水晶デバイス
【課題】 周波数を可変する発振器のインダクタンスを水晶デバイスの内部に形成し、且つ効率的な周波数調整を行うことができる水晶デバイスを提供する。
【解決手段】 水晶デバイス（１００）は、表裏面にそれぞれ第１励振電極（２５）及び第２励振電極（２６）を有する板状の水晶板（２０）と、実装面に第１実装端子（５１）及び第２実装端子（５２）を有し水晶板を収納するパッケージ（１０）と、第１励振電極から第１実装端子までを配線する第１配線電極（３２）と、第２励振電極から第２実装端子までを配線する第２配線電極（３３）と、を備える。そして、第１配線電極（３２）と第２配線電極（３３）とが交番電流が印加された際に同じ電流向きになるように螺旋状に形成されている。
【解決手段】 水晶デバイス（１００）は、表裏面にそれぞれ第１励振電極（２５）及び第２励振電極（２６）を有する板状の水晶板（２０）と、実装面に第１実装端子（５１）及び第２実装端子（５２）を有し水晶板を収納するパッケージ（１０）と、第１励振電極から第１実装端子までを配線する第１配線電極（３２）と、第２励振電極から第２実装端子までを配線する第２配線電極（３３）と、を備える。そして、第１配線電極（３２）と第２配線電極（３３）とが交番電流が印加された際に同じ電流向きになるように螺旋状に形成されている。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、水晶振動片を有する水晶デバイスに関し、特に圧電振動片又はセラミックパッケージ内の引出電極にインダクタを形成する電極形状に関する。
【背景技術】
【０００２】
例えばＡＴカットなどの厚みすべり振動の水晶デバイスは、一般に圧電振動片の表裏面に一対の励振電極を正対向して形成し、当該励振電極に交番電圧を印加する構成である。圧電振動片の両主面には励振電極と、励振電極から引き出された引出電極と、引出電極を実装端子（パッケージの外側に形成された端子）と導通するためのパッケージ内部の接続電極とが形成されている。圧電振動片は表裏どちらでもパッケージ内の接続電極に接続できるように、引出電極は表裏面に形成されている。
【０００３】
水晶デバイスの周波数を調整しやすくするために、水晶デバイスが実装されるプリント基板に伸長コイルを水晶デバイスに直列に実装している。周波数可変量を増やす伸長コイルはディスクリート部品のため、プリント基板の実装スペースが少なくなってしまう。また、伸長コイルはインダクタンス値の偏差の幅が大きく周波数偏差のばらつきの要因になっている。このような問題点を解決するため、特許文献１は、圧電振動片の励振電極への引出電極にパターンコイルを設ける技術を開示している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開平９−１６２６８１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、特許文献１は電流の流れによってインダクタンス値が変わることを開示・示唆しておらずまた、圧電振動片の裏面を開示していない。
【０００６】
本発明は、水晶デバイスの周波数を可変する発振器のインダクタンスを水晶デバイスの内部に形成し、且つ効率的な周波数調整を行うことができる水晶デバイスを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
第１観点の水晶デバイスは、表裏面にそれぞれ第１励振電極及び第２励振電極を有する板状の水晶板と、実装面に第１実装端子及び第２実装端子を有し、水晶板を収納するパッケージと、第１励振電極から第１実装端子までを配線する第１配線電極と、第２励振電極から第２実装端子までを配線する第２配線電極と、を備える。そして、第１配線電極と第２配線電極とが交番電流が印加された際に同じ電流向きになるように螺旋状に形成されている。
【０００８】
第２観点の水晶デバイスは、第１配線電極と第２配線電極とが水晶版の表裏面にそれぞれ形成されている。
さらに別の観点では、第１配線電極と第２配線電極とがパッケージに形成されている。そしてパッケージは複数層からなり、複数層の各層に第１配線電極と第２配線電極とがともに形成されている。また別の観点では、パッケージは複数層からなり、複数層の一層に第１配線電極又は第２配線電極の一方が形成されている。
【発明の効果】
【０００９】
本発明の水晶デバイスによれば、インダクタンスの高い配線をデバイス内に設けることができる。このため周波数可変量が大きくなり、周波数を容易に調整することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】（ａ）は、リッド５を取り除いた状態の第１水晶デバイス１００の平面図である。 （ｂ）は、図１（ａ）のＡ−Ａ’断面図である。
【図２】（ａ）は、ＡＴカット水晶振動片２０の第１主面の平面図である。 （ｂ）は、ＡＴカット水晶振動片２０の第２主面の平面図である。
【図３】インダクタンスの違いによる生じる周波数可変量を示す図である。
【図４】（ａ）は、リッド５を取り除いた状態の第２水晶デバイス１１０の平面図である。 （ｂ）は、図３（ａ）のＢ−Ｂ’断面図である。
【図５】配線電極付セラミック層４０の斜視図である。
【図６】（ａ）は、配線電極付セラミック層４０のＣ−Ｃ’断面図である。（ｂ）は、配線電極付セラミック層４０のＤ−Ｄ’断面図である。（ｃ）は、配線電極付セラミック層４０−２のＥ−Ｅ’断面図である。
【図７】（ａ）は、リッド５を取り除いた状態の第３水晶デバイス１２０の平面図である。 （ｂ）は、図７（ａ）のＦ−Ｆ’断面図である。
【図８】配線電極付セラミック層６０の斜視図である。
【図９】（ａ）は、配線電極付セラミック層６０のＧ−Ｇ’断面図である。 （ｂ）は、配線電極付セラミック層６０のＨ−Ｈ’断面図である。 （ｃ）は、配線電極付セラミック層６０のＪ−Ｊ’断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
以下、本発明の好適な実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。なお、本発明の範囲は以下の説明において特に本発明を限定する旨の記載がない限り、これらの形態に限られるものではない。
【００１２】
（第１実施形態）
＜第１水晶デバイス１００の構成＞
図１（ａ）は、リッド５を取り除いた状態の第１実施例の第１水晶デバイス１００の平面図であり、図１（ｂ）は図１（ａ）のＡ−Ａ’断面図である。図２は、ＡＴカット水晶振動片２０の拡大平面図である。 図２（ａ）は、第１主面（上側）からみたＡＴカット水晶振動片２０の第１主面の平面図であり、図２（ｂ）は、第２主面（下側）からみたＡＴカット水晶振動片２０の第２主面の平面図である。
【００１３】
図１（ａ）及び（ｂ）に示されるように、第１水晶デバイス１００は、第１ＡＴカット水晶振動片２０と、セラミックパッケージ１０と、気密封止するガラスから成るリッド５とで構成されている。第１水晶デバイス１００は、セラミックパッケージ１０とリッド５とで形成された空間に、ＡＴカット水晶振動片２０を装着している。
【００１４】
ＡＴカットは、結晶軸（Ｘ、Ｙ、Ｚ）のＹ軸に対して、主軸（Ｙ、Ｚ）がＸ軸を中心としてＺ軸からＹ軸方向に３５度１５分傾斜した切断角度である。以降、ＡＴカット水晶振動片２０の軸方向を表す際には通常、傾斜した新たの軸をＹ’軸及びＺ’軸とし、これらを用いる。
【００１５】
パッケージ１０は例えばセラミックからなり、複数枚のセラミックシートを積層して箱状になった状態で焼結される。パッケージ１０の底面用セラミック層５０には台座用セラミック層５３が形成され、第１接続電極３８，３９及び第２接続電極４１，４２が形成され、パッケージ１０の外側底部には実装端子５１、５２が形成される。第１接続電極３８と実装端子５１とが導通し，第１接続電極３９と実装端子５２とは導通している。このようなパッケージ１０を使用することにより、第１水晶デバイス１００は表面実装（ＳＭＤ：Ｓｕｒｆａｃｅ Ｍｏｕｎｔ Ｄｅｖｉｃｅ）できるタイプとなる。パッケージ１０の大きさは、Ｘ方向の長さが２．０ｍｍ〜１．６ｍｍ程度、Ｚ’方向の長さが１．６ｍｍ〜１．２ｍｍ程度である。このパッケージ１０に第１ＡＴカット水晶振動片２０が配置される。
【００１６】
図１（ａ）及び（ｂ）に示されるように、第１ＡＴカット水晶振動片２０の第１主面には、第１電極パッド２３、第１励振電極２５及び第１配線電極３２が形成される。第１ＡＴカット水晶振動片２０の第２主面には、第２電極パッド２４、第２励振電極２６及び第２配線電極３３が形成される。第２主面は第１主面の反対側であるため、図１（ａ）では第２電極パッド２４、第２励振電極２６及び第２配線電極３３が点線で描かれている。
【００１７】
ＡＴカット水晶振動片２０は、その第１主面及び第２主面が底面用セラミック層５０に対して水平になるように、台座用セラミック層５３に配置される。台座用セラミック層５３の上面の一部には、ＡＴカット水晶振動片２０の第１電極パッド２３及び第２電極パッド２４と導通する第２接続電極４１及び４２が形成されている。の第１電極パッド２３及び第２電極パッド２４と第２接続電極４１及び４２とは導電性接着剤１５で接着される。枠部セラミック層１１の上端には封止材１９が形成され、枠部セラミック層１１とリッド５とが封止材１９を介して接合される。
【００１８】
さて、図１（ａ）に示されるように、ＡＴカット水晶振動片２０の第１配線電極３２及び第２配線電極３３は、螺旋状に形成されている。第２主面に形成された第２電極パッド２４、第２励振電極２６及び第２配線電極３３を点線で示している。また説明のため、第１配線電極３２及び第２配線電極３３の電流の向きが矢印で示されている。第１励振電極２５は第１配線電極３２及び第１電極パッド２３を介して第２接続電極４１に接続しており、第２励振電極２６も第２主面側に形成された第２配線電極３３及び第２電極パッド２４を介して第２接続電極４２に接続している。これらに交番電流（交互に入れ替わる正負の電流）が加えられるとＡＴカット水晶振動片２０は所定の周波数で振動する。
【００１９】
図１（ａ）及び図２（ａ）に示されるように、第１主面の第１電極パッド２３から第１配線電極３２に電流が流れてくる場合（第１電極パッド２３が正）には、以下のように電流が流れる。まず第１配線電極３２に入った電流の向きは、矢印で示されるように反時計回りに流れる。同じタイミングには交番電流は第２主面の第２励振電極２６から第２配線電極３３に電流が流れてくる（第２電極パッド２４が負）。このため、図１（ａ）に示されるように、第２主面の第２配線電極３３に流れる電流の向きは矢印で示されるように反時計回りに流れる。なお、図２（ｂ）は第２主面側からの図であるため、第２配線電極３３に流れる電流の向きは矢印で示されるように時計回りに流れている。
【００２０】
図１（ａ）及ぶ図２に示されるように、第１ＡＴカット水晶振動片２０の第１配線電極３２の電流の向きと第２配線電極３３の電流の向きとが同じ方向に向いている。このため、第１ＡＴカット水晶振動片２０の第１主面の第１配線電極３２と第２主面の第２配線電極３３とは、電流が同じ向きになりインダクタンスが強められる。
【００２１】
＜電流の流れ方向によるインダクタンスの違い＞
図３は、インダクタンスの違いによる生じる周波数可変量を示す図である。縦軸に周波数変化量Δｆ（ｐｐｍ）を示し、横軸に電圧Ｖｃ（Ｖ）を示す。第１配線電極３２及び第２配線電極３３に流れる電流の向きが異なる場合の計算結果を点線で示し、第１配線電極３２及び第２配線電極３３に流れる電流の向きが同じである場合の計算結果を実線で示した。第１配線電極３２及び第２配線電極３３に流れる電流の向きが同じ場合と異なる場合とでは、インダクタンスが約３倍違う。このため、図３に示す通り、電流の向きが同じである場合、その周波数変化量Δｆ（ｐｐｍ）は、電流の向きが異なる場合の周波数変化量Δｆと比べて例えば約２．５倍に増加する。
【００２２】
（第２実施形態）
＜第２水晶デバイス１１０の構成＞
図４（ａ）は、リッド５を取り除いた状態の第２実施例の第２水晶デバイス１１０の平面図である。図４（ｂ）は図４（ａ）のＢ−Ｂ’断面図である。説明のため、ベース用セラミック層は分離して描いてある。図５に配線電極付セラミック層４０の斜視図を示す図６（ａ）は、配線電極付セラミック層４０のＣ−Ｃ’断面図であり、（ｂ）は、配線電極付セラミック層４０のＤ−Ｄ’断面図であり、（ｃ）は、第３層の配線電極付セラミック層４０−２のＥ−Ｅ’断面図である。第１実施形態と同じ構成要件には同じ符号を付して重複する説明を省略する。
【００２３】
図４（ａ）及び（ｂ）に示されるように、第２水晶デバイス１１０は、第２ＡＴカット水晶振動片２０Ａと、セラミックパッケージ１０と、気密封止するためのリッド５とで構成されている。第２水晶デバイス１１０は、セラミックパッケージ１０とリッド５とで形成された空間に、ＡＴカット水晶振動片２０Ａが装着されている。第２ＡＴカット水晶振動片２０Ａは、第１主面に第１電極パッド２３と引出電極２１及び第１励振電極２５を形成している。第２主面に第２電極パッド２４と引出電極２２及び第２励振電極２６を形成している。第２主面の第２電極パッド２４、引出電極２２及び第２励振電極２６は点線で示している。第１励振電極２５は引出電極２１及び第１電極パッド２３を介して第２接続電極４１に接続している。第２励振電極２６も第２主面側に形成された引出電極２２及び第２電極パッド２４を介して第２接続電極４２に接続している。
【００２４】
パッケージ１０Ａは、複数枚のセラミックシートを積層して箱状になった状態で焼結される。パッケージ１０Ａのベース用セラミック層は、第１層の底面用セラミック層５０と、二層からなる配線電極付セラミック層４０（４０−１〜４０−２）と、第４層の底部セラミック層５５との四層からなる。
【００２５】
第１層の底面用セラミック層５０には台座用セラミック層５３が形成される。また台座用セラミック層５３に、第２接続電極４１及び４２が形成される。第２層の配線電極付セラミック層４０−１には第１配線電極３２、第２配線電極３３及び第２接続電極４１，４２（図４（ｂ）、図５参照）が形成される。第１接続電極３８，３９は形成されない。第３層の配線電極付セラミック層４０−２には第１配線電極３２、第２配線電極３３及び第１接続電極３８，３９及び第２接続電極４１，４２（図４（ｂ）、図５参照）が形成される。パッケージ１０Ａの第４層の底部セラミック層５５には実装端子５１、５２が形成される。第１接続電極３８，３９と実装端子５１，５２とは導通している。
【００２６】
図５は、配線電極付セラミック層４０の斜視図である。第２層の配線電極付セラミック層４０−１には−Ｚ’軸側に第１配線電極３２が形成され、＋Ｚ’軸側に第２配線電極３３が形成されている。第２層の第１配線電極３２及び第２配線電極３３は、＋Ｙ’軸方向から−Ｙ’軸方向に見ると、外側から中央に時計回りに螺旋状に形成されている。第１配線電極３２及び第２配線電極３３の先端は、配線電極付セラミック層４０−１の左右半分の領域の中央に存在し、そこに金属膜のスルーホール電極２８，２９が形成されている。
【００２７】
第３層の配線電極付セラミック層４０−２にも−Ｚ’軸側に第１配線電極３２が形成され、＋Ｚ’軸側に第２配線電極３３が形成されている。第３層の第１配線電極３２及び第２配線電極３３は、＋Ｙ’軸方向から−Ｙ’軸方向に見ると、外側から中央に反時計回りに螺旋状に形成されている。第１配線電極３２及び第２配線電極３３の先端は、配線電極付セラミック層４０−１の左右半分の領域の中央に存在し、そこに金属膜の第３接続電極３４、３５が形成されている。スルーホール電極２８，２９と第３接続電極３４、３５とはそれぞれ導通されている。
【００２８】
より詳しく説明する。図６（ａ）に示されるように、第２層の配線電極付セラミック層４０−１のＣ−Ｃ’断面には、第１配線電極３２と第２接続電極４１とスルーホール電極２９とが形成されている。スルーホール電極２９は、配線電極付セラミック層４０−１の表裏面を貫通し金属膜で覆われている。第３層の配線電極付セラミック層４０−２のＣ−Ｃ’断面には、第１配線電極３２と第２接続電極４１と第１接続電極３９と第３接続電極３５とが形成されている。第２層の配線電極付セラミック層４０−１と第３層の配線電極付セラミック層４０−２とは、積層されることでスルーホール電極２９と第３接続電極３５とが接続される。
【００２９】
また、図６（ｂ）に示されるように、第２層の配線電極付セラミック層４０−１のＤ−Ｄ’断面には、第２配線電極３３とスルーホール電極２８とが形成されている。スルーホール電極２８は、配線電極付セラミック層４０−１の表裏面を貫通し金属膜で覆われている。第３層の配線電極付セラミック層４０−２のＤ−Ｄ’断面には、第２配線電極３２と第３接続電極３４とが形成されている。第２層の配線電極付セラミック層４０−１と第３層の配線電極付セラミック層４０−２とは、積層されることでスルーホール電極２８と第３接続電極３４とが接続されている。
【００３０】
さらに、図６（ｃ）に示されるように、第３層の配線電極付セラミック層４０−２のＥ−Ｅ’断面には、底面と側面に第１接続電極３８が形成され、第２接続電極４２と第２配線電極３２とが形成されている。底面の第１接続電極３８と実装端子５２とは、第３層の配線電極付セラミック層４０−２と第４層の底部セラミック層５５（図４（ｂ）参照）とを積層することで接続されている。
【００３１】
以上のような構成であるため、第１電極パッド２３（図４（ａ）を参照。）から外部端子５１に電流が流れる場合には、以下のように電流が流れる（図５を参考。）。
【００３２】
まず配線電極付セラミック層４０−１の第２接続電極４１に入った電流の向きは、矢印で示されるように時計回りに流れる。その電流はスルーホール電極２９を通って第３接続電極３５に流れる。第３接続電極３５に入った電流の向きは矢印に示されるように時計回りに流れる。そして電流は配線電極付セラミック層４０−２の第２接続電極４１を介して実装端子５１へ流れる。第２層の配線電極付セラミック層４０−１の第１配線電極３２の電流の向きと第３層の配線電極付セラミック層４０−２の第１配線電極３２の電流の向きとが同じである。このため、二層の第１配線電極３２同士は、電流が同じ向きになりインダクタンスが強められる。
【００３３】
また、実装端子５２（図４（ｂ）を参照。）から配線電極付セラミック層４０−２に電流が流れてくる場合には、以下のように電流が流れる。
【００３４】
まず配線電極付セラミック層４０−２の第２接続電極４２に入った電流の向きは、矢印で示されるように反時計回りに流れる。その電流は第３接続電極３４からスルーホール電極２８を通って配線電極付セラミック層４０−１の第２配線電極３３に流れる。第２配線電極３３に入った電流の向きは矢印に示されるように反時計回りに流れる。そして電流は配線電極付セラミック層４０−１の第２接続電極４２を介して第２ＡＴカット水晶振動片２０Ａの第２電極パッド２４へ流れる。第２層の配線電極付セラミック層４０−１の第２配線電極３２の電流の向きと第３層の配線電極付セラミック層４０−２の第２配線電極３２の電流の向きとが同じである。このため、二層の第２配線電極３２同士は、電流が同じ向きになりインダクタンスが強められる。
【００３５】
ここで、配線電極付セラミック層４０−１及び４０−２の第１配線電極３２と第２配線電極３３とはＺ’軸方向に隣り合っている。この隣り合った電流の向きも、配線電極付セラミック層４０−１及び４０−２の中央領域では同じ向きになっている。このため、同一層の第２配線電極３３と第１配線電極３２とは電流が同じ向きになりインダクタンスが強められる。
【００３６】
（第３実施形態）
＜第３水晶デバイス１２０の構成＞
図７（ａ）は、リッド５を取り除いた状態の第３実施例の第３水晶デバイス１２０の平面図である。図７（ｂ）は図７（ａ）のＦ−Ｆ’断面図である。説明のため、ベース用セラミック層は分離して描いてある。図８に配線電極付セラミック層６０の斜視図を示す。図９（ａ）は、配線電極付セラミック層６０のＧ−Ｇ’断面図であり、（ｂ）は、配線電極付セラミック層４０のＨ−Ｈ’断面図であり、（ｃ）は、第３層の配線電極付セラミック層４０−２のＪ−Ｊ’断面図である。第２実施形態と同じ構成要件には同じ符号を付して重複する説明を省略する。図７（ａ）及び（ｂ）に示されるように、第２ＡＴカット水晶振動片２０Ａは、第２実施形態と同じである。
【００３７】
パッケージ１０Ｂは、複数枚のセラミックシートを積層して箱状になった状態で焼結される。パッケージ１０Ｂのベース用セラミック層は、第１層の底面用セラミック層５０と、四層からなる配線電極付セラミック層６０（６０−１〜６０−４）と、第６層の底部セラミック層５５との六層からなる。
【００３８】
図７（ｂ）及び図８に示されるように、パッケージ１０Ｂの第２層の配線電極付セラミック層６０−１には、第１配線電極３２、第１接続電極３８及び第２接続電極４１，４２が形成される。第１接続電極３９は形成されない。第２層の配線電極付セラミック層６０−１にはスルーホール電極２９が形成されている。第３層の配線電極付セラミック層６０−２には、第１配線電極３２、第１接続電極３８，３９、第２接続電極４１，４２及び第３接続電極３５が形成される。第２層の配線電極付セラミック層６０−１及び第３層の配線電極付セラミック層６０−２に形成された第１配線電極３２は、外側から中央にかけて時計回りの螺旋状に形成されている。
【００３９】
第４層の配線電極付セラミック層６０−３には、第２配線電極３３、第１接続電極３９、第２接続電極４１，４２及びスルーホール電極２８が形成される。第１接続電極３８は形成されない。第５層の配線電極付セラミック層６０−４には、第２配線電極３３、第１接続電極３８，３９、第２接続電極４１，４２第３接続電極３４が形成される。
【００４０】
より詳しく説明する。図９（ａ）に示されるように、第２層の配線電極付セラミック層６０−１のＧ−Ｇ’断面には、第１配線電極３２と第２接続電極４１とスルーホール電極２９とが形成されている。第３層の配線電極付セラミック層６０−２のＧ−Ｇ’断面には、第１配線電極３２と第２接続電極４１と第１接続電極３９と第３接続電極３５とが形成されている。第２層の配線電極付セラミック層６０−１と第３層の配線電極付セラミック層６０−２とは、積層されることでスルーホール電極２９と第３接続電極３５とが接続される。
【００４１】
図９（ｂ）に示されるように、第４層の配線電極付セラミック層６０−３のＨ−Ｈ’断面には、第２配線電極３３とスルーホール電極２８とが形成されている。第５層の配線電極付セラミック層６０−４のＨ−Ｈ’断面には、第２配線電極３２と第３接続電極３４とが形成されている。第４層の配線電極付セラミック層６０−３と第５層の配線電極付セラミック層６０−４とは、積層されることでスルーホール電極２８と第３接続電極３４とが接続される。
【００４２】
また図９（ｃ）に示されるように、第５層の配線電極付セラミック層６０−４のＪ−Ｊ’断面には、底面と側面に第１接続電極３８が形成され、上面に第２接続電極４２と第２配線電極３２とが形成されている。底面の第１接続電極３８と実装端子５２とは、第５層の配線電極付セラミック層６０−４と第６層の底部セラミック層５５（図７（ｂ）参照）とを積層することで接続されている。
【００４３】
以上のような構成であるため、第１電極パッド２３(図７（ａ）を参照)から外部端子５１に電流が流れる場合には、以下のように電流が流れる（図８を参考。）。
【００４４】
まず配線電極付セラミック層６０−１の第２接続電極４１に入った電流の向きは、矢印で示されるように反時計回りに流れる。その電流はスルーホール電極２９を通って第３接続電極３５に流れる。第３接続電極３５に入った電流の向きは矢印に示されるように反時計回りに流れる。そして電流は配線電極付セラミック層６０−２、６０−３，６０−４の第２接続電極４１を介して実装端子５１へ流れる。第２層の配線電極付セラミック層６０−１の第１配線電極３２の電流の向きと第３層の配線電極付セラミック層６０−２の第１配線電極３２の電流の向きとが同じである。このため、二層の第１配線電極３２同士は、電流が同じ向きになりインダクタンスが強められる。
【００４５】
また、実装端子５２（図７（ｂ）を参照。）から配線電極付セラミック層４０−２に電流が流れてくる場合には、以下のように電流が流れる。
【００４６】
まず配線電極付セラミック層６０−４の第２接続電極４２に入った電流の向きは、矢印で示されるように反時計回りに流れる。その電流は第３接続電極３４からスルーホール電極２８を通って配線電極付セラミック層６０−３の第２配線電極３３に流れる。第２配線電極３３に入った電流の向きは矢印に示されるように反時計回りに流れる。そして電流は配線電極付セラミック層６０−３、６０−２，６０−１の第２接続電極４２を介して第２ＡＴカット水晶振動片２０Ａの第２電極パッド２４へ流れる。第４層の配線電極付セラミック層６０−３の第２配線電極３２の電流の向きと第５層の配線電極付セラミック層６０−４の第２配線電極３２の電流の向きとが同じである。このため、二層の第２配線電極３２同士は、電流が同じ向きになりインダクタンスが強められる。
【００４７】
ここで、交番電流が流れた際に、配線電極付セラミック層６０−１、６０−２，６０−３及び６０−４の第１配線電極３２と第２配線電極３３との電流の向きは、すべて反時計回りになっている。このため、第１配線電極３２と第２配線電極３３とは電流が同じ向きになりインダクタンスが強められる。
【産業上の利用可能性】
【００４８】
以上、本発明の好適実施例について詳細に説明したが、当業者に明らかなように、本発明はその技術的範囲内において上記各実施例に様々な変更・変形を加えて実施することができる。例えば第３実施形態において、配線電極付セラミック層６０（６０−１〜６０−４）が四層である場合を説明したが、配線電極付セラミック層６０−１と６０−２との組み合わせだけでもよい。また配線電極付セラミック層６０−２と６０−３との組み合わせだけでもよい。さらに、実施形態１から実施形態３ではＡＴカット水晶振動片で説明したが、水晶の切断方向は、ＢＴカット、ＳＣカット、ＩＴカットなどの切断方向でもよい。また、水晶デバイスは水晶振動片を発振する発振回路を有するＩＣを備えてもよい。
【符号の説明】
【００４９】
５ リッド
１０ パッケージ
１１ 枠部
１３、１５ 導電性接着剤
１９ 封止材
２０、２０Ａ 第１、第２ＡＴカット水晶振動片
２１，２２ 引出電極
２３，２４ 第１、第２電極パッド
２５，２６ 第１、第２励振電極
２８，２９ スルーホール電極
３２，３３ 第１、第２配線電極
３４，３５ 第３接続電極
３８，３９ 第１接続電極
４０（４０−１，４０−２） 配線電極付セラミック層
４１，４２ 第２接続端子
５０ 底面用セラミック層
５１，５２ 実装端子
５３ 台座用セラミック層
５５ 底部セラミック層
６０（６０−１，６０−２，６０−３，６０−４） 配線電極付セラミック層
【技術分野】
【０００１】
本発明は、水晶振動片を有する水晶デバイスに関し、特に圧電振動片又はセラミックパッケージ内の引出電極にインダクタを形成する電極形状に関する。
【背景技術】
【０００２】
例えばＡＴカットなどの厚みすべり振動の水晶デバイスは、一般に圧電振動片の表裏面に一対の励振電極を正対向して形成し、当該励振電極に交番電圧を印加する構成である。圧電振動片の両主面には励振電極と、励振電極から引き出された引出電極と、引出電極を実装端子（パッケージの外側に形成された端子）と導通するためのパッケージ内部の接続電極とが形成されている。圧電振動片は表裏どちらでもパッケージ内の接続電極に接続できるように、引出電極は表裏面に形成されている。
【０００３】
水晶デバイスの周波数を調整しやすくするために、水晶デバイスが実装されるプリント基板に伸長コイルを水晶デバイスに直列に実装している。周波数可変量を増やす伸長コイルはディスクリート部品のため、プリント基板の実装スペースが少なくなってしまう。また、伸長コイルはインダクタンス値の偏差の幅が大きく周波数偏差のばらつきの要因になっている。このような問題点を解決するため、特許文献１は、圧電振動片の励振電極への引出電極にパターンコイルを設ける技術を開示している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開平９−１６２６８１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、特許文献１は電流の流れによってインダクタンス値が変わることを開示・示唆しておらずまた、圧電振動片の裏面を開示していない。
【０００６】
本発明は、水晶デバイスの周波数を可変する発振器のインダクタンスを水晶デバイスの内部に形成し、且つ効率的な周波数調整を行うことができる水晶デバイスを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
第１観点の水晶デバイスは、表裏面にそれぞれ第１励振電極及び第２励振電極を有する板状の水晶板と、実装面に第１実装端子及び第２実装端子を有し、水晶板を収納するパッケージと、第１励振電極から第１実装端子までを配線する第１配線電極と、第２励振電極から第２実装端子までを配線する第２配線電極と、を備える。そして、第１配線電極と第２配線電極とが交番電流が印加された際に同じ電流向きになるように螺旋状に形成されている。
【０００８】
第２観点の水晶デバイスは、第１配線電極と第２配線電極とが水晶版の表裏面にそれぞれ形成されている。
さらに別の観点では、第１配線電極と第２配線電極とがパッケージに形成されている。そしてパッケージは複数層からなり、複数層の各層に第１配線電極と第２配線電極とがともに形成されている。また別の観点では、パッケージは複数層からなり、複数層の一層に第１配線電極又は第２配線電極の一方が形成されている。
【発明の効果】
【０００９】
本発明の水晶デバイスによれば、インダクタンスの高い配線をデバイス内に設けることができる。このため周波数可変量が大きくなり、周波数を容易に調整することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】（ａ）は、リッド５を取り除いた状態の第１水晶デバイス１００の平面図である。 （ｂ）は、図１（ａ）のＡ−Ａ’断面図である。
【図２】（ａ）は、ＡＴカット水晶振動片２０の第１主面の平面図である。 （ｂ）は、ＡＴカット水晶振動片２０の第２主面の平面図である。
【図３】インダクタンスの違いによる生じる周波数可変量を示す図である。
【図４】（ａ）は、リッド５を取り除いた状態の第２水晶デバイス１１０の平面図である。 （ｂ）は、図３（ａ）のＢ−Ｂ’断面図である。
【図５】配線電極付セラミック層４０の斜視図である。
【図６】（ａ）は、配線電極付セラミック層４０のＣ−Ｃ’断面図である。（ｂ）は、配線電極付セラミック層４０のＤ−Ｄ’断面図である。（ｃ）は、配線電極付セラミック層４０−２のＥ−Ｅ’断面図である。
【図７】（ａ）は、リッド５を取り除いた状態の第３水晶デバイス１２０の平面図である。 （ｂ）は、図７（ａ）のＦ−Ｆ’断面図である。
【図８】配線電極付セラミック層６０の斜視図である。
【図９】（ａ）は、配線電極付セラミック層６０のＧ−Ｇ’断面図である。 （ｂ）は、配線電極付セラミック層６０のＨ−Ｈ’断面図である。 （ｃ）は、配線電極付セラミック層６０のＪ−Ｊ’断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
以下、本発明の好適な実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。なお、本発明の範囲は以下の説明において特に本発明を限定する旨の記載がない限り、これらの形態に限られるものではない。
【００１２】
（第１実施形態）
＜第１水晶デバイス１００の構成＞
図１（ａ）は、リッド５を取り除いた状態の第１実施例の第１水晶デバイス１００の平面図であり、図１（ｂ）は図１（ａ）のＡ−Ａ’断面図である。図２は、ＡＴカット水晶振動片２０の拡大平面図である。 図２（ａ）は、第１主面（上側）からみたＡＴカット水晶振動片２０の第１主面の平面図であり、図２（ｂ）は、第２主面（下側）からみたＡＴカット水晶振動片２０の第２主面の平面図である。
【００１３】
図１（ａ）及び（ｂ）に示されるように、第１水晶デバイス１００は、第１ＡＴカット水晶振動片２０と、セラミックパッケージ１０と、気密封止するガラスから成るリッド５とで構成されている。第１水晶デバイス１００は、セラミックパッケージ１０とリッド５とで形成された空間に、ＡＴカット水晶振動片２０を装着している。
【００１４】
ＡＴカットは、結晶軸（Ｘ、Ｙ、Ｚ）のＹ軸に対して、主軸（Ｙ、Ｚ）がＸ軸を中心としてＺ軸からＹ軸方向に３５度１５分傾斜した切断角度である。以降、ＡＴカット水晶振動片２０の軸方向を表す際には通常、傾斜した新たの軸をＹ’軸及びＺ’軸とし、これらを用いる。
【００１５】
パッケージ１０は例えばセラミックからなり、複数枚のセラミックシートを積層して箱状になった状態で焼結される。パッケージ１０の底面用セラミック層５０には台座用セラミック層５３が形成され、第１接続電極３８，３９及び第２接続電極４１，４２が形成され、パッケージ１０の外側底部には実装端子５１、５２が形成される。第１接続電極３８と実装端子５１とが導通し，第１接続電極３９と実装端子５２とは導通している。このようなパッケージ１０を使用することにより、第１水晶デバイス１００は表面実装（ＳＭＤ：Ｓｕｒｆａｃｅ Ｍｏｕｎｔ Ｄｅｖｉｃｅ）できるタイプとなる。パッケージ１０の大きさは、Ｘ方向の長さが２．０ｍｍ〜１．６ｍｍ程度、Ｚ’方向の長さが１．６ｍｍ〜１．２ｍｍ程度である。このパッケージ１０に第１ＡＴカット水晶振動片２０が配置される。
【００１６】
図１（ａ）及び（ｂ）に示されるように、第１ＡＴカット水晶振動片２０の第１主面には、第１電極パッド２３、第１励振電極２５及び第１配線電極３２が形成される。第１ＡＴカット水晶振動片２０の第２主面には、第２電極パッド２４、第２励振電極２６及び第２配線電極３３が形成される。第２主面は第１主面の反対側であるため、図１（ａ）では第２電極パッド２４、第２励振電極２６及び第２配線電極３３が点線で描かれている。
【００１７】
ＡＴカット水晶振動片２０は、その第１主面及び第２主面が底面用セラミック層５０に対して水平になるように、台座用セラミック層５３に配置される。台座用セラミック層５３の上面の一部には、ＡＴカット水晶振動片２０の第１電極パッド２３及び第２電極パッド２４と導通する第２接続電極４１及び４２が形成されている。の第１電極パッド２３及び第２電極パッド２４と第２接続電極４１及び４２とは導電性接着剤１５で接着される。枠部セラミック層１１の上端には封止材１９が形成され、枠部セラミック層１１とリッド５とが封止材１９を介して接合される。
【００１８】
さて、図１（ａ）に示されるように、ＡＴカット水晶振動片２０の第１配線電極３２及び第２配線電極３３は、螺旋状に形成されている。第２主面に形成された第２電極パッド２４、第２励振電極２６及び第２配線電極３３を点線で示している。また説明のため、第１配線電極３２及び第２配線電極３３の電流の向きが矢印で示されている。第１励振電極２５は第１配線電極３２及び第１電極パッド２３を介して第２接続電極４１に接続しており、第２励振電極２６も第２主面側に形成された第２配線電極３３及び第２電極パッド２４を介して第２接続電極４２に接続している。これらに交番電流（交互に入れ替わる正負の電流）が加えられるとＡＴカット水晶振動片２０は所定の周波数で振動する。
【００１９】
図１（ａ）及び図２（ａ）に示されるように、第１主面の第１電極パッド２３から第１配線電極３２に電流が流れてくる場合（第１電極パッド２３が正）には、以下のように電流が流れる。まず第１配線電極３２に入った電流の向きは、矢印で示されるように反時計回りに流れる。同じタイミングには交番電流は第２主面の第２励振電極２６から第２配線電極３３に電流が流れてくる（第２電極パッド２４が負）。このため、図１（ａ）に示されるように、第２主面の第２配線電極３３に流れる電流の向きは矢印で示されるように反時計回りに流れる。なお、図２（ｂ）は第２主面側からの図であるため、第２配線電極３３に流れる電流の向きは矢印で示されるように時計回りに流れている。
【００２０】
図１（ａ）及ぶ図２に示されるように、第１ＡＴカット水晶振動片２０の第１配線電極３２の電流の向きと第２配線電極３３の電流の向きとが同じ方向に向いている。このため、第１ＡＴカット水晶振動片２０の第１主面の第１配線電極３２と第２主面の第２配線電極３３とは、電流が同じ向きになりインダクタンスが強められる。
【００２１】
＜電流の流れ方向によるインダクタンスの違い＞
図３は、インダクタンスの違いによる生じる周波数可変量を示す図である。縦軸に周波数変化量Δｆ（ｐｐｍ）を示し、横軸に電圧Ｖｃ（Ｖ）を示す。第１配線電極３２及び第２配線電極３３に流れる電流の向きが異なる場合の計算結果を点線で示し、第１配線電極３２及び第２配線電極３３に流れる電流の向きが同じである場合の計算結果を実線で示した。第１配線電極３２及び第２配線電極３３に流れる電流の向きが同じ場合と異なる場合とでは、インダクタンスが約３倍違う。このため、図３に示す通り、電流の向きが同じである場合、その周波数変化量Δｆ（ｐｐｍ）は、電流の向きが異なる場合の周波数変化量Δｆと比べて例えば約２．５倍に増加する。
【００２２】
（第２実施形態）
＜第２水晶デバイス１１０の構成＞
図４（ａ）は、リッド５を取り除いた状態の第２実施例の第２水晶デバイス１１０の平面図である。図４（ｂ）は図４（ａ）のＢ−Ｂ’断面図である。説明のため、ベース用セラミック層は分離して描いてある。図５に配線電極付セラミック層４０の斜視図を示す図６（ａ）は、配線電極付セラミック層４０のＣ−Ｃ’断面図であり、（ｂ）は、配線電極付セラミック層４０のＤ−Ｄ’断面図であり、（ｃ）は、第３層の配線電極付セラミック層４０−２のＥ−Ｅ’断面図である。第１実施形態と同じ構成要件には同じ符号を付して重複する説明を省略する。
【００２３】
図４（ａ）及び（ｂ）に示されるように、第２水晶デバイス１１０は、第２ＡＴカット水晶振動片２０Ａと、セラミックパッケージ１０と、気密封止するためのリッド５とで構成されている。第２水晶デバイス１１０は、セラミックパッケージ１０とリッド５とで形成された空間に、ＡＴカット水晶振動片２０Ａが装着されている。第２ＡＴカット水晶振動片２０Ａは、第１主面に第１電極パッド２３と引出電極２１及び第１励振電極２５を形成している。第２主面に第２電極パッド２４と引出電極２２及び第２励振電極２６を形成している。第２主面の第２電極パッド２４、引出電極２２及び第２励振電極２６は点線で示している。第１励振電極２５は引出電極２１及び第１電極パッド２３を介して第２接続電極４１に接続している。第２励振電極２６も第２主面側に形成された引出電極２２及び第２電極パッド２４を介して第２接続電極４２に接続している。
【００２４】
パッケージ１０Ａは、複数枚のセラミックシートを積層して箱状になった状態で焼結される。パッケージ１０Ａのベース用セラミック層は、第１層の底面用セラミック層５０と、二層からなる配線電極付セラミック層４０（４０−１〜４０−２）と、第４層の底部セラミック層５５との四層からなる。
【００２５】
第１層の底面用セラミック層５０には台座用セラミック層５３が形成される。また台座用セラミック層５３に、第２接続電極４１及び４２が形成される。第２層の配線電極付セラミック層４０−１には第１配線電極３２、第２配線電極３３及び第２接続電極４１，４２（図４（ｂ）、図５参照）が形成される。第１接続電極３８，３９は形成されない。第３層の配線電極付セラミック層４０−２には第１配線電極３２、第２配線電極３３及び第１接続電極３８，３９及び第２接続電極４１，４２（図４（ｂ）、図５参照）が形成される。パッケージ１０Ａの第４層の底部セラミック層５５には実装端子５１、５２が形成される。第１接続電極３８，３９と実装端子５１，５２とは導通している。
【００２６】
図５は、配線電極付セラミック層４０の斜視図である。第２層の配線電極付セラミック層４０−１には−Ｚ’軸側に第１配線電極３２が形成され、＋Ｚ’軸側に第２配線電極３３が形成されている。第２層の第１配線電極３２及び第２配線電極３３は、＋Ｙ’軸方向から−Ｙ’軸方向に見ると、外側から中央に時計回りに螺旋状に形成されている。第１配線電極３２及び第２配線電極３３の先端は、配線電極付セラミック層４０−１の左右半分の領域の中央に存在し、そこに金属膜のスルーホール電極２８，２９が形成されている。
【００２７】
第３層の配線電極付セラミック層４０−２にも−Ｚ’軸側に第１配線電極３２が形成され、＋Ｚ’軸側に第２配線電極３３が形成されている。第３層の第１配線電極３２及び第２配線電極３３は、＋Ｙ’軸方向から−Ｙ’軸方向に見ると、外側から中央に反時計回りに螺旋状に形成されている。第１配線電極３２及び第２配線電極３３の先端は、配線電極付セラミック層４０−１の左右半分の領域の中央に存在し、そこに金属膜の第３接続電極３４、３５が形成されている。スルーホール電極２８，２９と第３接続電極３４、３５とはそれぞれ導通されている。
【００２８】
より詳しく説明する。図６（ａ）に示されるように、第２層の配線電極付セラミック層４０−１のＣ−Ｃ’断面には、第１配線電極３２と第２接続電極４１とスルーホール電極２９とが形成されている。スルーホール電極２９は、配線電極付セラミック層４０−１の表裏面を貫通し金属膜で覆われている。第３層の配線電極付セラミック層４０−２のＣ−Ｃ’断面には、第１配線電極３２と第２接続電極４１と第１接続電極３９と第３接続電極３５とが形成されている。第２層の配線電極付セラミック層４０−１と第３層の配線電極付セラミック層４０−２とは、積層されることでスルーホール電極２９と第３接続電極３５とが接続される。
【００２９】
また、図６（ｂ）に示されるように、第２層の配線電極付セラミック層４０−１のＤ−Ｄ’断面には、第２配線電極３３とスルーホール電極２８とが形成されている。スルーホール電極２８は、配線電極付セラミック層４０−１の表裏面を貫通し金属膜で覆われている。第３層の配線電極付セラミック層４０−２のＤ−Ｄ’断面には、第２配線電極３２と第３接続電極３４とが形成されている。第２層の配線電極付セラミック層４０−１と第３層の配線電極付セラミック層４０−２とは、積層されることでスルーホール電極２８と第３接続電極３４とが接続されている。
【００３０】
さらに、図６（ｃ）に示されるように、第３層の配線電極付セラミック層４０−２のＥ−Ｅ’断面には、底面と側面に第１接続電極３８が形成され、第２接続電極４２と第２配線電極３２とが形成されている。底面の第１接続電極３８と実装端子５２とは、第３層の配線電極付セラミック層４０−２と第４層の底部セラミック層５５（図４（ｂ）参照）とを積層することで接続されている。
【００３１】
以上のような構成であるため、第１電極パッド２３（図４（ａ）を参照。）から外部端子５１に電流が流れる場合には、以下のように電流が流れる（図５を参考。）。
【００３２】
まず配線電極付セラミック層４０−１の第２接続電極４１に入った電流の向きは、矢印で示されるように時計回りに流れる。その電流はスルーホール電極２９を通って第３接続電極３５に流れる。第３接続電極３５に入った電流の向きは矢印に示されるように時計回りに流れる。そして電流は配線電極付セラミック層４０−２の第２接続電極４１を介して実装端子５１へ流れる。第２層の配線電極付セラミック層４０−１の第１配線電極３２の電流の向きと第３層の配線電極付セラミック層４０−２の第１配線電極３２の電流の向きとが同じである。このため、二層の第１配線電極３２同士は、電流が同じ向きになりインダクタンスが強められる。
【００３３】
また、実装端子５２（図４（ｂ）を参照。）から配線電極付セラミック層４０−２に電流が流れてくる場合には、以下のように電流が流れる。
【００３４】
まず配線電極付セラミック層４０−２の第２接続電極４２に入った電流の向きは、矢印で示されるように反時計回りに流れる。その電流は第３接続電極３４からスルーホール電極２８を通って配線電極付セラミック層４０−１の第２配線電極３３に流れる。第２配線電極３３に入った電流の向きは矢印に示されるように反時計回りに流れる。そして電流は配線電極付セラミック層４０−１の第２接続電極４２を介して第２ＡＴカット水晶振動片２０Ａの第２電極パッド２４へ流れる。第２層の配線電極付セラミック層４０−１の第２配線電極３２の電流の向きと第３層の配線電極付セラミック層４０−２の第２配線電極３２の電流の向きとが同じである。このため、二層の第２配線電極３２同士は、電流が同じ向きになりインダクタンスが強められる。
【００３５】
ここで、配線電極付セラミック層４０−１及び４０−２の第１配線電極３２と第２配線電極３３とはＺ’軸方向に隣り合っている。この隣り合った電流の向きも、配線電極付セラミック層４０−１及び４０−２の中央領域では同じ向きになっている。このため、同一層の第２配線電極３３と第１配線電極３２とは電流が同じ向きになりインダクタンスが強められる。
【００３６】
（第３実施形態）
＜第３水晶デバイス１２０の構成＞
図７（ａ）は、リッド５を取り除いた状態の第３実施例の第３水晶デバイス１２０の平面図である。図７（ｂ）は図７（ａ）のＦ−Ｆ’断面図である。説明のため、ベース用セラミック層は分離して描いてある。図８に配線電極付セラミック層６０の斜視図を示す。図９（ａ）は、配線電極付セラミック層６０のＧ−Ｇ’断面図であり、（ｂ）は、配線電極付セラミック層４０のＨ−Ｈ’断面図であり、（ｃ）は、第３層の配線電極付セラミック層４０−２のＪ−Ｊ’断面図である。第２実施形態と同じ構成要件には同じ符号を付して重複する説明を省略する。図７（ａ）及び（ｂ）に示されるように、第２ＡＴカット水晶振動片２０Ａは、第２実施形態と同じである。
【００３７】
パッケージ１０Ｂは、複数枚のセラミックシートを積層して箱状になった状態で焼結される。パッケージ１０Ｂのベース用セラミック層は、第１層の底面用セラミック層５０と、四層からなる配線電極付セラミック層６０（６０−１〜６０−４）と、第６層の底部セラミック層５５との六層からなる。
【００３８】
図７（ｂ）及び図８に示されるように、パッケージ１０Ｂの第２層の配線電極付セラミック層６０−１には、第１配線電極３２、第１接続電極３８及び第２接続電極４１，４２が形成される。第１接続電極３９は形成されない。第２層の配線電極付セラミック層６０−１にはスルーホール電極２９が形成されている。第３層の配線電極付セラミック層６０−２には、第１配線電極３２、第１接続電極３８，３９、第２接続電極４１，４２及び第３接続電極３５が形成される。第２層の配線電極付セラミック層６０−１及び第３層の配線電極付セラミック層６０−２に形成された第１配線電極３２は、外側から中央にかけて時計回りの螺旋状に形成されている。
【００３９】
第４層の配線電極付セラミック層６０−３には、第２配線電極３３、第１接続電極３９、第２接続電極４１，４２及びスルーホール電極２８が形成される。第１接続電極３８は形成されない。第５層の配線電極付セラミック層６０−４には、第２配線電極３３、第１接続電極３８，３９、第２接続電極４１，４２第３接続電極３４が形成される。
【００４０】
より詳しく説明する。図９（ａ）に示されるように、第２層の配線電極付セラミック層６０−１のＧ−Ｇ’断面には、第１配線電極３２と第２接続電極４１とスルーホール電極２９とが形成されている。第３層の配線電極付セラミック層６０−２のＧ−Ｇ’断面には、第１配線電極３２と第２接続電極４１と第１接続電極３９と第３接続電極３５とが形成されている。第２層の配線電極付セラミック層６０−１と第３層の配線電極付セラミック層６０−２とは、積層されることでスルーホール電極２９と第３接続電極３５とが接続される。
【００４１】
図９（ｂ）に示されるように、第４層の配線電極付セラミック層６０−３のＨ−Ｈ’断面には、第２配線電極３３とスルーホール電極２８とが形成されている。第５層の配線電極付セラミック層６０−４のＨ−Ｈ’断面には、第２配線電極３２と第３接続電極３４とが形成されている。第４層の配線電極付セラミック層６０−３と第５層の配線電極付セラミック層６０−４とは、積層されることでスルーホール電極２８と第３接続電極３４とが接続される。
【００４２】
また図９（ｃ）に示されるように、第５層の配線電極付セラミック層６０−４のＪ−Ｊ’断面には、底面と側面に第１接続電極３８が形成され、上面に第２接続電極４２と第２配線電極３２とが形成されている。底面の第１接続電極３８と実装端子５２とは、第５層の配線電極付セラミック層６０−４と第６層の底部セラミック層５５（図７（ｂ）参照）とを積層することで接続されている。
【００４３】
以上のような構成であるため、第１電極パッド２３(図７（ａ）を参照)から外部端子５１に電流が流れる場合には、以下のように電流が流れる（図８を参考。）。
【００４４】
まず配線電極付セラミック層６０−１の第２接続電極４１に入った電流の向きは、矢印で示されるように反時計回りに流れる。その電流はスルーホール電極２９を通って第３接続電極３５に流れる。第３接続電極３５に入った電流の向きは矢印に示されるように反時計回りに流れる。そして電流は配線電極付セラミック層６０−２、６０−３，６０−４の第２接続電極４１を介して実装端子５１へ流れる。第２層の配線電極付セラミック層６０−１の第１配線電極３２の電流の向きと第３層の配線電極付セラミック層６０−２の第１配線電極３２の電流の向きとが同じである。このため、二層の第１配線電極３２同士は、電流が同じ向きになりインダクタンスが強められる。
【００４５】
また、実装端子５２（図７（ｂ）を参照。）から配線電極付セラミック層４０−２に電流が流れてくる場合には、以下のように電流が流れる。
【００４６】
まず配線電極付セラミック層６０−４の第２接続電極４２に入った電流の向きは、矢印で示されるように反時計回りに流れる。その電流は第３接続電極３４からスルーホール電極２８を通って配線電極付セラミック層６０−３の第２配線電極３３に流れる。第２配線電極３３に入った電流の向きは矢印に示されるように反時計回りに流れる。そして電流は配線電極付セラミック層６０−３、６０−２，６０−１の第２接続電極４２を介して第２ＡＴカット水晶振動片２０Ａの第２電極パッド２４へ流れる。第４層の配線電極付セラミック層６０−３の第２配線電極３２の電流の向きと第５層の配線電極付セラミック層６０−４の第２配線電極３２の電流の向きとが同じである。このため、二層の第２配線電極３２同士は、電流が同じ向きになりインダクタンスが強められる。
【００４７】
ここで、交番電流が流れた際に、配線電極付セラミック層６０−１、６０−２，６０−３及び６０−４の第１配線電極３２と第２配線電極３３との電流の向きは、すべて反時計回りになっている。このため、第１配線電極３２と第２配線電極３３とは電流が同じ向きになりインダクタンスが強められる。
【産業上の利用可能性】
【００４８】
以上、本発明の好適実施例について詳細に説明したが、当業者に明らかなように、本発明はその技術的範囲内において上記各実施例に様々な変更・変形を加えて実施することができる。例えば第３実施形態において、配線電極付セラミック層６０（６０−１〜６０−４）が四層である場合を説明したが、配線電極付セラミック層６０−１と６０−２との組み合わせだけでもよい。また配線電極付セラミック層６０−２と６０−３との組み合わせだけでもよい。さらに、実施形態１から実施形態３ではＡＴカット水晶振動片で説明したが、水晶の切断方向は、ＢＴカット、ＳＣカット、ＩＴカットなどの切断方向でもよい。また、水晶デバイスは水晶振動片を発振する発振回路を有するＩＣを備えてもよい。
【符号の説明】
【００４９】
５ リッド
１０ パッケージ
１１ 枠部
１３、１５ 導電性接着剤
１９ 封止材
２０、２０Ａ 第１、第２ＡＴカット水晶振動片
２１，２２ 引出電極
２３，２４ 第１、第２電極パッド
２５，２６ 第１、第２励振電極
２８，２９ スルーホール電極
３２，３３ 第１、第２配線電極
３４，３５ 第３接続電極
３８，３９ 第１接続電極
４０（４０−１，４０−２） 配線電極付セラミック層
４１，４２ 第２接続端子
５０ 底面用セラミック層
５１，５２ 実装端子
５３ 台座用セラミック層
５５ 底部セラミック層
６０（６０−１，６０−２，６０−３，６０−４） 配線電極付セラミック層
【特許請求の範囲】
【請求項１】
表裏面にそれぞれ第１励振電極及び第２励振電極を有する板状の水晶板と、
実装面に第１実装端子及び第２実装端子を有し、前記水晶板を収納するパッケージと、
前記第１励振電極から前記第１実装端子までを配線する第１配線電極と、
前記第２励振電極から前記第２実装端子までを配線する第２配線電極と、を備え、
前記第１配線電極と第２配線電極とが交番電流が印加された際に同じ電流向きになるように螺旋状に形成されている水晶デバイス。
【請求項２】
前記第１配線電極と第２配線電極とが前記水晶版の表裏面にそれぞれ形成されている請求項１に記載の水晶デバイス。
【請求項３】
前記第１配線電極と第２配線電極とが前記パッケージに形成されている請求項１に記載の水晶デバイス。
【請求項４】
前記パッケージは複数層からなり、前記複数層の各層に前記第１配線電極と前記第２配線電極とがともに形成されている請求項３に記載の水晶デバイス。
【請求項５】
前記パッケージは複数層からなり、前記複数層の一層に前記第１配線電極又は前記第２配線電極の一方が形成されている請求項３に記載の水晶デバイス。
【請求項１】
表裏面にそれぞれ第１励振電極及び第２励振電極を有する板状の水晶板と、
実装面に第１実装端子及び第２実装端子を有し、前記水晶板を収納するパッケージと、
前記第１励振電極から前記第１実装端子までを配線する第１配線電極と、
前記第２励振電極から前記第２実装端子までを配線する第２配線電極と、を備え、
前記第１配線電極と第２配線電極とが交番電流が印加された際に同じ電流向きになるように螺旋状に形成されている水晶デバイス。
【請求項２】
前記第１配線電極と第２配線電極とが前記水晶版の表裏面にそれぞれ形成されている請求項１に記載の水晶デバイス。
【請求項３】
前記第１配線電極と第２配線電極とが前記パッケージに形成されている請求項１に記載の水晶デバイス。
【請求項４】
前記パッケージは複数層からなり、前記複数層の各層に前記第１配線電極と前記第２配線電極とがともに形成されている請求項３に記載の水晶デバイス。
【請求項５】
前記パッケージは複数層からなり、前記複数層の一層に前記第１配線電極又は前記第２配線電極の一方が形成されている請求項３に記載の水晶デバイス。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【公開番号】特開２０１２−１９１５６０（Ｐ２０１２−１９１５６０Ａ）
【公開日】平成２４年１０月４日（２０１２．１０．４）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１１−５５３４６（Ｐ２０１１−５５３４６）
【出願日】平成２３年３月１４日（２０１１．３．１４）
【出願人】（０００２３２４８３）日本電波工業株式会社 (1,148)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２４年１０月４日（２０１２．１０．４）
【国際特許分類】
【出願日】平成２３年３月１４日（２０１１．３．１４）
【出願人】（０００２３２４８３）日本電波工業株式会社 (1,148)
【Ｆターム（参考）】
[ Back to top ]