体でもよい。その他の成分としては、例えば、（メタ）アクリル酸エステルを挙げることができる。（メタ）アクリル酸エステルとしては、アクリル酸エチル、メタアクリル酸ブチル等を挙げることができる。その他の成分としては、酢酸ビニル、アクリルニトリル、アクリルアマイド、スチレン、イタコン酸、アクリルアマイド、メチロールアクリルアマイド、無水マレイン酸等を挙げることができる。
【００１６】
樹脂（ａ２）は金属イオン種としてカリウムイオンで架橋されていることが必要である。カリウムイオンで架橋されていることにより、飽和水分量が高いため、優れた帯電防止性を奏することができる。他の金属イオン、例えば、ナトリウムイオン、亜鉛イオン、マグネシウムイオンなどでは、飽和水分量が低く、十分な帯電防止性は得られない。
【００１７】
樹脂フィルムが樹脂（ａ２）とエチレン−酢酸ビニル共重合体（ａ１）を含む樹脂組成物で構成された場合には、後述のように、樹脂（ａ２）がエチレン−酢酸ビニル共重合体で、より筋状に配向した相分離構造を形成しやすくするためには、強いせん断力に加えて、ベース樹脂のメルトフローレート（ＭＦＲ）（ＪＩＳ Ｋ ７２１０に準拠した１９０℃、２．１６ｋｇ荷重条件）は低いほうが望ましく、その範囲は０．５〜４．０、さらに好ましくは１．０〜３．０である。ＭＦＲが高すぎる場合、筋状の帯電防止相が形成されず、低すぎる場合は製膜することができない。
【００１８】
（２）エチレン−酢酸ビニル共重合体（ａ１）
基材樹脂フィルムを構成する樹脂組成物には、エチレン−酢酸ビニル共重合体（ａ１）が含まれる。エチレン−酢酸ビニル共重合体と前記の樹脂（ａ２）を含む樹脂組成物は、エチレン−酢酸ビニル共重合体（ａ１）中の酢酸ビニル成分が、エチレン−（メタ）アクリル酸共重合体のカルボキシル基をカリウムイオンで架橋した樹脂のカリウムイオンと相互作用する。その結果、エチレン−（メタ）アクリル酸共重合体のカルボキシル基をカリウムイオンで架橋した樹脂相が、エチレン−酢酸ビニル共重合体中に筋状に微分散した相分離構造を形成しやすい。これにより、伝導経路が形成され、優れた帯電防止性を奏することができる。
【００１９】
前記の樹脂（ａ２）を配合すると、基材樹脂フィルムと粘着剤層との間の密着性は弱まるが、エチレン−酢酸ビニル共重合体を使用することにより、基材樹脂フィルムと粘着剤層との密着性を高く保持することができる。エチレン−酢酸ビニル共重合体中の酢酸ビニル成分含有量は５〜２５質量％であることが好ましい。酢酸ビニル成分含有量が少なすぎると、基材樹脂フィルムと粘着剤層との間の密着性が悪化し、多すぎるとベタツキが大きくなるため、製造性が悪化する。例えば、押出成形で基材樹脂フィルムを製造する際に冷却ロールへの基材樹脂フィルムの貼りつきなどが起こることがある。
これに対して、エチレン−酢酸ビニル共重合体（ａ１）に代えて、エチレン−（メタ）アクリル酸共重合体を使用した場合には、基材樹脂フィルムと粘着剤層との密着性は良好であるが、（ａ２）樹脂との相分離構造を形成できないため、十分な帯電防止性を得ることは困難である。
【００２０】
粘着剤層に接する層の基材樹脂フィルムを構成する樹脂組成物は、エチレン−酢酸ビニル共重合体９０〜７０質量％と、構成成分として少なくともエチレン成分及び（メタ）アクリル酸成分を有する共重合体のカルボキシル基をカリウムイオンで架橋した樹脂（ａ２）１０〜３０質量％を含有する。これにより、ヒゲ状切削屑の発生を著しく低減することができる。（ａ２）樹脂が多すぎると、基材樹脂フィルムと粘着剤層との密着性低いため、ピックアップ工程で基材樹脂フィルムと粘着剤層との間で層間剥離が生じ、レーザーマーク等の被着体表層の凹部に糊残りが発生する。一方、（ａ２）樹脂が少なすぎると、十分な帯電防止性を奏することができない。
【００２１】
（ａ２）樹脂は、製膜時に強いせん断力が働くことでベース樹脂内部に成形方向に筋状に配向した相分離構造を形成しやすくなるため、押出成形・射出成形など、製膜時に樹脂に強いせん断力がかかる成形方法で基材樹脂フィルムを成形することが好ましい。圧縮成形では圧縮力が働くために帯電防止樹脂が筋状に分散しにくく、キャスト成形では十分なせん断力が得られないため、同じく筋状の分散を得られないことがある。粘着剤層に接する基材樹脂フィルムを構成する層には密着性をさらに向上させるために、コロナ処理を施したり、プライマー等の処理を施したりしてもよい。
【００２２】
（粘着剤層に接する層以外の層）
基材樹脂フィルムにおける粘着剤層に接する層以外の層は、高密度ポリエチレン又はポリプロピレンを含有する樹脂組成物である。高密度ポリエチレンとポリプロピレンは耐熱性に優れるため、放射線照射時に発生する熱で粘着テープの弛みを防ぐことができる。ここでポリプロピレンは、プロピレンの単独重合体（ホモポリプロピレン）、エチレン−プロピレンランダム共重合体、エチレン−プロピレンブロック共重合体、プロピレンと他の少量のα−オレフィン（例えば、１−ブテン、１−ヘキセン、４−メチル−１−ペンテン等）との共重合体、構成成分としてアタクチックのプロピレンを含むポリプロピレン、プロピレンとエチレン系共重合体ゴムとのブロック共重合体等が挙げられる。本明細書においては、ポリプロピレン樹脂としては、プロピレンの単独重合体のほかに、構成成分として、プロピレン成分とエチレン成分を有する共重合体のうち、プロピレン成分が８５質量％以上のものをいう。
図３に示すように中間層Ｘ１を有することにより、基材樹脂フィルムを３層又はそれ以上とし、中間層Ｘ１を、高密度ポリエチレン又はポリプロピレンを含有する樹脂組成物で構成することが好ましい。この構成により、ダイシング時にダイシングブレードが入り込みやすくなり、ヒゲの発生を抑制することができる。
【００２３】
高密度ポリエチレン又はポリプロピレン層の厚みは、基材樹脂フィルムの厚さの合計の２０〜７０％であることが好ましい。高密度ポリエチレン又はポリプロピレン層が厚すぎると、テープ弛みを防ぎやすくなり、ヒゲ状切削屑の付着は抑制できるが、基材樹脂フィルムは硬くなるため、製造しにくくなり、また被着体に追従しにくくなるため、ダイシング時に被着体が飛散しやすくなる。また、高密度ポリエチレン又はポリプロピレン層が薄すぎると、ダイシング時に被着体が飛散は抑制できるが、テープ弛みやヒゲ付着が悪化する。
【００２４】
ダイシング加工時に使用されるブレード外周部断面はＲ形状を持っていることから、半導体デバイスの側面であるダイシングブレード切削面を平滑にするためには、ブレード刃厚の厚いものを用いるときほどダイシングテープに深く切り込む必要がある。このため、ブレード刃厚の厚いものを用いるときほど基材樹脂フィルムを厚くする必要がある。そこで、基材樹脂フィルムの厚さは、ダイシングに用いるブレード厚さの最低３０％以上の厚さとすることが好ましい。一方、基材樹脂フィルムが厚くなりすぎると、帯電防止型半導体加工用粘着テープの剛性が上がり、作業性が悪化することがある。
モールド樹脂一括封止パッケージダイシング用のブレードとしては刃厚５０〜４００μｍ程度のブレードが使用されるので、本発明の帯電防止型半導体加工用粘着テープの基材樹脂フィルムの厚さは、好ましくは３０〜３００μｍ、さらに好ましくは５０〜２５０μｍである。
【００２５】
２．粘着剤層
本発明の放射線硬化性半導体加工用粘着テープの粘着剤は、主鎖の繰り返し単位に対して放射線硬化性炭素−炭素二重結合含有基が結合した重合体を含有するため、放射線硬化性を有する。本発明において、「主鎖の繰り返し単位に対して放射線硬化性炭素−炭素二重結合含有基が結合した重合体」とは、分子内に放射線硬化性不飽和炭素−炭素二重結合含有基が結合した（すなわち、ペンダントした）重合体である。放射線硬化性炭素−炭素二重結合を有しない重合体と、放射線硬化性炭素−炭素二重結合を有するオリゴマーを含む樹脂組成物からなる粘着剤は、放射線硬化前の粘着力が高いため、十分なピックアップ性を確保するには、放射線照射により粘着力を大きく低下させる必要がある。このように放射線硬化性が高い粘着剤は放射線硬化時の硬化収縮が大きく、この硬化収縮によってレーザーマーク等の粘着剤層と接触している被着体表層の凹部に粘着剤が噛み込みやすい。被着体表層の凹部に粘着剤が噛み込むと、ピックアップ時に基材樹脂フィルムと粘着剤層との間で層間剥離しやすくなり、上記凹部に糊残りが発生しやすい。さらに、基材樹脂フィルムに（ａ２）樹脂を含む樹脂組成物を用いた場合には、基材樹脂フィルムと粘着剤層との密着性が低下し、上記凹部により糊残りが発生しやすくなる。
【００２６】
主鎖の繰り返し単位に対して放射線硬化性炭素−炭素二重結合含有基が結合した重合体としては、主鎖に対して放射線硬化性炭素−炭素二重結合含有基を１つ以上有するアクリル系単量体を構成単位として含む重合体（以下「アクリル共重合体（Ｂ）」と称する）が挙げられる。アクリル共重合体（Ｂ）は、例えば、構成成分（ｂ１）として、（メタ）アクリル酸エステル、ヒドロキシル基含有不飽和化合物、カルボキシル基含有不飽和化合物等からなる共重合体（Ｂ１）の炭素鎖を主鎖とし、この共重合体が有する官能基に対して付加反応することが可能な官能基と放射線硬化性不飽和炭素結合を有する化合物（ｂ２）とを付加反応して得ることができる。
【００２７】
上記共重合体（Ｂ１）を構成する（ｂ１）成分の（メタ）アクリル酸エステルとしては、炭素数６〜１２のヘキシルアクリレート、ｎ−オクチルアクリレート、イソオクチルアクリレート、２−エチルヘキシルアクリレート、ドデシルアクリレート、デシルアクリレート、炭素数５以下のペンチルアクリレート、ｎ−ブチルアクリレート、イソブチルアクリレート、エチルアクリレート、メチルアクリレート、またはこれらと同様のメタクリレートなどを列挙することができる。（メタ）アクリル酸エステルの炭素数が大きいほど上記共重合体のガラス転移温度は低くなるので、特定の炭素数の（メタ）アクリル酸エステルを使用することで、所望のガラス転移温度を有する共重合体を作製することができる。また、所望のガラス転移温度や相溶性などの性質を付与するために、酢酸ビニル、スチレン、アクリロニトリルなどの不飽和炭素結合をもつ低分子化合物を共重合成分として配合して上記共重合体を得ることもできる。当該不飽和炭素結合をもつ低分子化合物の配合量は５質量％以下であることが好ましい。
【００２８】
上記共重合体（Ｂ１）が、構成成分（ｂ１）として、２−エチルヘキシルアクリレートを含むことが好ましい。２−エチルヘキシルアクリレートが共重合体中の主成分（すなわち、５０質量％を越える）であることがさらに好ましく、共重合体（Ｂ１）中の構成成分中の２−エチルヘキシルアクリレート量は６５〜８７質量％であることが特に好ましい。２−エチルヘキシルアクリレートは、ガラス転移温度が低いため、２−エチルヘキシルアクリレートが（メタ）アクリル酸エステルの主成分であれば、共重合体（Ｂ１）から調製されたアクリル共重合体（Ｂ）を柔軟なものとすることができ、基材樹脂フィルムと粘着剤層との密着性を十分に確保できる。しかし、２−エチルヘキシルアクリレート量が少なすぎると、基材樹脂フィルムと粘着剤層との密着性が弱まり、被着体のピックアップ時に帯電防止層と粘着剤層との間で層間剥離が生じ、レーザーマーク等の被着体表層の凹部に糊残りが発生する。一方、２−エチルヘキシルアクリレート量が多すぎると、放射線硬化性不飽和炭素結合を有する化合物（ｂ２）が有する官能基と付加反応する共重合体（Ｂ１）が有する官能基量が少なくなるため、所望の量の放射線硬化性不飽和炭素結合を有する化合物（ｂ２）を付加反応できなくなる。
【００２９】
構成成分（ｂ１）の水酸基含有不飽和化合物の例としては、２−ヒドロキシエチルアクリレート、２−ヒドロキシエチルメタクリレート、２−ヒドロキシプロピルアクリレート、２−ヒドロキシプロピルメタクリレート、４−ヒドロキシブチルアクリレート等が挙げられる。構成成分（ｂ１）のカルボキシル基含有不飽和化合物の例としては、アクリル酸、メタクリル酸などが挙げられる。
【００３０】
構成成分（ｂ１）を有する共重合体（Ｂ１）が有する官能基に対して付加反応することが可能な官能基としては、共重合体（Ｂ１）が有する官能基がカルボキシル基又は環状酸無水基である場合には、水酸基、エポキシ基、イソシアネート基などを挙げることができる。共重合体（Ｂ１）が有する官能基が水酸基である場合には、環状酸無水基、イソシアネート基などを挙げることができる。共重合体（Ｂ１）が有する官能基がアミノ基である場合には、イソシアネート基などを挙げることができる。化合物（ｂ２）の具体例としては、アクリル酸、メタクリル酸、けい皮酸、イタコン酸、フマル酸、フタル酸、２−ヒドロキシアルキルアクリレート類、２−ヒドロキシアルキルメタクリレート類、グリコールモノアクリレート類、グリコールモノメタクリレート類、Ｎ−メチロールアクリルアミド、Ｎ−メチロールメタクリルアミド、アリルアルコール、Ｎ−アルキルアミノエチルアクリレート類、Ｎ−アルキルアミノエチルメタクリレート類、アクリルアミド類、メタクリルアミド類、無水マレイン酸、無水イタコン酸、無水フマル酸、無水フタル酸、グリシジルアクリレート、グリシジルメタクリレート、アリルグリシジルエーテル、ポリイソシアネート化合物のイソシアネート基の一部を水酸基またはカルボキシル基と放射線硬化性不飽和炭素結合とを有する単量体でウレタン化したものなどを列挙することができる。
【００３１】
上記アクリル共重合体（Ｂ）の合成において、共重合を溶液重合で行う場合の有機溶剤としては、ケトン系、エステル系、アルコール系、芳香族系の有機溶剤が挙げられるが、中でもトルエン、酢酸エチル、イソプロピルアルコール、ベンゼンメチルセロソルブ、エチルセロソルブ、アセトン、メチルエチルケトンなどの、一般にアクリル系ポリマーの良溶媒で、沸点６０〜１２０℃の溶剤が好ましく、重合開始剤としては、α,α'−アゾビスイソブチルニトリルなどのアゾビス系、ベンゾベルペルオキシドなどの有機過酸化物系などのラジカル発生剤を通常用いる。この際、必要に応じて触媒、重合禁止剤を併用することができ、重合温度および重合時間を調節し、その後官能基における付加反応を行うことにより、所望の分子量のアクリル共重合体（Ｂ）を得ることができる。また、分子量を調節することに関しては、メルカプタン、四塩化炭素系の溶剤を用いることが好ましい。なお、この共重合は溶液重合に限定されるものではなく、塊状重合、懸濁重合など別の方法でもさしつかえない。
【００３２】
さらに上記アクリル共重合体（Ｂ）は、接着性や凝集力を制御する目的でアクリロニトリル、酢酸ビニルなどのモノマーが共重合されていてもよい。これらのモノマーを重合して得られるアクリル系共重合体（Ａ）の重量平均分子量は、５×１０４〜２×１０６であることが好ましく、１×１０５〜１×１０６であることがより好ましい。
【００３３】
上記アクリル共重合体（Ｂ）の水酸基価が５〜１００の場合は、放射線照射後の粘着力を減少させることによりピックアップミスの危険性をさらに低減することができるので好ましい。また、上記アクリル共重合体（Ｂ）の酸価は０．５〜３０となることが好ましい。ここで水酸基価はＪＩＳ Ｋ ００７０に記載のピリジンー塩化アセチル法により測定された値をいい、酸価はＪＩＳ Ｋ ００７０に記載の中和滴定法により測定された値をいう。上記アクリル系共重合体（Ｂ）の水酸基価を適切な範囲内とすることにより、放射線照射後の粘着剤層の流動性を適切な範囲内とすることができ、放射線照射後の粘着力を十分に低下させることができる。また、上記アクリル系共重合体（Ｂ）の酸価を適切な範囲内とすることにより、放射線照射後の粘着剤層の流動性を適切な範囲内とすることができ、テープ復元性を満足させることができる。
【００３４】
粘着剤にはさらに硬化剤を含ませることができ、これによりにより接着力と凝集力とを所望の値に設定することができる。このような硬化剤としては、多価イソシアナート化合物、多価エポキシ化合物、多価アジリジン化合物、キレート化合物等が挙げられる。多価イソシアナート化合物の具体例として、トルイレンジイソシアナート、ジフェニルメタンジイソシアナート、ヘキサメチレンジイソシアナート、イソホロンジイソシアナート及びこれらのアダクトタイプのもの等が挙げられる。多価エポキシ化合物の具体例としては、エチレングリコールジグリシジルエーテル、テレフタル酸ジグリシジルエステルアクリレート等が挙げられる。多価アジリジン化合物の具体例としては、トリス−２，４，６−（１−アジリジニル）−１，３，５−トリアジン、トリス〔１−（２−メチル）−アジリジニル〕ホスフィンオキシド、ヘキサ〔１−（２−メチル）−アジリジニル〕トリホスファトリアジン等が用いられる。また、キレート化合物の具体例としては、エチルアセトアセテートアルミニウムジイソプロピレート、アルミニウムトリス（エチルアセトアセテート）等が挙げられる。
【００３５】
粘着剤にはさらに放射線重合開始剤を含ませることができ、これにより少ない照射量の放射線で短時間に重合硬化させることが可能になる。このような放射線重合開始剤の具体例として、ベンゾイン、ベンゾインメチルエーテル、ベンゾインエチルエーテル、ベンゾインイソプロピルエーテル、ベンジルジフェニルサルファイド、テトラメチルチウラムモノサルファイド、アゾビスイソブチロニトリル、ジベンジル、ジアセチル、β−クロールアンスラキノンなどが挙げられる。放射線重合開始剤は、通常にはアクリル重合体（Ｂ）１００質量部に対して０．１〜１０質量部配合される。
【００３６】
放射線硬化前の粘着剤層のガラス転移温度は−６５〜−４５℃であることが好ましい。なお、ガラス転移温度はＪＩＳ Ｋ ７１２１に準拠したＤＳＣ法より求められ、ここで言うガラス転移温度は補外ガラス転移開始温度のことである。ガラス転移温度が高すぎると、粘着剤層の柔軟性が低いため、基材樹脂フィルムと粘着剤層との密着性が弱まり、被着体のピックアップ時に基材樹脂フィルムと粘着剤層との間で層間剥離が生じ、レーザーマーク等の被着体表層の凹部に糊残りが発生する。一方、低すぎると、放射線硬化性不飽和炭素結合を有する化合物（ｂ２）が有する官能基と付加反応する共重合体（Ｂ１）が有する官能基量が少なくなるため、所望の量の放射線硬化性不飽和炭素結合を有する化合物（ｂ２）を付加反応できなくなる。
【００３７】
本発明の放射線硬化性半導体加工用粘着テープが有する粘着剤層は、上述したような構成をとることにより、放射線照射前には被着体に対して十分な接着力を有し、放射線照射後には粘着力が著しく減少する。したがって、本発明のテープは、放射線照射前には、被着体を十分な粘着力で密着させ、被着体を確実に固定することができ、放射線照射後には、被着体から容易に剥離することができる。本発明のテープにおける粘着剤層の厚さに特に制限はなく、適用しようとする被着体により適宜設定することができるが、好ましくは４〜１００μｍ、特に好ましくは５〜４０μｍである。粘着剤層の厚さについては配合組成にもよるが、厚さが薄すぎると、半導体デバイスパッケージへの密着性不足や、ダイシング中のダイフライによる歩留まり低下、さらには飛散したダイがブレードに当たることによるブレード破損が起こる場合がある。粘着剤層の厚さが薄すぎると、ダイシング中ブレード回転により粘着剤層がかき上げられ、ピックアップ工程において半導体デバイスからの剥離不良が起こる場合がある。
【００３８】
本発明の放射線硬化性半導体加工用粘着テープにおける粘着剤層側及びテープ背面側の表面抵抗率は、１×１０１３Ω／□以下であることが好ましい。好ましくは５×１０１２Ω／□以下であり、更に好ましくは１×１０１２Ω／□以下である。表面抵抗率が低ければ、優れた帯電防止性を発現できるが、表面低効率が高すぎると、帯電した静電気により半導体が破壊されることがある。
【００３９】
以上、本発明にかかる粘着テープの好適な実施形態について説明したが、本発明は係る例に限定されない。
【実施例】
【００４０】
以下、本発明を実施例に基づきさらに詳細に説明するが、本発明はこれら実施例に限定されるものではない。なお、実施例および比較例で用いた粘着剤組成、基材構成樹脂は以下の通りである。基材樹脂フィルム樹脂組成物については表１に、粘着剤樹脂組成物については表２に示す。
【００４１】
＜基材樹脂フィルムを構成する樹脂組成物＞
基材樹脂フィルムとしては、以下の基材樹脂フィルム樹脂混合物Ａ１〜Ａ７、Ｂ１〜Ｂ３、Ｃ１、Ｄ１、Ｅ１、Ｆ１、Ｇ１及びＧ２を用いて各樹脂混合物とし、これらから製造した樹脂組成物を用いた。なお、基材樹脂フィルムを構成する樹脂のメルトフローレートは、ＪＩＳ Ｋ ７２１０によって求め、エチレン−酢酸ビニル共重合体樹脂とエチレン−（メタ）アクリル酸共重合体のカルボキシル基をカリウムイオンで架橋した樹脂とエチレン−メタアクリル酸共重合体樹脂と高密度ポリエチレンと低密度ポリエチレンとエチレン−（メタ）アクリル酸共重合体のカルボキシル基を亜鉛イオンで架橋した樹脂とエチレン−（メタ）アクリル酸共重合体のカルボキシル基をナトリウムイオンで架橋した樹脂は、１９０℃、２．１６ｋｇ荷重条件で測定し、ポリプロピレンは２３０℃、２．１６ｋｇ荷重条件で測定した。またエチレン−酢酸ビニル共重合体の酢酸ビニル含量は、ＪＩＳ Ｋ ６７３０によって求めた。
【００４２】
（基材樹脂フィルム樹脂混合物Ａ１）
酢酸ビニル含有量が１４質量％であるエチレン−酢酸ビニル共重合体（商品名：ＮＵＣ−８４５１ 日本ユニカー（株）製、メルトフローレート１．５ｇ／１０ｍｉｎ）８０質量％とエチレン−（メタ）アクリル酸共重合体のカルボキシル基をカリウムイオンで架橋した樹脂（商品名：エンティラＭＫ４００ 三井・デュポンポリケミカル（株）製、メルトフローレート１．０ｇ／１０ｍｉｎ）２０質量％をドライブレンドし、基材樹脂フィルム樹脂混合物Ａ１を得た。
【００４３】
（基材樹脂フィルム樹脂混合物Ａ２）
基材樹脂フィルム樹脂混合物Ａ１のエチレン−（メタ）アクリル酸共重合体のカルボキシル基をカリウムイオンで架橋した樹脂（商品名：エンティラＭＫ４００ 三井・デュポンポリケミカル（株）製、メルトフローレート１．０ｇ／１０ｍｉｎ）の配合量を１２質量％にし、樹脂組成物Ａ１におけるエチレン−酢酸ビニル共重合体の配合量を８８質量％にした以外は、基材樹脂フィルム樹脂混合物Ａ１と同様にして基材樹脂フィルム樹脂混合物Ａ２を得た。
【００４４】
（基材樹脂フィルム樹脂混合物Ａ３）
基材樹脂フィルム樹脂混合物Ａ１のエチレン−（メタ）アクリル酸共重合体のカルボキシル基をカリウムイオンで架橋した樹脂（商品名：エンティラＭＫ４００ 三井・デュポンポリケミカル（株）製、メルトフローレート１．０ｇ／１０ｍｉｎ）の配合量を２５質量％とし、基材樹脂フィルム樹脂混合物Ａ１におけるエチレン−酢酸ビニル共重合体の配合量を７５質量％にした以外は、基材樹脂フィルム樹脂混合物Ａ１と同様にして基材樹脂フィルム樹脂混合物Ａ３を得た。
【００４５】
（基材樹脂フィルム樹脂混合物Ａ４）
基材樹脂フィルム樹脂混合物Ａ１のエチレン−酢酸ビニル共重合体樹脂を酢酸ビニル含有量が７．５質量％であるエチレン−酢酸ビニル共重合体（商品名：ＮＵＣ−８４３０ 日本ユニカー（株）製、メルトフローレート２．３ｇ／１０ｍｉｎ）とした以外は基材樹脂フィルム樹脂混合物Ａ１と同様にして、基材樹脂フィルム樹脂混合物Ａ４を得た。
【００４６】
（基材樹脂フィルム樹脂混合物Ａ５）
基材樹脂フィルム樹脂混合物Ａ１のエチレン−酢酸ビニル共重合体を酢酸ビニル含有量が２０質量％であるエチレン−酢酸ビニル共重合体（商品名：ウルトラセン６３１ 東ソー（株）製、メルトフローレート１．５ｇ／１０ｍｉｎ）にした以外は、基材樹脂フィルム樹脂混合物Ａ１と同様にして、基材樹脂フィルム樹脂混合物Ａ５を得た。
【００４７】
（基材樹脂フィルム樹脂混合物Ａ６）
基材樹脂フィルム樹脂混合物Ａ１のエチレン−酢酸ビニル共重合体樹脂を酢酸ビニル含有量が１．５質量％であるエチレン−酢酸ビニル共重合体（商品名：ノバテックＬＶ１７０ 日本ポリエチレン（株）製、メルトフローレート３．０ｇ／１０ｍｉｎ）にした以外は基材樹脂フィルム樹脂混合物Ａ１と同様にして基材樹脂フィルム樹脂混合物Ａ６を得た。
【００４８】
（基材樹脂フィルム樹脂混合物Ａ７）
基材樹脂フィルム樹脂混合物Ａ１のエチレン−酢酸ビニル共重合体を酢酸ビニル含有量が３３質量％であるエチレン−酢酸ビニル共重合体（商品名：エバフレックスＥＶ１７０ 三井・デュポンポリケミカル（株）製、メルトフローレート１．０ｇ／１０ｍｉｎ）にした以外は、基材樹脂フィルム樹脂混合物Ａ１と同様にして基材樹脂フィルム樹脂混合物Ａ７を得た。
【００４９】
（基材樹脂フィルム樹脂Ｂ１）
酢酸ビニル含有量が１４質量％であるエチレン−酢酸ビニル共重合体（商品名：ＮＵＣ−８４５１ 日本ユニカー（株）製、メルトフローレート１．５ｇ／１０ｍｉｎ）を用いた。
【００５０】
（基材樹脂フィルム樹脂混合物Ｂ２）
基材樹脂フィルム樹脂混合物Ａ１のエチレン−（メタ）アクリル酸共重合体のカルボキシル基をカリウムイオンで架橋した樹脂（商品名：エンティラＭＫ４００ 三井・デュポンポリケミカル（株）製、メルトフローレート１．０ｇ／１０ｍｉｎ）の配合量を７質量％とし、基材樹脂フィルム樹脂混合物Ａ１におけるエチレン−酢酸ビニル共重合体の配合量を９３質量％にした以外は、基材樹脂フィルム樹脂混合物Ａ１と同様にして、基材樹脂フィルム樹脂混合物Ｂ２を得た。
【００５１】
（基材樹脂フィルム樹脂組成物Ｂ３）
基材樹脂フィルム樹脂混合物Ａ１のエチレン−（メタ）アクリル酸共重合体のカルボキシル基をカリウムイオンで架橋した樹脂（商品名：エンティラＭＫ４００ 三井・デュポンポリケミカル（株）製、メルトフローレート１．０ｇ／１０ｍｉｎ）の配合量を３５質量％とし、樹脂混合物Ａ１におけるエチレン−酢酸ビニル共重合体の配合量を６５質量％にした以外は、基材樹脂フィルム樹脂混合物Ａ１と同様にして、基材樹脂フィルム樹脂混合物Ｂ３を得た。
【００５２】
（基材樹脂フィルム樹脂組成物Ｃ１）
基材樹脂フィルム樹脂混合物Ａ１のエチレン−酢酸ビニル共重合体をエチレン−メタアクリル酸共重合体樹脂（商品名：ニュクレルＮ０９０３ＨＣ 三井・デュポンポリケミカル（株）製、メルトフローレート３．０ｇ／１０ｍｉｎ）にした以外は、基材樹脂フィルム樹脂混合物Ａ１と同様にして、基材樹脂フィルム樹脂混合物Ｃ１を調製した。
【００５３】
（基材樹脂フィルム用Ｄ１）
高密度ポリエチレン（商品名：ノバテックＨＤ ＨＦ５６０ 日本ポリエチレン（株）製、メルトフローレート７．０ｇ／１０ｍｉｎ）を用いた。
【００５４】
（基材樹脂フィルム用樹脂Ｅ１）
ポリプロピレン（商品名：ノバテックＰＰ ＦＸ４Ｅ 日本ポリプロ（株）製、メルトフローレート５．３ｇ／１０ｍｉｎ）を用いた。
【００５５】
（基材樹脂フィルム用樹脂Ｆ１）
低密度ポリエチレン（商品名：ノバテックＬＤ ＬＦ６４０ＭＡ 日本ポリエチレン（株）製、メルトフローレート５．０ｇ／１０ｍｉｎ）を用いた。
【００５６】
（基材樹脂フィルム用樹脂Ｇ１）
エチレン−（メタ）アクリル酸共重合体のカルボキシル基を亜鉛イオンで架橋した樹脂（商品名：ハイミランＡＭ７３１６ 三井・デュポンポリケミカル（株）製、メルトフローレート１．１ｇ／１０ｍｉｎ）を用いた。
【００５７】
（基材樹脂フィルム用樹脂Ｇ２）
エチレン−（メタ）アクリル酸共重合体のカルボキシル基をナトリウムイオンで架橋した樹脂（商品名：ハイミラン１７０７ 三井・デュポンポリケミカル（株）製、メルトフローレート０．９ｇ／１０ｍｉｎ）を用いた。
【００５８】
【表１】
【００５９】
＜粘着剤＞
粘着剤層を構成する樹脂組成物として、以下のα１〜α３、β１、γ１及びδ１を用いた。
【００６０】
（粘着剤樹脂組成物α１）
２−エチルヘキシルアクリレート（２−ＥＨＡ）８０質量％、２−ヒドロキシエチルアクリレート１９質量％、メタクリル酸１質量％を原料として溶液ラジカル重合により共重合体を得た。次にこの共重合体に２−メタクリロイルオキシエチルイソシアネート（商品名：カレンズＭＯＩ 昭和電工（株）製）を滴下反応させることで、主鎖の繰り返し単位に対して放射線硬化性炭素−炭素二重結合含有基が結合したアクリル重合体を作製した。当該２−メタクリロイルオキシエチルイソシアネートの滴下量と重合反応時間を調節することで、このアクリル重合体が有する放射線硬化性不飽和炭素結合の量（濃度）を０．６ｍｅｑ／ｇとした。また、得られたアクリル重合体をテトラヒドロフランに溶解して得た１％溶液をゲルパーミエーションクロマトグラフィー（商品名：１５０−Ｃ ＡＬＣ／ＧＰＣ Ｗａｔｅｒｓ製）により測定した値をポリスチレン換算して算出した重量平均分子量は８００，０００であった。
上記で作製したアクリル重合体１００質量部に対して、硬化剤であるポリイソシアネート化合物（商品名：コロネートＬ 日本ポリウレタン工業（株）製）を０．３質量部と放射線重合開始剤であるα−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトンを２質量部配合し、粘着剤樹脂組成物α１を調製した。
【００６１】
（粘着剤樹脂組成物α２）
粘着剤樹脂組成物ａ１のアクリル重合体におけるモノマーの配合比を２−エチルヘキシルアクリレート（２−ＥＨＡ）量を７０質量％、２−ヒドロキシエチルアクリレート２９質量％、アクリル酸１質量％にした以外は粘着剤樹脂組成物α１と同様にして、粘着剤樹脂組成物α２を調製した。
【００６２】
（粘着剤樹脂組成物α３）
粘着剤樹脂組成物ａ１のアクリル重合体におけるモノマーの配合比を２−エチルヘキシルアクリレート（２−ＥＨＡ）量を８５質量％、２−ヒドロキシエチルアクリレート１４質量％、アクリル酸１質量％にした以外は粘着剤樹脂組成物α１と同様にして、粘着剤樹脂組成物α３を調製した。
【００６３】
（粘着剤樹脂組成物β１）
粘着剤樹脂組成物ａ１のアクリル重合体におけるモノマーの配合比を２−エチルヘキシルアクリレート（２−ＥＨＡ）量を６０質量％、２−ヒドロキシエチルアクリレート３９質量％、アクリル酸１質量％にした以外は粘着剤樹脂組成物α１と同様にして、粘着剤樹脂組成物β１を調製した。
【００６４】
（粘着剤樹脂組成物γ１）
粘着剤樹脂組成物ａ１のアクリル重合体における２−エチルヘキシルアクリレート（２−ＥＨＡ）をｎ−ブチルアクリレート（ｎ−ＢＡ）にした以外は粘着剤樹脂組成物α１と同様にして、粘着剤樹脂組成物γ１を調製した。
【００６５】
（粘着剤樹脂組成物δ１）
ｎ−ブチルアクリレート５５質量％、メチルメタクリレート１７質量％、メタクリル酸２質量％、２−ヒドロキシエチルアクリレート２６質量％からなり、ポリスチレン換算して算出した重量平均分子量が８０，０００であるアクリル共重合体１００質量部に対して、６官能であり、ポリスチレン換算して算出した重量平均分子量が１，５００である放射線硬化性オリゴマー（商品名：ＵＮ−３３２０ＨＡ 根上工業（株）製）１００質量部、さらに、硬化剤であるポリイソシアネート化合物（商品名：コロネートＬ 日本ポリウレタン工業（株）製）２質量部と放射線重合開始剤であるα−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン３質量部を配合し、粘着剤樹脂組成物δ１を調製した。
【００６６】
【表２】
【００６７】
＜実施例１〜１５、比較例１〜１０＞
表３、４に示すように、基材樹脂フィルム混合物を押出機に投入し、溶融混練して得られた各樹脂組成物を用いて、図２に示す、粘着剤層に接する層１の厚さが５５μｍ、基材樹脂フィルムの最外層Ｘ２の厚さが５５μｍ、これらの基材樹脂フィルム層に挟まれた中間層Ｘ１の厚さが４０μｍで、厚さの合計が１５０μｍの基材樹脂フィルムを製造した。
次にコンマコーターを用いてシリコン離型処理したポリエチレンテレフタレートフィルム（厚さ２５μｍ）に粘着剤樹脂組成物を線速２ｍ／分で塗工し、１１０℃に設定した温風乾燥炉を通して厚さ２０μｍの粘着剤層を形成させた。その後、上記の方法で得られた各基材樹脂フィルムの粘着剤層に接する層に、上記の粘着剤を表３、４に示すように組み合わせ、放射線硬化性半導体加工用粘着テープを製造した。
【００６８】
得られた各粘着テープについて、以下に示す試験により、粘着剤層のガラス転移温度、帯電防止性、紫外線硬化後のテープ弛み、レーザーマークへの糊残り、ヒゲ付着を評価した。
【００６９】
（１）粘着剤層のガラス転移温度の測定
各粘着テープにおける粘着剤層のガラス転移温度をＤＳＣ法により測定した(ＪＩＳ Ｋ ７１２１に準拠)。粘着剤層の状態は紫外線硬化前の状態であり、ここで言うガラス転移温度は補外ガラス転移開始温度のことである。なお、リファレンスとしてはＡｌ２Ｏ３を用い、１０ｍｇ程度の試料片を−１００℃まで急冷し、４０ｍｌ／ｍｉｎの流量の窒素雰囲気下で１０℃／ｍｉｎで昇温測定した。結果を表３、４に示す。
【００７０】
（２）帯電防止性能の評価
得られた各粘着テープを２３℃、５０％ＲＨの環境下で３日間保持した後、デジタル超高抵抗/微小電流計Ｒ８３４０／８３４０Ａとレジスティビティ・チェンバＲ１２７０２Ａ（共に（株）アドバンテスト製）を用いて２３℃、５０％ＲＨの環境下で５００Ｖの電圧を印加し、印加後６０秒後の電流値を読み取り、得られた各粘着テープにおける粘着剤面及びテープ背面の表面抵抗率を測定した。粘着剤面の測定は、高圧水銀灯を用いて５００ｍＪ／ｃｍ２の紫外線を照射することで紫外線硬化を行った後に行った。粘着剤面及びテープ背面の表面抵抗率がいずれも１×１０１３Ω／□以下である場合を「○」、それ以上の場合を「×」として評価し、「○」の場合を合格とした。結果を表３、４に示す。
【００７１】
（３）レーザーマークへの糊残りの評価
得られた各粘着テープを用いて、レーザーマークを有する樹脂封止パッケージのレーザーマークを有する表面と粘着テープとを貼合して下記に示す条件でダイシングを行った。その後、ブラックライトを用いて５００ｍＪ／ｃｍ２の紫外線を照射することで紫外線硬化させ、ピックアップを行った。ピックアップ条件は、ダイスピッカーＣＡＰ−３００ＩＩ（キヤノンマシナリー（株）製）で２ｍｍエキスパンドし、先端径Ｒが１５０μｍであるピンで、突き上げスピード：５０ｍｍ／ｓｅｃ、ピン突き上げ高さ：０．７ｍｍとした。ピックアップを行った２００チップを観察し、レーザーマーク部への粘着剤の付着の様子を観察した。１チップあたり、レーザーマーク部において１０μｍ角以上の粘着剤が一つでも付着しているチップの割合を粘着剤付着率とした。粘着剤付着率が１％未満の場合を「○」、１％以上２％未満の場合を「△」、２％以上の場合を「×」とし、「○」と「△」を合格とした。結果を表３、４に示す。
ダイシング条件
ダイシング装置：（株）ＤＩＳＣＯ製 ＤＦＤ−６３４０
ブレード：（株）ＤＩＳＣＯ製 Ｂ１Ａ８０１ ＳＤ３２０Ｎ１００Ｍ４２
ブレード回転数：２００００ｒｐｍ
切削速度：５０ｍｍ／ｓ
切削水量：１Ｌ／ｍｉｎ
ダイシングサイズ：２ｍｍ角
ブレードハイト：８０μｍ
【００７２】
（４）ヒゲ状切削屑付着の評価
（３）のレーザーマークへの糊残りの評価後、２００チップを観察し、ヒゲ付着の有無を観察した。１チップ当たり１００μｍ以上のヒゲ状切削屑が一つでも残存しているチップの割合をヒゲ状切削屑の残存率とした。ヒゲ状切削屑の残存率が２０％未満の場合を「○」、２０％以上３０％未満の場合を「△」、３０％以上の場合を「×」とし、「○」と「△」の場合を合格とした。結果を表３、４に示す。
【００７３】
（５）紫外線硬化後の粘着テープの弛みの評価
得られた各粘着テープを用いて、レーザーマークを有する樹脂封止パッケージのレーザーマークを有する表面と粘着テープとを貼合して（３）と同様の条件でダイシングを行った。高圧水銀灯を用いて５００ｍＪ／ｃｍ２の紫外線を照射することで紫外線硬化を行い、テープの外観を観察した。紫外線照射後も伸びや弛みがない場合を「○」、新たな伸びや弛みが生じて部分的なシワが発生した場合を「×」として評価し、「○」を合格とした。結果を表３、４に示す。
【００７４】
実施例の評価結果を表３に示す。本発明の粘着テープに包含される実施例１〜１３の粘着テープは、帯電防止性に優れ、粘着剤層のガラス転移温度は低いため、レーザーマークへの糊残りは少なく、ヒゲ付着も少なく、紫外線硬化後のテープ弛みも少なかった。実施例１１のテープは、基材樹脂フィルムの高密度ポリエチレンからなる層がテープ背面側の層３であるため、ヒゲ状切削屑付着が若干劣るものの、帯電防止性は良好であり、レーザーマークへの糊残りは少なく、紫外線硬化後のテープ弛みも少なかった。また、実施例１２のテープにおける粘着剤層の樹脂組成物は２−エチルへキシルアクリレート量が少ないアクリル共重合体であり、実施例１３のテープにおける粘着剤層のベースポリマーはｎ−ブチルアクリレートが主成分であるアクリル系共重合体であり、共に粘着剤層のガラス転移温度は高いため、レーザーマークへの糊残りで若干劣るものの帯電防止性は良好であった。また、実施例１４のテープは、エチレン−酢酸ビニル共重合体の酢酸ビニル含有量が少ないため、レーザーマークへの糊残りで若干劣るものの問題ないレベルであった。また、実施例１５のテープは、エチレン−酢酸ビニル共重合体の酢酸ビニル含有量が多く、ベタツキが大きいため、基材樹脂フィルムの製膜時に冷却ロールに基材樹脂フィルムが貼り付き、基材樹脂フィルムに筋が入ってしまい、テープの外観に若干劣り、ヒゲ付着で若干劣るものの、問題ないレベルであった。
【００７５】
【表３】
【００７６】
比較例の評価結果を表４に示す。比較例１〜１０の粘着テープは、帯電防止性、レーザーマークへの糊残り、ヒゲ付着、紫外線硬化後のテープ弛み、製造性において劣るものであった。比較例１、２のテープは、エチレン−（メタ）アクリル酸共重合体のカルボキシル基をカリウムイオンで架橋した樹脂量が少ないため、帯電防止性は不十分であり、ヒゲ状切削屑付着において若干劣っていた。比較例３のテープは、エチレン−（メタ）アクリル酸共重合体のカルボキシル基をカリウムイオンで架橋した樹脂量が多いため、基材樹脂フィルムと粘着剤層の間で層間剥離が発生した。比較例４のテープは、基材樹脂フィルムにおけるエチレン−酢酸ビニル共重合体樹脂の代わりにエチレン−メタアクリル酸共重合体樹脂を用いたため、伝導に対して効果的な相分離構造が形成されず、帯電防止性に劣っていた。比較例５のテープは、基材樹脂フィルムにおける中間層２が低密度ポリエチレンからなるため、ヒゲ付着と紫外線硬化後のテープ弛みにて劣っていた。比較例６のテープは、基材樹脂フィルムが単層構成であるため、紫外線硬化後のテープ弛みで劣っており、ヒゲ付着においても若干劣っていた。比較例７のテープは、基材樹脂フィルムにおける粘着剤層に接する層１が高密度ポリエチレンからなるため、粘着剤面側の帯電防止性に劣っていた。また、比較例８のテープは、粘着剤層が放射線硬化性不飽和炭素結合を有しないポリマーに放射線硬化性不飽和炭素結合を有するオリゴマーなどを配合した組成であり、硬化収縮が大きいため、レーザーマークへの糊残りで劣っていた。また、比較例９と１０のテープは、エチレン−（メタ）アクリル酸共重合体のカルボキシル基を亜鉛イオン又はナトリウムイオンで架橋した樹脂を使用しているため、帯電防止性能で劣っていた。
【００７７】
【表４】
【符号の説明】
【００７８】
１ 粘着剤層に接する層
２ 粘着剤層に接する層以外の層
１０ 基材樹脂フィルム
２０ 粘着剤層
１００、２００ 放射線硬化性半導体加工用粘着テープ
Ｘ１ 基材樹脂フィルムの中間層
Ｘ２ 基材樹脂フィルムの最外層
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電気部品や電子部品に用いられる半導体を加工する際に使用される放射線硬化性半導体加工用粘着テープに関する。
【背景技術】
【０００２】
従来から、電気部品や電子部品に用いられる半導体を加工する際に、半導体ウェハから半導体チップを得るためのダイシング工程や、その他の工程において、部品の固定や保護を目的とする半導体加工用粘着テープが用いられている。
半導体のダイシング工程では、半導体加工用粘着テープからセパレーターを剥離し、該粘着テープが貼合された状態で半導体ウェハのダイシング加工を行い、電気絶縁性の高い超純水により切削粉を洗浄し、切断・分離された半導体チップのピックアップが行われる。これらの工程で基板（ウェハ）や樹脂封止パッケージなどの被着体に静電気が発生する。回路を形成する部品の基板がセラミックスやガラスなどの絶縁材料である場合には、静電気が速やかに漏洩されず、短絡による回路の放電破壊や埃などの異物の付着などが起こる場合がある。
【０００３】
近年、ウェハの薄膜化に伴い回路の高集積化が加速しており、静電気による回路破壊を防ぐことが大きな課題となっている。静電気障害を防止するためにイオナイザーなどの静電気除去装置が利用されているが、十分な帯電防止効果は得られておらず、帯電防止性を有する半導体加工用粘着テープに対する需要が高まっている。
そこで、基材樹脂フィルムの片面又は両面にポリチオフェンやポリピロールなどの導電性高分子を含有する帯電防止層を設けた半導体固定用粘着テープが開示されている（例えば、特許文献１と特許文献２を参照。）。この粘着テープでは、ダイシング加工によって帯電防止層が分断されるため、ダイシング後は帯電防止性能を維持するのは困難である。
【０００４】
また、ダイシング工程においては、回転刃であるダイシングブレードが、半導体固定用粘着テープの基材樹脂フィルムの一部まで切り込まれる。このため、半導体デバイスウェハや半導体デバイスパッケージ切削屑の他に、該粘着テープの基材樹脂フィルムが切削時に溶融・延伸された糸状のヒゲ状切削屑が発生し、この切削屑が半導体デバイス表面の凹凸に残留することが多い。特に、一括封止されたパッケージをダイシングする際にはダイシングブレード刃厚が０．１〜０．５ｍｍ程度の厚いものを用いるため、ダイシングブレード刃厚が０．０２〜０．１ｍｍ程度の薄いものを用いる半導体デバイスウェハをダイシングする場合と比較して、特にヒゲ状切削屑が発生しやすい。この切削屑は半導体ウェハや樹脂封止パッケージなどを汚染し、歩留まりを低下させるため、極力低減させる必要がある。
【０００５】
半導体素子や樹脂封止パッケージなどの被着体を粘着テープからピックアップする際には、被着体に接している粘着層の粘着力を低下させておくことが好ましい。そのための方法として、粘着層として放射線照射により粘着力を低減させることのできるものを用いた放射線硬化性粘着テープが知られている。しかしながら、この放射線には少なからず赤外光が含まれるため、放射線照射により粘着テープが加熱されて粘着テープの伸びや部分的な弛みが発生することがある。テープの弛みは、加工工程間の移送に使用されるキャリアーカセットへの被着体の収納に支障を生じる他、被着体のピックアップ工程においても素子間隙のばらつきが生じ、素子のピックアップ不良を引き起こす原因にもなる。また、テープ弛みはダイシング時の切削熱によっても発生する場合もある。
【０００６】
また、半導体ウェハや樹脂封止パッケージなどの被着体には、粘着テープの貼合面に凹凸を有しているものや、一般にレーザーマークと言われる刻印（凹部）を有しているものがある。当該凹凸部分に対する粘着剤の追従性には限界があるため、粘着剤層と被着体の間に密着していない隙間が介在する場合がある。この隙間部分は空気と接しているため、粘着剤層として放射線照射により粘着力を大きく低減させて、ダイシング加工後のピックアップ工程で、切断されて得られた半導体チップをピックアップしやすくする場合には、空気中の酸素によって粘着剤の放射線硬化反応が阻害され、被着体の凹部分に糊残りが発生する場合がある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開２００８−２５５３４５号公報
【特許文献２】特開２００８−２８０５２０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
本発明は、半導体加工工程において優れた帯電防止性を発揮し、かつ、ダイシング工程においてヒゲ状切削屑の発生を著しく低減でき、放射線照射によりテープの弛みが少なく、ピックアップ時に被着体に粘着剤が残りにくい放射線硬化性半導体加工用粘着テープを提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明者らは、上記目的を達成するために鋭意検討を行った。その結果、基材樹脂フィルム上に主鎖の繰り返し単位に対して放射線硬化性炭素−炭素二重結合含有基が結合した(ペンダントした)重合体（Ｂ）を含有する粘着剤層が形成された放射線硬化性半導体加工用粘着テープであって、該基材樹脂フィルムが少なくとも２層以上からなり、
該基材樹脂フィルムの粘着剤層に接する層が、エチレン−酢酸ビニル共重合体（ａ１）と、構成成分として少なくともエチレン成分及び（メタ）アクリル酸成分を有する共重合体のカルボキシル基をカリウムイオンで架橋した樹脂（ａ２）と特定の割合で含有する樹脂組成物であり、
前記粘着剤層に接する層以外の層が、高密度ポリエチレン又はポリプロピレンを含有する樹脂組成物である放射線硬化性半導体加工用粘着テープが、半導体加工工程において優れた帯電防止性を示し、ダイシング工程においてヒゲ状切削屑の発生を著しく低減でき、放射線照射によりテープの弛みが少なく、ピックアップ時に被着体に粘着剤が残りにくいことを見出した。本発明はこれらの知見に基づきなされたものである。
【００１０】
すなわち、本発明は、
＜１＞基材樹脂フィルム上に主鎖の繰り返し単位に対して放射線硬化性炭素−炭素二重結合含有基が結合した重合体（Ｂ）を含有する粘着剤層が形成された放射線硬化性半導体加工用粘着テープであって、該基材樹脂フィルムが少なくとも２層以上からなり、
該基材樹脂フィルムの粘着剤層に接する層が、エチレン−酢酸ビニル共重合体（ａ１）９０〜７０質量％と、構成成分として少なくともエチレン成分及び（メタ）アクリル酸成分を有する共重合体のカルボキシル基をカリウムイオンで架橋した樹脂（ａ２）１０〜３０質量％を含有する樹脂組成物であり、
前記粘着剤層に接する層以外の層が、高密度ポリエチレン又はポリプロピレンを含有する樹脂組成物であることを特徴とする放射線硬化性半導体加工用粘着テープ、
＜２＞前記基材樹脂フィルムが３層以上からなり、前記粘着剤層に接する層１と最外層Ｘ２とで挟まれた中間層Ｘ１が高密度ポリエチレン又はポリプロピレンを含有する樹脂組成物であることを特徴とする＜１＞記載の放射線硬化性半導体加工用粘着テープ、
＜３＞前記エチレン−酢酸ビニル共重合体の酢酸ビニル成分含有量が５〜２５質量％であることを特徴とする＜１＞又は＜２＞記載の放射線硬化性半導体加工用粘着テープ、
＜４＞前記主鎖の繰り返し単位に対して放射線硬化性炭素−炭素二重結合含有基が結合した重合体（Ｂ）が、構成成分（ｂ１）として６５〜８７質量％の２−エチルヘキシルアクリレート成分を含むことを特徴とする＜１＞〜＜３＞のいずれか１項に記載の放射線硬化性半導体加工用粘着テープ、及び
＜５＞前記粘着剤層の放射線硬化前のガラス転移開始温度が−６５〜−４５℃であることを特徴とする＜１＞〜＜４＞のいずれか１項記載の放射線硬化性半導体加工用粘着テープ、
を提供するものである。
【発明の効果】
【００１１】
本発明は、半導体加工工程において優れた帯電防止性を発揮し、かつ、ダイシング工程においてヒゲ状切削屑の発生を著しく低減でき、放射線照射によりテープの弛みが少なく、ピックアップ時に被着体に粘着剤が残りにくい放射線硬化性半導体加工用粘着テープを提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】本発明の放射線硬化性半導体加工用粘着テープの一実施形態を模式的に示す断面図である。
【図２】本発明の放射線硬化性半導体加工用粘着テープの他の一実施形態を模式的に示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
本発明を、図面を参照しながら説明する。図１には、本発明の放射線硬化性半導体加工用粘着テープの好ましい一実施態様が模式的に示されている。放射線硬化性半導体加工用粘着テープ１００では、基材樹脂フィルム１０は、粘着剤層に接する層１と、該粘着剤層に接する層以外の層２とからなり、基材樹脂フィルム１０の粘着剤層に接する層１に粘着剤層２０が形成されている。
また図２には、本発明の放射線硬化性半導体加工用粘着テープの好ましい他の一実施形態が模式的に示されている。放射線硬化性半導体加工用粘着テープ２００では、基材樹脂フィルム１０が粘着剤層に接する層１と、該粘着剤層に接する層以外の層２とからなり、該粘着剤層に接する層以外の層２は、中間層Ｘ１と基材樹脂フィルムの最外層Ｘ２とからなる。
【００１４】
１．基材樹脂フィルム
本発明の放射線硬化性半導体加工用粘着テープの基材樹脂フィルムは、図１、２に示すように２層以上からなり、粘着剤層に接する層１は帯電防止性を有している。粘着剤層に接する層１は、エチレン−酢酸ビニル共重合体（ａ１）９０〜７０質量％と、構成成分として少なくともエチレン成分及び（メタ）アクリル酸成分を有する共重合体のカルボキシル基をカリウムイオンで架橋した樹脂（ａ２）１０〜３０質量％を含有する樹脂組成物で構成されている。本発明で共重合体のカルボキシル基をカリウムイオンで架橋するとはカルボキシル基の少なくとも０．５ｍｍoｌ／ｇを架橋することをいい、好ましくは１．５ｍｍoｌ／ｇ以上である。
【００１５】
（粘着剤層に接する層）
（１）構成成分として少なくともエチレン成分及び（メタ）アクリル酸成分を有する共重合体のカルボキシル基をカリウムイオンで架橋した樹脂（ａ２）
構成成分として少なくともエチレン成分及び（メタ）アクリル酸成分を有する共重合体のカルボキシル基をカリウムイオンで架橋した樹脂（ａ２）は、共重合体成分としてエチレン成分と、（メタ）アクリル酸成分を含み、（メタ）アクリル酸成分のカルボキシル基がカリウムイオンで架橋された樹脂である。なお、本明細書において、エチレン−（メタ）アクリル酸共重合体とは、エチレン−アクリル酸共重合体とエチレン−メタクリル酸共重合体の両方を含むものである。樹脂（ａ２）は、エチレン成分と、（メタ）アクリル酸成分を含む２元系の共重合体でもよいが、さらにその他の成分を含む３元系以上の共重合体でもよい。その他の成分としては、例えば、（メタ）アクリル酸エステルを挙げることができる。（メタ）アクリル酸エステルとしては、アクリル酸エチル、メタアクリル酸ブチル等を挙げることができる。その他の成分としては、酢酸ビニル、アクリルニトリル、アクリルアマイド、スチレン、イタコン酸、アクリルアマイド、メチロールアクリルアマイド、無水マレイン酸等を挙げることができる。
【００１６】
樹脂（ａ２）は金属イオン種としてカリウムイオンで架橋されていることが必要である。カリウムイオンで架橋されていることにより、飽和水分量が高いため、優れた帯電防止性を奏することができる。他の金属イオン、例えば、ナトリウムイオン、亜鉛イオン、マグネシウムイオンなどでは、飽和水分量が低く、十分な帯電防止性は得られない。
【００１７】
樹脂フィルムが樹脂（ａ２）とエチレン−酢酸ビニル共重合体（ａ１）を含む樹脂組成物で構成された場合には、後述のように、樹脂（ａ２）がエチレン−酢酸ビニル共重合体で、より筋状に配向した相分離構造を形成しやすくするためには、強いせん断力に加えて、ベース樹脂のメルトフローレート（ＭＦＲ）（ＪＩＳ Ｋ ７２１０に準拠した１９０℃、２．１６ｋｇ荷重条件）は低いほうが望ましく、その範囲は０．５〜４．０、さらに好ましくは１．０〜３．０である。ＭＦＲが高すぎる場合、筋状の帯電防止相が形成されず、低すぎる場合は製膜することができない。
【００１８】
（２）エチレン−酢酸ビニル共重合体（ａ１）
基材樹脂フィルムを構成する樹脂組成物には、エチレン−酢酸ビニル共重合体（ａ１）が含まれる。エチレン−酢酸ビニル共重合体と前記の樹脂（ａ２）を含む樹脂組成物は、エチレン−酢酸ビニル共重合体（ａ１）中の酢酸ビニル成分が、エチレン−（メタ）アクリル酸共重合体のカルボキシル基をカリウムイオンで架橋した樹脂のカリウムイオンと相互作用する。その結果、エチレン−（メタ）アクリル酸共重合体のカルボキシル基をカリウムイオンで架橋した樹脂相が、エチレン−酢酸ビニル共重合体中に筋状に微分散した相分離構造を形成しやすい。これにより、伝導経路が形成され、優れた帯電防止性を奏することができる。
【００１９】
前記の樹脂（ａ２）を配合すると、基材樹脂フィルムと粘着剤層との間の密着性は弱まるが、エチレン−酢酸ビニル共重合体を使用することにより、基材樹脂フィルムと粘着剤層との密着性を高く保持することができる。エチレン−酢酸ビニル共重合体中の酢酸ビニル成分含有量は５〜２５質量％であることが好ましい。酢酸ビニル成分含有量が少なすぎると、基材樹脂フィルムと粘着剤層との間の密着性が悪化し、多すぎるとベタツキが大きくなるため、製造性が悪化する。例えば、押出成形で基材樹脂フィルムを製造する際に冷却ロールへの基材樹脂フィルムの貼りつきなどが起こることがある。
これに対して、エチレン−酢酸ビニル共重合体（ａ１）に代えて、エチレン−（メタ）アクリル酸共重合体を使用した場合には、基材樹脂フィルムと粘着剤層との密着性は良好であるが、（ａ２）樹脂との相分離構造を形成できないため、十分な帯電防止性を得ることは困難である。
【００２０】
粘着剤層に接する層の基材樹脂フィルムを構成する樹脂組成物は、エチレン−酢酸ビニル共重合体９０〜７０質量％と、構成成分として少なくともエチレン成分及び（メタ）アクリル酸成分を有する共重合体のカルボキシル基をカリウムイオンで架橋した樹脂（ａ２）１０〜３０質量％を含有する。これにより、ヒゲ状切削屑の発生を著しく低減することができる。（ａ２）樹脂が多すぎると、基材樹脂フィルムと粘着剤層との密着性低いため、ピックアップ工程で基材樹脂フィルムと粘着剤層との間で層間剥離が生じ、レーザーマーク等の被着体表層の凹部に糊残りが発生する。一方、（ａ２）樹脂が少なすぎると、十分な帯電防止性を奏することができない。
【００２１】
（ａ２）樹脂は、製膜時に強いせん断力が働くことでベース樹脂内部に成形方向に筋状に配向した相分離構造を形成しやすくなるため、押出成形・射出成形など、製膜時に樹脂に強いせん断力がかかる成形方法で基材樹脂フィルムを成形することが好ましい。圧縮成形では圧縮力が働くために帯電防止樹脂が筋状に分散しにくく、キャスト成形では十分なせん断力が得られないため、同じく筋状の分散を得られないことがある。粘着剤層に接する基材樹脂フィルムを構成する層には密着性をさらに向上させるために、コロナ処理を施したり、プライマー等の処理を施したりしてもよい。
【００２２】
（粘着剤層に接する層以外の層）
基材樹脂フィルムにおける粘着剤層に接する層以外の層は、高密度ポリエチレン又はポリプロピレンを含有する樹脂組成物である。高密度ポリエチレンとポリプロピレンは耐熱性に優れるため、放射線照射時に発生する熱で粘着テープの弛みを防ぐことができる。ここでポリプロピレンは、プロピレンの単独重合体（ホモポリプロピレン）、エチレン−プロピレンランダム共重合体、エチレン−プロピレンブロック共重合体、プロピレンと他の少量のα−オレフィン（例えば、１−ブテン、１−ヘキセン、４−メチル−１−ペンテン等）との共重合体、構成成分としてアタクチックのプロピレンを含むポリプロピレン、プロピレンとエチレン系共重合体ゴムとのブロック共重合体等が挙げられる。本明細書においては、ポリプロピレン樹脂としては、プロピレンの単独重合体のほかに、構成成分として、プロピレン成分とエチレン成分を有する共重合体のうち、プロピレン成分が８５質量％以上のものをいう。
図３に示すように中間層Ｘ１を有することにより、基材樹脂フィルムを３層又はそれ以上とし、中間層Ｘ１を、高密度ポリエチレン又はポリプロピレンを含有する樹脂組成物で構成することが好ましい。この構成により、ダイシング時にダイシングブレードが入り込みやすくなり、ヒゲの発生を抑制することができる。
【００２３】
高密度ポリエチレン又はポリプロピレン層の厚みは、基材樹脂フィルムの厚さの合計の２０〜７０％であることが好ましい。高密度ポリエチレン又はポリプロピレン層が厚すぎると、テープ弛みを防ぎやすくなり、ヒゲ状切削屑の付着は抑制できるが、基材樹脂フィルムは硬くなるため、製造しにくくなり、また被着体に追従しにくくなるため、ダイシング時に被着体が飛散しやすくなる。また、高密度ポリエチレン又はポリプロピレン層が薄すぎると、ダイシング時に被着体が飛散は抑制できるが、テープ弛みやヒゲ付着が悪化する。
【００２４】
ダイシング加工時に使用されるブレード外周部断面はＲ形状を持っていることから、半導体デバイスの側面であるダイシングブレード切削面を平滑にするためには、ブレード刃厚の厚いものを用いるときほどダイシングテープに深く切り込む必要がある。このため、ブレード刃厚の厚いものを用いるときほど基材樹脂フィルムを厚くする必要がある。そこで、基材樹脂フィルムの厚さは、ダイシングに用いるブレード厚さの最低３０％以上の厚さとすることが好ましい。一方、基材樹脂フィルムが厚くなりすぎると、帯電防止型半導体加工用粘着テープの剛性が上がり、作業性が悪化することがある。
モールド樹脂一括封止パッケージダイシング用のブレードとしては刃厚５０〜４００μｍ程度のブレードが使用されるので、本発明の帯電防止型半導体加工用粘着テープの基材樹脂フィルムの厚さは、好ましくは３０〜３００μｍ、さらに好ましくは５０〜２５０μｍである。
【００２５】
２．粘着剤層
本発明の放射線硬化性半導体加工用粘着テープの粘着剤は、主鎖の繰り返し単位に対して放射線硬化性炭素−炭素二重結合含有基が結合した重合体を含有するため、放射線硬化性を有する。本発明において、「主鎖の繰り返し単位に対して放射線硬化性炭素−炭素二重結合含有基が結合した重合体」とは、分子内に放射線硬化性不飽和炭素−炭素二重結合含有基が結合した（すなわち、ペンダントした）重合体である。放射線硬化性炭素−炭素二重結合を有しない重合体と、放射線硬化性炭素−炭素二重結合を有するオリゴマーを含む樹脂組成物からなる粘着剤は、放射線硬化前の粘着力が高いため、十分なピックアップ性を確保するには、放射線照射により粘着力を大きく低下させる必要がある。このように放射線硬化性が高い粘着剤は放射線硬化時の硬化収縮が大きく、この硬化収縮によってレーザーマーク等の粘着剤層と接触している被着体表層の凹部に粘着剤が噛み込みやすい。被着体表層の凹部に粘着剤が噛み込むと、ピックアップ時に基材樹脂フィルムと粘着剤層との間で層間剥離しやすくなり、上記凹部に糊残りが発生しやすい。さらに、基材樹脂フィルムに（ａ２）樹脂を含む樹脂組成物を用いた場合には、基材樹脂フィルムと粘着剤層との密着性が低下し、上記凹部により糊残りが発生しやすくなる。
【００２６】
主鎖の繰り返し単位に対して放射線硬化性炭素−炭素二重結合含有基が結合した重合体としては、主鎖に対して放射線硬化性炭素−炭素二重結合含有基を１つ以上有するアクリル系単量体を構成単位として含む重合体（以下「アクリル共重合体（Ｂ）」と称する）が挙げられる。アクリル共重合体（Ｂ）は、例えば、構成成分（ｂ１）として、（メタ）アクリル酸エステル、ヒドロキシル基含有不飽和化合物、カルボキシル基含有不飽和化合物等からなる共重合体（Ｂ１）の炭素鎖を主鎖とし、この共重合体が有する官能基に対して付加反応することが可能な官能基と放射線硬化性不飽和炭素結合を有する化合物（ｂ２）とを付加反応して得ることができる。
【００２７】
上記共重合体（Ｂ１）を構成する（ｂ１）成分の（メタ）アクリル酸エステルとしては、炭素数６〜１２のヘキシルアクリレート、ｎ−オクチルアクリレート、イソオクチルアクリレート、２−エチルヘキシルアクリレート、ドデシルアクリレート、デシルアクリレート、炭素数５以下のペンチルアクリレート、ｎ−ブチルアクリレート、イソブチルアクリレート、エチルアクリレート、メチルアクリレート、またはこれらと同様のメタクリレートなどを列挙することができる。（メタ）アクリル酸エステルの炭素数が大きいほど上記共重合体のガラス転移温度は低くなるので、特定の炭素数の（メタ）アクリル酸エステルを使用することで、所望のガラス転移温度を有する共重合体を作製することができる。また、所望のガラス転移温度や相溶性などの性質を付与するために、酢酸ビニル、スチレン、アクリロニトリルなどの不飽和炭素結合をもつ低分子化合物を共重合成分として配合して上記共重合体を得ることもできる。当該不飽和炭素結合をもつ低分子化合物の配合量は５質量％以下であることが好ましい。
【００２８】
上記共重合体（Ｂ１）が、構成成分（ｂ１）として、２−エチルヘキシルアクリレートを含むことが好ましい。２−エチルヘキシルアクリレートが共重合体中の主成分（すなわち、５０質量％を越える）であることがさらに好ましく、共重合体（Ｂ１）中の構成成分中の２−エチルヘキシルアクリレート量は６５〜８７質量％であることが特に好ましい。２−エチルヘキシルアクリレートは、ガラス転移温度が低いため、２−エチルヘキシルアクリレートが（メタ）アクリル酸エステルの主成分であれば、共重合体（Ｂ１）から調製されたアクリル共重合体（Ｂ）を柔軟なものとすることができ、基材樹脂フィルムと粘着剤層との密着性を十分に確保できる。しかし、２−エチルヘキシルアクリレート量が少なすぎると、基材樹脂フィルムと粘着剤層との密着性が弱まり、被着体のピックアップ時に帯電防止層と粘着剤層との間で層間剥離が生じ、レーザーマーク等の被着体表層の凹部に糊残りが発生する。一方、２−エチルヘキシルアクリレート量が多すぎると、放射線硬化性不飽和炭素結合を有する化合物（ｂ２）が有する官能基と付加反応する共重合体（Ｂ１）が有する官能基量が少なくなるため、所望の量の放射線硬化性不飽和炭素結合を有する化合物（ｂ２）を付加反応できなくなる。
【００２９】
構成成分（ｂ１）の水酸基含有不飽和化合物の例としては、２−ヒドロキシエチルアクリレート、２−ヒドロキシエチルメタクリレート、２−ヒドロキシプロピルアクリレート、２−ヒドロキシプロピルメタクリレート、４−ヒドロキシブチルアクリレート等が挙げられる。構成成分（ｂ１）のカルボキシル基含有不飽和化合物の例としては、アクリル酸、メタクリル酸などが挙げられる。
【００３０】
構成成分（ｂ１）を有する共重合体（Ｂ１）が有する官能基に対して付加反応することが可能な官能基としては、共重合体（Ｂ１）が有する官能基がカルボキシル基又は環状酸無水基である場合には、水酸基、エポキシ基、イソシアネート基などを挙げることができる。共重合体（Ｂ１）が有する官能基が水酸基である場合には、環状酸無水基、イソシアネート基などを挙げることができる。共重合体（Ｂ１）が有する官能基がアミノ基である場合には、イソシアネート基などを挙げることができる。化合物（ｂ２）の具体例としては、アクリル酸、メタクリル酸、けい皮酸、イタコン酸、フマル酸、フタル酸、２−ヒドロキシアルキルアクリレート類、２−ヒドロキシアルキルメタクリレート類、グリコールモノアクリレート類、グリコールモノメタクリレート類、Ｎ−メチロールアクリルアミド、Ｎ−メチロールメタクリルアミド、アリルアルコール、Ｎ−アルキルアミノエチルアクリレート類、Ｎ−アルキルアミノエチルメタクリレート類、アクリルアミド類、メタクリルアミド類、無水マレイン酸、無水イタコン酸、無水フマル酸、無水フタル酸、グリシジルアクリレート、グリシジルメタクリレート、アリルグリシジルエーテル、ポリイソシアネート化合物のイソシアネート基の一部を水酸基またはカルボキシル基と放射線硬化性不飽和炭素結合とを有する単量体でウレタン化したものなどを列挙することができる。
【００３１】
上記アクリル共重合体（Ｂ）の合成において、共重合を溶液重合で行う場合の有機溶剤としては、ケトン系、エステル系、アルコール系、芳香族系の有機溶剤が挙げられるが、中でもトルエン、酢酸エチル、イソプロピルアルコール、ベンゼンメチルセロソルブ、エチルセロソルブ、アセトン、メチルエチルケトンなどの、一般にアクリル系ポリマーの良溶媒で、沸点６０〜１２０℃の溶剤が好ましく、重合開始剤としては、α,α'−アゾビスイソブチルニトリルなどのアゾビス系、ベンゾベルペルオキシドなどの有機過酸化物系などのラジカル発生剤を通常用いる。この際、必要に応じて触媒、重合禁止剤を併用することができ、重合温度および重合時間を調節し、その後官能基における付加反応を行うことにより、所望の分子量のアクリル共重合体（Ｂ）を得ることができる。また、分子量を調節することに関しては、メルカプタン、四塩化炭素系の溶剤を用いることが好ましい。なお、この共重合は溶液重合に限定されるものではなく、塊状重合、懸濁重合など別の方法でもさしつかえない。
【００３２】
さらに上記アクリル共重合体（Ｂ）は、接着性や凝集力を制御する目的でアクリロニトリル、酢酸ビニルなどのモノマーが共重合されていてもよい。これらのモノマーを重合して得られるアクリル系共重合体（Ａ）の重量平均分子量は、５×１０４〜２×１０６であることが好ましく、１×１０５〜１×１０６であることがより好ましい。
【００３３】
上記アクリル共重合体（Ｂ）の水酸基価が５〜１００の場合は、放射線照射後の粘着力を減少させることによりピックアップミスの危険性をさらに低減することができるので好ましい。また、上記アクリル共重合体（Ｂ）の酸価は０．５〜３０となることが好ましい。ここで水酸基価はＪＩＳ Ｋ ００７０に記載のピリジンー塩化アセチル法により測定された値をいい、酸価はＪＩＳ Ｋ ００７０に記載の中和滴定法により測定された値をいう。上記アクリル系共重合体（Ｂ）の水酸基価を適切な範囲内とすることにより、放射線照射後の粘着剤層の流動性を適切な範囲内とすることができ、放射線照射後の粘着力を十分に低下させることができる。また、上記アクリル系共重合体（Ｂ）の酸価を適切な範囲内とすることにより、放射線照射後の粘着剤層の流動性を適切な範囲内とすることができ、テープ復元性を満足させることができる。
【００３４】
粘着剤にはさらに硬化剤を含ませることができ、これによりにより接着力と凝集力とを所望の値に設定することができる。このような硬化剤としては、多価イソシアナート化合物、多価エポキシ化合物、多価アジリジン化合物、キレート化合物等が挙げられる。多価イソシアナート化合物の具体例として、トルイレンジイソシアナート、ジフェニルメタンジイソシアナート、ヘキサメチレンジイソシアナート、イソホロンジイソシアナート及びこれらのアダクトタイプのもの等が挙げられる。多価エポキシ化合物の具体例としては、エチレングリコールジグリシジルエーテル、テレフタル酸ジグリシジルエステルアクリレート等が挙げられる。多価アジリジン化合物の具体例としては、トリス−２，４，６−（１−アジリジニル）−１，３，５−トリアジン、トリス〔１−（２−メチル）−アジリジニル〕ホスフィンオキシド、ヘキサ〔１−（２−メチル）−アジリジニル〕トリホスファトリアジン等が用いられる。また、キレート化合物の具体例としては、エチルアセトアセテートアルミニウムジイソプロピレート、アルミニウムトリス（エチルアセトアセテート）等が挙げられる。
【００３５】
粘着剤にはさらに放射線重合開始剤を含ませることができ、これにより少ない照射量の放射線で短時間に重合硬化させることが可能になる。このような放射線重合開始剤の具体例として、ベンゾイン、ベンゾインメチルエーテル、ベンゾインエチルエーテル、ベンゾインイソプロピルエーテル、ベンジルジフェニルサルファイド、テトラメチルチウラムモノサルファイド、アゾビスイソブチロニトリル、ジベンジル、ジアセチル、β−クロールアンスラキノンなどが挙げられる。放射線重合開始剤は、通常にはアクリル重合体（Ｂ）１００質量部に対して０．１〜１０質量部配合される。
【００３６】
放射線硬化前の粘着剤層のガラス転移温度は−６５〜−４５℃であることが好ましい。なお、ガラス転移温度はＪＩＳ Ｋ ７１２１に準拠したＤＳＣ法より求められ、ここで言うガラス転移温度は補外ガラス転移開始温度のことである。ガラス転移温度が高すぎると、粘着剤層の柔軟性が低いため、基材樹脂フィルムと粘着剤層との密着性が弱まり、被着体のピックアップ時に基材樹脂フィルムと粘着剤層との間で層間剥離が生じ、レーザーマーク等の被着体表層の凹部に糊残りが発生する。一方、低すぎると、放射線硬化性不飽和炭素結合を有する化合物（ｂ２）が有する官能基と付加反応する共重合体（Ｂ１）が有する官能基量が少なくなるため、所望の量の放射線硬化性不飽和炭素結合を有する化合物（ｂ２）を付加反応できなくなる。
【００３７】
本発明の放射線硬化性半導体加工用粘着テープが有する粘着剤層は、上述したような構成をとることにより、放射線照射前には被着体に対して十分な接着力を有し、放射線照射後には粘着力が著しく減少する。したがって、本発明のテープは、放射線照射前には、被着体を十分な粘着力で密着させ、被着体を確実に固定することができ、放射線照射後には、被着体から容易に剥離することができる。本発明のテープにおける粘着剤層の厚さに特に制限はなく、適用しようとする被着体により適宜設定することができるが、好ましくは４〜１００μｍ、特に好ましくは５〜４０μｍである。粘着剤層の厚さについては配合組成にもよるが、厚さが薄すぎると、半導体デバイスパッケージへの密着性不足や、ダイシング中のダイフライによる歩留まり低下、さらには飛散したダイがブレードに当たることによるブレード破損が起こる場合がある。粘着剤層の厚さが薄すぎると、ダイシング中ブレード回転により粘着剤層がかき上げられ、ピックアップ工程において半導体デバイスからの剥離不良が起こる場合がある。
【００３８】
本発明の放射線硬化性半導体加工用粘着テープにおける粘着剤層側及びテープ背面側の表面抵抗率は、１×１０１３Ω／□以下であることが好ましい。好ましくは５×１０１２Ω／□以下であり、更に好ましくは１×１０１２Ω／□以下である。表面抵抗率が低ければ、優れた帯電防止性を発現できるが、表面低効率が高すぎると、帯電した静電気により半導体が破壊されることがある。
【００３９】
以上、本発明にかかる粘着テープの好適な実施形態について説明したが、本発明は係る例に限定されない。
【実施例】
【００４０】
以下、本発明を実施例に基づきさらに詳細に説明するが、本発明はこれら実施例に限定されるものではない。なお、実施例および比較例で用いた粘着剤組成、基材構成樹脂は以下の通りである。基材樹脂フィルム樹脂組成物については表１に、粘着剤樹脂組成物については表２に示す。
【００４１】
＜基材樹脂フィルムを構成する樹脂組成物＞
基材樹脂フィルムとしては、以下の基材樹脂フィルム樹脂混合物Ａ１〜Ａ７、Ｂ１〜Ｂ３、Ｃ１、Ｄ１、Ｅ１、Ｆ１、Ｇ１及びＧ２を用いて各樹脂混合物とし、これらから製造した樹脂組成物を用いた。なお、基材樹脂フィルムを構成する樹脂のメルトフローレートは、ＪＩＳ Ｋ ７２１０によって求め、エチレン−酢酸ビニル共重合体樹脂とエチレン−（メタ）アクリル酸共重合体のカルボキシル基をカリウムイオンで架橋した樹脂とエチレン−メタアクリル酸共重合体樹脂と高密度ポリエチレンと低密度ポリエチレンとエチレン−（メタ）アクリル酸共重合体のカルボキシル基を亜鉛イオンで架橋した樹脂とエチレン−（メタ）アクリル酸共重合体のカルボキシル基をナトリウムイオンで架橋した樹脂は、１９０℃、２．１６ｋｇ荷重条件で測定し、ポリプロピレンは２３０℃、２．１６ｋｇ荷重条件で測定した。またエチレン−酢酸ビニル共重合体の酢酸ビニル含量は、ＪＩＳ Ｋ ６７３０によって求めた。
【００４２】
（基材樹脂フィルム樹脂混合物Ａ１）
酢酸ビニル含有量が１４質量％であるエチレン−酢酸ビニル共重合体（商品名：ＮＵＣ−８４５１ 日本ユニカー（株）製、メルトフローレート１．５ｇ／１０ｍｉｎ）８０質量％とエチレン−（メタ）アクリル酸共重合体のカルボキシル基をカリウムイオンで架橋した樹脂（商品名：エンティラＭＫ４００ 三井・デュポンポリケミカル（株）製、メルトフローレート１．０ｇ／１０ｍｉｎ）２０質量％をドライブレンドし、基材樹脂フィルム樹脂混合物Ａ１を得た。
【００４３】
（基材樹脂フィルム樹脂混合物Ａ２）
基材樹脂フィルム樹脂混合物Ａ１のエチレン−（メタ）アクリル酸共重合体のカルボキシル基をカリウムイオンで架橋した樹脂（商品名：エンティラＭＫ４００ 三井・デュポンポリケミカル（株）製、メルトフローレート１．０ｇ／１０ｍｉｎ）の配合量を１２質量％にし、樹脂組成物Ａ１におけるエチレン−酢酸ビニル共重合体の配合量を８８質量％にした以外は、基材樹脂フィルム樹脂混合物Ａ１と同様にして基材樹脂フィルム樹脂混合物Ａ２を得た。
【００４４】
（基材樹脂フィルム樹脂混合物Ａ３）
基材樹脂フィルム樹脂混合物Ａ１のエチレン−（メタ）アクリル酸共重合体のカルボキシル基をカリウムイオンで架橋した樹脂（商品名：エンティラＭＫ４００ 三井・デュポンポリケミカル（株）製、メルトフローレート１．０ｇ／１０ｍｉｎ）の配合量を２５質量％とし、基材樹脂フィルム樹脂混合物Ａ１におけるエチレン−酢酸ビニル共重合体の配合量を７５質量％にした以外は、基材樹脂フィルム樹脂混合物Ａ１と同様にして基材樹脂フィルム樹脂混合物Ａ３を得た。
【００４５】
（基材樹脂フィルム樹脂混合物Ａ４）
基材樹脂フィルム樹脂混合物Ａ１のエチレン−酢酸ビニル共重合体樹脂を酢酸ビニル含有量が７．５質量％であるエチレン−酢酸ビニル共重合体（商品名：ＮＵＣ−８４３０ 日本ユニカー（株）製、メルトフローレート２．３ｇ／１０ｍｉｎ）とした以外は基材樹脂フィルム樹脂混合物Ａ１と同様にして、基材樹脂フィルム樹脂混合物Ａ４を得た。
【００４６】
（基材樹脂フィルム樹脂混合物Ａ５）
基材樹脂フィルム樹脂混合物Ａ１のエチレン−酢酸ビニル共重合体を酢酸ビニル含有量が２０質量％であるエチレン−酢酸ビニル共重合体（商品名：ウルトラセン６３１ 東ソー（株）製、メルトフローレート１．５ｇ／１０ｍｉｎ）にした以外は、基材樹脂フィルム樹脂混合物Ａ１と同様にして、基材樹脂フィルム樹脂混合物Ａ５を得た。
【００４７】
（基材樹脂フィルム樹脂混合物Ａ６）
基材樹脂フィルム樹脂混合物Ａ１のエチレン−酢酸ビニル共重合体樹脂を酢酸ビニル含有量が１．５質量％であるエチレン−酢酸ビニル共重合体（商品名：ノバテックＬＶ１７０ 日本ポリエチレン（株）製、メルトフローレート３．０ｇ／１０ｍｉｎ）にした以外は基材樹脂フィルム樹脂混合物Ａ１と同様にして基材樹脂フィルム樹脂混合物Ａ６を得た。
【００４８】
（基材樹脂フィルム樹脂混合物Ａ７）
基材樹脂フィルム樹脂混合物Ａ１のエチレン−酢酸ビニル共重合体を酢酸ビニル含有量が３３質量％であるエチレン−酢酸ビニル共重合体（商品名：エバフレックスＥＶ１７０ 三井・デュポンポリケミカル（株）製、メルトフローレート１．０ｇ／１０ｍｉｎ）にした以外は、基材樹脂フィルム樹脂混合物Ａ１と同様にして基材樹脂フィルム樹脂混合物Ａ７を得た。
【００４９】
（基材樹脂フィルム樹脂Ｂ１）
酢酸ビニル含有量が１４質量％であるエチレン−酢酸ビニル共重合体（商品名：ＮＵＣ−８４５１ 日本ユニカー（株）製、メルトフローレート１．５ｇ／１０ｍｉｎ）を用いた。
【００５０】
（基材樹脂フィルム樹脂混合物Ｂ２）
基材樹脂フィルム樹脂混合物Ａ１のエチレン−（メタ）アクリル酸共重合体のカルボキシル基をカリウムイオンで架橋した樹脂（商品名：エンティラＭＫ４００ 三井・デュポンポリケミカル（株）製、メルトフローレート１．０ｇ／１０ｍｉｎ）の配合量を７質量％とし、基材樹脂フィルム樹脂混合物Ａ１におけるエチレン−酢酸ビニル共重合体の配合量を９３質量％にした以外は、基材樹脂フィルム樹脂混合物Ａ１と同様にして、基材樹脂フィルム樹脂混合物Ｂ２を得た。
【００５１】
（基材樹脂フィルム樹脂組成物Ｂ３）
基材樹脂フィルム樹脂混合物Ａ１のエチレン−（メタ）アクリル酸共重合体のカルボキシル基をカリウムイオンで架橋した樹脂（商品名：エンティラＭＫ４００ 三井・デュポンポリケミカル（株）製、メルトフローレート１．０ｇ／１０ｍｉｎ）の配合量を３５質量％とし、樹脂混合物Ａ１におけるエチレン−酢酸ビニル共重合体の配合量を６５質量％にした以外は、基材樹脂フィルム樹脂混合物Ａ１と同様にして、基材樹脂フィルム樹脂混合物Ｂ３を得た。
【００５２】
（基材樹脂フィルム樹脂組成物Ｃ１）
基材樹脂フィルム樹脂混合物Ａ１のエチレン−酢酸ビニル共重合体をエチレン−メタアクリル酸共重合体樹脂（商品名：ニュクレルＮ０９０３ＨＣ 三井・デュポンポリケミカル（株）製、メルトフローレート３．０ｇ／１０ｍｉｎ）にした以外は、基材樹脂フィルム樹脂混合物Ａ１と同様にして、基材樹脂フィルム樹脂混合物Ｃ１を調製した。
【００５３】
（基材樹脂フィルム用Ｄ１）
高密度ポリエチレン（商品名：ノバテックＨＤ ＨＦ５６０ 日本ポリエチレン（株）製、メルトフローレート７．０ｇ／１０ｍｉｎ）を用いた。
【００５４】
（基材樹脂フィルム用樹脂Ｅ１）
ポリプロピレン（商品名：ノバテックＰＰ ＦＸ４Ｅ 日本ポリプロ（株）製、メルトフローレート５．３ｇ／１０ｍｉｎ）を用いた。
【００５５】
（基材樹脂フィルム用樹脂Ｆ１）
低密度ポリエチレン（商品名：ノバテックＬＤ ＬＦ６４０ＭＡ 日本ポリエチレン（株）製、メルトフローレート５．０ｇ／１０ｍｉｎ）を用いた。
【００５６】
（基材樹脂フィルム用樹脂Ｇ１）
エチレン−（メタ）アクリル酸共重合体のカルボキシル基を亜鉛イオンで架橋した樹脂（商品名：ハイミランＡＭ７３１６ 三井・デュポンポリケミカル（株）製、メルトフローレート１．１ｇ／１０ｍｉｎ）を用いた。
【００５７】
（基材樹脂フィルム用樹脂Ｇ２）
エチレン−（メタ）アクリル酸共重合体のカルボキシル基をナトリウムイオンで架橋した樹脂（商品名：ハイミラン１７０７ 三井・デュポンポリケミカル（株）製、メルトフローレート０．９ｇ／１０ｍｉｎ）を用いた。
【００５８】
【表１】
【００５９】
＜粘着剤＞
粘着剤層を構成する樹脂組成物として、以下のα１〜α３、β１、γ１及びδ１を用いた。
【００６０】
（粘着剤樹脂組成物α１）
２−エチルヘキシルアクリレート（２−ＥＨＡ）８０質量％、２−ヒドロキシエチルアクリレート１９質量％、メタクリル酸１質量％を原料として溶液ラジカル重合により共重合体を得た。次にこの共重合体に２−メタクリロイルオキシエチルイソシアネート（商品名：カレンズＭＯＩ 昭和電工（株）製）を滴下反応させることで、主鎖の繰り返し単位に対して放射線硬化性炭素−炭素二重結合含有基が結合したアクリル重合体を作製した。当該２−メタクリロイルオキシエチルイソシアネートの滴下量と重合反応時間を調節することで、このアクリル重合体が有する放射線硬化性不飽和炭素結合の量（濃度）を０．６ｍｅｑ／ｇとした。また、得られたアクリル重合体をテトラヒドロフランに溶解して得た１％溶液をゲルパーミエーションクロマトグラフィー（商品名：１５０−Ｃ ＡＬＣ／ＧＰＣ Ｗａｔｅｒｓ製）により測定した値をポリスチレン換算して算出した重量平均分子量は８００，０００であった。
上記で作製したアクリル重合体１００質量部に対して、硬化剤であるポリイソシアネート化合物（商品名：コロネートＬ 日本ポリウレタン工業（株）製）を０．３質量部と放射線重合開始剤であるα−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトンを２質量部配合し、粘着剤樹脂組成物α１を調製した。
【００６１】
（粘着剤樹脂組成物α２）
粘着剤樹脂組成物ａ１のアクリル重合体におけるモノマーの配合比を２−エチルヘキシルアクリレート（２−ＥＨＡ）量を７０質量％、２−ヒドロキシエチルアクリレート２９質量％、アクリル酸１質量％にした以外は粘着剤樹脂組成物α１と同様にして、粘着剤樹脂組成物α２を調製した。
【００６２】
（粘着剤樹脂組成物α３）
粘着剤樹脂組成物ａ１のアクリル重合体におけるモノマーの配合比を２−エチルヘキシルアクリレート（２−ＥＨＡ）量を８５質量％、２−ヒドロキシエチルアクリレート１４質量％、アクリル酸１質量％にした以外は粘着剤樹脂組成物α１と同様にして、粘着剤樹脂組成物α３を調製した。
【００６３】
（粘着剤樹脂組成物β１）
粘着剤樹脂組成物ａ１のアクリル重合体におけるモノマーの配合比を２−エチルヘキシルアクリレート（２−ＥＨＡ）量を６０質量％、２−ヒドロキシエチルアクリレート３９質量％、アクリル酸１質量％にした以外は粘着剤樹脂組成物α１と同様にして、粘着剤樹脂組成物β１を調製した。
【００６４】
（粘着剤樹脂組成物γ１）
粘着剤樹脂組成物ａ１のアクリル重合体における２−エチルヘキシルアクリレート（２−ＥＨＡ）をｎ−ブチルアクリレート（ｎ−ＢＡ）にした以外は粘着剤樹脂組成物α１と同様にして、粘着剤樹脂組成物γ１を調製した。
【００６５】
（粘着剤樹脂組成物δ１）
ｎ−ブチルアクリレート５５質量％、メチルメタクリレート１７質量％、メタクリル酸２質量％、２−ヒドロキシエチルアクリレート２６質量％からなり、ポリスチレン換算して算出した重量平均分子量が８０，０００であるアクリル共重合体１００質量部に対して、６官能であり、ポリスチレン換算して算出した重量平均分子量が１，５００である放射線硬化性オリゴマー（商品名：ＵＮ−３３２０ＨＡ 根上工業（株）製）１００質量部、さらに、硬化剤であるポリイソシアネート化合物（商品名：コロネートＬ 日本ポリウレタン工業（株）製）２質量部と放射線重合開始剤であるα−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン３質量部を配合し、粘着剤樹脂組成物δ１を調製した。
【００６６】
【表２】
【００６７】
＜実施例１〜１５、比較例１〜１０＞
表３、４に示すように、基材樹脂フィルム混合物を押出機に投入し、溶融混練して得られた各樹脂組成物を用いて、図２に示す、粘着剤層に接する層１の厚さが５５μｍ、基材樹脂フィルムの最外層Ｘ２の厚さが５５μｍ、これらの基材樹脂フィルム層に挟まれた中間層Ｘ１の厚さが４０μｍで、厚さの合計が１５０μｍの基材樹脂フィルムを製造した。
次にコンマコーターを用いてシリコン離型処理したポリエチレンテレフタレートフィルム（厚さ２５μｍ）に粘着剤樹脂組成物を線速２ｍ／分で塗工し、１１０℃に設定した温風乾燥炉を通して厚さ２０μｍの粘着剤層を形成させた。その後、上記の方法で得られた各基材樹脂フィルムの粘着剤層に接する層に、上記の粘着剤を表３、４に示すように組み合わせ、放射線硬化性半導体加工用粘着テープを製造した。
【００６８】
得られた各粘着テープについて、以下に示す試験により、粘着剤層のガラス転移温度、帯電防止性、紫外線硬化後のテープ弛み、レーザーマークへの糊残り、ヒゲ付着を評価した。
【００６９】
（１）粘着剤層のガラス転移温度の測定
各粘着テープにおける粘着剤層のガラス転移温度をＤＳＣ法により測定した(ＪＩＳ Ｋ ７１２１に準拠)。粘着剤層の状態は紫外線硬化前の状態であり、ここで言うガラス転移温度は補外ガラス転移開始温度のことである。なお、リファレンスとしてはＡｌ２Ｏ３を用い、１０ｍｇ程度の試料片を−１００℃まで急冷し、４０ｍｌ／ｍｉｎの流量の窒素雰囲気下で１０℃／ｍｉｎで昇温測定した。結果を表３、４に示す。
【００７０】
（２）帯電防止性能の評価
得られた各粘着テープを２３℃、５０％ＲＨの環境下で３日間保持した後、デジタル超高抵抗/微小電流計Ｒ８３４０／８３４０Ａとレジスティビティ・チェンバＲ１２７０２Ａ（共に（株）アドバンテスト製）を用いて２３℃、５０％ＲＨの環境下で５００Ｖの電圧を印加し、印加後６０秒後の電流値を読み取り、得られた各粘着テープにおける粘着剤面及びテープ背面の表面抵抗率を測定した。粘着剤面の測定は、高圧水銀灯を用いて５００ｍＪ／ｃｍ２の紫外線を照射することで紫外線硬化を行った後に行った。粘着剤面及びテープ背面の表面抵抗率がいずれも１×１０１３Ω／□以下である場合を「○」、それ以上の場合を「×」として評価し、「○」の場合を合格とした。結果を表３、４に示す。
【００７１】
（３）レーザーマークへの糊残りの評価
得られた各粘着テープを用いて、レーザーマークを有する樹脂封止パッケージのレーザーマークを有する表面と粘着テープとを貼合して下記に示す条件でダイシングを行った。その後、ブラックライトを用いて５００ｍＪ／ｃｍ２の紫外線を照射することで紫外線硬化させ、ピックアップを行った。ピックアップ条件は、ダイスピッカーＣＡＰ−３００ＩＩ（キヤノンマシナリー（株）製）で２ｍｍエキスパンドし、先端径Ｒが１５０μｍであるピンで、突き上げスピード：５０ｍｍ／ｓｅｃ、ピン突き上げ高さ：０．７ｍｍとした。ピックアップを行った２００チップを観察し、レーザーマーク部への粘着剤の付着の様子を観察した。１チップあたり、レーザーマーク部において１０μｍ角以上の粘着剤が一つでも付着しているチップの割合を粘着剤付着率とした。粘着剤付着率が１％未満の場合を「○」、１％以上２％未満の場合を「△」、２％以上の場合を「×」とし、「○」と「△」を合格とした。結果を表３、４に示す。
ダイシング条件
ダイシング装置：（株）ＤＩＳＣＯ製 ＤＦＤ−６３４０
ブレード：（株）ＤＩＳＣＯ製 Ｂ１Ａ８０１ ＳＤ３２０Ｎ１００Ｍ４２
ブレード回転数：２００００ｒｐｍ
切削速度：５０ｍｍ／ｓ
切削水量：１Ｌ／ｍｉｎ
ダイシングサイズ：２ｍｍ角
ブレードハイト：８０μｍ
【００７２】
（４）ヒゲ状切削屑付着の評価
（３）のレーザーマークへの糊残りの評価後、２００チップを観察し、ヒゲ付着の有無を観察した。１チップ当たり１００μｍ以上のヒゲ状切削屑が一つでも残存しているチップの割合をヒゲ状切削屑の残存率とした。ヒゲ状切削屑の残存率が２０％未満の場合を「○」、２０％以上３０％未満の場合を「△」、３０％以上の場合を「×」とし、「○」と「△」の場合を合格とした。結果を表３、４に示す。
【００７３】
（５）紫外線硬化後の粘着テープの弛みの評価
得られた各粘着テープを用いて、レーザーマークを有する樹脂封止パッケージのレーザーマークを有する表面と粘着テープとを貼合して（３）と同様の条件でダイシングを行った。高圧水銀灯を用いて５００ｍＪ／ｃｍ２の紫外線を照射することで紫外線硬化を行い、テープの外観を観察した。紫外線照射後も伸びや弛みがない場合を「○」、新たな伸びや弛みが生じて部分的なシワが発生した場合を「×」として評価し、「○」を合格とした。結果を表３、４に示す。
【００７４】
実施例の評価結果を表３に示す。本発明の粘着テープに包含される実施例１〜１３の粘着テープは、帯電防止性に優れ、粘着剤層のガラス転移温度は低いため、レーザーマークへの糊残りは少なく、ヒゲ付着も少なく、紫外線硬化後のテープ弛みも少なかった。実施例１１のテープは、基材樹脂フィルムの高密度ポリエチレンからなる層がテープ背面側の層３であるため、ヒゲ状切削屑付着が若干劣るものの、帯電防止性は良好であり、レーザーマークへの糊残りは少なく、紫外線硬化後のテープ弛みも少なかった。また、実施例１２のテープにおける粘着剤層の樹脂組成物は２−エチルへキシルアクリレート量が少ないアクリル共重合体であり、実施例１３のテープにおける粘着剤層のベースポリマーはｎ−ブチルアクリレートが主成分であるアクリル系共重合体であり、共に粘着剤層のガラス転移温度は高いため、レーザーマークへの糊残りで若干劣るものの帯電防止性は良好であった。また、実施例１４のテープは、エチレン−酢酸ビニル共重合体の酢酸ビニル含有量が少ないため、レーザーマークへの糊残りで若干劣るものの問題ないレベルであった。また、実施例１５のテープは、エチレン−酢酸ビニル共重合体の酢酸ビニル含有量が多く、ベタツキが大きいため、基材樹脂フィルムの製膜時に冷却ロールに基材樹脂フィルムが貼り付き、基材樹脂フィルムに筋が入ってしまい、テープの外観に若干劣り、ヒゲ付着で若干劣るものの、問題ないレベルであった。
【００７５】
【表３】
【００７６】
比較例の評価結果を表４に示す。比較例１〜１０の粘着テープは、帯電防止性、レーザーマークへの糊残り、ヒゲ付着、紫外線硬化後のテープ弛み、製造性において劣るものであった。比較例１、２のテープは、エチレン−（メタ）アクリル酸共重合体のカルボキシル基をカリウムイオンで架橋した樹脂量が少ないため、帯電防止性は不十分であり、ヒゲ状切削屑付着において若干劣っていた。比較例３のテープは、エチレン−（メタ）アクリル酸共重合体のカルボキシル基をカリウムイオンで架橋した樹脂量が多いため、基材樹脂フィルムと粘着剤層の間で層間剥離が発生した。比較例４のテープは、基材樹脂フィルムにおけるエチレン−酢酸ビニル共重合体樹脂の代わりにエチレン−メタアクリル酸共重合体樹脂を用いたため、伝導に対して効果的な相分離構造が形成されず、帯電防止性に劣っていた。比較例５のテープは、基材樹脂フィルムにおける中間層２が低密度ポリエチレンからなるため、ヒゲ付着と紫外線硬化後のテープ弛みにて劣っていた。比較例６のテープは、基材樹脂フィルムが単層構成であるため、紫外線硬化後のテープ弛みで劣っており、ヒゲ付着においても若干劣っていた。比較例７のテープは、基材樹脂フィルムにおける粘着剤層に接する層１が高密度ポリエチレンからなるため、粘着剤面側の帯電防止性に劣っていた。また、比較例８のテープは、粘着剤層が放射線硬化性不飽和炭素結合を有しないポリマーに放射線硬化性不飽和炭素結合を有するオリゴマーなどを配合した組成であり、硬化収縮が大きいため、レーザーマークへの糊残りで劣っていた。また、比較例９と１０のテープは、エチレン−（メタ）アクリル酸共重合体のカルボキシル基を亜鉛イオン又はナトリウムイオンで架橋した樹脂を使用しているため、帯電防止性能で劣っていた。
【００７７】
【表４】
【符号の説明】
【００７８】
１ 粘着剤層に接する層
２ 粘着剤層に接する層以外の層
１０ 基材樹脂フィルム
２０ 粘着剤層
１００、２００ 放射線硬化性半導体加工用粘着テープ
Ｘ１ 基材樹脂フィルムの中間層
Ｘ２ 基材樹脂フィルムの最外層
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基材樹脂フィルム上に主鎖の繰り返し単位に対して放射線硬化性炭素−炭素二重結合含有基が結合した重合体（Ｂ）を含有する粘着剤層が形成された放射線硬化性半導体加工用粘着テープであって、該基材樹脂フィルムが少なくとも２層以上からなり、
該基材樹脂フィルムの粘着剤層に接する層が、エチレン−酢酸ビニル共重合体（ａ１）９０〜７０質量％と、構成成分として少なくともエチレン成分及び（メタ）アクリル酸成分を有する共重合体のカルボキシル基をカリウムイオンで架橋した樹脂（ａ２）１０〜３０質量％を含有する樹脂組成物であり、
前記粘着剤層に接する層以外の層が、高密度ポリエチレン又はポリプロピレンを含有する樹脂組成物であることを特徴とする放射線硬化性半導体加工用粘着テープ。
【請求項２】
前記基材樹脂フィルムが３層以上からなり、前記粘着剤層に接する層１と最外層Ｘ２とで挟まれた中間層Ｘ１が高密度ポリエチレン又はポリプロピレンを含有する樹脂組成物であることを特徴とする請求項１記載の放射線硬化性半導体加工用粘着テープ。
【請求項３】
前記エチレン−酢酸ビニル共重合体の酢酸ビニル成分含有量が５〜２５質量％であることを特徴とする請求項１又は２記載の放射線硬化性半導体加工用粘着テープ。
【請求項４】
前記主鎖の繰り返し単位に対して放射線硬化性炭素−炭素二重結合含有基が結合した重合体（Ｂ）が、構成成分（ｂ１）として６５〜８７質量％の２−エチルヘキシルアクリレート成分を含むことを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の放射線硬化性半導体加工用粘着テープ。
【請求項５】
前記粘着剤層の放射線硬化前のガラス転移開始温度が−６５〜−４５℃であることを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項記載の放射線硬化性半導体加工用粘着テープ。
【請求項１】
基材樹脂フィルム上に主鎖の繰り返し単位に対して放射線硬化性炭素−炭素二重結合含有基が結合した重合体（Ｂ）を含有する粘着剤層が形成された放射線硬化性半導体加工用粘着テープであって、該基材樹脂フィルムが少なくとも２層以上からなり、
該基材樹脂フィルムの粘着剤層に接する層が、エチレン−酢酸ビニル共重合体（ａ１）９０〜７０質量％と、構成成分として少なくともエチレン成分及び（メタ）アクリル酸成分を有する共重合体のカルボキシル基をカリウムイオンで架橋した樹脂（ａ２）１０〜３０質量％を含有する樹脂組成物であり、
前記粘着剤層に接する層以外の層が、高密度ポリエチレン又はポリプロピレンを含有する樹脂組成物であることを特徴とする放射線硬化性半導体加工用粘着テープ。
【請求項２】
前記基材樹脂フィルムが３層以上からなり、前記粘着剤層に接する層１と最外層Ｘ２とで挟まれた中間層Ｘ１が高密度ポリエチレン又はポリプロピレンを含有する樹脂組成物であることを特徴とする請求項１記載の放射線硬化性半導体加工用粘着テープ。
【請求項３】
前記エチレン−酢酸ビニル共重合体の酢酸ビニル成分含有量が５〜２５質量％であることを特徴とする請求項１又は２記載の放射線硬化性半導体加工用粘着テープ。
【請求項４】
前記主鎖の繰り返し単位に対して放射線硬化性炭素−炭素二重結合含有基が結合した重合体（Ｂ）が、構成成分（ｂ１）として６５〜８７質量％の２−エチルヘキシルアクリレート成分を含むことを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の放射線硬化性半導体加工用粘着テープ。
【請求項５】
前記粘着剤層の放射線硬化前のガラス転移開始温度が−６５〜−４５℃であることを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項記載の放射線硬化性半導体加工用粘着テープ。
【図１】
【図２】
【図２】
【公開番号】特開２０１２−２１２７３２（Ｐ２０１２−２１２７３２Ａ）
【公開日】平成２４年１１月１日（２０１２．１１．１）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１１−７６６８７（Ｐ２０１１−７６６８７）
【出願日】平成２３年３月３０日（２０１１．３．３０）
【出願人】（０００００５２９０）古河電気工業株式会社 (4,457)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２４年１１月１日（２０１２．１１．１）
【国際特許分類】
【出願日】平成２３年３月３０日（２０１１．３．３０）
【出願人】（０００００５２９０）古河電気工業株式会社 (4,457)
【Ｆターム（参考）】
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