表面検査方法および装置
【課題】 表面の荒れ等による差分出力のオフセットの影響を排除して正確な欠陥検査が行えるような表面検査方法を得る。
【解決手段】 表面検査方法が、撮像装置を被検物に対して相対移動させながら被検物の表面を撮像するステップと、被検物の表面の撮像画像から、被検物の表面を相対移動方向に沿って複数の分割して得られた複数の領域毎において所定の検査項目に対応する検査信号値を抽出するステップと、相対移動方向における検査信号値の移動平均値を複数の領域毎について算出するステップと、複数の領域毎について検査信号値から移動平均値を減じて補正検査信号値を求めるステップと、補正検査信号値に基づいて所定の検査項目についての検査を行うステップとから構成される。
【解決手段】 表面検査方法が、撮像装置を被検物に対して相対移動させながら被検物の表面を撮像するステップと、被検物の表面の撮像画像から、被検物の表面を相対移動方向に沿って複数の分割して得られた複数の領域毎において所定の検査項目に対応する検査信号値を抽出するステップと、相対移動方向における検査信号値の移動平均値を複数の領域毎について算出するステップと、複数の領域毎について検査信号値から移動平均値を減じて補正検査信号値を求めるステップと、補正検査信号値に基づいて所定の検査項目についての検査を行うステップとから構成される。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体ウェハや液晶ガラス基板等の被検物の表面欠陥の有無を検査するための表面検査方法および装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、半導体ウェハに形成される回路素子パターンの集積度が高くなるとともに、半導体製造工程でウェハの表面処理に用いられる薄膜の種類が増加している。これに伴い、薄膜の境界部分が露出するウェハの端部付近の欠陥検査が重要となってきている。これは、ウェハの端部付近に異物等の欠陥があると、後の工程で異物等がウェハの表面側に回り込んで悪影響を及ぼし、ウェハから作り出される回路素子の歩留まりに影響するからである。
【０００３】
そこで、半導体ウェハ等の円盤状に形成された被検物の端面周辺（例えば、アペックスや上下のベベル）を複数の方向から観察して、異物や膜の剥離、膜内の気泡、膜の回り込み等といった欠陥の有無を検査する検査装置が考案されている（例えば、特許文献１を参照）。このような検査装置には、レーザ光等の照射により生じる散乱光を利用して異物等を検出する構成のものや、ラインセンサにより被検物の画像を帯状に形成して異物等を検出する構成のもの等がある。
【特許文献１】特開２００４−３２５３８９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
また、画像取得装置により被検物の端面周辺の画像を部分的に１枚ずつ取得して、複数の画像データにおける信号値に基づいて異物等を検出する構成のものもある。例えば、ウエハの端部表面に照明光を照射して、この照明光の正反射光を撮像して表面欠陥を検出する検査装置があり、この検査装置においては、ある画像領域と隣接する領域とのピクセル単位での比較により、ピクセル毎の輝度差の強度に基づいて欠陥検査を行うように構成されている。
【０００５】
この検査装置において、ウエハ表面に欠陥とみなされる傷等が無くても、ウエハの端部領域全周にわたり存在するような表面の荒れが差分信号として検出され、これが検出信号のオフセット成分となり、欠陥検出が不正確となるという問題がある。特に、ウエハ表面の加工粗さ等の表面状態はウエハ全面において均一ではないため、表面の荒れに基づく画像差分検出のオフセット信号自体が変動し、この変動の影響を受けて欠陥として検出されるべき傷等による差分信号の検出が不正確になるという問題がある。
【０００６】
本発明は、このような問題に鑑みてなされたものであり、表面の荒れ等による差分出力のオフセットの影響を排除して正確な欠陥検査が行えるような表面検査方法および装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
このような目的達成のため、本発明に係る表面検査方法は、被検物の表面を撮像可能な撮像装置を前記被検物に対して相対移動させながら前記被検物の表面を撮像するステップと、前記被検物の表面の撮像画像から、前記被検物の表面を前記相対移動方向に沿って複数に分割して得られた複数の領域毎において所定の検査項目に対応する検査信号値を抽出するステップと、前記相対移動方向における前記検査信号値の移動平均値を前記複数の領域毎について算出するステップと、前記複数の領域毎について前記検査信号値から前記移動平均値を減じて補正検査信号値を求めるステップと、前記補正検査信号値に基づいて前記所定の検査項目についての検査を行うステップとから構成される。
【０００８】
この表面検査方法において、好ましくは、前記移動平均値の算出が、前記複数の領域のそれぞれにおいて対応領域を含む前後の所定数の領域における前記検査信号値の平均値を前記対応領域の移動平均値として算出される。
【０００９】
また、上記表面検査方法において、好ましくは、前記被検物が円盤状の半導体ウエハであり、前記半導体ウエハを回転させながらその外周端部を前記撮像装置により撮像する。
【００１０】
一方、本願発明に係る表面検査装置は、被検物を保持する保持装置と、前記保持装置により保持された前記被検物の表面を撮像可能な撮像装置と、前記保持装置に保持された前記被検物を前記撮像装置に対して相対移動させる相対移動装置と、前記撮像装置による撮像制御および前記相対移動装置による前記被検物の相対移動制御とを行う制御装置と、前記撮像装置により撮像された前記被検物の表面の撮像画像から表面欠陥の検査を行う検査処理装置とを備えて構成され、前記制御装置は、前記相対移動装置により前記被検物を前記撮像装置に対して相対移動させながら前記撮像装置により前記被検物の表面を複数の分割領域に分割して撮像させ、前記検査処理装置は、前記撮像装置により撮像された複数の分割領域毎の画像において所定の検査項目に対応する検査信号値を抽出し、前記検査信号値の移動平均値を前記複数の分割領域毎について算出し、前記複数の領域毎について前記検査信号値から前記移動平均値を減じて補正検査信号値を求め、前記補正検査信号値に基づいて前記所定の検査項目についての検査を行うように構成されている。
【００１１】
上記表面検査装置において、好ましくは、前記被検物が円盤状の半導体ウエハであり、前記相対移動装置は前記保持装置により保持された半導体ウエハを回転させて前記撮像装置に対して相対移動させるように構成される。
【発明の効果】
【００１２】
本発明によれば、移動平均値を用いて検査信号値を補正するので、正確な表面欠陥の検出が可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
以下、本発明の好ましい実施形態について説明する。本発明に係る表面検査装置の一例を図１に示しており、この検査装置１は、半導体ウェハ１０（以下、ウェハ１０と称する）を被検物としてその端部および端部近傍における表面欠陥（傷、異物の付着等）の有無を検査するためのものである。
【００１４】
ウェハ１０は薄い円盤状に形成されており、その表面には、ウェハ１０から取り出される複数の半導体チップ（チップ領域）に対応した回路パターン（図示せず）を形成するために、絶縁膜、電極配線膜、半導体膜等の薄膜（図示せず）が多層にわたって形成される。このようにウェハ１０の表面（上面）に回路パターンが形成される部分の外周縁部、すなわち、図２に示すリング状の領域である上ベベル部１１およびそれより外周部には回路パターンが形成されずに基板が露出する。また、ウェハ１０の裏面（下面）における外周端部内側には、下ベベル部１２がウェハ１０を基準に上ベベル部１１と表裏対称に形成される。そして、上ベベル部１１と下ベベル部１２とに繋がるウェハ端面がアペックス部１３と称される。
【００１５】
検査装置１は、ウェハ１０を支持して回転させるウェハ支持部２０と、ウエハ支持部２０により支持されたウェハ１０の外周端部および外周端部近傍を撮像する撮像部３０と、撮像部３０で撮像されたウェハ１０の画像信号に基づいて画像データを得る画像処理部４０と、ウェハ支持部２０によるウエハ１０の回転駆動制御や撮像部３０による撮像制御を行う制御部５０と、画像表示および外部入力等が可能なパーソナルコンピュータを用いたインターフェース部６０と、欠陥検査処理を行う検査処理部７０とを有して構成される。
【００１６】
ウェハ支持部２０は、基台２１と、基台２１から上方へ垂直に延びて設けられた回転軸２２と、回転軸２２の上端部に略水平に取り付けられて上面側においてウェハ１０を同軸上に位置させて支持するウェハホルダ２３とを有して構成される。ウェハホルダ２３の内部には真空吸着機構（図示せず）が設けられており、真空吸着機構による真空吸着を利用してウェハホルダ２３上にウェハ１０が回転軸と同軸に位置して吸着保持される。
【００１７】
基台２１の内部には、回転軸２２を回転駆動させる回転駆動機構（図示せず）が設けられており、回転駆動機構により回転軸２２を回転させることで、回転軸２２に取り付けられたウェハホルダ２３とともに、ウェハホルダ２３上に吸着保持されたウェハ１０がウェハ１０の中心（回転対称軸Ｏ）を回転軸として回転駆動される。なお、ウェハホルダ２３はウェハ１０より径の小さい略円盤状に形成されており、ウェハホルダ２３上にウェハ１０が吸着保持された状態で、上ベベル部１１、下ベベル部１２、およびアペックス部１３を含むウェハ１０の外周端部近傍がウェハホルダ２３からはみ出るようになっている。
【００１８】
撮像部３０は、いわゆる二次元カメラであり、図示しない対物レンズおよび落射照明を備えた鏡筒部３１と、図示しないイメージセンサが内蔵されたカメラ本体３２とを主体に構成されており、落射照明による照明光が対物レンズを介してウェハ１０を照明するとともに、ウェハ１０からの反射光が対物レンズを介してイメージセンサに導かれ、イメージセンサでウェハ１０の外周部の像が撮像される。なお、この実施形態においては、ウエハ１０の端部表面の傷、異物の付着等を検査するものであり、カメラは照明光の正反射を受ける位置に設けられて、ウエハ１０の端部表面の像を撮像するように構成されている。
【００１９】
撮像部３０は、ウェハ１０のアペックス部１３と対向するように配置され、ウェハ１０の回転軸（回転対称軸Ｏ）と直交する方向からアペックス部１３を部分的に撮像するようになっている。これにより、ウェハ支持部２０に支持されたウェハ１０を回転させると、撮像部３０の撮像領域に対して、ウェハ１０の外周端部、すなわちアペックス部１３がウェハ１０の周方向へ相対回転するため、アペックス部１３と対向するように配置された撮像部３０は、アペックス部１３を周方向（すなわち相対回転方向）へ連続的に撮像することができ、ウェハ１０の全周にわたってアペックス部１３を撮像することが可能になる。このようにして撮像部３０で撮像された画像信号は、画像処理部４０へ出力されて、ここで画像処理が行われ、各位置毎におけるアペックス部１３の画像データが得られる。
【００２０】
なお、図２に示すように、撮像部３０を上ベベル部１１と上下に対向する位置に配置して上ベベル部１１の撮像を行って、この部分の検査を行ったり、撮像部を下ベベル部１２と上下に対向する位置に配置して下ベベル部１２の撮像を行って、この部分の検査を行うこともできるようになっている。
【００２１】
制御部５０は、各種制御を行う制御基板等から構成され、制御部５０からの制御信号によりウェハ支持部２０、撮像部３０、および画像処理部４０等の作動制御を行う。具体的には、ウエハ支持部２０による回転軸２２の回転駆動制御（ウエハホルダ２３に保持されたウエハ１０の回転位置制御）と、撮像部３０による撮像制御と、画像処理部４０における撮像部３０により処理されて得られた画像信号から画像データを得る画像処理制御とが、制御部５０による制御に基づいて行われる。
【００２２】
このようにして画像処理部４０における画像処理により得られたアペックス部１３の画像データは検査処理部７０に送られてアペックス部１３の表面の傷、異物の付着等の表面欠陥の有無の検査が行われる。このとき、同時にインターフェース部６０の表示画面に検査処理結果等が表示される。
【００２３】
以上のように構成された検査装置１による検査処理内容について、図３のフローチャートを参照して説明する。この検査処理においてはまず、制御部５０による制御の下で、撮像部３０によりウエハ１０のアペックス部１３の撮像と、ウエハ支持部２０による回転軸２２の回転駆動制御（ウエハホルダ２３に保持されたウエハ１０の回転位置制御）とが行われる（ステップＳ１）。このようにして撮像部３０により撮像して得られたアペックス部１３の内の撮像部３０に対向する部分の画像信号は画像処理部４０に送られて、この部分の画像データ（これを分割画像データと称する）が得られる。この動作が、回転軸２２の回転駆動制御により所定インデックス角度毎の繰り返しで行われる。すなわち、ウエハ１０の全周に亘って、各インデックス角度毎に撮像部３０によるアペックス部１３の分割画像の撮像が繰り返して行われる（ステップＳ２）。
【００２４】
この結果、画像処理部４０においては、各インデックス角度毎に撮像部３０により撮像されたアペックス部１３の一連の画像が得られ、これら一連の画像データが検査処理部７０に送られる。このように画像処理部４０においては、各インデックス位置に対応するアペックス部１３の画像を求めるのであるが、これら画像は連続的に繋がってアペックス部１３の全周に亘る画像を示すように設定されている。そして、隣り合う画像同士をピクセル単位で比較して、ピクセル毎の輝度差を示す分割画像を求める。このようにして求めた分割画像の例を、図５に、画像Ｇ１，Ｇ２，Ｇ３，Ｇ４として示しており、これら分割画像における小さな点がアペックス部１３における表面の荒れ等が規則的な明暗差として撮像されたバックグラウンド光（表面の荒れ等による差分出力のオフセット）であり、これは表面の微細な凹凸、例えば、加工粗さに応じて生じる小さな乱反射光に基づくものであり、傷、異物等が存在しない状態で発生する比較的小さな乱反射光である。一方、表面に傷、異物等が存在するとこれらからの乱反射光はバックグラウンド光（表面の荒れ等による差分出力のオフセット）に比べて大きく、画像Ｇ２，Ｇ３に示すような大きな点Ｄ１，Ｄ２として現れる。すなわち、これら画像Ｇ１〜Ｇ２における各点はアペックス部１３からの乱反射を示し、点の大きさが反射光の大きさもしくは強さを示している。
【００２５】
検査処理部７０においては、各インデックス位置における分割画像の全面の信号データを合計（積分）してその分割画像全体の信号値Ｉｎを算出する（ステップＳ３）。これをアペックス部１３の全周に亘る全インデックス位置で行って、全ての位置それぞれにおける信号値Ｉｎを求める。その結果を図４および図５の棒グラフに示しており、この棒グラフにおける横軸がインデックス位置（すなわち、全周角度０〜３６０度における各インデックス角度毎に対応する位置）を示し、縦軸に示す棒の長さが各インデックス位置での分割画像の信号値Ｉｎを表している。なお、図４は、図５の棒グラフ部分のみを取り出して示すものであり、同一のグラフを示している。
【００２６】
ここで、図５に示す分割画像Ｇ２，Ｇ３のように、欠陥Ｄ１，Ｄ２が存在すると、これら欠陥からの反射光は大きいため、各インデックス位置での信号値Ｉｎは棒Ｂ，Ｃで示すように値が大きくなる。このように信号値Ｉｎが大きいインデックス位置に欠陥が存在することになるので、信号値Ｉｎに基づいて、例えば、信号値Ｉｎが所定閾値（スレッショルド値）以上となる箇所を探すことにより、欠陥の存在を検出することができる。
【００２７】
ところで、従来技術の説明欄等においても説明したように、ウエハ１０のアペックス部１３を撮像部３０で撮像したときの表面の荒れ等による差分出力のオフセットの大きさは、アペックス部１３の表面状態（例えば、表面加工粗さ）に影響されて変動する。一つのウエハ１０におけるアペックス部１３であっても、全周に亘って均一な表面状態とすることは難しく、例えば、図５に示すように、分割画像Ｇ１およびＧ２を含む領域でのアペックス部１３の表面状態と、分割画像Ｇ３，Ｇ４を含む領域でのアペックス部１３の表面状態とが相違するようなことも多い。例えば、本実施形態の場合には、分割画像Ｇ１およびＧ２を含む領域でのアペックス部１３の表面が粗くて表面の荒れ等による差分出力のオフセットが大きいのに対して、分割画像Ｇ３，Ｇ４を含む領域でのアペックス部１３の表面は滑らかで表面の荒れ等による差分出力のオフセットが小さくなっている。
【００２８】
検査処理部７０においては、上述したように、図４および図５に示す棒グラフの各棒の高さ（信号値Ｉｎの大きさ）に基づいて欠陥の有無検査が行われるのであるが、この信号値Ｉｎは表面の荒れ等による差分出力のオフセットを含んだ値であるため、表面の荒れ等による差分出力のオフセットが上記のようにインデックス位置に応じて相違するとその影響を受けて検査結果が不正確となるという問題がある。具体的には、図５のグラフにおける画像Ｇ１，Ｇ２を含む領域Ｚ１およびＺ２内では表面の荒れ等による差分出力のオフセットが大きいのに対して、画像Ｇ３，Ｇ４を含む領域では表面の荒れ等による差分出力のオフセットが小さいため、共に欠陥が存在しない画像Ｇ１およびＧ４に対する信号値が信号値ＡおよびＤで示すように（信号値Ａ）＞（信号値Ｄ）となる。同様に、ほぼ同一の反射光が生じる欠陥Ｄ１，Ｄ２をそれぞれ有する画像Ｇ２およびＧ３に対する信号値が信号値ＢおよびＣで示すように（信号値Ｂ）＞（信号値Ｃ）となる。しかも、この例の場合には、（信号値Ａ＞信号値Ｃ）という関係となっている。
【００２９】
このような場合に、例えば、図５に示すように、信号値Ｉｎが第１の閾値（スレッショルド値）ＳＨ１より大きいか否かに基づいて欠陥の有無の判断を行うと、画像Ｇ２の位置の欠陥Ｄ１の存在は判断できるが、画像Ｇ３の位置の欠陥Ｄ２の判断はできない。そこで、画像Ｇ３の位置の欠陥Ｄ２の判断もできるように第１の閾値ＳＨ１より小さな第２の閾値ＳＨ２を用いて判断すると、画像Ｇ３の位置の欠陥Ｄ２の判断は可能となるが、欠陥が存在しない領域Ｚ１およびＺ２において欠陥が存在するという誤った判断がなされる。
【００３０】
そこで図３のフローに戻って説明するが、この検査装置においては、各インデックス位置における分割画像の信号値Ｉｎをアペックス部１３の全周に亘って求めた後に、ステップＳ３からステップＳ４に進んで、これら信号値Ｉｎの移動平均値を算出する。具体的には、各インデックス位置での信号値Ｉｎに対して、その前後ａ個の信号値（Ｉn-a〜Ｉn+a）の平均値をこのインデックス位置の移動平均値として算出する計算を、全インデックス位置について行う。その結果を図６に示しており、これにより、欠陥Ｄ１，Ｄ２の信号を含んではいるが、表面の荒れ等による差分出力のオフセットにほぼ対応する信号の変化特性を求めることができる。
【００３１】
そこで、ステップＳ５に進み、図４に示す検出値から、表面の荒れ等による差分出力のオフセットにほぼ対応する信号特性となる図６の移動平均値を各インデックス位置毎に減算して、表面の荒れ等による差分出力のオフセットの影響を除去した補正信号値Ｉｎ′を算出する。その演算結果を図７に示しており（なお、上記減算の結果、負の値となる補正信号値は零として表している）、欠陥Ｄ１，Ｄ２が存在する画像のインデックス位置での補正信号値が顕著に大きく表れる。なお、移動平均値は欠陥Ｄ１，Ｄ２の信号値を含む計算値であるため、その影響から領域Ｚ１，Ｚ２において若干の信号値がでるが、図５に示したように、表面の荒れ等による差分出力のオフセットによる信号値Ａが欠陥を有した位置の信号値Ｃより大きくなるようなことは無くなり、例えば、図７に示す第３閾値ＳＨ３に基づいて補正信号値の大きさを判断すれば、欠陥Ｄ１，Ｄ２を有するインデックス位置を確実に検出できる（ステップＳ６）。
【００３２】
以上、本発明の好ましい実施形態に係る検査装置について説明したが、本発明は上記実施形態に限られるものではなく、種々の形態に適用可能である。例えば、上述の実施形態において、ウェハ１０の全周にわたってアペックス部１３を撮像しているが、これに限られるものではなく、制御部５０の作動制御により、アペックス部１３における所望の角度位置範囲についてのみ撮像するようにしてもよい。これにより、アペックス部１３における所望の角度位置範囲についてのみ欠陥の有無を検査することができる。
【００３３】
また、上述の実施形態において、撮像部３０がウェハ１０のアペックス部１３を撮像しているが、これに限られるものではなく、例えば、図２における一点鎖線で示すように、ウェハ１０の上ベベル部１１を撮像するようにしてもよく、図２における二点鎖線で示すように、ウェハ１０の下ベベル部１２を撮像するようにしてもよい。このように、ウェハ１０のアペックス部１３に限らず、上ベベル部１１や下ベベル部１２における欠陥の有無を検査することが可能である。さらには、ウェハ１０の外周端部または外周端部近傍に限らず、例えば、ガラス基板等を検査することも可能であり、特に表面の形態が略一様な被観察物に対して、本実施形態を適用すると有効である。
【００３４】
なお、表面の荒れ間などによる差分出力のオフセットの変動だけでなく、表面の色合いが緩やかに変化した場合も、画像差分信号として検出されてオフセットすなわちバックグラウンド信号となり、欠陥検出を不正確による要因となるが、上記欠陥検出手法によれば、このオフセット成分をキャンセルすることができ、傷等の欠陥検出精度を上げることが可能となる。
【００３５】
また、上述の実施形態において、イメージセンサとしてＣＣＤやＣＭＯＳ等といった増幅型固体撮像素子を用いることができるが、イメージセンサは、二次元センサでもよく、一次元センサでもよい。
【図面の簡単な説明】
【００３６】
【図１】本発明に係る表面検査装置の概略構成図である。
【図２】ウェハの外周端部近傍を示す側面図である。
【図３】上記表面検査装置による検査処理内容を示すフローチャートである。
【図４】ウエハのアペックス部全周に亘るインデックス位置毎の検出信号値を示す棒グラフである。
【図５】図４に示す棒グラフにおける所定インデックス位置での分割画像例を、上記棒グラフに対応して示す説明図である。
【図６】図４の信号値の移動平均値を示す棒グラフである。
【図７】図４の検出値から図６の移動平均値を減算した結果を示す棒グラフである。
【符号の説明】
【００３７】
１ 検査装置
１０ ウェハ（被検物） １３ アペックス部
２０ ウェハ支持部（回転保持部） ３０ 撮像部
４０ 画像処理部 ５０ 制御部
６０ インターフェース部 ７０ 検査処理部
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体ウェハや液晶ガラス基板等の被検物の表面欠陥の有無を検査するための表面検査方法および装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、半導体ウェハに形成される回路素子パターンの集積度が高くなるとともに、半導体製造工程でウェハの表面処理に用いられる薄膜の種類が増加している。これに伴い、薄膜の境界部分が露出するウェハの端部付近の欠陥検査が重要となってきている。これは、ウェハの端部付近に異物等の欠陥があると、後の工程で異物等がウェハの表面側に回り込んで悪影響を及ぼし、ウェハから作り出される回路素子の歩留まりに影響するからである。
【０００３】
そこで、半導体ウェハ等の円盤状に形成された被検物の端面周辺（例えば、アペックスや上下のベベル）を複数の方向から観察して、異物や膜の剥離、膜内の気泡、膜の回り込み等といった欠陥の有無を検査する検査装置が考案されている（例えば、特許文献１を参照）。このような検査装置には、レーザ光等の照射により生じる散乱光を利用して異物等を検出する構成のものや、ラインセンサにより被検物の画像を帯状に形成して異物等を検出する構成のもの等がある。
【特許文献１】特開２００４−３２５３８９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
また、画像取得装置により被検物の端面周辺の画像を部分的に１枚ずつ取得して、複数の画像データにおける信号値に基づいて異物等を検出する構成のものもある。例えば、ウエハの端部表面に照明光を照射して、この照明光の正反射光を撮像して表面欠陥を検出する検査装置があり、この検査装置においては、ある画像領域と隣接する領域とのピクセル単位での比較により、ピクセル毎の輝度差の強度に基づいて欠陥検査を行うように構成されている。
【０００５】
この検査装置において、ウエハ表面に欠陥とみなされる傷等が無くても、ウエハの端部領域全周にわたり存在するような表面の荒れが差分信号として検出され、これが検出信号のオフセット成分となり、欠陥検出が不正確となるという問題がある。特に、ウエハ表面の加工粗さ等の表面状態はウエハ全面において均一ではないため、表面の荒れに基づく画像差分検出のオフセット信号自体が変動し、この変動の影響を受けて欠陥として検出されるべき傷等による差分信号の検出が不正確になるという問題がある。
【０００６】
本発明は、このような問題に鑑みてなされたものであり、表面の荒れ等による差分出力のオフセットの影響を排除して正確な欠陥検査が行えるような表面検査方法および装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
このような目的達成のため、本発明に係る表面検査方法は、被検物の表面を撮像可能な撮像装置を前記被検物に対して相対移動させながら前記被検物の表面を撮像するステップと、前記被検物の表面の撮像画像から、前記被検物の表面を前記相対移動方向に沿って複数に分割して得られた複数の領域毎において所定の検査項目に対応する検査信号値を抽出するステップと、前記相対移動方向における前記検査信号値の移動平均値を前記複数の領域毎について算出するステップと、前記複数の領域毎について前記検査信号値から前記移動平均値を減じて補正検査信号値を求めるステップと、前記補正検査信号値に基づいて前記所定の検査項目についての検査を行うステップとから構成される。
【０００８】
この表面検査方法において、好ましくは、前記移動平均値の算出が、前記複数の領域のそれぞれにおいて対応領域を含む前後の所定数の領域における前記検査信号値の平均値を前記対応領域の移動平均値として算出される。
【０００９】
また、上記表面検査方法において、好ましくは、前記被検物が円盤状の半導体ウエハであり、前記半導体ウエハを回転させながらその外周端部を前記撮像装置により撮像する。
【００１０】
一方、本願発明に係る表面検査装置は、被検物を保持する保持装置と、前記保持装置により保持された前記被検物の表面を撮像可能な撮像装置と、前記保持装置に保持された前記被検物を前記撮像装置に対して相対移動させる相対移動装置と、前記撮像装置による撮像制御および前記相対移動装置による前記被検物の相対移動制御とを行う制御装置と、前記撮像装置により撮像された前記被検物の表面の撮像画像から表面欠陥の検査を行う検査処理装置とを備えて構成され、前記制御装置は、前記相対移動装置により前記被検物を前記撮像装置に対して相対移動させながら前記撮像装置により前記被検物の表面を複数の分割領域に分割して撮像させ、前記検査処理装置は、前記撮像装置により撮像された複数の分割領域毎の画像において所定の検査項目に対応する検査信号値を抽出し、前記検査信号値の移動平均値を前記複数の分割領域毎について算出し、前記複数の領域毎について前記検査信号値から前記移動平均値を減じて補正検査信号値を求め、前記補正検査信号値に基づいて前記所定の検査項目についての検査を行うように構成されている。
【００１１】
上記表面検査装置において、好ましくは、前記被検物が円盤状の半導体ウエハであり、前記相対移動装置は前記保持装置により保持された半導体ウエハを回転させて前記撮像装置に対して相対移動させるように構成される。
【発明の効果】
【００１２】
本発明によれば、移動平均値を用いて検査信号値を補正するので、正確な表面欠陥の検出が可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
以下、本発明の好ましい実施形態について説明する。本発明に係る表面検査装置の一例を図１に示しており、この検査装置１は、半導体ウェハ１０（以下、ウェハ１０と称する）を被検物としてその端部および端部近傍における表面欠陥（傷、異物の付着等）の有無を検査するためのものである。
【００１４】
ウェハ１０は薄い円盤状に形成されており、その表面には、ウェハ１０から取り出される複数の半導体チップ（チップ領域）に対応した回路パターン（図示せず）を形成するために、絶縁膜、電極配線膜、半導体膜等の薄膜（図示せず）が多層にわたって形成される。このようにウェハ１０の表面（上面）に回路パターンが形成される部分の外周縁部、すなわち、図２に示すリング状の領域である上ベベル部１１およびそれより外周部には回路パターンが形成されずに基板が露出する。また、ウェハ１０の裏面（下面）における外周端部内側には、下ベベル部１２がウェハ１０を基準に上ベベル部１１と表裏対称に形成される。そして、上ベベル部１１と下ベベル部１２とに繋がるウェハ端面がアペックス部１３と称される。
【００１５】
検査装置１は、ウェハ１０を支持して回転させるウェハ支持部２０と、ウエハ支持部２０により支持されたウェハ１０の外周端部および外周端部近傍を撮像する撮像部３０と、撮像部３０で撮像されたウェハ１０の画像信号に基づいて画像データを得る画像処理部４０と、ウェハ支持部２０によるウエハ１０の回転駆動制御や撮像部３０による撮像制御を行う制御部５０と、画像表示および外部入力等が可能なパーソナルコンピュータを用いたインターフェース部６０と、欠陥検査処理を行う検査処理部７０とを有して構成される。
【００１６】
ウェハ支持部２０は、基台２１と、基台２１から上方へ垂直に延びて設けられた回転軸２２と、回転軸２２の上端部に略水平に取り付けられて上面側においてウェハ１０を同軸上に位置させて支持するウェハホルダ２３とを有して構成される。ウェハホルダ２３の内部には真空吸着機構（図示せず）が設けられており、真空吸着機構による真空吸着を利用してウェハホルダ２３上にウェハ１０が回転軸と同軸に位置して吸着保持される。
【００１７】
基台２１の内部には、回転軸２２を回転駆動させる回転駆動機構（図示せず）が設けられており、回転駆動機構により回転軸２２を回転させることで、回転軸２２に取り付けられたウェハホルダ２３とともに、ウェハホルダ２３上に吸着保持されたウェハ１０がウェハ１０の中心（回転対称軸Ｏ）を回転軸として回転駆動される。なお、ウェハホルダ２３はウェハ１０より径の小さい略円盤状に形成されており、ウェハホルダ２３上にウェハ１０が吸着保持された状態で、上ベベル部１１、下ベベル部１２、およびアペックス部１３を含むウェハ１０の外周端部近傍がウェハホルダ２３からはみ出るようになっている。
【００１８】
撮像部３０は、いわゆる二次元カメラであり、図示しない対物レンズおよび落射照明を備えた鏡筒部３１と、図示しないイメージセンサが内蔵されたカメラ本体３２とを主体に構成されており、落射照明による照明光が対物レンズを介してウェハ１０を照明するとともに、ウェハ１０からの反射光が対物レンズを介してイメージセンサに導かれ、イメージセンサでウェハ１０の外周部の像が撮像される。なお、この実施形態においては、ウエハ１０の端部表面の傷、異物の付着等を検査するものであり、カメラは照明光の正反射を受ける位置に設けられて、ウエハ１０の端部表面の像を撮像するように構成されている。
【００１９】
撮像部３０は、ウェハ１０のアペックス部１３と対向するように配置され、ウェハ１０の回転軸（回転対称軸Ｏ）と直交する方向からアペックス部１３を部分的に撮像するようになっている。これにより、ウェハ支持部２０に支持されたウェハ１０を回転させると、撮像部３０の撮像領域に対して、ウェハ１０の外周端部、すなわちアペックス部１３がウェハ１０の周方向へ相対回転するため、アペックス部１３と対向するように配置された撮像部３０は、アペックス部１３を周方向（すなわち相対回転方向）へ連続的に撮像することができ、ウェハ１０の全周にわたってアペックス部１３を撮像することが可能になる。このようにして撮像部３０で撮像された画像信号は、画像処理部４０へ出力されて、ここで画像処理が行われ、各位置毎におけるアペックス部１３の画像データが得られる。
【００２０】
なお、図２に示すように、撮像部３０を上ベベル部１１と上下に対向する位置に配置して上ベベル部１１の撮像を行って、この部分の検査を行ったり、撮像部を下ベベル部１２と上下に対向する位置に配置して下ベベル部１２の撮像を行って、この部分の検査を行うこともできるようになっている。
【００２１】
制御部５０は、各種制御を行う制御基板等から構成され、制御部５０からの制御信号によりウェハ支持部２０、撮像部３０、および画像処理部４０等の作動制御を行う。具体的には、ウエハ支持部２０による回転軸２２の回転駆動制御（ウエハホルダ２３に保持されたウエハ１０の回転位置制御）と、撮像部３０による撮像制御と、画像処理部４０における撮像部３０により処理されて得られた画像信号から画像データを得る画像処理制御とが、制御部５０による制御に基づいて行われる。
【００２２】
このようにして画像処理部４０における画像処理により得られたアペックス部１３の画像データは検査処理部７０に送られてアペックス部１３の表面の傷、異物の付着等の表面欠陥の有無の検査が行われる。このとき、同時にインターフェース部６０の表示画面に検査処理結果等が表示される。
【００２３】
以上のように構成された検査装置１による検査処理内容について、図３のフローチャートを参照して説明する。この検査処理においてはまず、制御部５０による制御の下で、撮像部３０によりウエハ１０のアペックス部１３の撮像と、ウエハ支持部２０による回転軸２２の回転駆動制御（ウエハホルダ２３に保持されたウエハ１０の回転位置制御）とが行われる（ステップＳ１）。このようにして撮像部３０により撮像して得られたアペックス部１３の内の撮像部３０に対向する部分の画像信号は画像処理部４０に送られて、この部分の画像データ（これを分割画像データと称する）が得られる。この動作が、回転軸２２の回転駆動制御により所定インデックス角度毎の繰り返しで行われる。すなわち、ウエハ１０の全周に亘って、各インデックス角度毎に撮像部３０によるアペックス部１３の分割画像の撮像が繰り返して行われる（ステップＳ２）。
【００２４】
この結果、画像処理部４０においては、各インデックス角度毎に撮像部３０により撮像されたアペックス部１３の一連の画像が得られ、これら一連の画像データが検査処理部７０に送られる。このように画像処理部４０においては、各インデックス位置に対応するアペックス部１３の画像を求めるのであるが、これら画像は連続的に繋がってアペックス部１３の全周に亘る画像を示すように設定されている。そして、隣り合う画像同士をピクセル単位で比較して、ピクセル毎の輝度差を示す分割画像を求める。このようにして求めた分割画像の例を、図５に、画像Ｇ１，Ｇ２，Ｇ３，Ｇ４として示しており、これら分割画像における小さな点がアペックス部１３における表面の荒れ等が規則的な明暗差として撮像されたバックグラウンド光（表面の荒れ等による差分出力のオフセット）であり、これは表面の微細な凹凸、例えば、加工粗さに応じて生じる小さな乱反射光に基づくものであり、傷、異物等が存在しない状態で発生する比較的小さな乱反射光である。一方、表面に傷、異物等が存在するとこれらからの乱反射光はバックグラウンド光（表面の荒れ等による差分出力のオフセット）に比べて大きく、画像Ｇ２，Ｇ３に示すような大きな点Ｄ１，Ｄ２として現れる。すなわち、これら画像Ｇ１〜Ｇ２における各点はアペックス部１３からの乱反射を示し、点の大きさが反射光の大きさもしくは強さを示している。
【００２５】
検査処理部７０においては、各インデックス位置における分割画像の全面の信号データを合計（積分）してその分割画像全体の信号値Ｉｎを算出する（ステップＳ３）。これをアペックス部１３の全周に亘る全インデックス位置で行って、全ての位置それぞれにおける信号値Ｉｎを求める。その結果を図４および図５の棒グラフに示しており、この棒グラフにおける横軸がインデックス位置（すなわち、全周角度０〜３６０度における各インデックス角度毎に対応する位置）を示し、縦軸に示す棒の長さが各インデックス位置での分割画像の信号値Ｉｎを表している。なお、図４は、図５の棒グラフ部分のみを取り出して示すものであり、同一のグラフを示している。
【００２６】
ここで、図５に示す分割画像Ｇ２，Ｇ３のように、欠陥Ｄ１，Ｄ２が存在すると、これら欠陥からの反射光は大きいため、各インデックス位置での信号値Ｉｎは棒Ｂ，Ｃで示すように値が大きくなる。このように信号値Ｉｎが大きいインデックス位置に欠陥が存在することになるので、信号値Ｉｎに基づいて、例えば、信号値Ｉｎが所定閾値（スレッショルド値）以上となる箇所を探すことにより、欠陥の存在を検出することができる。
【００２７】
ところで、従来技術の説明欄等においても説明したように、ウエハ１０のアペックス部１３を撮像部３０で撮像したときの表面の荒れ等による差分出力のオフセットの大きさは、アペックス部１３の表面状態（例えば、表面加工粗さ）に影響されて変動する。一つのウエハ１０におけるアペックス部１３であっても、全周に亘って均一な表面状態とすることは難しく、例えば、図５に示すように、分割画像Ｇ１およびＧ２を含む領域でのアペックス部１３の表面状態と、分割画像Ｇ３，Ｇ４を含む領域でのアペックス部１３の表面状態とが相違するようなことも多い。例えば、本実施形態の場合には、分割画像Ｇ１およびＧ２を含む領域でのアペックス部１３の表面が粗くて表面の荒れ等による差分出力のオフセットが大きいのに対して、分割画像Ｇ３，Ｇ４を含む領域でのアペックス部１３の表面は滑らかで表面の荒れ等による差分出力のオフセットが小さくなっている。
【００２８】
検査処理部７０においては、上述したように、図４および図５に示す棒グラフの各棒の高さ（信号値Ｉｎの大きさ）に基づいて欠陥の有無検査が行われるのであるが、この信号値Ｉｎは表面の荒れ等による差分出力のオフセットを含んだ値であるため、表面の荒れ等による差分出力のオフセットが上記のようにインデックス位置に応じて相違するとその影響を受けて検査結果が不正確となるという問題がある。具体的には、図５のグラフにおける画像Ｇ１，Ｇ２を含む領域Ｚ１およびＺ２内では表面の荒れ等による差分出力のオフセットが大きいのに対して、画像Ｇ３，Ｇ４を含む領域では表面の荒れ等による差分出力のオフセットが小さいため、共に欠陥が存在しない画像Ｇ１およびＧ４に対する信号値が信号値ＡおよびＤで示すように（信号値Ａ）＞（信号値Ｄ）となる。同様に、ほぼ同一の反射光が生じる欠陥Ｄ１，Ｄ２をそれぞれ有する画像Ｇ２およびＧ３に対する信号値が信号値ＢおよびＣで示すように（信号値Ｂ）＞（信号値Ｃ）となる。しかも、この例の場合には、（信号値Ａ＞信号値Ｃ）という関係となっている。
【００２９】
このような場合に、例えば、図５に示すように、信号値Ｉｎが第１の閾値（スレッショルド値）ＳＨ１より大きいか否かに基づいて欠陥の有無の判断を行うと、画像Ｇ２の位置の欠陥Ｄ１の存在は判断できるが、画像Ｇ３の位置の欠陥Ｄ２の判断はできない。そこで、画像Ｇ３の位置の欠陥Ｄ２の判断もできるように第１の閾値ＳＨ１より小さな第２の閾値ＳＨ２を用いて判断すると、画像Ｇ３の位置の欠陥Ｄ２の判断は可能となるが、欠陥が存在しない領域Ｚ１およびＺ２において欠陥が存在するという誤った判断がなされる。
【００３０】
そこで図３のフローに戻って説明するが、この検査装置においては、各インデックス位置における分割画像の信号値Ｉｎをアペックス部１３の全周に亘って求めた後に、ステップＳ３からステップＳ４に進んで、これら信号値Ｉｎの移動平均値を算出する。具体的には、各インデックス位置での信号値Ｉｎに対して、その前後ａ個の信号値（Ｉn-a〜Ｉn+a）の平均値をこのインデックス位置の移動平均値として算出する計算を、全インデックス位置について行う。その結果を図６に示しており、これにより、欠陥Ｄ１，Ｄ２の信号を含んではいるが、表面の荒れ等による差分出力のオフセットにほぼ対応する信号の変化特性を求めることができる。
【００３１】
そこで、ステップＳ５に進み、図４に示す検出値から、表面の荒れ等による差分出力のオフセットにほぼ対応する信号特性となる図６の移動平均値を各インデックス位置毎に減算して、表面の荒れ等による差分出力のオフセットの影響を除去した補正信号値Ｉｎ′を算出する。その演算結果を図７に示しており（なお、上記減算の結果、負の値となる補正信号値は零として表している）、欠陥Ｄ１，Ｄ２が存在する画像のインデックス位置での補正信号値が顕著に大きく表れる。なお、移動平均値は欠陥Ｄ１，Ｄ２の信号値を含む計算値であるため、その影響から領域Ｚ１，Ｚ２において若干の信号値がでるが、図５に示したように、表面の荒れ等による差分出力のオフセットによる信号値Ａが欠陥を有した位置の信号値Ｃより大きくなるようなことは無くなり、例えば、図７に示す第３閾値ＳＨ３に基づいて補正信号値の大きさを判断すれば、欠陥Ｄ１，Ｄ２を有するインデックス位置を確実に検出できる（ステップＳ６）。
【００３２】
以上、本発明の好ましい実施形態に係る検査装置について説明したが、本発明は上記実施形態に限られるものではなく、種々の形態に適用可能である。例えば、上述の実施形態において、ウェハ１０の全周にわたってアペックス部１３を撮像しているが、これに限られるものではなく、制御部５０の作動制御により、アペックス部１３における所望の角度位置範囲についてのみ撮像するようにしてもよい。これにより、アペックス部１３における所望の角度位置範囲についてのみ欠陥の有無を検査することができる。
【００３３】
また、上述の実施形態において、撮像部３０がウェハ１０のアペックス部１３を撮像しているが、これに限られるものではなく、例えば、図２における一点鎖線で示すように、ウェハ１０の上ベベル部１１を撮像するようにしてもよく、図２における二点鎖線で示すように、ウェハ１０の下ベベル部１２を撮像するようにしてもよい。このように、ウェハ１０のアペックス部１３に限らず、上ベベル部１１や下ベベル部１２における欠陥の有無を検査することが可能である。さらには、ウェハ１０の外周端部または外周端部近傍に限らず、例えば、ガラス基板等を検査することも可能であり、特に表面の形態が略一様な被観察物に対して、本実施形態を適用すると有効である。
【００３４】
なお、表面の荒れ間などによる差分出力のオフセットの変動だけでなく、表面の色合いが緩やかに変化した場合も、画像差分信号として検出されてオフセットすなわちバックグラウンド信号となり、欠陥検出を不正確による要因となるが、上記欠陥検出手法によれば、このオフセット成分をキャンセルすることができ、傷等の欠陥検出精度を上げることが可能となる。
【００３５】
また、上述の実施形態において、イメージセンサとしてＣＣＤやＣＭＯＳ等といった増幅型固体撮像素子を用いることができるが、イメージセンサは、二次元センサでもよく、一次元センサでもよい。
【図面の簡単な説明】
【００３６】
【図１】本発明に係る表面検査装置の概略構成図である。
【図２】ウェハの外周端部近傍を示す側面図である。
【図３】上記表面検査装置による検査処理内容を示すフローチャートである。
【図４】ウエハのアペックス部全周に亘るインデックス位置毎の検出信号値を示す棒グラフである。
【図５】図４に示す棒グラフにおける所定インデックス位置での分割画像例を、上記棒グラフに対応して示す説明図である。
【図６】図４の信号値の移動平均値を示す棒グラフである。
【図７】図４の検出値から図６の移動平均値を減算した結果を示す棒グラフである。
【符号の説明】
【００３７】
１ 検査装置
１０ ウェハ（被検物） １３ アペックス部
２０ ウェハ支持部（回転保持部） ３０ 撮像部
４０ 画像処理部 ５０ 制御部
６０ インターフェース部 ７０ 検査処理部
【特許請求の範囲】
【請求項１】
被検物の表面を撮像可能な撮像装置を前記被検物に対して相対移動させながら前記被検物の表面を撮像するステップと、
前記被検物の表面の撮像画像から、前記被検物の表面を前記相対移動方向に沿って複数に分割して得られた複数の領域毎において所定の検査項目に対応する検査信号値を抽出するステップと、
前記相対移動方向における前記検査信号値の移動平均値を前記複数の領域毎について算出するステップと、
前記複数の領域毎について前記検査信号値から前記移動平均値を減じて補正検査信号値を求めるステップと、
前記補正検査信号値に基づいて前記所定の検査項目についての検査を行うステップ
とからなることを特徴とする表面検査方法。
【請求項２】
前記移動平均値の算出が、前記複数の領域のそれぞれにおいて対応領域を含む前後の所定数の領域における前記検査信号値の平均値を前記対応領域の移動平均値として算出することを特徴とする請求項１に記載の表面検査方法。
【請求項３】
前記被検物が円盤状の半導体ウエハであり、前記半導体ウエハを回転させながらその外周端部を前記撮像装置により撮像することを特徴とする請求項１に記載の表面検査方法。
【請求項４】
被検物を保持する保持装置と、
前記保持装置により保持された前記被検物の表面を撮像可能な撮像装置と、
前記保持装置に保持された前記被検物を前記撮像装置に対して相対移動させる相対移動装置と、
前記撮像装置による撮像制御および前記相対移動装置による前記被検物の相対移動制御とを行う制御装置と、
前記撮像装置により撮像された前記被検物の表面の撮像画像から表面欠陥の検査を行う検査処理装置とを備え、
前記制御装置は、前記相対移動装置により前記被検物を前記撮像装置に対して相対移動させながら前記撮像装置により前記被検物の表面を複数の分割領域に分割して撮像させ、
前記検査処理装置は、前記撮像装置により撮像された複数の分割領域毎の画像において所定の検査項目に対応する検査信号値を抽出し、前記検査信号値の移動平均値を前記複数の分割領域毎について算出し、前記複数の領域毎について前記検査信号値から前記移動平均値を減じて補正検査信号値を求め、前記補正検査信号値に基づいて前記所定の検査項目についての検査を行うように構成されたことを特徴とする表面検査装置。
【請求項５】
前記被検物が円盤状の半導体ウエハであり、前記相対移動装置は前記保持装置により保持された半導体ウエハを回転させて前記撮像装置に対して相対移動させるように構成されたことを特徴とする請求項４に記載の表面検査装置。
【請求項１】
被検物の表面を撮像可能な撮像装置を前記被検物に対して相対移動させながら前記被検物の表面を撮像するステップと、
前記被検物の表面の撮像画像から、前記被検物の表面を前記相対移動方向に沿って複数に分割して得られた複数の領域毎において所定の検査項目に対応する検査信号値を抽出するステップと、
前記相対移動方向における前記検査信号値の移動平均値を前記複数の領域毎について算出するステップと、
前記複数の領域毎について前記検査信号値から前記移動平均値を減じて補正検査信号値を求めるステップと、
前記補正検査信号値に基づいて前記所定の検査項目についての検査を行うステップ
とからなることを特徴とする表面検査方法。
【請求項２】
前記移動平均値の算出が、前記複数の領域のそれぞれにおいて対応領域を含む前後の所定数の領域における前記検査信号値の平均値を前記対応領域の移動平均値として算出することを特徴とする請求項１に記載の表面検査方法。
【請求項３】
前記被検物が円盤状の半導体ウエハであり、前記半導体ウエハを回転させながらその外周端部を前記撮像装置により撮像することを特徴とする請求項１に記載の表面検査方法。
【請求項４】
被検物を保持する保持装置と、
前記保持装置により保持された前記被検物の表面を撮像可能な撮像装置と、
前記保持装置に保持された前記被検物を前記撮像装置に対して相対移動させる相対移動装置と、
前記撮像装置による撮像制御および前記相対移動装置による前記被検物の相対移動制御とを行う制御装置と、
前記撮像装置により撮像された前記被検物の表面の撮像画像から表面欠陥の検査を行う検査処理装置とを備え、
前記制御装置は、前記相対移動装置により前記被検物を前記撮像装置に対して相対移動させながら前記撮像装置により前記被検物の表面を複数の分割領域に分割して撮像させ、
前記検査処理装置は、前記撮像装置により撮像された複数の分割領域毎の画像において所定の検査項目に対応する検査信号値を抽出し、前記検査信号値の移動平均値を前記複数の分割領域毎について算出し、前記複数の領域毎について前記検査信号値から前記移動平均値を減じて補正検査信号値を求め、前記補正検査信号値に基づいて前記所定の検査項目についての検査を行うように構成されたことを特徴とする表面検査装置。
【請求項５】
前記被検物が円盤状の半導体ウエハであり、前記相対移動装置は前記保持装置により保持された半導体ウエハを回転させて前記撮像装置に対して相対移動させるように構成されたことを特徴とする請求項４に記載の表面検査装置。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【公開番号】特開２００９−２５０６５３（Ｐ２００９−２５０６５３Ａ）
【公開日】平成２１年１０月２９日（２００９．１０．２９）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００８−９５８５７（Ｐ２００８−９５８５７）
【出願日】平成２０年４月２日（２００８．４．２）
【出願人】（０００００４１１２）株式会社ニコン (12,601)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２１年１０月２９日（２００９．１０．２９）
【国際特許分類】
【出願日】平成２０年４月２日（２００８．４．２）
【出願人】（０００００４１１２）株式会社ニコン (12,601)
【Ｆターム（参考）】
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