電気光学装置、電気光学装置の製造方法
【課題】品質（電気光学特性）を向上させることができる電気光学装置、電気光学装置の製造方法を提供する。
【解決手段】被成膜基板１１ａと、被成膜基板１１ａの表面（素子形成側）に設けられた発光素子２７の領域と、被成膜基板１１ａの表面と対向する裏面に設けられた磁性体膜４０と、を備える。
【解決手段】被成膜基板１１ａと、被成膜基板１１ａの表面（素子形成側）に設けられた発光素子２７の領域と、被成膜基板１１ａの表面と対向する裏面に設けられた磁性体膜４０と、を備える。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、成膜用マスクを用いて形成された機能層を有する電気光学装置、電気光学装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
上記電気光学装置の一つとして、例えば、陽極と陰極との間に発光層などの有機膜が挟持された構造の有機ＥＬ（エレクトロルミネッセンス）装置がある。有機膜の形成方法としては、成膜用マスクとしての蒸着マスクを用いて、ＲＧＢ各色に対応する有機膜を選択的に成膜する方法が挙げられる。蒸着マスクは、例えば、特許文献１に記載のように、マグネットを用いて被成膜基板に密着させることが可能なメタルマスクである。
【０００３】
具体的には、まず、マグネットを用いてメタルマスクを被成膜基板に密着させる。次に、メタルマスクを介して、有機膜となる蒸着物質を被成膜基板に蒸着させる。これにより、被成膜基板上にＲＧＢ各色の有機膜（発光層）が形成される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００６−１５２３３９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、被成膜基板が撓んでいる（反っている）場合、マグネットとメタルマスクとによって被成膜基板を押さえても、撓む位置が変わる等、撓みを抑えることができないおそれがある。これにより、被成膜基板と蒸着マスクとの間に隙間が生じ、蒸着させた有機膜がぼけるという問題が生じる。具体的には、正規の膜厚を得ることができなかったり、隣の画素に有機膜がはみ出したりする。更に、この問題を回避するために、有機膜と隣の有機膜との間隔を広くすると、精細度が低下したり、開口率が減少するという課題がある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明は、上記課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態又は適用例として実現することが可能である。
【０００７】
［適用例１］本適用例に係る電気光学装置は、被成膜基板と、前記被成膜基板の第１面に設けられた電気光学素子と、前記第１面と対向する第２面に設けられた磁性体膜と、を備えたことを特徴とする。
【０００８】
この構成によれば、被成膜基板の第２面に磁性体膜が成膜されているので、例えば、被成膜基板の第１面に成膜用のマスクを用いて選択的に電気光学素子を構成する膜を成膜する際、被成膜基板を磁石と金属製のマスク（メタルマスク）との間に挟むと、メタルマスクが磁石に引き寄せられる力によって被成膜基板が磁石側に押圧される。更に、被成膜基板自体が磁石に吸引されることにより、被成膜基板のソリを緩和させることが可能となり、被成膜基板と成膜用マスクとの密着性をより向上させることができる。よって、第１面に成膜される膜がぼけることを抑えることが可能となり、精細度を向上させた電気光学装置を提供することができる。
また、磁石に起因して磁性体膜側が帯電することにより、被成膜基板とマスクとの密着性が向上する。更に、被成膜基板とマスクとの剥離時に、磁性体膜側が帯電することで、被成膜基板の第１面すなわち成膜面が静電気によって損傷を受けることを抑えることができる。
【０００９】
［適用例２］上記適用例に係る電気光学装置において、前記磁性体膜は、平面的に前記電気光学素子が設けられた領域と重なる領域を避けるように成膜されていることが好ましい。
【００１０】
この構成によれば、平面的に電気光学素子が設けられた領域と重なる領域を避けて磁性体膜が成膜されているので、例えば、磁性体膜が遮光性を有していても電気光学素子の領域における被成膜基板の光透過性を確保できる。つまり、第１面及び第２面の両方から光を取り出すことができる。
【００１１】
［適用例３］上記適用例に係る電気光学装置において、前記電気光学素子は、発光素子であり、前記磁性体膜は、平面的に前記発光素子が設けられた領域と重なる領域を避けるように成膜されていることが好ましい。
【００１２】
この構成によれば、平面的に発光素子が設けられた領域と重なる領域を避けて磁性体膜が成膜されているので、例えば、磁性体膜が遮光性を有していても発光素子の領域における被成膜基板の光透過性を確保できる。言い換えれば、第１面側から光を取り出すトップエミッション型の電気光学装置や、第２面側から光を取り出すボトムエミッション型の電気光学装置に適用することができる。
【００１３】
［適用例４］上記適用例に係る電気光学装置において、前記被成膜基板は、複数の電気光学装置が面付けされるマザー基板であり、前記磁性体膜は、平面的に個々の電気光学装置が形成される領域と重なる領域を避けるように成膜されていることが好ましい。
【００１４】
この構成によれば、平面的に個々の電気光学装置が形成される領域と重なる領域を避けて磁性体膜が成膜されているので、例えば、磁性体膜が遮光性を有していても、個々の電気光学装置が形成される領域における被成膜基板の光透過性を確保できる。
【００１５】
［適用例５］上記適用例に係る電気光学装置において、前記磁性体膜は、非磁性金属材料を１０ａｔ％以下で含有することが好ましい。
【００１６】
この構成によれば、磁性体膜に非磁性金属材料を添加することで、化学的に安定した物性が得られる。更に、非磁性金属材料の含有率を１０ａｔ％以下とすることにより、さほど強力な磁石でなくても飽和磁化に到達する磁性体膜を構成できる。
【００１７】
［適用例６］本適用例に係る電気光学装置の製造方法は、被成膜基板の一方の面に磁性体膜を形成する磁性体膜形成工程と、前記被成膜基板の他方の面に電気光学素子を形成する素子形成工程とを備え、前記素子形成工程は、前記一方の面側に磁石を配置すると共に、前記他方の面側に金属製の成膜用マスクを配置して、前記成膜用マスクと前記被成膜基板とを重ね合わせる配置工程と、前記成膜用マスクを介して前記被成膜基板に前記電気光学素子を構成する膜を形成する膜形成工程と、を含むことを特徴とする。
【００１８】
この方法によれば、磁性体膜形成工程によって被成膜基板の一方の面に磁性体膜を形成するので、配置工程で金属製の成膜用マスク（メタルマスク）と被成膜基板と磁石とを重ね合わせた際、成膜用マスクが磁石に引き寄せられる力によって被成膜基板が磁石側に押圧される。更に、被成膜基板自体が磁石に吸引されることにより、被成膜基板のソリを緩和させることが可能となり、被成膜基板と成膜用マスクとの密着性をより向上させることができる。よって、他方の面に成膜される膜がぼけることを抑えることが可能となり、精細度を向上させることができる。
また、磁石に起因して磁性体膜に静電気が帯電することにより、被成膜基板と成膜用マスクとの密着性が向上する。更に、磁性体膜に静電気が帯電することで、被成膜基板と成膜用マスクとの剥離時に、被成膜基板の他方の面すなわち成膜面が静電気によって損傷を受けることを抑えることができる。
【００１９】
［適用例７］上記適用例に係る電気光学装置の製造方法において、前記磁性体膜形成工程は、平面的に前記電気光学素子が形成される領域と重なる領域に成膜されている前記磁性体膜をエッチングして除去するエッチング工程を含むことが好ましい。
【００２０】
この方法によれば、平面的に電気光学素子が形成される領域と重なる領域の磁性体膜をエッチングして除去するので、例えば、磁性体膜が遮光性を有していても電気光学素子の領域における被成膜基板の光透過性を確保できる。つまり、第１面及び第２面の両方から光を取り出すことができる。
【００２１】
［適用例８］上記適用例に係る電気光学装置の製造方法において、前記電気光学素子は、発光素子であり、前記磁性体膜形成工程は、平面的に前記発光素子が形成される領域と重なる領域に成膜されている前記磁性体膜をエッチングして除去するエッチング工程を含むことが好ましい。
【００２２】
この方法によれば、平面的に発光素子が形成される領域と重なる領域の磁性体膜をエッチングして除去するので、例えば、磁性体膜が遮光性を有していても発光素子の領域における被成膜基板の光透過性を確保できる。言い換えれば、他方の面側から光を取り出すトップエミッション型の電気光学装置や、一方の面側から光を取り出すボトムエミッション型の電気光学装置を形成することができる。
【００２３】
［適用例９］上記適用例に係る電気光学装置の製造方法において、前記被成膜基板は、複数の電気光学装置が面付けされるマザー基板であり、前記磁性体膜形成工程は、平面的に個々の電気光学装置が形成される領域と重なる領域に成膜されている前記磁性体膜をエッチングして除去するエッチング工程を含むことが好ましい。
【００２４】
この方法によれば、平面的に個々の電気光学装置が形成される領域と重なる領域の磁性体膜をエッチングして除去するので、例えば、磁性体膜が遮光性を有していてもパネルの領域における被成膜基板の光透過性を確保できる。
【図面の簡単な説明】
【００２５】
【図１】有機ＥＬ装置の電気的な構成を示す等価回路図。
【図２】有機ＥＬ装置の構成を示す模式平面図。
【図３】有機ＥＬ装置の構造を示す模式断面図。
【図４】蒸着装置の構造を示す模式断面図。
【図５】成膜用マスクの構造を示す模式平面図。
【図６】図５に示す成膜用マスクのＡ−Ａ'線に沿う模式断面図。
【図７】成膜用マスクを用いた蒸着方法を工程順に示す模式断面図。
【図８】成膜用マスクを用いた蒸着方法を工程順に示す模式断面図。
【図９】成膜用マスクを用いた蒸着方法を工程順に示す模式断面図。
【図１０】成膜用マスクを用いた蒸着方法を工程順に示す模式断面図。
【図１１】成膜用マスクを用いた蒸着方法を工程順に示す模式断面図。
【図１２】成膜用マスクを用いた蒸着方法を工程順に示す模式断面図。
【図１３】（ａ）は被成膜基板に設けられた磁性体膜の成膜パターンを示す模式平面図であり、（ｂ）は（ａ）に示す成膜パターンのＢ−Ｂ'線に沿う模式断面図。
【図１４】（ａ）は被成膜基板に設けられた磁性体膜の成膜パターンを示す模式平面図であり、（ｂ）は（ａ）に示す成膜パターンのＣ−Ｃ'線に沿う模式断面図。
【発明を実施するための形態】
【００２６】
＜電気光学装置の構成＞
図１は、電気光学装置としての有機ＥＬ装置の電気的な構成を示す等価回路図である。以下、有機ＥＬ装置の電気的な構成を、図１を参照しながら説明する。
【００２７】
図１に示すように、有機ＥＬ装置１１は、複数の走査線１２と、走査線１２に対して交差する方向に延びる複数の信号線１３と、信号線１３に並行に延びる複数の電源線１４とが、それぞれ格子状に配線されている。そして、走査線１２と信号線１３とにより区画された領域が画素領域として構成されている。信号線１３は、信号線駆動回路１５に接続されている。また、走査線１２は、走査線駆動回路１６に接続されている。
【００２８】
各画素領域には、走査線１２を介して走査信号がゲート電極に供給されるスイッチング用ＴＦＴ（Thin Film Transistor）２１と、このスイッチング用ＴＦＴ２１を介して信号線１３から供給される画素信号を保持する保持容量２２と、保持容量２２によって保持された画素信号がゲート電極に供給される駆動用ＴＦＴ２３（以下、「ＴＦＴ素子２３」と称する。）とが設けられている。更に、各画素領域には、ＴＦＴ素子２３を介して電源線１４に電気的に接続したときに、電源線１４から駆動電流が流れ込む陽極２４と、陰極２５と、この陽極２４と陰極２５との間に挟持された機能層２６とが設けられている。
【００２９】
有機ＥＬ装置１１は、陽極２４と陰極２５と機能層２６とにより構成される電気光学素子としての発光素子２７を複数備えている。また、有機ＥＬ装置１１は、複数の発光素子２７で構成される表示領域を備えている。
【００３０】
この構成によれば、走査線１２が駆動されてスイッチング用ＴＦＴ２１がオン状態になると、そのときの信号線１３の電位が保持容量２２に保持され、保持容量２２の状態に応じて、ＴＦＴ素子２３のオン・オフ状態が決まる。そして、ＴＦＴ素子２３のチャネルを介して、電源線１４から陽極２４に電流が流れ、更に、機能層２６を介して陰極２５に電流が流れる。機能層２６は、ここを流れる電流量に応じた輝度で発光する。
【００３１】
図２は、有機ＥＬ装置の構成を示す模式平面図である。以下、有機ＥＬ装置の構成を、図２を参照しながら説明する。
【００３２】
図２に示すように、有機ＥＬ装置１１（パネル）は、ガラス等からなる素子基板３１に表示領域３２（図中一点鎖線の内側の領域）と非表示領域３３（一点鎖線の外側の領域）とを有する構成になっている。表示領域３２には、実表示領域３２ａ（二点鎖線の内側の領域）とダミー領域３２ｂ（図中二点鎖線の外側の領域）とが設けられている。
【００３３】
実表示領域３２ａ内には、光が射出されるサブ画素３４（発光領域）がマトリックス状に配列されている。この、サブ画素３４の各々は、スイッチング用ＴＦＴ２１及びＴＦＴ素子２３（図１参照）の動作に伴って、Ｒ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）各色を発光する構成となっている。
【００３４】
ダミー領域３２ｂには、主として各サブ画素３４を発光させるための回路が設けられている。例えば、実表示領域３２ａの図中左辺及び右辺に沿うように走査線駆動回路１６が配置されており、実表示領域３２ａの図中上辺に沿うように検査回路３５が配置されている。
【００３５】
素子基板３１の下辺には、フレキシブル基板３６が設けられている。フレキシブル基板３６には、各配線と接続された駆動用ＩＣ３７が備えられている。
【００３６】
図３は、有機ＥＬ装置の構造を示す模式断面図である。以下、有機ＥＬ装置の構造を、図３を参照しながら説明する。なお、構成をわかりやすく示すため、各構成要素の層厚や寸法の比率、角度等は適宜異ならせてある。また、本実施形態は、一例として、トップエミッション構造の有機ＥＬ装置１１を説明する。
【００３７】
図３に示すように、有機ＥＬ装置１１は、発光領域４１において発光が行われるものであり、素子基板３１と、素子基板３１上に形成された回路素子層４２と、回路素子層４２上に形成された発光素子層４３と、発光素子層４３上に形成された陰極２５と、素子基板３１の裏面（図３における素子基板３１の下側の面であって、回路素子層４２が設けられた面と反対側の面）に形成された磁性体膜４０とを有する。素子基板３１としては、例えば、ガラス基板、石英、プラスチック等が挙げられる。図３に示す有機ＥＬ装置１１は、陰極に透明な材料を用いることにより、発光層４４で発する光を陰極２５側から射出させるトップエミッション構造を採用したものである。
【００３８】
回路素子層４２は、素子基板３１上にシリコン酸化膜（ＳｉＯ2）からなる下地保護膜５１が形成され、下地保護膜５１上にＴＦＴ素子２３が形成されている。詳しくは、下地保護膜５１上に、ポリシリコン膜からなる島状の半導体膜５２が形成されている。半導体膜５２には、ソース領域５３及びドレイン領域５４が不純物の導入によって形成されている。そして、不純物が導入されなかった部分がチャネル領域５５となっている。
【００３９】
更に、回路素子層４２には、下地保護膜５１及び半導体膜５２を覆うシリコン酸化膜等からなる透明なゲート絶縁膜５６が形成されている。ゲート絶縁膜５６上には、アルミニウム（Ａｌ）、モリブデン（Ｍｏ）、タンタル（Ｔａ）、チタン（Ｔｉ）、タングステン（Ｗ）などからなるゲート電極５７が形成されている。ゲート絶縁膜５６及びゲート電極５７上には、透明な第１層間絶縁膜５８及び第２層間絶縁膜５９が形成されている。第１層間絶縁膜５８及び第２層間絶縁膜５９は、例えば、シリコン酸化膜（ＳｉＯ2）、チタン酸化膜（ＴｉＯ2）などから構成されている。ゲート電極５７は、半導体膜５２のチャネル領域５５に対応する位置に設けられている。
【００４０】
半導体膜５２のソース領域５３は、ゲート絶縁膜５６及び第１層間絶縁膜５８を貫通して設けられたコンタクトホール６１を介して、第１層間絶縁膜５８上に形成された信号線１３と電気的に接続されている。一方、ドレイン領域５４は、ゲート絶縁膜５６、第１層間絶縁膜５８、第２層間絶縁膜５９を貫通して設けられたコンタクトホール６２を介して、第２層間絶縁膜５９上に形成された陽極２４と電気的に接続されている（図では、ゲート絶縁膜５６の貫通の図示を省略）。
【００４１】
陽極２４は、発光領域４１（画素）ごとに形成されている。また、陽極２４は、透明のＩＴＯ（Indium Tin Oxide）膜からなり、例えば、平面視で略矩形の形状となっている。なお、回路素子層４２には、図示しない保持容量及びスイッチング用のトランジスターが形成されている。このようにして、回路素子層４２には、各陽極２４に接続された駆動用のトランジスターが形成されている。
【００４２】
なお、図示省略したが、陽極２４の下層（第２層間絶縁膜５９側）に、絶縁層を介してアルミ等からなる反射層が設けられている。反射層は、機能層２６における発光を陰極２５側に反射させるものである。
【００４３】
上記した陽極２４を含む発光素子層４３は、マトリックス状に配置された発光素子２７を具備して素子基板３１上に形成されている。詳述すると、発光素子層４３は、陽極２４上に形成された機能層２６と、機能層２６間を絶縁する絶縁膜６４とを主体として構成されている。機能層２６上及び絶縁膜６４上には、陰極２５が配置されている。陽極２４と、機能層２６と、陰極２５とによって発光素子２７が構成されている。
【００４４】
機能層２６は、例えば、正孔注入輸送層６５と、発光層４４（有機発光層）と、電子注入輸送層（図示せず）とが順に積層されている。正孔注入輸送層６５は、正孔注入層と正孔輸送層とが積層されて構成されており、例えば、素子基板３１上の全体に亘って形成されている。電子注入輸送層は、電子輸送層と電子注入層とが積層されて構成されている。
【００４５】
発光層４４は、エレクトロルミネッセンス現象を発現する有機発光物質（有機物）の層である。陽極２４と陰極２５との間に電圧を印加することによって、発光層４４には、正孔注入輸送層６５から正孔が、また、陰極２５から電子が注入される。発光層４４において、正孔と電子とが結合したときに光を発する。発光層４４からの光は、一部は直接陰極２５を透過し、一部は反射層によって反射されてから陰極２５を透過する。なお、ＲＧＢ各色の発光層４４は、後述する成膜用マスクを用いて選択的に成膜される。
【００４６】
陰極２５は、発光層４４及び絶縁膜６４を覆うように形成されている。言い換えれば、陰極２５は、発光層４４を挟んで陽極２４の反対側に形成されている。陰極２５は、透光性を有しており、例えば、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）膜で構成されている。
【００４７】
陰極２５の上には、水分や酸素の侵入を防ぐための、透明樹脂などからなる封止層６６が積層されている。封止層６６は、例えばエポキシ樹脂、アクリル樹脂等からなる。なお、発光素子層４３（陽極２４と機能層２６）と陰極２５とによって発光素子２７が構成される。
【００４８】
また、有機ＥＬ装置１１は、素子基板３１の裏面側（素子形成側と逆側）に、磁性体膜４０が成膜されている。具体的には、磁性体膜４０は、Ｆｅ（鉄）、Ｃｏ（コバルト）、Ｎｉ（ニッケル）などの強磁性材料やこれらの混合物、また、これらの強磁性材料に非磁性金属材料を含有するものが用いられる。なお、非磁性金属材料の含有率は、１０ａｔ％以下が好ましい。これにより、さほど強力な磁石でなくても飽和磁化に到達する磁性体膜４０を実現できる。
【００４９】
非磁性金属材料を含有することで磁性体膜４０としての物理的、化学的な安定を図ることができる。非磁性金属材料としては、例えばＺｎ（亜鉛）、Ｍｏ（モリブデン）、Ｗ（タングステン）、Ｒｅ（レニウム）、Ｐｔ（白金）などが挙げられる。
【００５０】
このような磁性体膜４０を有する有機ＥＬ装置１１は、後述する磁石７６（図４参照）の磁場の影響を受け自ら磁石７６（図４参照）に密着することが可能となる。以下、発光層４４などを選択的に成膜するために用いられる蒸着装置について説明する。
【００５１】
図４は、蒸着装置の構造を示す模式断面図である。以下、蒸着装置の構造を、図４を参照しながら説明する。
【００５２】
なお、上記した有機ＥＬ装置１１において、素子基板３１から正孔注入輸送層６５（図３参照）までを被成膜基板１１ａと称して説明する。そして、被成膜基板１１ａの表面（第１面、他方の面）上に各色（赤色、緑色、青色）の発光層４４を選択的に蒸着するための蒸着装置７１について説明する。
【００５３】
図４に示すように、蒸着装置７１は、チャンバー７２と、チャンバー７２の底部に設けられ膜形成材料を収納して蒸発させる蒸着物源７３と、蒸着物源７３に対向して設けられ、被成膜基板１１ａをほぼ水平な状態に保持する基板保持部７４とを有している。また、チャンバー７２内を所定の真空度に減圧する減圧装置（図示せず）を備えている。
【００５４】
基板保持部７４は、外縁側に保持部７４ａを有する支持体７４ｂと、支持体７４ｂに設けられ支持体７４ｂをチャンバー７２内において吊設する回転軸７５とを備えている。
【００５５】
保持部７４ａはクランプ状の形態となっており、順に重ね合わされた成膜用マスク８１、被成膜基板１１ａ、磁石７６からなる積層体の周辺部を保持している。つまり、成膜用マスク８１は、被成膜基板１１ａに薄膜（発光層４４）をパターニング（蒸着）する際、蒸着物源７３と被成膜基板１１ａとの間に配置される。
【００５６】
より具体的には、成膜用マスク８１は、有機ＥＬ装置１１を構成するサブ画素３４（図２参照）の大きさに相当する複数の開口孔８２（図５、図６参照）が形成されている。また、被成膜基板１１ａと成膜用マスク８１とが位置決めされて重ね合わされ、保持部７４ａによって被成膜基板１１ａが磁石７６と成膜用マスク８１との間に挟持される。
【００５７】
成膜用マスク８１は、磁石７６の磁力により磁石７６側に引き付けられる構成となっている。被成膜基板１１ａは、成膜用マスク８１が磁石７６側に引き付けられることによって成膜用マスク８１と密着することが可能となると共に、成膜用マスク８１と磁石７６との間に固定される。更に、被成膜基板１１ａ（有機ＥＬ装置１１）の裏面（第２面、一方の面）に磁性体膜４０が設けられているので、被成膜基板１１ａ自体も磁石７６に引き付けられる。
【００５８】
また、成膜用マスク８１が磁石７６に引き寄せられる力によって被成膜基板１１ａが磁石７６側に押圧される。更に、被成膜基板１１ａ自体が磁石７６に引き寄せられることにより、被成膜基板１１ａのソリを緩和させることが可能となり、被成膜基板１１ａと成膜用マスク８１との密着性をより向上させることができる。よって、被成膜基板１１ａに成膜される薄膜（発光層４４）がぼけることを抑えることができる。
【００５９】
蒸着物源７３には、前述した機能層２６を構成する発光層４４（赤色の発光層４４Ｒ、緑色の発光層４４Ｇ、青色の発光層４４Ｂ）のうちいずれかの膜形成材料が収納され加熱されることにより蒸発する。これらの膜形成材料が蒸着する間に回転軸７５が回転することにより基板保持部７４に保持された被成膜基板１１ａが回転する。その結果、被成膜基板１１ａには、ぼけることが抑えられた状態で発光層４４を成膜することが可能となっている。
【００６０】
図５は、成膜用マスクの構造を示す模式平面図である。図６は、図５に示す成膜用マスクのＡ−Ａ'線に沿う模式断面図である。以下、成膜用マスクの構造を、図５及び図６を参照しながら説明する。
【００６１】
なお、上記と同様に、素子基板３１から正孔注入輸送層６５までを被成膜基板１１ａと称して説明する。そして、被成膜基板１１ａ上に各色（赤色、緑色、青色）の発光層４４を選択的に蒸着する成膜用マスク８１について説明する。
【００６２】
成膜用マスク８１は、平面的に有機ＥＬ装置１１を構成するサブ画素３４（図２参照）の領域に対応する複数の開口孔８２が配置されている。開口孔８２は、蒸着する際、蒸着物源７３（図４参照）から出射された蒸着物質が通り抜ける貫通孔である。
【００６３】
開口孔８２を通り抜けた蒸着物質は被成膜基板１１ａに到達する。したがって、開口孔８２の開口領域は、被成膜基板１１ａにパターニングする薄膜（成膜パターン）の形状と略同一形状となっている。
【００６４】
成膜用マスク８１の材料としては、金属製のメタルマスクであり、例えば、Ｆｅ−３６ｗｔ％Ｎｉの材料構成であるインバーなどが挙げられる。
【００６５】
また、１枚の成膜用マスク８１によって、１２個分の有機ＥＬ装置１１を構成する複数の薄膜（発光層４４）を蒸着させることが可能となっている。なお、成膜用マスク８１において対応する有機ＥＬ装置１１の個数は、１２個である構成に限定されず、任意とすることができる。
【００６６】
成膜用マスク８１は、Ｒ（赤色）、Ｇ（緑色）、Ｂ（青色）のサブ画素３４を１色ずつ成膜させるように（つまり発光領域４１単位、図３参照）、開口孔８２が一定の間隔をおいて配置されている。また、開口孔８２の集合群は、１２箇所に形成されている。
【００６７】
＜電気光学装置の製造方法＞
図７〜図１２は、有機ＥＬ装置の製造方法の一部分である、成膜用マスクを用いた蒸着方法を工程順に示す模式断面図である。以下、成膜用マスクを用いた蒸着方法を、図７〜図１２を参照しながら説明する。
【００６８】
まず、図７に示す工程（素子形成工程、磁性体膜形成工程）では、素子基板３１上に正孔注入輸送層６５までを形成する。具体的には、素子基板３１上にＴＦＴ素子２３を有する回路素子層４２を形成する。次に、回路素子層４２上に陽極２４（図３参照）及び正孔注入輸送層６５を、真空蒸着法を用いて形成する。また、素子基板３１の裏面全体に、例えば、スパッタ法を用いて磁性体膜４０を形成する。上記したように、ここまでの状態を被成膜基板１１ａと称して説明する。
【００６９】
図８に示す工程（配置工程）では、被成膜基板１１ａ上（正孔注入輸送層６５側）に成膜用マスク８１を配置する。具体的には、被成膜基板１１ａを成膜用マスク８１と磁石７６とで挟持する。より具体的には、磁石７６の磁力を利用してメタルマスクからなる成膜用マスク８１及び磁性体膜４０を有する被成膜基板１１ａを吸引することにより、被成膜基板１１ａに成膜用マスク８１を固定することができる。また、上記したように、被成膜基板１１ａに生じているソリを緩和させることができる。
【００７０】
図９に示す工程（膜形成工程）では、成膜用マスク８１を用いて、被成膜基板１１ａ上（正孔注入輸送層６５上）の膜形成領域に発光層４４を形成する。最初に、フォトリソグラフィ技術及びエッチング技術を用いて、被成膜基板１１ａ（正孔注入輸送層６５）上に絶縁膜６４を形成する。その後、赤色の発光層４４Ｒをパターニングする。具体的には、被成膜基板１１ａと蒸着物源７３Ｒとの間に成膜用マスク８１が配置される。そして、蒸着物源７３Ｒから出射された赤色の蒸着物質７７Ｒが、成膜用マスク８１の開口孔８２を通り抜けて、被成膜基板１１ａに蒸着する。
【００７１】
なお、上記したように、被成膜基板１１ａの裏面に磁性体膜４０が成膜されており、被成膜基板１１ａ自体が磁石７６に吸引されることにより、被成膜基板１１ａと成膜用マスク８１との隙間を少なくすることができる。よって、発光層４４（赤色の発光層４４Ｒ）を被成膜基板１１ａに蒸着させる際、被成膜基板１１ａのソリ量が大きいことに起因する発光層４４がぼけることを抑えることができる。
【００７２】
図１０に示す工程では、成膜用マスク８１を用いて、被成膜基板１１ａ上（正孔注入輸送層６５上）に緑色の発光層４４Ｇをパターニングする。まず、成膜用マスク８１をサブ画素３４の分だけ移動する（図１０における右側に移動する）。その後、蒸着物源７３Ｇから出射された緑色の蒸着物質７７Ｇが、成膜用マスク８１の開口孔８２を通り抜けて、被成膜基板１１ａに蒸着する。
【００７３】
図１１に示す工程では、成膜用マスク８１を用いて、被成膜基板１１ａ上（正孔注入輸送層６５上）に青色の発光層４４Ｂをパターニングする。まず、成膜用マスク８１をサブ画素３４の分だけ移動する（図１１における右側に移動する）。その後、蒸着物源７３Ｂから出射された青色の蒸着物質７７Ｂが、成膜用マスク８１の開口孔８２を通り抜けて、被成膜基板１１ａに蒸着する。以上により、被成膜基板１１ａ上に発光層４４（４４Ｒ，４４Ｇ，４４Ｂ）が形成される。
【００７４】
図１２に示す工程では、有機ＥＬ装置１１を完成させる。具体的には、発光層４４及び絶縁膜６４上に陰極２５を形成する。その後、陰極２５上に封止層６６等を形成して、有機ＥＬ装置１１が完成する。なお、上記した実施形態では、成膜用マスク８１を蒸着させるために用いてきたが、成膜用マスクを用いる製造方法であればこの製造方法に限定されず、例えば、スパッタ法に適用するようにしてもよい。
【００７５】
以上詳述したように、本実施形態によれば、以下に示す効果が得られる。
【００７６】
（１）本実施形態によれば、被成膜基板１１ａ（有機ＥＬ装置１１）の裏面に磁性体膜４０が成膜されているので、例えば、被成膜基板１１ａの表面に成膜用マスク８１を用いて選択的に発光層４４を成膜する際、被成膜基板１１ａを磁石７６と成膜用マスク８１（メタルマスク）との間に挟むと、成膜用マスク８１が磁石７６に引き寄せられる力によって被成膜基板１１ａが磁石７６側に押圧される。更に、被成膜基板１１ａ自体が磁石７６に吸引されることにより、被成膜基板１１ａのソリを緩和させることが可能となり、被成膜基板１１ａと成膜用マスク８１との密着性をより向上させることができる。よって、発光層４４がぼけることを抑えることが可能となり、精細度を向上させることができる。
【００７７】
（２）本実施形態によれば、磁石７６の磁力に起因して磁性体膜４０に静電気が帯電することにより、被成膜基板１１ａと成膜用マスク８１との密着性が向上する。更に、磁性体膜４０に静電気が帯電することで、被成膜基板１１ａと成膜用マスク８１との剥離時に、被成膜基板１１ａの成膜面が静電気によって損傷を受けることを抑えることができる。
【００７８】
なお、実施形態は上記に限定されず、以下のような形態で実施することもできる。
【００７９】
（変形例１）
上記したように、被成膜基板１１ａの裏面（発光層４４の形成側と反対側）全体に磁性体膜４０を成膜することに限定されず、被成膜基板１１ａのソリが抑えられればよく、以下のように成膜してもよい。図１３（ａ）は、被成膜基板に設けられた磁性体膜の成膜パターンを示す模式平面図である。図１３（ｂ）は、図１３（ａ）に示す成膜パターンのＢ−Ｂ'線に沿う模式断面図である。図１３に示すように、被成膜基板１１ａの裏面に設けられた磁性体膜４０ａの成膜パターンは、サブ画素３４の領域と平面的に重なる領域を除いて成膜されている。形成方法としては、成膜用マスクを用いて選択的に磁性体膜４０ａをパターニングするようにしてもよいし、被成膜基板１１ａの裏面全体に成膜した磁性体膜をフォトリソグラフィ技術及びエッチング技術（エッチング工程）を用いてパターニングするようにしてもよい。
【００８０】
これによれば、平面的にサブ画素３４の領域と重なる領域を避けて磁性体膜４０ａが成膜されているので、磁性体膜４０ａが遮光性を有していてもサブ画素３４の領域の光透過性を確保できる。つまり、有機ＥＬ装置１１の表面及び裏面の両方から光を取り出すことができる。言い換えれば、表面側から光を取り出すトップエミッション型だけでなく、裏面側から光を取り出すボトムエミッション型の有機ＥＬ装置１１に適用することができる。
【００８１】
（変形例２）
上記したように、被成膜基板１１ａの裏面（発光層４４の成膜側と反対側）全体に磁性体膜４０を成膜したり、サブ画素３４の領域を避けて磁性体膜４０ａを成膜したりすることに限定されず、以下のように成膜してもよい。図１４（ａ）は、被成膜基板に設けられた磁性体膜の成膜パターンを示す模式平面図である。図１４（ｂ）は、図１４（ａ）に示す成膜パターンのＣ−Ｃ'線に沿う模式断面図である。図１４に示すように、被成膜基板１１ａの裏面に設けられた磁性体膜４０ｂの成膜パターンは、１つの有機ＥＬ装置１１（パネル）の領域と平面的に重なる領域を除いて成膜されている。形成方法としては、変形例１に記載のような方法を用いることができる。
【００８２】
これによれば、平面的に有機ＥＬ装置１１（パネル）の領域と重なる領域を避けて磁性体膜４０ｂが成膜されているので、磁性体膜４０ｂが遮光性を有していても有機ＥＬ装置１１の領域の光透過性を確保することが可能となり、上記したように、表面側から光を取り出すトップエミッション型の有機ＥＬ装置１１や、裏面側から光を取り出すボトムエミッション型の有機ＥＬ装置１１に適用することができる（高精度な位置合わせが不要）。
【００８３】
（変形例３）
上記したように、成膜用マスク８１を用いて蒸着させる対象の膜を発光層４４としていることに限定されず、その他の膜を選択的に蒸着させるようにしてもよい。
【００８４】
（変形例４）
上記したように、同一の成膜用マスク８１をサブ画素３４分ずらしながら赤色、緑色、青色の発光層４４（４４Ｒ，４４Ｇ，４４Ｂ）を形成していたことに代えて、各色の発光層４４を蒸着させる専用の成膜用マスクをそれぞれ用意して、各色の発光層４４（４４Ｒ，４４Ｇ，４４Ｂ）を形成するようにしてもよい。また、白色発光で照明として用いる場合など、全てのサブ画素３４に対して一括で発光層などを成膜するようにしてもよい。また、単色の発光層を成膜するようにしてもよい。
【００８５】
（変形例５）
上記したように、成膜用マスク８１を有機ＥＬ装置１１の製造に適用することに限定されず、例えば、液晶装置、プラズマディスプレイなどの製造に適用するようにしてもよい。これによれば、それぞれの電気光学特性（精細度など）を向上させることができる。
【符号の説明】
【００８６】
１１…電気光学装置としての有機ＥＬ装置、１１ａ…被成膜基板、１２…走査線、１３…信号線、１４…電源線、１５…信号線駆動回路、１６…走査線駆動回路、２１…スイッチング用ＴＦＴ、２２…保持容量、２３…ＴＦＴ素子、２４…陽極、２５…陰極、２６…機能層、２７…電気光学素子としての発光素子、３１…素子基板、３２…表示領域、３２ａ…実表示領域、３２ｂ…ダミー領域、３３…非表示領域、３４…サブ画素、３５…検査回路、３６…フレキシブル基板、３７…駆動用ＩＣ、４０，４０ａ，４０ｂ…磁性体膜、４１…発光領域、４２…回路素子層、４３…発光素子層、４４，４４Ｒ，４４Ｇ，４４Ｂ…発光層、５１…下地保護膜、５２…半導体膜、５３…ソース領域、５４…ドレイン領域、５５…チャネル領域、５６…ゲート絶縁膜、５７…ゲート電極、５８…第１層間絶縁膜、５９…第２層間絶縁膜、６１，６２…コンタクトホール、６４…絶縁膜、６５…正孔注入輸送層、６６…封止層、７１…蒸着装置、７２…チャンバー、７３，７３Ｒ，７３Ｇ，７３Ｂ…蒸着物源、７４…基板保持部、７４ａ…保持部、７４ｂ…支持体、７５…回転軸、７６…磁石、７７Ｒ，７７Ｇ，７７Ｂ…蒸着物質、８１…成膜用マスク、８２…開口孔。
【技術分野】
【０００１】
本発明は、成膜用マスクを用いて形成された機能層を有する電気光学装置、電気光学装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
上記電気光学装置の一つとして、例えば、陽極と陰極との間に発光層などの有機膜が挟持された構造の有機ＥＬ（エレクトロルミネッセンス）装置がある。有機膜の形成方法としては、成膜用マスクとしての蒸着マスクを用いて、ＲＧＢ各色に対応する有機膜を選択的に成膜する方法が挙げられる。蒸着マスクは、例えば、特許文献１に記載のように、マグネットを用いて被成膜基板に密着させることが可能なメタルマスクである。
【０００３】
具体的には、まず、マグネットを用いてメタルマスクを被成膜基板に密着させる。次に、メタルマスクを介して、有機膜となる蒸着物質を被成膜基板に蒸着させる。これにより、被成膜基板上にＲＧＢ各色の有機膜（発光層）が形成される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００６−１５２３３９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、被成膜基板が撓んでいる（反っている）場合、マグネットとメタルマスクとによって被成膜基板を押さえても、撓む位置が変わる等、撓みを抑えることができないおそれがある。これにより、被成膜基板と蒸着マスクとの間に隙間が生じ、蒸着させた有機膜がぼけるという問題が生じる。具体的には、正規の膜厚を得ることができなかったり、隣の画素に有機膜がはみ出したりする。更に、この問題を回避するために、有機膜と隣の有機膜との間隔を広くすると、精細度が低下したり、開口率が減少するという課題がある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明は、上記課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態又は適用例として実現することが可能である。
【０００７】
［適用例１］本適用例に係る電気光学装置は、被成膜基板と、前記被成膜基板の第１面に設けられた電気光学素子と、前記第１面と対向する第２面に設けられた磁性体膜と、を備えたことを特徴とする。
【０００８】
この構成によれば、被成膜基板の第２面に磁性体膜が成膜されているので、例えば、被成膜基板の第１面に成膜用のマスクを用いて選択的に電気光学素子を構成する膜を成膜する際、被成膜基板を磁石と金属製のマスク（メタルマスク）との間に挟むと、メタルマスクが磁石に引き寄せられる力によって被成膜基板が磁石側に押圧される。更に、被成膜基板自体が磁石に吸引されることにより、被成膜基板のソリを緩和させることが可能となり、被成膜基板と成膜用マスクとの密着性をより向上させることができる。よって、第１面に成膜される膜がぼけることを抑えることが可能となり、精細度を向上させた電気光学装置を提供することができる。
また、磁石に起因して磁性体膜側が帯電することにより、被成膜基板とマスクとの密着性が向上する。更に、被成膜基板とマスクとの剥離時に、磁性体膜側が帯電することで、被成膜基板の第１面すなわち成膜面が静電気によって損傷を受けることを抑えることができる。
【０００９】
［適用例２］上記適用例に係る電気光学装置において、前記磁性体膜は、平面的に前記電気光学素子が設けられた領域と重なる領域を避けるように成膜されていることが好ましい。
【００１０】
この構成によれば、平面的に電気光学素子が設けられた領域と重なる領域を避けて磁性体膜が成膜されているので、例えば、磁性体膜が遮光性を有していても電気光学素子の領域における被成膜基板の光透過性を確保できる。つまり、第１面及び第２面の両方から光を取り出すことができる。
【００１１】
［適用例３］上記適用例に係る電気光学装置において、前記電気光学素子は、発光素子であり、前記磁性体膜は、平面的に前記発光素子が設けられた領域と重なる領域を避けるように成膜されていることが好ましい。
【００１２】
この構成によれば、平面的に発光素子が設けられた領域と重なる領域を避けて磁性体膜が成膜されているので、例えば、磁性体膜が遮光性を有していても発光素子の領域における被成膜基板の光透過性を確保できる。言い換えれば、第１面側から光を取り出すトップエミッション型の電気光学装置や、第２面側から光を取り出すボトムエミッション型の電気光学装置に適用することができる。
【００１３】
［適用例４］上記適用例に係る電気光学装置において、前記被成膜基板は、複数の電気光学装置が面付けされるマザー基板であり、前記磁性体膜は、平面的に個々の電気光学装置が形成される領域と重なる領域を避けるように成膜されていることが好ましい。
【００１４】
この構成によれば、平面的に個々の電気光学装置が形成される領域と重なる領域を避けて磁性体膜が成膜されているので、例えば、磁性体膜が遮光性を有していても、個々の電気光学装置が形成される領域における被成膜基板の光透過性を確保できる。
【００１５】
［適用例５］上記適用例に係る電気光学装置において、前記磁性体膜は、非磁性金属材料を１０ａｔ％以下で含有することが好ましい。
【００１６】
この構成によれば、磁性体膜に非磁性金属材料を添加することで、化学的に安定した物性が得られる。更に、非磁性金属材料の含有率を１０ａｔ％以下とすることにより、さほど強力な磁石でなくても飽和磁化に到達する磁性体膜を構成できる。
【００１７】
［適用例６］本適用例に係る電気光学装置の製造方法は、被成膜基板の一方の面に磁性体膜を形成する磁性体膜形成工程と、前記被成膜基板の他方の面に電気光学素子を形成する素子形成工程とを備え、前記素子形成工程は、前記一方の面側に磁石を配置すると共に、前記他方の面側に金属製の成膜用マスクを配置して、前記成膜用マスクと前記被成膜基板とを重ね合わせる配置工程と、前記成膜用マスクを介して前記被成膜基板に前記電気光学素子を構成する膜を形成する膜形成工程と、を含むことを特徴とする。
【００１８】
この方法によれば、磁性体膜形成工程によって被成膜基板の一方の面に磁性体膜を形成するので、配置工程で金属製の成膜用マスク（メタルマスク）と被成膜基板と磁石とを重ね合わせた際、成膜用マスクが磁石に引き寄せられる力によって被成膜基板が磁石側に押圧される。更に、被成膜基板自体が磁石に吸引されることにより、被成膜基板のソリを緩和させることが可能となり、被成膜基板と成膜用マスクとの密着性をより向上させることができる。よって、他方の面に成膜される膜がぼけることを抑えることが可能となり、精細度を向上させることができる。
また、磁石に起因して磁性体膜に静電気が帯電することにより、被成膜基板と成膜用マスクとの密着性が向上する。更に、磁性体膜に静電気が帯電することで、被成膜基板と成膜用マスクとの剥離時に、被成膜基板の他方の面すなわち成膜面が静電気によって損傷を受けることを抑えることができる。
【００１９】
［適用例７］上記適用例に係る電気光学装置の製造方法において、前記磁性体膜形成工程は、平面的に前記電気光学素子が形成される領域と重なる領域に成膜されている前記磁性体膜をエッチングして除去するエッチング工程を含むことが好ましい。
【００２０】
この方法によれば、平面的に電気光学素子が形成される領域と重なる領域の磁性体膜をエッチングして除去するので、例えば、磁性体膜が遮光性を有していても電気光学素子の領域における被成膜基板の光透過性を確保できる。つまり、第１面及び第２面の両方から光を取り出すことができる。
【００２１】
［適用例８］上記適用例に係る電気光学装置の製造方法において、前記電気光学素子は、発光素子であり、前記磁性体膜形成工程は、平面的に前記発光素子が形成される領域と重なる領域に成膜されている前記磁性体膜をエッチングして除去するエッチング工程を含むことが好ましい。
【００２２】
この方法によれば、平面的に発光素子が形成される領域と重なる領域の磁性体膜をエッチングして除去するので、例えば、磁性体膜が遮光性を有していても発光素子の領域における被成膜基板の光透過性を確保できる。言い換えれば、他方の面側から光を取り出すトップエミッション型の電気光学装置や、一方の面側から光を取り出すボトムエミッション型の電気光学装置を形成することができる。
【００２３】
［適用例９］上記適用例に係る電気光学装置の製造方法において、前記被成膜基板は、複数の電気光学装置が面付けされるマザー基板であり、前記磁性体膜形成工程は、平面的に個々の電気光学装置が形成される領域と重なる領域に成膜されている前記磁性体膜をエッチングして除去するエッチング工程を含むことが好ましい。
【００２４】
この方法によれば、平面的に個々の電気光学装置が形成される領域と重なる領域の磁性体膜をエッチングして除去するので、例えば、磁性体膜が遮光性を有していてもパネルの領域における被成膜基板の光透過性を確保できる。
【図面の簡単な説明】
【００２５】
【図１】有機ＥＬ装置の電気的な構成を示す等価回路図。
【図２】有機ＥＬ装置の構成を示す模式平面図。
【図３】有機ＥＬ装置の構造を示す模式断面図。
【図４】蒸着装置の構造を示す模式断面図。
【図５】成膜用マスクの構造を示す模式平面図。
【図６】図５に示す成膜用マスクのＡ−Ａ'線に沿う模式断面図。
【図７】成膜用マスクを用いた蒸着方法を工程順に示す模式断面図。
【図８】成膜用マスクを用いた蒸着方法を工程順に示す模式断面図。
【図９】成膜用マスクを用いた蒸着方法を工程順に示す模式断面図。
【図１０】成膜用マスクを用いた蒸着方法を工程順に示す模式断面図。
【図１１】成膜用マスクを用いた蒸着方法を工程順に示す模式断面図。
【図１２】成膜用マスクを用いた蒸着方法を工程順に示す模式断面図。
【図１３】（ａ）は被成膜基板に設けられた磁性体膜の成膜パターンを示す模式平面図であり、（ｂ）は（ａ）に示す成膜パターンのＢ−Ｂ'線に沿う模式断面図。
【図１４】（ａ）は被成膜基板に設けられた磁性体膜の成膜パターンを示す模式平面図であり、（ｂ）は（ａ）に示す成膜パターンのＣ−Ｃ'線に沿う模式断面図。
【発明を実施するための形態】
【００２６】
＜電気光学装置の構成＞
図１は、電気光学装置としての有機ＥＬ装置の電気的な構成を示す等価回路図である。以下、有機ＥＬ装置の電気的な構成を、図１を参照しながら説明する。
【００２７】
図１に示すように、有機ＥＬ装置１１は、複数の走査線１２と、走査線１２に対して交差する方向に延びる複数の信号線１３と、信号線１３に並行に延びる複数の電源線１４とが、それぞれ格子状に配線されている。そして、走査線１２と信号線１３とにより区画された領域が画素領域として構成されている。信号線１３は、信号線駆動回路１５に接続されている。また、走査線１２は、走査線駆動回路１６に接続されている。
【００２８】
各画素領域には、走査線１２を介して走査信号がゲート電極に供給されるスイッチング用ＴＦＴ（Thin Film Transistor）２１と、このスイッチング用ＴＦＴ２１を介して信号線１３から供給される画素信号を保持する保持容量２２と、保持容量２２によって保持された画素信号がゲート電極に供給される駆動用ＴＦＴ２３（以下、「ＴＦＴ素子２３」と称する。）とが設けられている。更に、各画素領域には、ＴＦＴ素子２３を介して電源線１４に電気的に接続したときに、電源線１４から駆動電流が流れ込む陽極２４と、陰極２５と、この陽極２４と陰極２５との間に挟持された機能層２６とが設けられている。
【００２９】
有機ＥＬ装置１１は、陽極２４と陰極２５と機能層２６とにより構成される電気光学素子としての発光素子２７を複数備えている。また、有機ＥＬ装置１１は、複数の発光素子２７で構成される表示領域を備えている。
【００３０】
この構成によれば、走査線１２が駆動されてスイッチング用ＴＦＴ２１がオン状態になると、そのときの信号線１３の電位が保持容量２２に保持され、保持容量２２の状態に応じて、ＴＦＴ素子２３のオン・オフ状態が決まる。そして、ＴＦＴ素子２３のチャネルを介して、電源線１４から陽極２４に電流が流れ、更に、機能層２６を介して陰極２５に電流が流れる。機能層２６は、ここを流れる電流量に応じた輝度で発光する。
【００３１】
図２は、有機ＥＬ装置の構成を示す模式平面図である。以下、有機ＥＬ装置の構成を、図２を参照しながら説明する。
【００３２】
図２に示すように、有機ＥＬ装置１１（パネル）は、ガラス等からなる素子基板３１に表示領域３２（図中一点鎖線の内側の領域）と非表示領域３３（一点鎖線の外側の領域）とを有する構成になっている。表示領域３２には、実表示領域３２ａ（二点鎖線の内側の領域）とダミー領域３２ｂ（図中二点鎖線の外側の領域）とが設けられている。
【００３３】
実表示領域３２ａ内には、光が射出されるサブ画素３４（発光領域）がマトリックス状に配列されている。この、サブ画素３４の各々は、スイッチング用ＴＦＴ２１及びＴＦＴ素子２３（図１参照）の動作に伴って、Ｒ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）各色を発光する構成となっている。
【００３４】
ダミー領域３２ｂには、主として各サブ画素３４を発光させるための回路が設けられている。例えば、実表示領域３２ａの図中左辺及び右辺に沿うように走査線駆動回路１６が配置されており、実表示領域３２ａの図中上辺に沿うように検査回路３５が配置されている。
【００３５】
素子基板３１の下辺には、フレキシブル基板３６が設けられている。フレキシブル基板３６には、各配線と接続された駆動用ＩＣ３７が備えられている。
【００３６】
図３は、有機ＥＬ装置の構造を示す模式断面図である。以下、有機ＥＬ装置の構造を、図３を参照しながら説明する。なお、構成をわかりやすく示すため、各構成要素の層厚や寸法の比率、角度等は適宜異ならせてある。また、本実施形態は、一例として、トップエミッション構造の有機ＥＬ装置１１を説明する。
【００３７】
図３に示すように、有機ＥＬ装置１１は、発光領域４１において発光が行われるものであり、素子基板３１と、素子基板３１上に形成された回路素子層４２と、回路素子層４２上に形成された発光素子層４３と、発光素子層４３上に形成された陰極２５と、素子基板３１の裏面（図３における素子基板３１の下側の面であって、回路素子層４２が設けられた面と反対側の面）に形成された磁性体膜４０とを有する。素子基板３１としては、例えば、ガラス基板、石英、プラスチック等が挙げられる。図３に示す有機ＥＬ装置１１は、陰極に透明な材料を用いることにより、発光層４４で発する光を陰極２５側から射出させるトップエミッション構造を採用したものである。
【００３８】
回路素子層４２は、素子基板３１上にシリコン酸化膜（ＳｉＯ2）からなる下地保護膜５１が形成され、下地保護膜５１上にＴＦＴ素子２３が形成されている。詳しくは、下地保護膜５１上に、ポリシリコン膜からなる島状の半導体膜５２が形成されている。半導体膜５２には、ソース領域５３及びドレイン領域５４が不純物の導入によって形成されている。そして、不純物が導入されなかった部分がチャネル領域５５となっている。
【００３９】
更に、回路素子層４２には、下地保護膜５１及び半導体膜５２を覆うシリコン酸化膜等からなる透明なゲート絶縁膜５６が形成されている。ゲート絶縁膜５６上には、アルミニウム（Ａｌ）、モリブデン（Ｍｏ）、タンタル（Ｔａ）、チタン（Ｔｉ）、タングステン（Ｗ）などからなるゲート電極５７が形成されている。ゲート絶縁膜５６及びゲート電極５７上には、透明な第１層間絶縁膜５８及び第２層間絶縁膜５９が形成されている。第１層間絶縁膜５８及び第２層間絶縁膜５９は、例えば、シリコン酸化膜（ＳｉＯ2）、チタン酸化膜（ＴｉＯ2）などから構成されている。ゲート電極５７は、半導体膜５２のチャネル領域５５に対応する位置に設けられている。
【００４０】
半導体膜５２のソース領域５３は、ゲート絶縁膜５６及び第１層間絶縁膜５８を貫通して設けられたコンタクトホール６１を介して、第１層間絶縁膜５８上に形成された信号線１３と電気的に接続されている。一方、ドレイン領域５４は、ゲート絶縁膜５６、第１層間絶縁膜５８、第２層間絶縁膜５９を貫通して設けられたコンタクトホール６２を介して、第２層間絶縁膜５９上に形成された陽極２４と電気的に接続されている（図では、ゲート絶縁膜５６の貫通の図示を省略）。
【００４１】
陽極２４は、発光領域４１（画素）ごとに形成されている。また、陽極２４は、透明のＩＴＯ（Indium Tin Oxide）膜からなり、例えば、平面視で略矩形の形状となっている。なお、回路素子層４２には、図示しない保持容量及びスイッチング用のトランジスターが形成されている。このようにして、回路素子層４２には、各陽極２４に接続された駆動用のトランジスターが形成されている。
【００４２】
なお、図示省略したが、陽極２４の下層（第２層間絶縁膜５９側）に、絶縁層を介してアルミ等からなる反射層が設けられている。反射層は、機能層２６における発光を陰極２５側に反射させるものである。
【００４３】
上記した陽極２４を含む発光素子層４３は、マトリックス状に配置された発光素子２７を具備して素子基板３１上に形成されている。詳述すると、発光素子層４３は、陽極２４上に形成された機能層２６と、機能層２６間を絶縁する絶縁膜６４とを主体として構成されている。機能層２６上及び絶縁膜６４上には、陰極２５が配置されている。陽極２４と、機能層２６と、陰極２５とによって発光素子２７が構成されている。
【００４４】
機能層２６は、例えば、正孔注入輸送層６５と、発光層４４（有機発光層）と、電子注入輸送層（図示せず）とが順に積層されている。正孔注入輸送層６５は、正孔注入層と正孔輸送層とが積層されて構成されており、例えば、素子基板３１上の全体に亘って形成されている。電子注入輸送層は、電子輸送層と電子注入層とが積層されて構成されている。
【００４５】
発光層４４は、エレクトロルミネッセンス現象を発現する有機発光物質（有機物）の層である。陽極２４と陰極２５との間に電圧を印加することによって、発光層４４には、正孔注入輸送層６５から正孔が、また、陰極２５から電子が注入される。発光層４４において、正孔と電子とが結合したときに光を発する。発光層４４からの光は、一部は直接陰極２５を透過し、一部は反射層によって反射されてから陰極２５を透過する。なお、ＲＧＢ各色の発光層４４は、後述する成膜用マスクを用いて選択的に成膜される。
【００４６】
陰極２５は、発光層４４及び絶縁膜６４を覆うように形成されている。言い換えれば、陰極２５は、発光層４４を挟んで陽極２４の反対側に形成されている。陰極２５は、透光性を有しており、例えば、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）膜で構成されている。
【００４７】
陰極２５の上には、水分や酸素の侵入を防ぐための、透明樹脂などからなる封止層６６が積層されている。封止層６６は、例えばエポキシ樹脂、アクリル樹脂等からなる。なお、発光素子層４３（陽極２４と機能層２６）と陰極２５とによって発光素子２７が構成される。
【００４８】
また、有機ＥＬ装置１１は、素子基板３１の裏面側（素子形成側と逆側）に、磁性体膜４０が成膜されている。具体的には、磁性体膜４０は、Ｆｅ（鉄）、Ｃｏ（コバルト）、Ｎｉ（ニッケル）などの強磁性材料やこれらの混合物、また、これらの強磁性材料に非磁性金属材料を含有するものが用いられる。なお、非磁性金属材料の含有率は、１０ａｔ％以下が好ましい。これにより、さほど強力な磁石でなくても飽和磁化に到達する磁性体膜４０を実現できる。
【００４９】
非磁性金属材料を含有することで磁性体膜４０としての物理的、化学的な安定を図ることができる。非磁性金属材料としては、例えばＺｎ（亜鉛）、Ｍｏ（モリブデン）、Ｗ（タングステン）、Ｒｅ（レニウム）、Ｐｔ（白金）などが挙げられる。
【００５０】
このような磁性体膜４０を有する有機ＥＬ装置１１は、後述する磁石７６（図４参照）の磁場の影響を受け自ら磁石７６（図４参照）に密着することが可能となる。以下、発光層４４などを選択的に成膜するために用いられる蒸着装置について説明する。
【００５１】
図４は、蒸着装置の構造を示す模式断面図である。以下、蒸着装置の構造を、図４を参照しながら説明する。
【００５２】
なお、上記した有機ＥＬ装置１１において、素子基板３１から正孔注入輸送層６５（図３参照）までを被成膜基板１１ａと称して説明する。そして、被成膜基板１１ａの表面（第１面、他方の面）上に各色（赤色、緑色、青色）の発光層４４を選択的に蒸着するための蒸着装置７１について説明する。
【００５３】
図４に示すように、蒸着装置７１は、チャンバー７２と、チャンバー７２の底部に設けられ膜形成材料を収納して蒸発させる蒸着物源７３と、蒸着物源７３に対向して設けられ、被成膜基板１１ａをほぼ水平な状態に保持する基板保持部７４とを有している。また、チャンバー７２内を所定の真空度に減圧する減圧装置（図示せず）を備えている。
【００５４】
基板保持部７４は、外縁側に保持部７４ａを有する支持体７４ｂと、支持体７４ｂに設けられ支持体７４ｂをチャンバー７２内において吊設する回転軸７５とを備えている。
【００５５】
保持部７４ａはクランプ状の形態となっており、順に重ね合わされた成膜用マスク８１、被成膜基板１１ａ、磁石７６からなる積層体の周辺部を保持している。つまり、成膜用マスク８１は、被成膜基板１１ａに薄膜（発光層４４）をパターニング（蒸着）する際、蒸着物源７３と被成膜基板１１ａとの間に配置される。
【００５６】
より具体的には、成膜用マスク８１は、有機ＥＬ装置１１を構成するサブ画素３４（図２参照）の大きさに相当する複数の開口孔８２（図５、図６参照）が形成されている。また、被成膜基板１１ａと成膜用マスク８１とが位置決めされて重ね合わされ、保持部７４ａによって被成膜基板１１ａが磁石７６と成膜用マスク８１との間に挟持される。
【００５７】
成膜用マスク８１は、磁石７６の磁力により磁石７６側に引き付けられる構成となっている。被成膜基板１１ａは、成膜用マスク８１が磁石７６側に引き付けられることによって成膜用マスク８１と密着することが可能となると共に、成膜用マスク８１と磁石７６との間に固定される。更に、被成膜基板１１ａ（有機ＥＬ装置１１）の裏面（第２面、一方の面）に磁性体膜４０が設けられているので、被成膜基板１１ａ自体も磁石７６に引き付けられる。
【００５８】
また、成膜用マスク８１が磁石７６に引き寄せられる力によって被成膜基板１１ａが磁石７６側に押圧される。更に、被成膜基板１１ａ自体が磁石７６に引き寄せられることにより、被成膜基板１１ａのソリを緩和させることが可能となり、被成膜基板１１ａと成膜用マスク８１との密着性をより向上させることができる。よって、被成膜基板１１ａに成膜される薄膜（発光層４４）がぼけることを抑えることができる。
【００５９】
蒸着物源７３には、前述した機能層２６を構成する発光層４４（赤色の発光層４４Ｒ、緑色の発光層４４Ｇ、青色の発光層４４Ｂ）のうちいずれかの膜形成材料が収納され加熱されることにより蒸発する。これらの膜形成材料が蒸着する間に回転軸７５が回転することにより基板保持部７４に保持された被成膜基板１１ａが回転する。その結果、被成膜基板１１ａには、ぼけることが抑えられた状態で発光層４４を成膜することが可能となっている。
【００６０】
図５は、成膜用マスクの構造を示す模式平面図である。図６は、図５に示す成膜用マスクのＡ−Ａ'線に沿う模式断面図である。以下、成膜用マスクの構造を、図５及び図６を参照しながら説明する。
【００６１】
なお、上記と同様に、素子基板３１から正孔注入輸送層６５までを被成膜基板１１ａと称して説明する。そして、被成膜基板１１ａ上に各色（赤色、緑色、青色）の発光層４４を選択的に蒸着する成膜用マスク８１について説明する。
【００６２】
成膜用マスク８１は、平面的に有機ＥＬ装置１１を構成するサブ画素３４（図２参照）の領域に対応する複数の開口孔８２が配置されている。開口孔８２は、蒸着する際、蒸着物源７３（図４参照）から出射された蒸着物質が通り抜ける貫通孔である。
【００６３】
開口孔８２を通り抜けた蒸着物質は被成膜基板１１ａに到達する。したがって、開口孔８２の開口領域は、被成膜基板１１ａにパターニングする薄膜（成膜パターン）の形状と略同一形状となっている。
【００６４】
成膜用マスク８１の材料としては、金属製のメタルマスクであり、例えば、Ｆｅ−３６ｗｔ％Ｎｉの材料構成であるインバーなどが挙げられる。
【００６５】
また、１枚の成膜用マスク８１によって、１２個分の有機ＥＬ装置１１を構成する複数の薄膜（発光層４４）を蒸着させることが可能となっている。なお、成膜用マスク８１において対応する有機ＥＬ装置１１の個数は、１２個である構成に限定されず、任意とすることができる。
【００６６】
成膜用マスク８１は、Ｒ（赤色）、Ｇ（緑色）、Ｂ（青色）のサブ画素３４を１色ずつ成膜させるように（つまり発光領域４１単位、図３参照）、開口孔８２が一定の間隔をおいて配置されている。また、開口孔８２の集合群は、１２箇所に形成されている。
【００６７】
＜電気光学装置の製造方法＞
図７〜図１２は、有機ＥＬ装置の製造方法の一部分である、成膜用マスクを用いた蒸着方法を工程順に示す模式断面図である。以下、成膜用マスクを用いた蒸着方法を、図７〜図１２を参照しながら説明する。
【００６８】
まず、図７に示す工程（素子形成工程、磁性体膜形成工程）では、素子基板３１上に正孔注入輸送層６５までを形成する。具体的には、素子基板３１上にＴＦＴ素子２３を有する回路素子層４２を形成する。次に、回路素子層４２上に陽極２４（図３参照）及び正孔注入輸送層６５を、真空蒸着法を用いて形成する。また、素子基板３１の裏面全体に、例えば、スパッタ法を用いて磁性体膜４０を形成する。上記したように、ここまでの状態を被成膜基板１１ａと称して説明する。
【００６９】
図８に示す工程（配置工程）では、被成膜基板１１ａ上（正孔注入輸送層６５側）に成膜用マスク８１を配置する。具体的には、被成膜基板１１ａを成膜用マスク８１と磁石７６とで挟持する。より具体的には、磁石７６の磁力を利用してメタルマスクからなる成膜用マスク８１及び磁性体膜４０を有する被成膜基板１１ａを吸引することにより、被成膜基板１１ａに成膜用マスク８１を固定することができる。また、上記したように、被成膜基板１１ａに生じているソリを緩和させることができる。
【００７０】
図９に示す工程（膜形成工程）では、成膜用マスク８１を用いて、被成膜基板１１ａ上（正孔注入輸送層６５上）の膜形成領域に発光層４４を形成する。最初に、フォトリソグラフィ技術及びエッチング技術を用いて、被成膜基板１１ａ（正孔注入輸送層６５）上に絶縁膜６４を形成する。その後、赤色の発光層４４Ｒをパターニングする。具体的には、被成膜基板１１ａと蒸着物源７３Ｒとの間に成膜用マスク８１が配置される。そして、蒸着物源７３Ｒから出射された赤色の蒸着物質７７Ｒが、成膜用マスク８１の開口孔８２を通り抜けて、被成膜基板１１ａに蒸着する。
【００７１】
なお、上記したように、被成膜基板１１ａの裏面に磁性体膜４０が成膜されており、被成膜基板１１ａ自体が磁石７６に吸引されることにより、被成膜基板１１ａと成膜用マスク８１との隙間を少なくすることができる。よって、発光層４４（赤色の発光層４４Ｒ）を被成膜基板１１ａに蒸着させる際、被成膜基板１１ａのソリ量が大きいことに起因する発光層４４がぼけることを抑えることができる。
【００７２】
図１０に示す工程では、成膜用マスク８１を用いて、被成膜基板１１ａ上（正孔注入輸送層６５上）に緑色の発光層４４Ｇをパターニングする。まず、成膜用マスク８１をサブ画素３４の分だけ移動する（図１０における右側に移動する）。その後、蒸着物源７３Ｇから出射された緑色の蒸着物質７７Ｇが、成膜用マスク８１の開口孔８２を通り抜けて、被成膜基板１１ａに蒸着する。
【００７３】
図１１に示す工程では、成膜用マスク８１を用いて、被成膜基板１１ａ上（正孔注入輸送層６５上）に青色の発光層４４Ｂをパターニングする。まず、成膜用マスク８１をサブ画素３４の分だけ移動する（図１１における右側に移動する）。その後、蒸着物源７３Ｂから出射された青色の蒸着物質７７Ｂが、成膜用マスク８１の開口孔８２を通り抜けて、被成膜基板１１ａに蒸着する。以上により、被成膜基板１１ａ上に発光層４４（４４Ｒ，４４Ｇ，４４Ｂ）が形成される。
【００７４】
図１２に示す工程では、有機ＥＬ装置１１を完成させる。具体的には、発光層４４及び絶縁膜６４上に陰極２５を形成する。その後、陰極２５上に封止層６６等を形成して、有機ＥＬ装置１１が完成する。なお、上記した実施形態では、成膜用マスク８１を蒸着させるために用いてきたが、成膜用マスクを用いる製造方法であればこの製造方法に限定されず、例えば、スパッタ法に適用するようにしてもよい。
【００７５】
以上詳述したように、本実施形態によれば、以下に示す効果が得られる。
【００７６】
（１）本実施形態によれば、被成膜基板１１ａ（有機ＥＬ装置１１）の裏面に磁性体膜４０が成膜されているので、例えば、被成膜基板１１ａの表面に成膜用マスク８１を用いて選択的に発光層４４を成膜する際、被成膜基板１１ａを磁石７６と成膜用マスク８１（メタルマスク）との間に挟むと、成膜用マスク８１が磁石７６に引き寄せられる力によって被成膜基板１１ａが磁石７６側に押圧される。更に、被成膜基板１１ａ自体が磁石７６に吸引されることにより、被成膜基板１１ａのソリを緩和させることが可能となり、被成膜基板１１ａと成膜用マスク８１との密着性をより向上させることができる。よって、発光層４４がぼけることを抑えることが可能となり、精細度を向上させることができる。
【００７７】
（２）本実施形態によれば、磁石７６の磁力に起因して磁性体膜４０に静電気が帯電することにより、被成膜基板１１ａと成膜用マスク８１との密着性が向上する。更に、磁性体膜４０に静電気が帯電することで、被成膜基板１１ａと成膜用マスク８１との剥離時に、被成膜基板１１ａの成膜面が静電気によって損傷を受けることを抑えることができる。
【００７８】
なお、実施形態は上記に限定されず、以下のような形態で実施することもできる。
【００７９】
（変形例１）
上記したように、被成膜基板１１ａの裏面（発光層４４の形成側と反対側）全体に磁性体膜４０を成膜することに限定されず、被成膜基板１１ａのソリが抑えられればよく、以下のように成膜してもよい。図１３（ａ）は、被成膜基板に設けられた磁性体膜の成膜パターンを示す模式平面図である。図１３（ｂ）は、図１３（ａ）に示す成膜パターンのＢ−Ｂ'線に沿う模式断面図である。図１３に示すように、被成膜基板１１ａの裏面に設けられた磁性体膜４０ａの成膜パターンは、サブ画素３４の領域と平面的に重なる領域を除いて成膜されている。形成方法としては、成膜用マスクを用いて選択的に磁性体膜４０ａをパターニングするようにしてもよいし、被成膜基板１１ａの裏面全体に成膜した磁性体膜をフォトリソグラフィ技術及びエッチング技術（エッチング工程）を用いてパターニングするようにしてもよい。
【００８０】
これによれば、平面的にサブ画素３４の領域と重なる領域を避けて磁性体膜４０ａが成膜されているので、磁性体膜４０ａが遮光性を有していてもサブ画素３４の領域の光透過性を確保できる。つまり、有機ＥＬ装置１１の表面及び裏面の両方から光を取り出すことができる。言い換えれば、表面側から光を取り出すトップエミッション型だけでなく、裏面側から光を取り出すボトムエミッション型の有機ＥＬ装置１１に適用することができる。
【００８１】
（変形例２）
上記したように、被成膜基板１１ａの裏面（発光層４４の成膜側と反対側）全体に磁性体膜４０を成膜したり、サブ画素３４の領域を避けて磁性体膜４０ａを成膜したりすることに限定されず、以下のように成膜してもよい。図１４（ａ）は、被成膜基板に設けられた磁性体膜の成膜パターンを示す模式平面図である。図１４（ｂ）は、図１４（ａ）に示す成膜パターンのＣ−Ｃ'線に沿う模式断面図である。図１４に示すように、被成膜基板１１ａの裏面に設けられた磁性体膜４０ｂの成膜パターンは、１つの有機ＥＬ装置１１（パネル）の領域と平面的に重なる領域を除いて成膜されている。形成方法としては、変形例１に記載のような方法を用いることができる。
【００８２】
これによれば、平面的に有機ＥＬ装置１１（パネル）の領域と重なる領域を避けて磁性体膜４０ｂが成膜されているので、磁性体膜４０ｂが遮光性を有していても有機ＥＬ装置１１の領域の光透過性を確保することが可能となり、上記したように、表面側から光を取り出すトップエミッション型の有機ＥＬ装置１１や、裏面側から光を取り出すボトムエミッション型の有機ＥＬ装置１１に適用することができる（高精度な位置合わせが不要）。
【００８３】
（変形例３）
上記したように、成膜用マスク８１を用いて蒸着させる対象の膜を発光層４４としていることに限定されず、その他の膜を選択的に蒸着させるようにしてもよい。
【００８４】
（変形例４）
上記したように、同一の成膜用マスク８１をサブ画素３４分ずらしながら赤色、緑色、青色の発光層４４（４４Ｒ，４４Ｇ，４４Ｂ）を形成していたことに代えて、各色の発光層４４を蒸着させる専用の成膜用マスクをそれぞれ用意して、各色の発光層４４（４４Ｒ，４４Ｇ，４４Ｂ）を形成するようにしてもよい。また、白色発光で照明として用いる場合など、全てのサブ画素３４に対して一括で発光層などを成膜するようにしてもよい。また、単色の発光層を成膜するようにしてもよい。
【００８５】
（変形例５）
上記したように、成膜用マスク８１を有機ＥＬ装置１１の製造に適用することに限定されず、例えば、液晶装置、プラズマディスプレイなどの製造に適用するようにしてもよい。これによれば、それぞれの電気光学特性（精細度など）を向上させることができる。
【符号の説明】
【００８６】
１１…電気光学装置としての有機ＥＬ装置、１１ａ…被成膜基板、１２…走査線、１３…信号線、１４…電源線、１５…信号線駆動回路、１６…走査線駆動回路、２１…スイッチング用ＴＦＴ、２２…保持容量、２３…ＴＦＴ素子、２４…陽極、２５…陰極、２６…機能層、２７…電気光学素子としての発光素子、３１…素子基板、３２…表示領域、３２ａ…実表示領域、３２ｂ…ダミー領域、３３…非表示領域、３４…サブ画素、３５…検査回路、３６…フレキシブル基板、３７…駆動用ＩＣ、４０，４０ａ，４０ｂ…磁性体膜、４１…発光領域、４２…回路素子層、４３…発光素子層、４４，４４Ｒ，４４Ｇ，４４Ｂ…発光層、５１…下地保護膜、５２…半導体膜、５３…ソース領域、５４…ドレイン領域、５５…チャネル領域、５６…ゲート絶縁膜、５７…ゲート電極、５８…第１層間絶縁膜、５９…第２層間絶縁膜、６１，６２…コンタクトホール、６４…絶縁膜、６５…正孔注入輸送層、６６…封止層、７１…蒸着装置、７２…チャンバー、７３，７３Ｒ，７３Ｇ，７３Ｂ…蒸着物源、７４…基板保持部、７４ａ…保持部、７４ｂ…支持体、７５…回転軸、７６…磁石、７７Ｒ，７７Ｇ，７７Ｂ…蒸着物質、８１…成膜用マスク、８２…開口孔。
【特許請求の範囲】
【請求項１】
被成膜基板と、
前記被成膜基板の第１面に設けられた電気光学素子と、
前記第１面と対向する第２面に設けられた磁性体膜と、
を備えたことを特徴とする電気光学装置。
【請求項２】
請求項１に記載の電気光学装置であって、
前記磁性体膜は、平面的に前記電気光学素子が設けられた領域と重なる領域を避けるように成膜されていることを特徴とする電気光学装置。
【請求項３】
請求項１に記載の電気光学装置であって、
前記電気光学素子は、発光素子であり、
前記磁性体膜は、平面的に前記発光素子が設けられた領域と重なる領域を避けるように成膜されていることを特徴とする電気光学装置。
【請求項４】
請求項１に記載の電気光学装置であって、
前記被成膜基板は、複数の電気光学装置が面付けされるマザー基板であり、
前記磁性体膜は、平面的に個々の電気光学装置が形成される領域と重なる領域を避けるように成膜されていることを特徴とする電気光学装置。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一項に記載の電気光学装置であって、
前記磁性体膜は、非磁性金属材料を１０ａｔ％以下で含有することを特徴とする電気光学装置。
【請求項６】
被成膜基板の一方の面に磁性体膜を形成する磁性体膜形成工程と、
前記被成膜基板の他方の面に電気光学素子を形成する素子形成工程とを備え、
前記素子形成工程は、前記一方の面側に磁石を配置すると共に、前記他方の面側に金属製の成膜用マスクを配置して、前記成膜用マスクと前記被成膜基板とを重ね合わせる配置工程と、
前記成膜用マスクを介して前記被成膜基板に前記電気光学素子を構成する膜を形成する膜形成工程と、
を含むことを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【請求項７】
請求項６に記載の電気光学装置の製造方法であって、
前記磁性体膜形成工程は、平面的に前記電気光学素子が形成される領域と重なる領域に成膜されている前記磁性体膜をエッチングして除去するエッチング工程を含むことを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【請求項８】
請求項６に記載の電気光学装置の製造方法であって、
前記電気光学素子は、発光素子であり、
前記磁性体膜形成工程は、平面的に前記発光素子が形成される領域と重なる領域に成膜されている前記磁性体膜をエッチングして除去するエッチング工程を含むことを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【請求項９】
請求項６に記載の電気光学装置の製造方法であって、
前記被成膜基板は、複数の電気光学装置が面付けされるマザー基板であり、
前記磁性体膜形成工程は、平面的に個々の電気光学装置が形成される領域と重なる領域に成膜されている前記磁性体膜をエッチングして除去するエッチング工程を含むことを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【請求項１】
被成膜基板と、
前記被成膜基板の第１面に設けられた電気光学素子と、
前記第１面と対向する第２面に設けられた磁性体膜と、
を備えたことを特徴とする電気光学装置。
【請求項２】
請求項１に記載の電気光学装置であって、
前記磁性体膜は、平面的に前記電気光学素子が設けられた領域と重なる領域を避けるように成膜されていることを特徴とする電気光学装置。
【請求項３】
請求項１に記載の電気光学装置であって、
前記電気光学素子は、発光素子であり、
前記磁性体膜は、平面的に前記発光素子が設けられた領域と重なる領域を避けるように成膜されていることを特徴とする電気光学装置。
【請求項４】
請求項１に記載の電気光学装置であって、
前記被成膜基板は、複数の電気光学装置が面付けされるマザー基板であり、
前記磁性体膜は、平面的に個々の電気光学装置が形成される領域と重なる領域を避けるように成膜されていることを特徴とする電気光学装置。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一項に記載の電気光学装置であって、
前記磁性体膜は、非磁性金属材料を１０ａｔ％以下で含有することを特徴とする電気光学装置。
【請求項６】
被成膜基板の一方の面に磁性体膜を形成する磁性体膜形成工程と、
前記被成膜基板の他方の面に電気光学素子を形成する素子形成工程とを備え、
前記素子形成工程は、前記一方の面側に磁石を配置すると共に、前記他方の面側に金属製の成膜用マスクを配置して、前記成膜用マスクと前記被成膜基板とを重ね合わせる配置工程と、
前記成膜用マスクを介して前記被成膜基板に前記電気光学素子を構成する膜を形成する膜形成工程と、
を含むことを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【請求項７】
請求項６に記載の電気光学装置の製造方法であって、
前記磁性体膜形成工程は、平面的に前記電気光学素子が形成される領域と重なる領域に成膜されている前記磁性体膜をエッチングして除去するエッチング工程を含むことを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【請求項８】
請求項６に記載の電気光学装置の製造方法であって、
前記電気光学素子は、発光素子であり、
前記磁性体膜形成工程は、平面的に前記発光素子が形成される領域と重なる領域に成膜されている前記磁性体膜をエッチングして除去するエッチング工程を含むことを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【請求項９】
請求項６に記載の電気光学装置の製造方法であって、
前記被成膜基板は、複数の電気光学装置が面付けされるマザー基板であり、
前記磁性体膜形成工程は、平面的に個々の電気光学装置が形成される領域と重なる領域に成膜されている前記磁性体膜をエッチングして除去するエッチング工程を含むことを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【公開番号】特開２０１０−２７１４４５（Ｐ２０１０−２７１４４５Ａ）
【公開日】平成２２年１２月２日（２０１０．１２．２）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００９−１２１６９４（Ｐ２００９−１２１６９４）
【出願日】平成２１年５月２０日（２００９．５．２０）
【出願人】（０００００２３６９）セイコーエプソン株式会社 (51,324)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２２年１２月２日（２０１０．１２．２）
【国際特許分類】
【出願日】平成２１年５月２０日（２００９．５．２０）
【出願人】（０００００２３６９）セイコーエプソン株式会社 (51,324)
【Ｆターム（参考）】
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