電気光学装置及び電子機器
【課題】液晶装置等の電気光学装置において、トランジスタ特性を劣化させることなく、周辺領域における光漏れや光反射に起因する表示画像への悪影響を低減する。
【解決手段】電気光学装置は、基板（１０）上に、複数の画素電極（９ａ）と、複数の画素電極が配列された画素領域（１０ａ）の周辺に位置する周辺領域に設けられたトランジスタ（７１）と、トランジスタよりも下層側に配置され、基板上で平面的に見て、トランジスタの少なくとも一部に重なると共に、トランジスタのチャネル長方向に沿った長手状の開口部（５１０ｓ）が形成された遮光膜（５１０）とを備える。
【解決手段】電気光学装置は、基板（１０）上に、複数の画素電極（９ａ）と、複数の画素電極が配列された画素領域（１０ａ）の周辺に位置する周辺領域に設けられたトランジスタ（７１）と、トランジスタよりも下層側に配置され、基板上で平面的に見て、トランジスタの少なくとも一部に重なると共に、トランジスタのチャネル長方向に沿った長手状の開口部（５１０ｓ）が形成された遮光膜（５１０）とを備える。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、例えば液晶装置等の電気光学装置、及び該電気光学装置を備えた、例えば液晶プロジェクタ等の電子機器の技術分野に関する。
【背景技術】
【０００２】
この種の電気光学装置では、複数の画素から構成される表示領域に縦横に配列された多数の走査線及びデータ線、並びにこれらの各交点に対応して多数の画素電極がＴＦＴ基板上に設けられる。このような電気光学装置は、例えばＴＦＴ（Thin Film Transistor）駆動によるアクティブマトリクス駆動方式を採用しており、各画素に対応して画素スイッチング用ＴＦＴが設けられる。データ線に供給された画像信号は、各画素に形成された画素スイッチング用ＴＦＴのスイッチング動作に応じて画素電極に供給され、表示領域に画像が表示される。加えて、ＴＦＴが形成されたＴＦＴアレイ基板上において、表示領域の周辺に位置する周辺領域には、複数の画素を制御するための各種周辺回路が形成される。このような周辺回路は、例えばＴＦＴ等のトランジスタを含んで構成される。
【０００３】
例えば特許文献１では、遮光膜とトランジスタのゲート電極やドレイン電極との結合容量を調整することによって、トランジスタ特性の劣化やバラツキを低減する技術が開示されている。
【０００４】
【特許文献１】特開平１０−７０２７７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
この種の電気光学装置がプロジェクタのライトバルブとして用いられる場合には、周辺領域における周辺回路を透過した透過光の一部が表示領域に対して斜めに進行することで、表示領域の縁付近において、周辺領域からの光漏れが生じるおそれがある。更に、周辺領域に侵入した戻り光が、周辺回路において再反射され、結局は表示領域から出射される光に紛れ込む事態も生じ得る。この結果、周辺回路における反射や透過に応じた明暗パターン（例えば、周辺回路を構成する複数のトランジスタの配列パターンに応じた明暗パターン）が表示画像の縁付近に映し出されてしまうおそれがある。
【０００６】
このため、基板上の周辺領域における表示領域の縁付近に設けられた周辺回路を構成するトランジスタの下層側（或いは光が出射される出射側）に遮光膜が設けられることがある。これにより、上述した周辺領域からの光漏れや周辺回路における光反射による表示画像への悪影響を低減できる。
【０００７】
しかしながら、周辺回路を構成するトランジスタの下層側に配置された遮光膜によって、トランジスタの特性が劣化してしまうおそれがあるという技術的問題点がある。
【０００８】
本発明は、例えば上述した問題点に鑑みなされたものであり、例えば周辺回路を構成するトランジスタの特性を劣化させることなく、周辺領域における光漏れや光反射に起因する表示画像への悪影響を防止でき、高品質な画像を表示可能な電気光学装置及びそのような電気光学装置を具備してなる電子機器を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明に係る第１の電気光学装置は上記課題を解決するために、基板上に、複数の画素電極と、該複数の画素電極が配列された画素領域の周辺に位置する周辺領域に設けられたトランジスタと、該トランジスタよりも下層側に配置され、前記基板上で平面的に見て、前記トランジスタの少なくとも一部に重なると共に、前記トランジスタのチャネル長方向に沿った長手状の開口部が形成された遮光膜とを備える。
【００１０】
本発明に係る第１の電気光学装置によれば、複数の画素電極は、それぞれ例えばＩＴＯ（Indium Tin Oxide）等の透明材料からなり、基板上の画素領域或いは画素アレイ領域（又は、「画像表示領域」とも呼ぶ）に、例えば複数のデータ線及び複数の走査線の交差に対応して例えばマトリクス状に配列される。トランジスタは、画素領域の周辺に位置する周辺領域に設けられており、例えばサンプリング回路、データ線駆動回路等の周辺回路の少なくとも一部を構成する。トランジスタは、典型的には、画素領域の一辺に沿って複数設けられる。電気光学装置の動作時には、例えば画像信号等に基づいて、画素電極の電位が制御され、複数の画素電極が配列された画素領域において画像表示が行われる。電気光学装置は、例えば光源から入射する入射光に応じて表示光を、画素領域において例えば透過することによって出射する。電気光学装置は、例えば、投射型表示装置におけるライトバルブとして実装される。
【００１１】
本発明では特に、遮光膜は、トランジスタよりも下層側に配置され、基板上で平面的に見て、トランジスタの少なくとも一部に重なる。更に、遮光膜は、トランジスタのチャネル長方向に沿った長手状或いはスリット状の開口部を有する。
【００１２】
典型的には、遮光膜は、トランジスタよりも下層側に、トランジスタを構成する半導体層と重なるように設けられる。遮光膜は、例えば、画素領域の一辺に沿って設けられた複数のトランジスタの各々に対して１つずつ設けられることで、該一辺に沿って複数設けられる。開口部は、遮光膜に例えば１ｕｍ以下の幅でトランジスタのチャネル長方向（言い換えれば、トランジスタにおけるキャリアの流れる方向）に沿って延びるように形成される。更に、開口部は、トランジスタのチャネル幅方向（即ち、チャネル長方向に交わる方向）に沿って所定間隔を隔てて複数形成される。
【００１３】
よって、周辺領域からの光漏れやトランジスタによる戻り光の再反射を遮光膜によって低減或いは防止できる。ここに「戻り光」とは、基板における裏面反射や、複板式のプロジェクタ等で他の電気光学装置から発せられ合成光学系を突き抜けてくる光など、当該電気光学装置における表示光が出射される側から入射光が入射される側へ向かう光を意味する。従って、例えば、複数のトランジスタの配列パターンに応じた明暗パターンなど、周辺領域における光の反射や透過に応じた明暗パターンが表示画像の縁付近に映し出されてしまうことを低減或いは防止できる。つまり、周辺領域における光漏れや光反射に起因する表示画像への悪影響を低減或いは防止できる。
【００１４】
更に、遮光膜は、トランジスタのチャネル長方向に沿った長手状の開口部を有するので、仮に、遮光膜が、開口部を有さずにベタ状に形成された場合やトランジスタのチャネル幅方向に沿った長手状の開口部のみを有するように形成された場合に当該遮光膜に起因して生じ得るトランジスタの特性の劣化が殆ど或いは全く生じない。尚、このようなトランジスタの特性の劣化は、例えば遮光膜とトランジスタとの間の容量カップリング（即ち、容量結合）や、遮光膜に起因する半導体層への不純物の混入或いは半導体層に対する応力変化等に起因して生じると考えられる。
【００１５】
以上の結果、本発明に係る第１の電気光学装置によれば、例えば周辺回路を構成するトランジスタの特性を殆ど或いは全く劣化させることなく、周辺領域における光漏れや光反射に起因する表示画像への悪影響を防止でき、高品質な画像を表示することができる。
【００１６】
本発明に係る第１の電気光学装置の一態様では、前記開口部は、前記トランジスタのチャネル幅方向に所定間隔を隔てて複数形成される。
【００１７】
この態様によれば、開口部は、例えば、遮光膜におけるトランジスタのチャネル幅方向の一端に重なる部分からトランジスタのチャネル幅方向の他端に重なる部分まで、例えば１ｕｍなどの所定間隔を隔てて複数形成される。従って、遮光膜に起因して生じ得るトランジスタの特性の劣化をより確実に低減或いは防止できる。
【００１８】
本発明に係る第１の電気光学装置の他の態様では、前記開口部は、前記基板上で平面的に見て、前記トランジスタのチャネル領域に少なくとも部分的に重なる。
【００１９】
この態様によれば、遮光膜は、トランジスタのチャネル領域に少なくとも部分的に重ならない。よって、遮光膜がトランジスタのチャネル領域に及ぼし得る悪影響を低減或いは防止できる。従って、遮光膜に起因して生じ得るトランジスタの特性の劣化をより確実に低減或いは防止できる。
【００２０】
本発明に係る第１の電気光学装置の他の態様では、前記開口部の幅は、１ｕｍ以下である。
【００２１】
この態様によれば、遮光膜によって光を殆ど或いは実践上完全に遮断できる。よって、周辺領域からの光漏れやトランジスタによる戻り光の再反射をより確実に低減或いは防止できる。
【００２２】
本発明に係る第１の電気光学装置の他の態様では、前記遮光膜は、前記開口部を有する第１遮光部分と、前記トランジスタのチャネル幅方向に沿って前記第１遮光部分よりも前記画素領域から遠い側に前記第１遮光部分に隣接して形成されると共に前記第１遮光部分と互いに異なる平面パターンを有する第２遮光部分とを備える。
【００２３】
この態様によれば、周辺領域のうち画素領域に比較的近い領域における光漏れや光反射を、開口部を有する第１遮光部分によって低減できる。更に、例えば第２遮光部分を第１遮光部分よりもトランジスタに重なる部分が小さな平面パターンを有するように形成することで、遮光膜に起因して生じ得るトランジスタの特性の劣化をより確実に低減或いは防止できる。即ち、周辺領域のうち、光漏れや光反射に起因する表示画像への悪影響が殆ど或いは実践上全く生じない程度に、画素領域から遠い領域では、遮光膜とトランジスタとが重なる部分が小さくなるように第２遮光部分を形成することで、トランジスタの特性の劣化をより確実に低減或いは防止できる。
【００２４】
上述した遮光膜が第１及び第２遮光部分を備える態様では、前記第２遮光部分は、前記基板上で平面的に見て、前記トランジスタと少なくとも部分的に重ならないように形成されてもよい。
【００２５】
この場合には、遮光膜に起因して生じ得るトランジスタの特性の劣化をより確実に低減或いは防止できる。
【００２６】
本発明に係る第１の電気光学装置の他の態様では、前記トランジスタのチャネル幅は、５ｕｍ以上である。
【００２７】
この態様によれば、遮光膜に起因して生じ得るトランジスタの特性の劣化をより効果的に低減或いは防止できる。
【００２８】
本発明に係る第１の電気光学装置の他の態様では、前記トランジスタのチャネル幅は、前記トランジスタのチャネル長よりも長い。
【００２９】
この態様によれば、遮光膜に起因して生じ得るトランジスタの特性の劣化をより効果的に低減或いは防止できる。
【００３０】
本発明に係る第１の電気光学装置の他の態様では、前記画素領域に配線された複数の走査線及び複数のデータ線と、前記周辺領域に設けられ、画像信号を供給する画像信号線とを備え、前記トランジスタは、前記画像信号線に供給される画像信号をサンプリング信号に応じて前記複数のデータ線に夫々供給すると共に前記複数のデータ線に対応して配列された複数のサンプリング用トランジスタとして形成される。
【００３１】
この態様によれば、トランジスタは、サンプリング回路を構成する複数のサンプリング用トランジスタとして、例えば画素領域の近傍に複数のデータ線の配列方向（即ち、複数の走査線の延びる方向）に沿って配列するように複数形成される。よって、長手状の開口部が形成された遮光膜も、例えば画素領域の近傍に複数のデータ線の配列方向に沿って配列するように複数形成される。よって、周辺領域における光漏れや光反射に起因する表示画像への悪影響をより効果的に低減或いは防止できる。
【００３２】
本発明に係る第２の電気光学装置は上記課題を解決するために、基板上に、複数の画素電極と、該複数の画素電極が配列された画素領域の周辺に位置する周辺領域に設けられた相補型トランジスタと、該相補型トランジスタと前記基板との間に配置に配置され、前記基板上で平面的に見て、前記相補型トランジスタの少なくとも一方のトランジスタに重なると共に、該トランジスタのチャネル長方向に沿った長手状の開口部が形成された遮光膜とを備える。
【００３３】
本発明に係る第２の電気光学装置によれば、上述した本発明に係る第１の電気光学装置が享受する利益と同様の利益を享受することができる。
【００３４】
尚、本発明に係る第２の電気光学装置においても、上述した本発明に係る第１の電気光学装置における各種態様と同様の各種態様を採ることが可能である。
【００３５】
本発明の電子機器は上記課題を解決するために、上述した本発明の電気光学装置（但し、その各種態様も含む）を具備する。
【００３６】
本発明の電子機器によれば、上述した本発明の電気光学装置を具備してなるので、高品質な画像表示を行うことが可能な、投射型表示装置、テレビ、携帯電話、電子手帳、ワードプロセッサ、ビューファインダ型又はモニタ直視型のビデオテープレコーダ、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、タッチパネルなどの各種電子機器を実現できる。また、本発明の電子機器として、例えば電子ペーパなどの電気泳動装置、電子放出装置（Field Emission Display及びConduction Electron-Emitter Display）、これら電気泳動装置、電子放出装置を用いた表示装置を実現することも可能である。
【００３７】
本発明の作用及び他の利得は次に説明する実施するための最良の形態から明らかにされる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３８】
以下では、本発明の実施形態について図を参照しつつ説明する。以下の実施形態では、本発明の電気光学装置の一例である駆動回路内蔵型のＴＦＴアクティブマトリクス駆動方式の液晶装置を例にとる。
＜第１実施形態＞
第１実施形態に係る液晶装置について、図１から図６を参照して説明する。
【００３９】
先ず、本実施形態に係る液晶装置の全体構成について、図１及び図２を参照して説明する。ここに図１は、本実施形態に係る液晶装置の全体構成を示す平面図であり、図２は、図１のII−II’線断面図である。
【００４０】
図１及び図２において、本実施形態に係る液晶装置では、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０とが対向配置されている。ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間に液晶層５０が封入されており、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０とは、本発明に係る「画素領域」の一例としての画像表示領域１０ａの周囲に位置するシール領域に設けられたシール材５２により相互に接着されている。
【００４１】
図１において、シール材５２が配置されたシール領域の内側に並行して、画像表示領域１０ａの額縁領域を規定する遮光性の額縁遮光膜５３が、対向基板２０側に設けられている。尚、本実施形態では、周辺領域は、ＴＦＴアレイ基板１０の中心から見て、額縁遮光膜５３によって規定される額縁領域より以遠の領域として規定されており、額縁領域を含む領域である。つまり、周辺領域は、ＴＦＴアレイ基板１０上における画像表示領域１０ａを除く領域であり、光を出射しない領域として設定される。
【００４２】
周辺領域のうち、シール材５２が配置されたシール領域の外側に位置する領域には、データ線駆動回路１０１及び外部回路接続端子１０２がＴＦＴアレイ基板１０の一辺に沿って設けられている。この一辺に沿ったシール領域よりも内側に、サンプリング回路７が額縁遮光膜５３に覆われるようにして設けられている。走査線駆動回路１０４は、この一辺に隣接する２辺に沿ったシール領域の内側に、額縁遮光膜５３に覆われるようにして設けられている。また、ＴＦＴアレイ基板１０上には、対向基板２０の４つのコーナー部に対向する領域に、両基板間を上下導通材１０７で接続するための上下導通端子１０６が配置されている。これらにより、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間で電気的な導通をとることができる。
【００４３】
ＴＦＴアレイ基板１０上には、外部回路接続端子１０２と、データ線駆動回路１０１、走査線駆動回路１０４、上下導通端子１０６等とを電気的に接続するための引回配線９０が形成されている。
【００４４】
図２において、ＴＦＴアレイ基板１０上には、画素スイッチング用ＴＦＴや走査線、データ線等の配線が作り込まれた積層構造が形成されている。画像表示領域１０ａには、画素スイッチング用ＴＦＴや走査線、データ線等の配線の上層に、ＩＴＯ等の透明材料からなる画素電極９ａがマトリクス状に設けられている。画素電極９ａ上には、配向膜が形成されている。他方、対向基板２０におけるＴＦＴアレイ基板１０との対向面上に、遮光膜２３が形成されている。遮光膜２３は、例えば遮光性金属膜等から形成されており、対向基板２０上の画像表示領域１０ａ内で、例えば格子状等にパターニングされている。遮光膜２３上には、ＩＴＯ等の透明材料からなる対向電極２１が複数の画素電極９ａと対向してベタ状に形成されている。対向電極２１上には配向膜が形成されている。液晶層５０は、例えば一種又は数種類のネマティック液晶を混合した液晶からなり、これら一対の配向膜間で、所定の配向状態をとる。
【００４５】
尚、本実施形態では、画像表示領域１０ａにおける液晶層５０に対して対向基板２０側から入射される入射光が、ＴＦＴアレイ基板１０側から表示光として出射されることを前提している。
【００４６】
尚、ここでは図示しないが、ＴＦＴアレイ基板１０上には、データ線駆動回路１０１、走査線駆動回路１０４の他に、製造途中や出荷時の当該液晶装置の品質、欠陥等を検査するための検査回路、検査用パターン等が形成されていてもよい。
【００４７】
次に、本実施形態に係る液晶装置の電気的な構成について、図３を参照して説明する。ここに図３は、本実施形態に係る液晶装置の電気的な構成を示すブロック図である。
【００４８】
図３に示すように、本実施形態に係る液晶装置には、そのＴＦＴアレイ基板１０上の周辺領域に、走査線駆動回路１０４、データ線駆動回路１０１及びサンプリング回路７を含む周辺回路並びに画像信号線６が設けられている。
【００４９】
走査線駆動回路１０４には、Ｙクロック信号ＣＬＹ、反転Ｙクロック信号ＣＬＹｉｎｖ、及びＹスタートパルスＤＹが供給される。走査線駆動回路１０４は、ＹスタートパルスＤＹが入力されると、Ｙクロック信号ＣＬＹ及び反転Ｙクロック信号ＣＬＹｉｎｖに基づくタイミングで、走査信号Ｇｉ（但し、ｉ＝１、・・・、ｍ）を順次生成して出力する。
【００５０】
データ線駆動回路１０１には、Ｘクロック信号ＣＬＸ、反転Ｘクロック信号ＣＬＸｉｎｖ、及びＸスタートパルスＤＸが供給される。データ線駆動回路１０１は、ＸスタートパルスＤＸが入力されると、Ｘクロック信号ＣＬＸ及び反転Ｘクロック信号ＸＣＬＸｉｎｖに基づくタイミングで、サンプリング信号Ｓｉ（但し、ｉ＝１、２、・・・、ｎ）を順次生成して出力する。
【００５１】
サンプリング回路７は、データ線６ａ毎に設けられた複数のサンプリング用ＴＦＴ７１を備えている。サンプリング用ＴＦＴ７１は、本発明に係る「トランジスタ」の一例であり、例えばＰチャネル型又はＮチャネル型の片チャネル型ＴＦＴから構成されている。尚、サンプリング用ＴＦＴ７１は、相補型のＴＦＴから構成されるようにしてもよい。
【００５２】
サンプリング用ＴＦＴ７１のソース配線７１Ｓは、画像信号線６に電気的に接続されており、サンプリング用ＴＦＴ７１のゲート配線７１Ｇは、サンプリング信号線９７に電気的に接続されており、サンプリング用ＴＦＴ７１のドレイン配線７１Ｄは、データ線６ａに電気的に接続されている。各サンプリング用ＴＦＴ７１は、画像信号線６を介して画像信号ＶＩＤが入力されると共にサンプリング信号線９７を介してデータ線駆動回路１０１からサンプリング信号Ｓｉ（但し、ｉ＝１、２、・・・、ｎ）が入力されると、画像信号ＶＩＤをサンプリングして、各データ線６ａにデータ信号Ｄｉ（但し、ｉ＝１、２、・・・、ｎ）として印加するように構成されている。
【００５３】
図３に示すように、ＴＦＴアレイ基板１０の画像表示領域１０ａを構成するマトリクス状に形成された複数の画素には、それぞれ、画素電極９ａと該画素電極９ａをスイッチング制御するための画素スイッチング用ＴＦＴ３０とが形成されており、データ信号Ｄｉが供給されるデータ線６ａが当該画素スイッチング用ＴＦＴ３０のソースに電気的に接続されている。データ線６ａに書き込むデータ信号Ｄｉは、この順に線順次に供給しても構わないし、相隣接する複数のデータ線６ａ同士に対して、グループ毎に供給するようにしてもよい。また、画素スイッチング用ＴＦＴ３０のゲートに走査線１１ａが電気的に接続されている。走査線１１ａには、走査線駆動回路１０４から所定のタイミングで走査信号Ｇ１、Ｇ２、・・・、Ｇｍが、この順に線順次で印加される。尚、本実施形態では、説明の簡単のため、走査信号Ｇ１、Ｇ２、・・・、Ｇｍがこの順に線順次で走査線１１ａに印加されるように構成しているが、走査信号Ｇｉ（但し、ｉ＝１、２、・・・、ｍ）が走査線１１ａに印加される順序は、任意の順序であってもよい。画素電極９ａは、画素スイッチング用ＴＦＴ３０のドレインに電気的に接続されており、スイッチング素子である画素スイッチング用ＴＦＴ３０を一定期間だけそのスイッチを閉じることにより、データ線６ａから供給されるデータ信号Ｄｉを所定のタイミングで書き込む。
【００５４】
画素電極９ａを介して液晶に書き込まれた所定レベルのデータ信号Ｄｉ（但し、ｉ＝１、２、・・・、ｎ）は、対向基板２０（図２参照）に形成された対向電極２１（図２参照）との間で一定期間保持される。液晶は、印加される電圧レベルにより分子集合の配向や秩序が変化することにより、光を変調し、階調表示を可能とする。ノーマリーホワイトモードであれば、各画素の単位で印加された電圧に応じて入射光に対する透過率が減少し、ノーマリーブラックモードであれば、各画素の単位で印加された電圧に応じて入射光に対する透過率が増加され、全体として液晶装置からは画像信号に応じたコントラストをもつ光が出射する。
【００５５】
ここで保持された画像信号がリークするのを防ぐために、画素電極９ａと対向電極２１との間に形成される液晶容量と並列に蓄積容量７０が付加されている。蓄積容量７０の一方の電極は、画素電極９ａと並列して画素スイッチング用ＴＦＴ３０のドレインに電気的に接続され、他方の電極は、定電位となるように、電位固定の容量配線４００に電気的に接続されている。
【００５６】
次に、本実施形態に係るサンプリング用ＴＦＴの具体的な構成について、該サンプリング用ＴＦＴに対応して設けられた遮光膜の構成と共に、図４から図６を参照して説明する。ここに図４は、サンプリング用ＴＦＴの構成を示す平面図である。図５は、図４のV−V’線断面図である。図６は、サンプリング用ＴＦＴに対応して設けられた遮光膜の構成を示す平面図である。尚、図５においては、各層・各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、該各層・各部材ごとに縮尺を異ならしめてある。
【００５７】
図４及び図５において、各サンプリング用ＴＦＴ７１は、ＴＦＴアレイ基板１０上に設けられた下地絶縁膜１２上に形成されている。サンプリング用ＴＦＴ７１は、半導体層７４、ソース配線７１Ｓ、ドレイン配線７１Ｄ、ゲート配線７１Ｇ及びゲート絶縁膜７５を備えている。
【００５８】
半導体層７４は、ゲート配線７１Ｇからの電界によりチャネルが形成されるチャネル領域７４Ｃと、ソース領域７４Ｓとドレイン領域７４Ｄとを有している。尚、チャネル領域７４Ｃに隣接する領域をＬＤＤ(Lightly Doped Drain)領域としてもよい。
【００５９】
本実施形態では、サンプリング用ＴＦＴ７１は、チャネル長（即ち、ソース領域７４Ｓ及びドレイン領域７４Ｄ間の距離、或いは、チャネル領域７４ＣのＸ方向に沿った長さ）Ｌが、例えば３〜５ｕｍの範囲内の所定長さとなるように、且つ、チャネル幅（チャネル領域のＹ方向に沿った長さ）Ｗが、例えば５０ｕｍ〜６００ｕｍの範囲内の所定長さとなるように形成されている。よって、サンプリング用ＴＦＴ７１のチャネル幅Ｗは、サンプリング用ＴＦＴ７１のチャネル長Ｌよりも長い。
【００６０】
ソース配線７１Ｓは、半導体層７４より層間絶縁膜４１及び４２を介して上層側に、例えばアルミニウム等の金属膜から形成されている。ソース配線７１Ｓは、層間絶縁膜４１及び４２を貫通して開孔されたコンタクトホール８Ｓを介してソース領域７４Ｓに電気的に接続されている。ソース配線７１Ｓは、データ線６ａが延びる方向（即ち、Ｙ方向）に沿って延びるように形成されている。ソース配線７１Ｓは、図示しないコンタクトホール及び中継配線などを介して、画像信号線６と電気的に接続されている（図３参照）。
【００６１】
ドレイン配線７１Ｄは、ソース配線７１Ｓと同一膜から形成されている、即ち、半導体層７４より層間絶縁膜４１及び４２を介して上層側に、例えばアルミニウム等の金属膜から形成されている。ここで、同一膜とは、同一の導電材料からなる薄膜を同時にパターニングすることを意味する。ドレイン配線７１Ｄは、層間絶縁膜４１及び４２を貫通して開孔されたコンタクトホール８Ｄを介してドレイン領域７４Ｄに電気的に接続されている。ドレイン配線７１Ｄは、データ線６ａが延びる方向（即ち、Ｙ方向）に沿って延びるように形成されている。ドレイン配線７１Ｄは、図示しないコンタクトホール及び中継配線などを介して、データ線６ａと電気的に接続されている（図３参照）。
【００６２】
ゲート配線７１Ｇは、半導体層７４よりゲート絶縁膜７５を介して上層側に、例えば導電性ポリシリコン膜等から形成されている。ゲート配線７１Ｇは、半導体層７４のチャネル領域７４とゲート絶縁膜７５を介して重なるゲート電極を含むと共に、データ線６ａが延びる方向（即ち、Ｙ方向）に沿って延びるように形成されている。ゲート配線７１Ｇは、図示しないコンタクトホール及び中継配線などを介して、サンプリング信号線９７と電気的に接続されている（図３参照）。
【００６３】
ソース配線７１Ｓ及びドレイン配線７１Ｄの上層側には、層間絶縁膜４３及び４４が順に積層されている。
【００６４】
図４及び図５において、本実施形態では特に、サンプリング用ＴＦＴ７１毎に設けられた遮光膜５１０を備えている。遮光膜５１０は、サンプリング用ＴＦＴ７１よりも下地絶縁膜１２を介して下層側に配置され、ＴＦＴアレイ基板１０上で平面的に見て、サンプリング用ＴＦＴ７１に重なるように形成されている。遮光膜５１０は、複数のサンプリング用ＴＦＴ７１の各々に対して１つずつ設けられることで、画像表示領域１０ａの近傍に、Ｘ方向に沿って複数設けられている。遮光膜５１０は、例えばチタン（Ｔｉ）、クロム（Ｃｒ）、タングステン（Ｗ）、タンタル（Ｔａ）、モリブデン（Ｍｏ）等の高融点金属のうちの少なくとも一つを含む金属単体、合金、金属シリサイド、ポリシリサイド又はこれらの積層体等の遮光性導電材料から形成されている。
【００６５】
図６に示すように、遮光膜５１０は、サンプリング用ＴＦＴ７１が形成される領域７１ａに重なるように形成され、遮光膜５１０には、複数のスリット５１０ｓが形成されている。スリット５１０ｓは、本発明に係る「開口部」の一例であり、サンプリング用ＴＦＴ７１のチャネル長方向（即ち、Ｘ方向）に沿って延びるように、遮光膜５１０に開口されている。
【００６６】
複数のスリット５１０ｓの各々は、遮光膜５１０に例えば１ｕｍ以下である所定の幅ｄ１でサンプリング用ＴＦＴ７１のチャネル長方向（即ち、Ｘ方向）に沿って延びるように形成されている。更に、複数のスリット５１０ｓは、サンプリング用ＴＦＴ７１のチャネル幅方向（即ち、Ｙ方向）に沿って例えば１ｕｍである所定間隔ｄ２を隔てて配列するように形成されている。尚、図６では、スリット５１０ｓを図面上で認識可能な程度の大きさとするため、遮光膜５１０に対して縮尺を異ならしめてある。
【００６７】
よって、画像表示領域１０ａの周辺に位置する周辺領域からの光漏れやサンプリング用ＴＦＴ７１による戻り光の再反射を、遮光膜５１０によって低減できる。即ち、複数の遮光膜５１０によって、画像表示領域１０ａにおけるサンプリング用ＴＦＴ７１が形成された側の縁付近において周辺領域からの光漏れが生じてしまうことを低減できると共に、ＴＦＴアレイ基板１０における裏面反射や、複板式のプロジェクタ等で他の液晶装置から発せられ合成光学系を突き抜けてくる光などの戻り光（図５中、下側から上側へ向かう光）がサンプリング用ＴＦＴ７１によって反射されてしまうことを低減できる。従って、複数のサンプリング用ＴＦＴ７１の配列パターンに応じた明暗パターンなど、周辺領域における光の反射や透過に応じた明暗パターンが画像表示領域１０ａの縁付近に映し出されてしまうことを低減できる。つまり、周辺領域における光漏れや光反射に起因する表示画像への悪影響を低減できる。
【００６８】
図６において、本実施形態では特に、スリット５１０ｓの幅ｄ１は、１ｕｍ以下である。よって、遮光膜５１０によって光を殆ど或いは実践上完全に遮断できる。よって、周辺領域からの光漏れやトランジスタによる戻り光の再反射をより確実に低減或いは防止できる。
【００６９】
更に、遮光膜５１０は、サンプリング用ＴＦＴ７１のチャネル長方向（即ち、Ｘ方向）に沿ったスリット５１０ｓを有するので、仮に、遮光膜５１０が、スリットを有さずにベタ状に形成された場合やサンプリング用ＴＦＴ７１のチャネル幅方向（即ち、Ｙ方向）に沿ったスリットのみを有するように形成された場合に生じ得るサンプリング用ＴＦＴ７１の特性の劣化が殆ど或いは全く生じない、即ち、例えば当該遮光膜５１０とサンプリング用ＴＦＴ７１との間の容量カップリングや遮光膜５１０を形成することによる半導体層７４への不純物の混入などに起因して生じ得るサンプリング用ＴＦＴ７１の特性の劣化が殆ど或いは全く生じない。
【００７０】
加えて、本実施形態では特に、スリット５１０ｓは、サンプリング用ＴＦＴ７１のチャネル領域７４Ｃに重なるように形成されている。よって、遮光膜５１０は、スリット５１０ｓが形成された領域では、サンプリング用ＴＦＴ７１のチャネル領域７４Ｃに重ならない。よって、遮光膜５１０がサンプリング用ＴＦＴ７１のチャネル領域７４Ｃに及ぼし得る悪影響を低減できる。従って、遮光膜５１０に起因して生じ得るサンプリング用ＴＦＴ７１の特性の劣化をより確実に低減できる。
【００７１】
更に加えて、本実施形態では特に、複数のスリット５１０ｓは、遮光膜５１０におけるサンプリング用ＴＦＴ７１のチャネル幅方向（即ち、Ｙ方向）の一端に重なる部分からサンプリング用ＴＦＴ７１のチャネル幅方向の他端に重なる部分まで、所定間隔ｄ２を隔てて配列するように形成されている。従って、遮光膜５１０に起因して生じ得るサンプリング用ＴＦＴ７１の特性の劣化をより確実に低減できる。
【００７２】
図４において、本実施形態では特に、サンプリング用ＴＦＴ７１のチャネル幅Ｗは、例えば５０ｕｍ〜６００ｕｍの範囲内の所定長さであり、例えば３〜５ｕｍの範囲内の所定長さであるサンプリング用ＴＦＴ７１のチャネル長Ｌよりも長いので、遮光膜５１０に起因して生じ得るサンプリング用ＴＦＴ７１の特性の劣化をより効果的に低減できる。
【００７３】
以上の結果、本実施形態に係る液晶装置によれば、サンプリング回路７を構成するサンプリング用ＴＦＴ７１の特性を殆ど或いは全く劣化させることなく、周辺領域における光漏れや光反射に起因する表示画像への悪影響を防止でき、高品質な画像を表示することができる。
＜第２実施形態＞
第２実施形態に係る液晶装置について、図７を参照して説明する。ここに図７は、第２実施形態における図６と同趣旨の平面図である。尚、図７において、図１から図６に示した第１実施形態に係る構成要素と同様の構成要素に同一の参照符合を付し、それらの説明は適宜省略する。
【００７４】
図７において、第２実施形態に係る液晶装置は、上述した第１実施形態における遮光膜５１０に代えて遮光膜５２０を備える点で、上述した第１実施形態に係る液晶装置と異なり、その他の点については、上述した第１実施形態に係る液晶装置と概ね同様に構成されている。
【００７５】
図７に示すように、本実施形態では特に、遮光膜５２０は、複数のスリット５２０ｓを有する第１遮光部分５２１と、サンプリング用ＴＦＴ７１のチャネル幅方向（即ち、Ｙ方向）に沿って第１遮光部分５２１よりも画像表示領域１０ａから遠い側に第１遮光部分５２１に隣接して形成された第２遮光部分５２２とを備えている。
【００７６】
第１遮光部分５２１に形成された複数のスリット５２０ｓの各々は、上述した第１実施形態におけるスリット５１０ｓと同様に、遮光膜５２０に開口されている。複数のスリット５２０ｓの各々は、遮光膜５２０に例えば１ｕｍ以下である所定幅ｄ１でサンプリング用ＴＦＴ７１のチャネル長方向に沿って延びるように形成されている。更に、複数のスリット５２０ｓは、サンプリング用ＴＦＴ７１のチャネル幅方向に沿って例えば１ｕｍである所定間隔ｄ２を隔てて複数形成されている。
【００７７】
第２遮光部分５２２は、第１遮光部分５２１と互いに異なる平面パターン、より具体的には、サンプリング用ＴＦＴ７１のソース領域７４Ｓ及びドレイン領域７４Ｄには重なり、サンプリング用ＴＦＴ７１のチャネル領域７４Ｃには重ならない平面パターンを有している。言い換えれば、第２遮光部分５２２は、サンプリング用ＴＦＴ７１と重なる部分が第１遮光部分５２１よりも小さくなるような平面パターンで形成されている。
【００７８】
よって、遮光膜５２０に起因して生じ得るサンプリング用ＴＦＴ７１の特性の劣化をより確実に低減できる。
【００７９】
即ち、本実施形態では特に、サンプリング用ＴＦＴ７１が形成される領域７１ａのうち、光漏れや光反射に起因する表示画像への悪影響が生じるおそれがある程度に画像表示領域１０ａに近い領域には、スリット５２０ｓを有する第１遮光部分５２１が形成されているので、周辺領域における光漏れや光反射に起因する、画像表示領域１０ａの縁付近における表示画像への悪影響を低減できると共にサンプリング用ＴＦＴ７１の特性の劣化を低減でき、且つ、サンプリング用ＴＦＴ７１が形成される領域７１ａのうち、光漏れや光反射に起因する表示画像への悪影響が殆ど或いは実践上全く生じない程度に画像表示領域１０ａから遠い領域には、サンプリング用ＴＦＴ７１と重なる部分が第１遮光部分５２１とサンプリング用ＴＦＴ７１とが重なる部分よりも小さくなるような平面パターンを有する第２遮光部分５２２が形成されているので、サンプリング用ＴＦＴ７１の特性の劣化をより確実に低減できる。
【００８０】
図８は、第２実施形態の変形例における図６と同趣旨の平面図である。
【００８１】
図８に変形例として示すように、遮光膜５２０は、上述した第１遮光部分５２１のみからなり、上述した第２遮光部分５２２を有さなくてもよい。言い換えれば、周辺領域のうち、光漏れや光反射に起因する表示画像への悪影響が殆ど或いは実践上全く生じない程度に画像表示領域１０ａから遠い領域では、遮光膜５２０は、サンプリング用ＴＦＴ７１と重ならないように形成されてもよい。
【００８２】
この場合には、遮光膜５２０に起因するサンプリング用ＴＦＴ７１の特性の劣化をより確実に低減できる。
＜第３実施形態＞
第３実施形態に係る液晶装置について、図９から図１２を参照して説明する。
【００８３】
第３実施形態に係る液晶装置は、ＴＦＴアレイ基板１０上における走査線駆動回路１０４が形成された領域内に遮光膜５３０（図１１及び図１２参照）を備えている点で、上述した第１実施形態に係る液晶装置と異なり、その他の点については、上述した第１実施形態に係る液晶装置と概ね同様に構成されている。
【００８４】
先ず、本実施形態に係る液晶装置の走査線駆動回路の電気的な構成について、図９及び図１０を参照して詳細に説明する。
【００８５】
図９は、走査線駆動回路の電気的な構成を示す回路図である。図１０は、出力バッファの具体的な構成を示す回路図である。尚、図９及び図１０並びに後述する図１１及び図１２において、図１から図６に示した第１実施形態に係る構成要素と同様の構成要素に同一の参照符合を付し、それらの説明は適宜省略する。
【００８６】
図９において、走査線駆動回路１０４は、シフトレジスタ２４０と出力バッファ２３０とから構成されている。
【００８７】
シフトレジスタ２４０は、複数のインバータ２４１及びＮＡＮＤ回路２４２から構成されており、Ｙクロック信号ＣＬＹ及び反転Ｙクロック信号ＣＬＹｉｎｖに基づいて、各画素の画素電極９ａに画像信号を供給すべきタイミングで、転送信号を順次出力し、出力バッファ２３０に転送している。
【００８８】
出力バッファ２３０は、インバータ２３１、２３２及び２３３が直列に電気的に接続されている。出力バッファ２３０の入力端子は、シフトレジスタ２４０の出力端子に電気的に接続されており、出力バッファ２３０の入力端子には、シフトレジスタ２４０からの転送信号が入力される。出力バッファ２３０は、シフトレジスタ２４０から転送された転送信号に駆動能力を持たせる。駆動能力（言い換えれば、電流供給能力）を得た転送信号は、最終的には走査線駆動回路１０４から走査信号として走査線１１ａを介して画素スイッチング用ＴＦＴ３０に供給される。
【００８９】
このように、出力バッファ２３０は、複数段のインバータ２３１、２３２及び２３３から構成されることで、転送信号を、駆動能力増大、波形整形及びタイミング調整した後に、走査信号として出力する機能を有する。
【００９０】
図１０に詳細に示すように、インバータ２３１は、相補型トランジスタとして構成されており、Ｎチャネル型ＴＦＴであるＴＦＴ２３１ａとＰチャネル型ＴＦＴであるＴＦＴ２３１ｂとから構成されている。同様に、インバータ２３２は、Ｎチャネル型ＴＦＴであるＴＦＴ２３２ａとＰチャネル型ＴＦＴであるＴＦＴ２３２ｂから構成されており、インバータ２３３は、Ｎチャネル型ＴＦＴであるＴＦＴ２３３ａとＰチャネル型ＴＦＴであるＴＦＴ２３３ｂとから構成されている。出力バッファ２３０の入力端子は、ＴＦＴ２３１ａ及びＴＦＴ２３１ｂのゲートに電気的に接続されている。出力バッファ２３０の出力端子は、ＴＦＴ２３３ａ及びＴＦＴ２３３ｂのドレインに電気的に接続されている。
【００９１】
インバータ２３１、２３２及び２３３は、走査駆動回路用高電位電源ＶＤＤＹ及び低電位電源ＶＳＳＹによって駆動される。よって、転送信号の電圧は、走査駆動回路用高電位電源ＶＤＤＹの電位及び走査駆動回路用低電位電源ＶＳＳＹの電位間で遷移し、徐々に駆動能力を高められ、走査信号Ｇ１、・・・、Ｇｍとして出力される。
【００９２】
次に、上述した出力バッファを構成する複数段のインバータのうち、走査線への出力側の最終段に位置するインバータの具体的な構成について、図１１及び図１２を参照して説明する。
【００９３】
図１１は、出力バッファを構成する複数段のインバータのうち、走査線への出力側の最終段に位置するインバータの具体的な構成を示す平面図である。図１２は、出力バッファを構成する複数段のインバータのうち、走査線への出力側の最終段に位置するインバータに対応して設けられた遮光膜の構成を示す平面図である。
【００９４】
図１１において、インバータ２３３は、Ｎチャネル型ＴＦＴであるＴＦＴ２３３ａとＰチャネル型ＴＦＴであるＴＦＴ２３３ｂとからなる相補型トランジスタとして構成されている。
【００９５】
ＴＦＴ２３３ａは、半導体層３１０を有している。半導体層３１０は、図４及び図５を参照して上述した半導体層７４と同様に、下地絶縁膜１２上に形成されている。半導体層３１０は、ＴＦＴ２３３ａ及び２３３ｂに共通して設けられたゲート配線３５０からの電界によりチャネルが形成されるチャネル領域と、ソース配線３１１にコンタクトホール８１を介して電気的に接続されているソース領域と、ＴＦＴ２３３ａ及び２３３ｂに共通して設けられたドレイン配線３３０にコンタクトホール８４を介して電気的に接続されているドレイン領域とを有している。
【００９６】
ＴＦＴ２３３ｂは、半導体層３２０を有している。半導体層３２０は、図４及び図５を参照して上述した半導体層７４と同様に、下地絶縁膜１２上に形成されている。半導体層３２０は、ゲート配線３５０からの電界によりチャネルが形成されるチャネル領域と、ソース配線３２１にコンタクトホール８２を介して電気的に接続されているソース領域と、ドレイン配線３３０にコンタクトホール８３を介して電気的に接続されているドレイン領域とを有している。
【００９７】
ゲート配線３５０は、図４及び図５を参照して上述したゲート配線７１Ｇと同一膜から形成されている、即ち、半導体層３１０及び３２０よりゲート絶縁膜を介して上層側に、例えば導電性ポリシリコン膜等から形成されている。尚、ゲート配線３５０は、インバータ２３２の出力端子に電気的に接続されている。
【００９８】
ＴＦＴ２３３ｂのソース配線３１１は、図４及び図５を参照して上述したソース配線７１Ｓと同一膜から形成されている、即ち、半導体層３１０より層間絶縁膜４１及び４２を介して上層側に、例えばアルミニウム等の金属膜から形成されている。尚、ソース配線３１１は、走査線駆動回路用低電位電源ＶＳＳＹを供給する走査線駆動回路用低電位電源配線に電気的に接続されている。
【００９９】
ＴＦＴ２３３ａのソース配線３２１は、ソース配線３１１と同一膜から形成されている、即ち、半導体層３２０より層間絶縁膜４１及び４２を介して上層側に、例えばアルミニウム等の金属膜から形成されている。尚、ソース配線３２１は、走査線駆動回路用高電位電源ＶＤＤＹを供給する走査線駆動回路用高電位電源配線に電気的に接続されている。
【０１００】
ドレイン配線３３０は、ソース配線３２１及び３２２と同一膜から形成されている、即ち、半導体層３１０及び３２０より層間絶縁膜４１及び４２を介して上層側に、例えばアルミニウム等の金属膜から形成されている。ドレイン配線３３０は、図示しないコンタクトホール及び中継配線などを介して、走査線１１ａに電気的に接続されている。
【０１０１】
図１１及び図１２において、本実施形態では特に、インバータ２３３毎に設けられた遮光膜５３０を備えている。遮光膜５３０は、インバータ２３３を構成するＴＦＴ２３３ａ及び２３３ｂよりも下地絶縁膜１２を介して下層側に配置され、ＴＦＴアレイ基板１０上で平面的に見て、ＴＦＴ２３３ａ及び２３３ｂに重なるように形成されている。遮光膜５３０は、複数のインバータ２３３の各々に対して１つずつ設けられることで、画像表示領域１０ａの近傍に、Ｙ方向に沿って複数設けられている。遮光膜５３０は、図４から図６を参照して上述した遮光膜５１０と同様に、例えばチタン（Ｔｉ）、クロム（Ｃｒ）、タングステン（Ｗ）、タンタル（Ｔａ）、モリブデン（Ｍｏ）等の高融点金属のうちの少なくとも一つを含む金属単体、合金、金属シリサイド、ポリシリサイド又はこれらの積層体等の遮光性導電材料から形成されている。
【０１０２】
図１２に示すように、遮光膜５３０は、インバータ２３３が形成される領域２３３Ｓに重なるように形成され、遮光膜５３０には、複数のスリット５３０ｓが形成されている。スリット５３０ｓは、本発明に係る「開口部」の一例であり、インバータ２３３を構成するＴＦＴ２３３ａ及び２３３ｂのチャネル長方向（即ち、Ｙ方向）に沿って延びるように、遮光膜５３０に開口されている。
【０１０３】
複数のスリット５３０ｓの各々は、遮光膜５３０に例えば１ｕｍ以下である所定の幅でＴＦＴ２３３ａ及び２３３ｂのチャネル長方向（即ち、Ｘ方向）に沿って延びるように形成されている。更に、複数のスリット５３０ｓは、ＴＦＴ２３３ａ及び２３３ｂのチャネル幅方向（即ち、Ｘ方向）に沿って例えば１ｕｍである所定間隔を隔てて配列するように形成されている。尚、図１２では、スリット５３０ｓを図面上で認識可能な程度の大きさとするため、遮光膜５３０に対して縮尺を異ならしめてある。
【０１０４】
よって、画像表示領域１０ａの周辺に位置する周辺領域からの光漏れやインバータ２３３を構成するＴＦＴ２３３ａ及び２３３ｂによる戻り光の再反射を、遮光膜５３０によって低減できる。即ち、複数の遮光膜５３０によって、画像表示領域１０ａにおける走査線駆動回路１０４が形成された側の縁付近において周辺領域からの光漏れが生じてしまうことを低減できると共に、ＴＦＴアレイ基板１０における裏面反射や、複板式のプロジェクタ等で他の液晶装置から発せられ合成光学系を突き抜けてくる光などの戻り光がＴＦＴ２３３ａ及び２３３ｂによって反射されてしまうことを低減できる。従って、複数のインバータ２３３（言い換えれば、ＴＦＴ２３３ａ及び２３３ｂ）の配列パターンに応じた明暗パターンなど、周辺領域における光の反射や透過に応じた明暗パターンが画像表示領域１０ａの縁付近に映し出されてしまうことを低減できる。
＜第４実施形態＞
第４実施形態に係る液晶装置について、図１３及び図１４を参照して説明する。
【０１０５】
図１３は、第４実施形態に係る液晶装置の構成を概略的に示すブロック図である。尚、図１３において、図１から図６に示した第１実施形態に係る構成要素と同様の構成要素に同一の参照符合を付し、それらの説明は適宜省略する。
【０１０６】
図１３において、第４実施形態に係る液晶装置は、ＴＦＴアレイ基板１０上の画像表示領域１０ａの周辺に位置する周辺領域に位相差補正回路６００を備え、この位相差補正回路６００を構成する複数のトランジスタのうち少なくとも一のトランジスタに対応して本発明に係る「遮光膜」の一例としての遮光膜が設けられている点で、上述した第１実施形態に係る液晶装置と異なり、その他の点については、上述した第１実施形態に係る液晶装置と概ね同様に構成されている。
【０１０７】
位相差補正回路６００は、画像表示領域１０ａの近傍（例えば、画像表示領域１０ａの縁からの距離が数百ｕｍ（例えば４００〜８００ｕｍ程度）の範囲内の領域）に設けられている。より具体的には、位相差補正回路６００は、画像表示領域１０ａの周辺に位置する周辺領域のうち、サンプリング回路７或いはデータ線駆動回路１０１と画像表示領域１０ａを挟んで対向する位置であって、画像表示領域１０ａのＸ方向の幅を二分する中心線上に配置されている。そして、位相差補正回路６００には、Ｙクロック信号ＣＬＹ及び反転Ｙクロック信号ＣＬＹｉｎｖが供給される。
【０１０８】
尚、Ｙクロック信号ＣＬＹは、複数の外部回路接続端子１０２（図１参照）のうちＹクロック信号端子から、周辺領域をＴＦＴアレイ基板１０の外周に沿うように配線されたＹクロック信号線を介して位相差補正回路６００に供給される。反転Ｙクロック信号ＣＬＹｉｎｖは、複数の外部回路接続端子１０２のうち反転Ｙクロック信号端子から、周辺領域をＴＦＴアレイ基板１０の外周に沿うように配線された反転Ｙクロック信号線を介して位相差補正回路６００に供給される。
【０１０９】
位相差補正回路６００は、外部から、周辺領域に配線されたＹクロック信号線及び反転Ｙクロック信号線を介して夫々供給されるＹクロック信号ＣＬＹ及び反転Ｙクロック信号ＣＬＹｉｎｖの位相を補正し、その後に走査線駆動回路１０４（即ち、画像表示領域１０ａを挟んで対向して配置された２つの走査線駆動回路部分１０４Ｌ及び１０４Ｒの各々）に供給するように構成されている。従って、誤動作を生じさせることなく正常に或いは高精度で走査線駆動回路１０４を駆動させることが可能となる。
【０１１０】
図１４は、本実施形態に係る液晶装置の位相差補正回路の電気的な構成を示す回路図である。
【０１１１】
図１４において、位相差補正回路６００は、第１バッファ回路６０１、双安定回路６０２、及び第２バッファ回路６０３から構成されている。第１バッファ回路６０１は、相補型トランジスタとして夫々構成されたインバータ６０１ａ及び６０１ｂを備えている。第２バッファ回路６０２は、相補型トランジスタとして夫々構成されたインバータ６０２ａ及び６０２ｂを備えている。第３バッファ回路６０３は、相補型トランジスタとして夫々構成されたインバータ６０３ａ及び６０３ｂを備えている。
【０１１２】
位相差補正回路６００では、インバータ６０１ａ及び６０１ｂから構成されるバッファ回路６０１において、Ｙクロック信号ＣＬＹと反転Ｙクロック信号ＣＬＹｉｎｖを供給する回路の駆動能力を補うと共に、双安定回路６０２の一方のインバータ６０２ａの出力を他方のインバータ６０２ｂの入力に、また他方のインバータ６０２ｂの出力を一方のインバータ６０２ａの入力に夫々供給することによって、夫々のインバータ６０２ａ及び６０２ｂの入力信号に正帰還をかけて位相差を無くす構成となっている。また、位相差補正回路６００においては、双安定回路６０２の後に、第２バッファ回路６０３を設けており、この第２バッファ回路６０３の働きにより、双安定回路６０２の駆動能力の低下を防止している。
【０１１３】
再び図１３において、位相差補正回路６００は、Ｙクロック信号線６９１Ｒ及び反転Ｙクロック信号線６９２Ｒを介して、走査線駆動回路１０４のうち図１３における右側に配置された走査線駆動回路部分１０４Ｒに電気的に接続されており、一方、Ｙクロック信号線６９１Ｌ及び反転Ｙクロック信号線６９２Ｌを介して、走査線駆動回路１０４のうち図１３における左側に配置された走査線駆動回路部分１０４Ｌに電気的に接続されている。
【０１１４】
このように構成されることにより、位相差補正回路６００の上述のような動作によって互いに位相差の補正されたＹクロック信号ＣＬＹ及び反転Ｙクロック信号ＣＬＹｉｎｖが、走査線駆動回路１０４（即ち、走査線駆動回路部分１０４Ｒ及び１０４Ｌ）に入力される。更に、このように構成されることにより、位相差補正回路６００から走査線駆動回路部分１０４Ｒまでの配線距離と、位相差補正回路６００から走査線駆動回路部分１０４Ｌまでの配線距離は等しくなり、両者の配線時定数は等しくなっている。よって、例えば、位相差補正回路６００から走査線駆動回路部分１０４Ｒ及び１０４Ｌまでの間に信号遅延が無視し得ない程度に生じる場合においても、左右の走査線駆動回路部分までの夫々の信号遅延量は等しいので、信号遅延に起因して左右の走査線駆動回路部分の間で駆動タイミングのずれが生じること等の不具合を防止することが可能となる。
【０１１５】
本実施形態では特に、位相差補正回路６００を構成する複数のインバータ毎に（即ち、インバータ６０１ａ、６０１ｂ、６０２ａ、６０２ｂ、６０３ａ及び６０３ｂの各々に対して１つずつ）設けられた遮光膜を備えている。該遮光膜は、位相差補正回路６００を構成するインバータとＴＦＴアレイ基板１０との間（即ち、ＴＦＴアレイ基板１０上における該インバータを構成する相補型のＴＦＴよりも下層側）に配置に配置され、ＴＦＴアレイ基板１０上で平面的に見て、該インバータを構成するＴＦＴに重なると共に、該ＴＦＴのチャネル長方向に沿った長手状のスリットが複数形成されている。該遮光膜は、図６を参照して上述した第１実施形態における遮光膜５１０と概ね同様の平面形状を有している。
【０１１６】
よって、画像表示領域１０ａの周辺に位置する周辺領域からの光漏れや位相差補正回路６００のインバータを構成するＴＦＴによる戻り光の再反射を、位相差補正回路６００のインバータ毎に設けらた遮光膜によって低減できる。即ち、このような遮光膜によって、画像表示領域１０ａにおける位相差補正回路６００が形成された側の縁付近において周辺領域からの光漏れが生じてしまうことを低減できると共に、ＴＦＴアレイ基板１０における裏面反射や、複板式のプロジェクタ等で他の液晶装置から発せられ合成光学系を突き抜けてくる光などの戻り光が位相差補正回路６００のインバータを構成するＴＦＴによって反射されてしまうことを低減できる。従って、位相差補正回路６００の複数のインバータの配列パターンに応じた明暗パターンなど、周辺領域における光の反射や透過に応じた明暗パターンが画像表示領域１０ａの縁付近に映し出されてしまうことを低減できる。
＜電子機器＞
次に、上述した電気光学装置である液晶装置を各種の電子機器に適用する場合について、図１５を参照して説明する。以下では、この液晶装置をライトバルブとして用いたプロジェクタについて説明する。ここに図１５は、プロジェクタの構成例を示す平面図である。
【０１１７】
図１５に示すように、プロジェクタ１１００内部には、ハロゲンランプ等の白色光源からなるランプユニット１１０２が設けられている。このランプユニット１１０２から射出された投射光は、ライトガイド１１０４内に配置された４枚のミラー１１０６及び２枚のダイクロイックミラー１１０８によってＲＧＢの３原色に分離され、各原色に対応するライトバルブとしての液晶パネル１１１０Ｒ、１１１０Ｂ及び１１１０Ｇに入射される。
【０１１８】
液晶パネル１１１０Ｒ、１１１０Ｂ及び１１１０Ｇの構成は、上述した液晶装置と同等であり、画像信号処理回路から供給されるＲ、Ｇ、Ｂの原色信号でそれぞれ駆動されるものである。そして、これらの液晶パネルによって変調された光は、ダイクロイックプリズム１１１２に３方向から入射される。このダイクロイックプリズム１１１２においては、Ｒ及びＢの光が９０度に屈折する一方、Ｇの光が直進する。従って、各色の画像が合成される結果、投射レンズ１１１４を介して、スクリーン等にカラー画像が投写されることとなる。
【０１１９】
ここで、各液晶パネル１１１０Ｒ、１１１０Ｂ及び１１１０Ｇによる表示像について着目すると、液晶パネル１１１０Ｇによる表示像は、液晶パネル１１１０Ｒ、１１１０Ｂによる表示像に対して左右反転することが必要となる。
【０１２０】
尚、液晶パネル１１１０Ｒ、１１１０Ｂ及び１１１０Ｇには、ダイクロイックミラー１１０８によって、Ｒ、Ｇ、Ｂの各原色に対応する光が入射するので、カラーフィルタを設ける必要はない。
【０１２１】
尚、図１５を参照して説明した電子機器の他にも、モバイル型のパーソナルコンピュータや、携帯電話、液晶テレビ、ビューファインダ型、モニタ直視型のビデオテープレコーダ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、タッチパネルを備えた装置等が挙げられる。そして、これらの各種電子機器に適用可能なのは言うまでもない。
【０１２２】
本発明は、上述した実施形態に限られるものではなく、特許請求の範囲及び明細書全体から読み取れる発明の要旨或いは思想に反しない範囲で適宜変更可能であり、そのような変更を伴う電気光学装置及び該電気光学装置を備えてなる電子機器もまた本発明の技術的範囲に含まれるものである。
【図面の簡単な説明】
【０１２３】
【図１】第１実施形態に係る液晶装置の全体構成を示す平面図である。
【図２】図１のII−II’線断面図である。
【図３】第１実施形態に係る液晶装置の電気的な構成を示すブロック図である。
【図４】サンプリング用ＴＦＴの構成を示す平面図である。
【図５】図４のV−V’線断面図である。
【図６】サンプリング用ＴＦＴに対応して設けられた遮光膜の構成を示す平面図である。
【図７】第２実施形態における図６と同趣旨の平面図である。
【図８】第２実施形態の変形例における図６と同趣旨の平面図である。
【図９】走査線駆動回路の電気的な構成を示す回路図である。
【図１０】出力バッファの具体的な構成を示す回路図である。
【図１１】出力バッファを構成する複数段のインバータのうち、走査線への出力側の最終段に位置するインバータの具体的な構成を示す平面図である。
【図１２】出力バッファを構成する複数段のインバータのうち、走査線への出力側の最終段に位置するインバータに対応して設けられた遮光膜の構成を示す平面図である。
【図１３】第４実施形態に係る液晶装置の構成を概略的に示すブロック図である。
【図１４】位相差補正回路の電気的な構成を示す回路図である。
【図１５】電気光学装置を適用した電子機器の一例たるプロジェクタの構成を示す平面図である。
【符号の説明】
【０１２４】
６ａ…データ線、７…サンプリング回路、９ａ…画素電極、１０…ＴＦＴアレイ基板、１０ａ…画像表示領域、１１ａ…走査線、２０…対向基板、２１…対向電極、５０…液晶層、７１…サンプリング用ＴＦＴ、１０１…データ線駆動回路、１０２…外部回路接続端子、１０４…走査線駆動回路、５１０…遮光膜、５１０ｓ…スリット
【技術分野】
【０００１】
本発明は、例えば液晶装置等の電気光学装置、及び該電気光学装置を備えた、例えば液晶プロジェクタ等の電子機器の技術分野に関する。
【背景技術】
【０００２】
この種の電気光学装置では、複数の画素から構成される表示領域に縦横に配列された多数の走査線及びデータ線、並びにこれらの各交点に対応して多数の画素電極がＴＦＴ基板上に設けられる。このような電気光学装置は、例えばＴＦＴ（Thin Film Transistor）駆動によるアクティブマトリクス駆動方式を採用しており、各画素に対応して画素スイッチング用ＴＦＴが設けられる。データ線に供給された画像信号は、各画素に形成された画素スイッチング用ＴＦＴのスイッチング動作に応じて画素電極に供給され、表示領域に画像が表示される。加えて、ＴＦＴが形成されたＴＦＴアレイ基板上において、表示領域の周辺に位置する周辺領域には、複数の画素を制御するための各種周辺回路が形成される。このような周辺回路は、例えばＴＦＴ等のトランジスタを含んで構成される。
【０００３】
例えば特許文献１では、遮光膜とトランジスタのゲート電極やドレイン電極との結合容量を調整することによって、トランジスタ特性の劣化やバラツキを低減する技術が開示されている。
【０００４】
【特許文献１】特開平１０−７０２７７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
この種の電気光学装置がプロジェクタのライトバルブとして用いられる場合には、周辺領域における周辺回路を透過した透過光の一部が表示領域に対して斜めに進行することで、表示領域の縁付近において、周辺領域からの光漏れが生じるおそれがある。更に、周辺領域に侵入した戻り光が、周辺回路において再反射され、結局は表示領域から出射される光に紛れ込む事態も生じ得る。この結果、周辺回路における反射や透過に応じた明暗パターン（例えば、周辺回路を構成する複数のトランジスタの配列パターンに応じた明暗パターン）が表示画像の縁付近に映し出されてしまうおそれがある。
【０００６】
このため、基板上の周辺領域における表示領域の縁付近に設けられた周辺回路を構成するトランジスタの下層側（或いは光が出射される出射側）に遮光膜が設けられることがある。これにより、上述した周辺領域からの光漏れや周辺回路における光反射による表示画像への悪影響を低減できる。
【０００７】
しかしながら、周辺回路を構成するトランジスタの下層側に配置された遮光膜によって、トランジスタの特性が劣化してしまうおそれがあるという技術的問題点がある。
【０００８】
本発明は、例えば上述した問題点に鑑みなされたものであり、例えば周辺回路を構成するトランジスタの特性を劣化させることなく、周辺領域における光漏れや光反射に起因する表示画像への悪影響を防止でき、高品質な画像を表示可能な電気光学装置及びそのような電気光学装置を具備してなる電子機器を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明に係る第１の電気光学装置は上記課題を解決するために、基板上に、複数の画素電極と、該複数の画素電極が配列された画素領域の周辺に位置する周辺領域に設けられたトランジスタと、該トランジスタよりも下層側に配置され、前記基板上で平面的に見て、前記トランジスタの少なくとも一部に重なると共に、前記トランジスタのチャネル長方向に沿った長手状の開口部が形成された遮光膜とを備える。
【００１０】
本発明に係る第１の電気光学装置によれば、複数の画素電極は、それぞれ例えばＩＴＯ（Indium Tin Oxide）等の透明材料からなり、基板上の画素領域或いは画素アレイ領域（又は、「画像表示領域」とも呼ぶ）に、例えば複数のデータ線及び複数の走査線の交差に対応して例えばマトリクス状に配列される。トランジスタは、画素領域の周辺に位置する周辺領域に設けられており、例えばサンプリング回路、データ線駆動回路等の周辺回路の少なくとも一部を構成する。トランジスタは、典型的には、画素領域の一辺に沿って複数設けられる。電気光学装置の動作時には、例えば画像信号等に基づいて、画素電極の電位が制御され、複数の画素電極が配列された画素領域において画像表示が行われる。電気光学装置は、例えば光源から入射する入射光に応じて表示光を、画素領域において例えば透過することによって出射する。電気光学装置は、例えば、投射型表示装置におけるライトバルブとして実装される。
【００１１】
本発明では特に、遮光膜は、トランジスタよりも下層側に配置され、基板上で平面的に見て、トランジスタの少なくとも一部に重なる。更に、遮光膜は、トランジスタのチャネル長方向に沿った長手状或いはスリット状の開口部を有する。
【００１２】
典型的には、遮光膜は、トランジスタよりも下層側に、トランジスタを構成する半導体層と重なるように設けられる。遮光膜は、例えば、画素領域の一辺に沿って設けられた複数のトランジスタの各々に対して１つずつ設けられることで、該一辺に沿って複数設けられる。開口部は、遮光膜に例えば１ｕｍ以下の幅でトランジスタのチャネル長方向（言い換えれば、トランジスタにおけるキャリアの流れる方向）に沿って延びるように形成される。更に、開口部は、トランジスタのチャネル幅方向（即ち、チャネル長方向に交わる方向）に沿って所定間隔を隔てて複数形成される。
【００１３】
よって、周辺領域からの光漏れやトランジスタによる戻り光の再反射を遮光膜によって低減或いは防止できる。ここに「戻り光」とは、基板における裏面反射や、複板式のプロジェクタ等で他の電気光学装置から発せられ合成光学系を突き抜けてくる光など、当該電気光学装置における表示光が出射される側から入射光が入射される側へ向かう光を意味する。従って、例えば、複数のトランジスタの配列パターンに応じた明暗パターンなど、周辺領域における光の反射や透過に応じた明暗パターンが表示画像の縁付近に映し出されてしまうことを低減或いは防止できる。つまり、周辺領域における光漏れや光反射に起因する表示画像への悪影響を低減或いは防止できる。
【００１４】
更に、遮光膜は、トランジスタのチャネル長方向に沿った長手状の開口部を有するので、仮に、遮光膜が、開口部を有さずにベタ状に形成された場合やトランジスタのチャネル幅方向に沿った長手状の開口部のみを有するように形成された場合に当該遮光膜に起因して生じ得るトランジスタの特性の劣化が殆ど或いは全く生じない。尚、このようなトランジスタの特性の劣化は、例えば遮光膜とトランジスタとの間の容量カップリング（即ち、容量結合）や、遮光膜に起因する半導体層への不純物の混入或いは半導体層に対する応力変化等に起因して生じると考えられる。
【００１５】
以上の結果、本発明に係る第１の電気光学装置によれば、例えば周辺回路を構成するトランジスタの特性を殆ど或いは全く劣化させることなく、周辺領域における光漏れや光反射に起因する表示画像への悪影響を防止でき、高品質な画像を表示することができる。
【００１６】
本発明に係る第１の電気光学装置の一態様では、前記開口部は、前記トランジスタのチャネル幅方向に所定間隔を隔てて複数形成される。
【００１７】
この態様によれば、開口部は、例えば、遮光膜におけるトランジスタのチャネル幅方向の一端に重なる部分からトランジスタのチャネル幅方向の他端に重なる部分まで、例えば１ｕｍなどの所定間隔を隔てて複数形成される。従って、遮光膜に起因して生じ得るトランジスタの特性の劣化をより確実に低減或いは防止できる。
【００１８】
本発明に係る第１の電気光学装置の他の態様では、前記開口部は、前記基板上で平面的に見て、前記トランジスタのチャネル領域に少なくとも部分的に重なる。
【００１９】
この態様によれば、遮光膜は、トランジスタのチャネル領域に少なくとも部分的に重ならない。よって、遮光膜がトランジスタのチャネル領域に及ぼし得る悪影響を低減或いは防止できる。従って、遮光膜に起因して生じ得るトランジスタの特性の劣化をより確実に低減或いは防止できる。
【００２０】
本発明に係る第１の電気光学装置の他の態様では、前記開口部の幅は、１ｕｍ以下である。
【００２１】
この態様によれば、遮光膜によって光を殆ど或いは実践上完全に遮断できる。よって、周辺領域からの光漏れやトランジスタによる戻り光の再反射をより確実に低減或いは防止できる。
【００２２】
本発明に係る第１の電気光学装置の他の態様では、前記遮光膜は、前記開口部を有する第１遮光部分と、前記トランジスタのチャネル幅方向に沿って前記第１遮光部分よりも前記画素領域から遠い側に前記第１遮光部分に隣接して形成されると共に前記第１遮光部分と互いに異なる平面パターンを有する第２遮光部分とを備える。
【００２３】
この態様によれば、周辺領域のうち画素領域に比較的近い領域における光漏れや光反射を、開口部を有する第１遮光部分によって低減できる。更に、例えば第２遮光部分を第１遮光部分よりもトランジスタに重なる部分が小さな平面パターンを有するように形成することで、遮光膜に起因して生じ得るトランジスタの特性の劣化をより確実に低減或いは防止できる。即ち、周辺領域のうち、光漏れや光反射に起因する表示画像への悪影響が殆ど或いは実践上全く生じない程度に、画素領域から遠い領域では、遮光膜とトランジスタとが重なる部分が小さくなるように第２遮光部分を形成することで、トランジスタの特性の劣化をより確実に低減或いは防止できる。
【００２４】
上述した遮光膜が第１及び第２遮光部分を備える態様では、前記第２遮光部分は、前記基板上で平面的に見て、前記トランジスタと少なくとも部分的に重ならないように形成されてもよい。
【００２５】
この場合には、遮光膜に起因して生じ得るトランジスタの特性の劣化をより確実に低減或いは防止できる。
【００２６】
本発明に係る第１の電気光学装置の他の態様では、前記トランジスタのチャネル幅は、５ｕｍ以上である。
【００２７】
この態様によれば、遮光膜に起因して生じ得るトランジスタの特性の劣化をより効果的に低減或いは防止できる。
【００２８】
本発明に係る第１の電気光学装置の他の態様では、前記トランジスタのチャネル幅は、前記トランジスタのチャネル長よりも長い。
【００２９】
この態様によれば、遮光膜に起因して生じ得るトランジスタの特性の劣化をより効果的に低減或いは防止できる。
【００３０】
本発明に係る第１の電気光学装置の他の態様では、前記画素領域に配線された複数の走査線及び複数のデータ線と、前記周辺領域に設けられ、画像信号を供給する画像信号線とを備え、前記トランジスタは、前記画像信号線に供給される画像信号をサンプリング信号に応じて前記複数のデータ線に夫々供給すると共に前記複数のデータ線に対応して配列された複数のサンプリング用トランジスタとして形成される。
【００３１】
この態様によれば、トランジスタは、サンプリング回路を構成する複数のサンプリング用トランジスタとして、例えば画素領域の近傍に複数のデータ線の配列方向（即ち、複数の走査線の延びる方向）に沿って配列するように複数形成される。よって、長手状の開口部が形成された遮光膜も、例えば画素領域の近傍に複数のデータ線の配列方向に沿って配列するように複数形成される。よって、周辺領域における光漏れや光反射に起因する表示画像への悪影響をより効果的に低減或いは防止できる。
【００３２】
本発明に係る第２の電気光学装置は上記課題を解決するために、基板上に、複数の画素電極と、該複数の画素電極が配列された画素領域の周辺に位置する周辺領域に設けられた相補型トランジスタと、該相補型トランジスタと前記基板との間に配置に配置され、前記基板上で平面的に見て、前記相補型トランジスタの少なくとも一方のトランジスタに重なると共に、該トランジスタのチャネル長方向に沿った長手状の開口部が形成された遮光膜とを備える。
【００３３】
本発明に係る第２の電気光学装置によれば、上述した本発明に係る第１の電気光学装置が享受する利益と同様の利益を享受することができる。
【００３４】
尚、本発明に係る第２の電気光学装置においても、上述した本発明に係る第１の電気光学装置における各種態様と同様の各種態様を採ることが可能である。
【００３５】
本発明の電子機器は上記課題を解決するために、上述した本発明の電気光学装置（但し、その各種態様も含む）を具備する。
【００３６】
本発明の電子機器によれば、上述した本発明の電気光学装置を具備してなるので、高品質な画像表示を行うことが可能な、投射型表示装置、テレビ、携帯電話、電子手帳、ワードプロセッサ、ビューファインダ型又はモニタ直視型のビデオテープレコーダ、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、タッチパネルなどの各種電子機器を実現できる。また、本発明の電子機器として、例えば電子ペーパなどの電気泳動装置、電子放出装置（Field Emission Display及びConduction Electron-Emitter Display）、これら電気泳動装置、電子放出装置を用いた表示装置を実現することも可能である。
【００３７】
本発明の作用及び他の利得は次に説明する実施するための最良の形態から明らかにされる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３８】
以下では、本発明の実施形態について図を参照しつつ説明する。以下の実施形態では、本発明の電気光学装置の一例である駆動回路内蔵型のＴＦＴアクティブマトリクス駆動方式の液晶装置を例にとる。
＜第１実施形態＞
第１実施形態に係る液晶装置について、図１から図６を参照して説明する。
【００３９】
先ず、本実施形態に係る液晶装置の全体構成について、図１及び図２を参照して説明する。ここに図１は、本実施形態に係る液晶装置の全体構成を示す平面図であり、図２は、図１のII−II’線断面図である。
【００４０】
図１及び図２において、本実施形態に係る液晶装置では、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０とが対向配置されている。ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間に液晶層５０が封入されており、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０とは、本発明に係る「画素領域」の一例としての画像表示領域１０ａの周囲に位置するシール領域に設けられたシール材５２により相互に接着されている。
【００４１】
図１において、シール材５２が配置されたシール領域の内側に並行して、画像表示領域１０ａの額縁領域を規定する遮光性の額縁遮光膜５３が、対向基板２０側に設けられている。尚、本実施形態では、周辺領域は、ＴＦＴアレイ基板１０の中心から見て、額縁遮光膜５３によって規定される額縁領域より以遠の領域として規定されており、額縁領域を含む領域である。つまり、周辺領域は、ＴＦＴアレイ基板１０上における画像表示領域１０ａを除く領域であり、光を出射しない領域として設定される。
【００４２】
周辺領域のうち、シール材５２が配置されたシール領域の外側に位置する領域には、データ線駆動回路１０１及び外部回路接続端子１０２がＴＦＴアレイ基板１０の一辺に沿って設けられている。この一辺に沿ったシール領域よりも内側に、サンプリング回路７が額縁遮光膜５３に覆われるようにして設けられている。走査線駆動回路１０４は、この一辺に隣接する２辺に沿ったシール領域の内側に、額縁遮光膜５３に覆われるようにして設けられている。また、ＴＦＴアレイ基板１０上には、対向基板２０の４つのコーナー部に対向する領域に、両基板間を上下導通材１０７で接続するための上下導通端子１０６が配置されている。これらにより、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間で電気的な導通をとることができる。
【００４３】
ＴＦＴアレイ基板１０上には、外部回路接続端子１０２と、データ線駆動回路１０１、走査線駆動回路１０４、上下導通端子１０６等とを電気的に接続するための引回配線９０が形成されている。
【００４４】
図２において、ＴＦＴアレイ基板１０上には、画素スイッチング用ＴＦＴや走査線、データ線等の配線が作り込まれた積層構造が形成されている。画像表示領域１０ａには、画素スイッチング用ＴＦＴや走査線、データ線等の配線の上層に、ＩＴＯ等の透明材料からなる画素電極９ａがマトリクス状に設けられている。画素電極９ａ上には、配向膜が形成されている。他方、対向基板２０におけるＴＦＴアレイ基板１０との対向面上に、遮光膜２３が形成されている。遮光膜２３は、例えば遮光性金属膜等から形成されており、対向基板２０上の画像表示領域１０ａ内で、例えば格子状等にパターニングされている。遮光膜２３上には、ＩＴＯ等の透明材料からなる対向電極２１が複数の画素電極９ａと対向してベタ状に形成されている。対向電極２１上には配向膜が形成されている。液晶層５０は、例えば一種又は数種類のネマティック液晶を混合した液晶からなり、これら一対の配向膜間で、所定の配向状態をとる。
【００４５】
尚、本実施形態では、画像表示領域１０ａにおける液晶層５０に対して対向基板２０側から入射される入射光が、ＴＦＴアレイ基板１０側から表示光として出射されることを前提している。
【００４６】
尚、ここでは図示しないが、ＴＦＴアレイ基板１０上には、データ線駆動回路１０１、走査線駆動回路１０４の他に、製造途中や出荷時の当該液晶装置の品質、欠陥等を検査するための検査回路、検査用パターン等が形成されていてもよい。
【００４７】
次に、本実施形態に係る液晶装置の電気的な構成について、図３を参照して説明する。ここに図３は、本実施形態に係る液晶装置の電気的な構成を示すブロック図である。
【００４８】
図３に示すように、本実施形態に係る液晶装置には、そのＴＦＴアレイ基板１０上の周辺領域に、走査線駆動回路１０４、データ線駆動回路１０１及びサンプリング回路７を含む周辺回路並びに画像信号線６が設けられている。
【００４９】
走査線駆動回路１０４には、Ｙクロック信号ＣＬＹ、反転Ｙクロック信号ＣＬＹｉｎｖ、及びＹスタートパルスＤＹが供給される。走査線駆動回路１０４は、ＹスタートパルスＤＹが入力されると、Ｙクロック信号ＣＬＹ及び反転Ｙクロック信号ＣＬＹｉｎｖに基づくタイミングで、走査信号Ｇｉ（但し、ｉ＝１、・・・、ｍ）を順次生成して出力する。
【００５０】
データ線駆動回路１０１には、Ｘクロック信号ＣＬＸ、反転Ｘクロック信号ＣＬＸｉｎｖ、及びＸスタートパルスＤＸが供給される。データ線駆動回路１０１は、ＸスタートパルスＤＸが入力されると、Ｘクロック信号ＣＬＸ及び反転Ｘクロック信号ＸＣＬＸｉｎｖに基づくタイミングで、サンプリング信号Ｓｉ（但し、ｉ＝１、２、・・・、ｎ）を順次生成して出力する。
【００５１】
サンプリング回路７は、データ線６ａ毎に設けられた複数のサンプリング用ＴＦＴ７１を備えている。サンプリング用ＴＦＴ７１は、本発明に係る「トランジスタ」の一例であり、例えばＰチャネル型又はＮチャネル型の片チャネル型ＴＦＴから構成されている。尚、サンプリング用ＴＦＴ７１は、相補型のＴＦＴから構成されるようにしてもよい。
【００５２】
サンプリング用ＴＦＴ７１のソース配線７１Ｓは、画像信号線６に電気的に接続されており、サンプリング用ＴＦＴ７１のゲート配線７１Ｇは、サンプリング信号線９７に電気的に接続されており、サンプリング用ＴＦＴ７１のドレイン配線７１Ｄは、データ線６ａに電気的に接続されている。各サンプリング用ＴＦＴ７１は、画像信号線６を介して画像信号ＶＩＤが入力されると共にサンプリング信号線９７を介してデータ線駆動回路１０１からサンプリング信号Ｓｉ（但し、ｉ＝１、２、・・・、ｎ）が入力されると、画像信号ＶＩＤをサンプリングして、各データ線６ａにデータ信号Ｄｉ（但し、ｉ＝１、２、・・・、ｎ）として印加するように構成されている。
【００５３】
図３に示すように、ＴＦＴアレイ基板１０の画像表示領域１０ａを構成するマトリクス状に形成された複数の画素には、それぞれ、画素電極９ａと該画素電極９ａをスイッチング制御するための画素スイッチング用ＴＦＴ３０とが形成されており、データ信号Ｄｉが供給されるデータ線６ａが当該画素スイッチング用ＴＦＴ３０のソースに電気的に接続されている。データ線６ａに書き込むデータ信号Ｄｉは、この順に線順次に供給しても構わないし、相隣接する複数のデータ線６ａ同士に対して、グループ毎に供給するようにしてもよい。また、画素スイッチング用ＴＦＴ３０のゲートに走査線１１ａが電気的に接続されている。走査線１１ａには、走査線駆動回路１０４から所定のタイミングで走査信号Ｇ１、Ｇ２、・・・、Ｇｍが、この順に線順次で印加される。尚、本実施形態では、説明の簡単のため、走査信号Ｇ１、Ｇ２、・・・、Ｇｍがこの順に線順次で走査線１１ａに印加されるように構成しているが、走査信号Ｇｉ（但し、ｉ＝１、２、・・・、ｍ）が走査線１１ａに印加される順序は、任意の順序であってもよい。画素電極９ａは、画素スイッチング用ＴＦＴ３０のドレインに電気的に接続されており、スイッチング素子である画素スイッチング用ＴＦＴ３０を一定期間だけそのスイッチを閉じることにより、データ線６ａから供給されるデータ信号Ｄｉを所定のタイミングで書き込む。
【００５４】
画素電極９ａを介して液晶に書き込まれた所定レベルのデータ信号Ｄｉ（但し、ｉ＝１、２、・・・、ｎ）は、対向基板２０（図２参照）に形成された対向電極２１（図２参照）との間で一定期間保持される。液晶は、印加される電圧レベルにより分子集合の配向や秩序が変化することにより、光を変調し、階調表示を可能とする。ノーマリーホワイトモードであれば、各画素の単位で印加された電圧に応じて入射光に対する透過率が減少し、ノーマリーブラックモードであれば、各画素の単位で印加された電圧に応じて入射光に対する透過率が増加され、全体として液晶装置からは画像信号に応じたコントラストをもつ光が出射する。
【００５５】
ここで保持された画像信号がリークするのを防ぐために、画素電極９ａと対向電極２１との間に形成される液晶容量と並列に蓄積容量７０が付加されている。蓄積容量７０の一方の電極は、画素電極９ａと並列して画素スイッチング用ＴＦＴ３０のドレインに電気的に接続され、他方の電極は、定電位となるように、電位固定の容量配線４００に電気的に接続されている。
【００５６】
次に、本実施形態に係るサンプリング用ＴＦＴの具体的な構成について、該サンプリング用ＴＦＴに対応して設けられた遮光膜の構成と共に、図４から図６を参照して説明する。ここに図４は、サンプリング用ＴＦＴの構成を示す平面図である。図５は、図４のV−V’線断面図である。図６は、サンプリング用ＴＦＴに対応して設けられた遮光膜の構成を示す平面図である。尚、図５においては、各層・各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、該各層・各部材ごとに縮尺を異ならしめてある。
【００５７】
図４及び図５において、各サンプリング用ＴＦＴ７１は、ＴＦＴアレイ基板１０上に設けられた下地絶縁膜１２上に形成されている。サンプリング用ＴＦＴ７１は、半導体層７４、ソース配線７１Ｓ、ドレイン配線７１Ｄ、ゲート配線７１Ｇ及びゲート絶縁膜７５を備えている。
【００５８】
半導体層７４は、ゲート配線７１Ｇからの電界によりチャネルが形成されるチャネル領域７４Ｃと、ソース領域７４Ｓとドレイン領域７４Ｄとを有している。尚、チャネル領域７４Ｃに隣接する領域をＬＤＤ(Lightly Doped Drain)領域としてもよい。
【００５９】
本実施形態では、サンプリング用ＴＦＴ７１は、チャネル長（即ち、ソース領域７４Ｓ及びドレイン領域７４Ｄ間の距離、或いは、チャネル領域７４ＣのＸ方向に沿った長さ）Ｌが、例えば３〜５ｕｍの範囲内の所定長さとなるように、且つ、チャネル幅（チャネル領域のＹ方向に沿った長さ）Ｗが、例えば５０ｕｍ〜６００ｕｍの範囲内の所定長さとなるように形成されている。よって、サンプリング用ＴＦＴ７１のチャネル幅Ｗは、サンプリング用ＴＦＴ７１のチャネル長Ｌよりも長い。
【００６０】
ソース配線７１Ｓは、半導体層７４より層間絶縁膜４１及び４２を介して上層側に、例えばアルミニウム等の金属膜から形成されている。ソース配線７１Ｓは、層間絶縁膜４１及び４２を貫通して開孔されたコンタクトホール８Ｓを介してソース領域７４Ｓに電気的に接続されている。ソース配線７１Ｓは、データ線６ａが延びる方向（即ち、Ｙ方向）に沿って延びるように形成されている。ソース配線７１Ｓは、図示しないコンタクトホール及び中継配線などを介して、画像信号線６と電気的に接続されている（図３参照）。
【００６１】
ドレイン配線７１Ｄは、ソース配線７１Ｓと同一膜から形成されている、即ち、半導体層７４より層間絶縁膜４１及び４２を介して上層側に、例えばアルミニウム等の金属膜から形成されている。ここで、同一膜とは、同一の導電材料からなる薄膜を同時にパターニングすることを意味する。ドレイン配線７１Ｄは、層間絶縁膜４１及び４２を貫通して開孔されたコンタクトホール８Ｄを介してドレイン領域７４Ｄに電気的に接続されている。ドレイン配線７１Ｄは、データ線６ａが延びる方向（即ち、Ｙ方向）に沿って延びるように形成されている。ドレイン配線７１Ｄは、図示しないコンタクトホール及び中継配線などを介して、データ線６ａと電気的に接続されている（図３参照）。
【００６２】
ゲート配線７１Ｇは、半導体層７４よりゲート絶縁膜７５を介して上層側に、例えば導電性ポリシリコン膜等から形成されている。ゲート配線７１Ｇは、半導体層７４のチャネル領域７４とゲート絶縁膜７５を介して重なるゲート電極を含むと共に、データ線６ａが延びる方向（即ち、Ｙ方向）に沿って延びるように形成されている。ゲート配線７１Ｇは、図示しないコンタクトホール及び中継配線などを介して、サンプリング信号線９７と電気的に接続されている（図３参照）。
【００６３】
ソース配線７１Ｓ及びドレイン配線７１Ｄの上層側には、層間絶縁膜４３及び４４が順に積層されている。
【００６４】
図４及び図５において、本実施形態では特に、サンプリング用ＴＦＴ７１毎に設けられた遮光膜５１０を備えている。遮光膜５１０は、サンプリング用ＴＦＴ７１よりも下地絶縁膜１２を介して下層側に配置され、ＴＦＴアレイ基板１０上で平面的に見て、サンプリング用ＴＦＴ７１に重なるように形成されている。遮光膜５１０は、複数のサンプリング用ＴＦＴ７１の各々に対して１つずつ設けられることで、画像表示領域１０ａの近傍に、Ｘ方向に沿って複数設けられている。遮光膜５１０は、例えばチタン（Ｔｉ）、クロム（Ｃｒ）、タングステン（Ｗ）、タンタル（Ｔａ）、モリブデン（Ｍｏ）等の高融点金属のうちの少なくとも一つを含む金属単体、合金、金属シリサイド、ポリシリサイド又はこれらの積層体等の遮光性導電材料から形成されている。
【００６５】
図６に示すように、遮光膜５１０は、サンプリング用ＴＦＴ７１が形成される領域７１ａに重なるように形成され、遮光膜５１０には、複数のスリット５１０ｓが形成されている。スリット５１０ｓは、本発明に係る「開口部」の一例であり、サンプリング用ＴＦＴ７１のチャネル長方向（即ち、Ｘ方向）に沿って延びるように、遮光膜５１０に開口されている。
【００６６】
複数のスリット５１０ｓの各々は、遮光膜５１０に例えば１ｕｍ以下である所定の幅ｄ１でサンプリング用ＴＦＴ７１のチャネル長方向（即ち、Ｘ方向）に沿って延びるように形成されている。更に、複数のスリット５１０ｓは、サンプリング用ＴＦＴ７１のチャネル幅方向（即ち、Ｙ方向）に沿って例えば１ｕｍである所定間隔ｄ２を隔てて配列するように形成されている。尚、図６では、スリット５１０ｓを図面上で認識可能な程度の大きさとするため、遮光膜５１０に対して縮尺を異ならしめてある。
【００６７】
よって、画像表示領域１０ａの周辺に位置する周辺領域からの光漏れやサンプリング用ＴＦＴ７１による戻り光の再反射を、遮光膜５１０によって低減できる。即ち、複数の遮光膜５１０によって、画像表示領域１０ａにおけるサンプリング用ＴＦＴ７１が形成された側の縁付近において周辺領域からの光漏れが生じてしまうことを低減できると共に、ＴＦＴアレイ基板１０における裏面反射や、複板式のプロジェクタ等で他の液晶装置から発せられ合成光学系を突き抜けてくる光などの戻り光（図５中、下側から上側へ向かう光）がサンプリング用ＴＦＴ７１によって反射されてしまうことを低減できる。従って、複数のサンプリング用ＴＦＴ７１の配列パターンに応じた明暗パターンなど、周辺領域における光の反射や透過に応じた明暗パターンが画像表示領域１０ａの縁付近に映し出されてしまうことを低減できる。つまり、周辺領域における光漏れや光反射に起因する表示画像への悪影響を低減できる。
【００６８】
図６において、本実施形態では特に、スリット５１０ｓの幅ｄ１は、１ｕｍ以下である。よって、遮光膜５１０によって光を殆ど或いは実践上完全に遮断できる。よって、周辺領域からの光漏れやトランジスタによる戻り光の再反射をより確実に低減或いは防止できる。
【００６９】
更に、遮光膜５１０は、サンプリング用ＴＦＴ７１のチャネル長方向（即ち、Ｘ方向）に沿ったスリット５１０ｓを有するので、仮に、遮光膜５１０が、スリットを有さずにベタ状に形成された場合やサンプリング用ＴＦＴ７１のチャネル幅方向（即ち、Ｙ方向）に沿ったスリットのみを有するように形成された場合に生じ得るサンプリング用ＴＦＴ７１の特性の劣化が殆ど或いは全く生じない、即ち、例えば当該遮光膜５１０とサンプリング用ＴＦＴ７１との間の容量カップリングや遮光膜５１０を形成することによる半導体層７４への不純物の混入などに起因して生じ得るサンプリング用ＴＦＴ７１の特性の劣化が殆ど或いは全く生じない。
【００７０】
加えて、本実施形態では特に、スリット５１０ｓは、サンプリング用ＴＦＴ７１のチャネル領域７４Ｃに重なるように形成されている。よって、遮光膜５１０は、スリット５１０ｓが形成された領域では、サンプリング用ＴＦＴ７１のチャネル領域７４Ｃに重ならない。よって、遮光膜５１０がサンプリング用ＴＦＴ７１のチャネル領域７４Ｃに及ぼし得る悪影響を低減できる。従って、遮光膜５１０に起因して生じ得るサンプリング用ＴＦＴ７１の特性の劣化をより確実に低減できる。
【００７１】
更に加えて、本実施形態では特に、複数のスリット５１０ｓは、遮光膜５１０におけるサンプリング用ＴＦＴ７１のチャネル幅方向（即ち、Ｙ方向）の一端に重なる部分からサンプリング用ＴＦＴ７１のチャネル幅方向の他端に重なる部分まで、所定間隔ｄ２を隔てて配列するように形成されている。従って、遮光膜５１０に起因して生じ得るサンプリング用ＴＦＴ７１の特性の劣化をより確実に低減できる。
【００７２】
図４において、本実施形態では特に、サンプリング用ＴＦＴ７１のチャネル幅Ｗは、例えば５０ｕｍ〜６００ｕｍの範囲内の所定長さであり、例えば３〜５ｕｍの範囲内の所定長さであるサンプリング用ＴＦＴ７１のチャネル長Ｌよりも長いので、遮光膜５１０に起因して生じ得るサンプリング用ＴＦＴ７１の特性の劣化をより効果的に低減できる。
【００７３】
以上の結果、本実施形態に係る液晶装置によれば、サンプリング回路７を構成するサンプリング用ＴＦＴ７１の特性を殆ど或いは全く劣化させることなく、周辺領域における光漏れや光反射に起因する表示画像への悪影響を防止でき、高品質な画像を表示することができる。
＜第２実施形態＞
第２実施形態に係る液晶装置について、図７を参照して説明する。ここに図７は、第２実施形態における図６と同趣旨の平面図である。尚、図７において、図１から図６に示した第１実施形態に係る構成要素と同様の構成要素に同一の参照符合を付し、それらの説明は適宜省略する。
【００７４】
図７において、第２実施形態に係る液晶装置は、上述した第１実施形態における遮光膜５１０に代えて遮光膜５２０を備える点で、上述した第１実施形態に係る液晶装置と異なり、その他の点については、上述した第１実施形態に係る液晶装置と概ね同様に構成されている。
【００７５】
図７に示すように、本実施形態では特に、遮光膜５２０は、複数のスリット５２０ｓを有する第１遮光部分５２１と、サンプリング用ＴＦＴ７１のチャネル幅方向（即ち、Ｙ方向）に沿って第１遮光部分５２１よりも画像表示領域１０ａから遠い側に第１遮光部分５２１に隣接して形成された第２遮光部分５２２とを備えている。
【００７６】
第１遮光部分５２１に形成された複数のスリット５２０ｓの各々は、上述した第１実施形態におけるスリット５１０ｓと同様に、遮光膜５２０に開口されている。複数のスリット５２０ｓの各々は、遮光膜５２０に例えば１ｕｍ以下である所定幅ｄ１でサンプリング用ＴＦＴ７１のチャネル長方向に沿って延びるように形成されている。更に、複数のスリット５２０ｓは、サンプリング用ＴＦＴ７１のチャネル幅方向に沿って例えば１ｕｍである所定間隔ｄ２を隔てて複数形成されている。
【００７７】
第２遮光部分５２２は、第１遮光部分５２１と互いに異なる平面パターン、より具体的には、サンプリング用ＴＦＴ７１のソース領域７４Ｓ及びドレイン領域７４Ｄには重なり、サンプリング用ＴＦＴ７１のチャネル領域７４Ｃには重ならない平面パターンを有している。言い換えれば、第２遮光部分５２２は、サンプリング用ＴＦＴ７１と重なる部分が第１遮光部分５２１よりも小さくなるような平面パターンで形成されている。
【００７８】
よって、遮光膜５２０に起因して生じ得るサンプリング用ＴＦＴ７１の特性の劣化をより確実に低減できる。
【００７９】
即ち、本実施形態では特に、サンプリング用ＴＦＴ７１が形成される領域７１ａのうち、光漏れや光反射に起因する表示画像への悪影響が生じるおそれがある程度に画像表示領域１０ａに近い領域には、スリット５２０ｓを有する第１遮光部分５２１が形成されているので、周辺領域における光漏れや光反射に起因する、画像表示領域１０ａの縁付近における表示画像への悪影響を低減できると共にサンプリング用ＴＦＴ７１の特性の劣化を低減でき、且つ、サンプリング用ＴＦＴ７１が形成される領域７１ａのうち、光漏れや光反射に起因する表示画像への悪影響が殆ど或いは実践上全く生じない程度に画像表示領域１０ａから遠い領域には、サンプリング用ＴＦＴ７１と重なる部分が第１遮光部分５２１とサンプリング用ＴＦＴ７１とが重なる部分よりも小さくなるような平面パターンを有する第２遮光部分５２２が形成されているので、サンプリング用ＴＦＴ７１の特性の劣化をより確実に低減できる。
【００８０】
図８は、第２実施形態の変形例における図６と同趣旨の平面図である。
【００８１】
図８に変形例として示すように、遮光膜５２０は、上述した第１遮光部分５２１のみからなり、上述した第２遮光部分５２２を有さなくてもよい。言い換えれば、周辺領域のうち、光漏れや光反射に起因する表示画像への悪影響が殆ど或いは実践上全く生じない程度に画像表示領域１０ａから遠い領域では、遮光膜５２０は、サンプリング用ＴＦＴ７１と重ならないように形成されてもよい。
【００８２】
この場合には、遮光膜５２０に起因するサンプリング用ＴＦＴ７１の特性の劣化をより確実に低減できる。
＜第３実施形態＞
第３実施形態に係る液晶装置について、図９から図１２を参照して説明する。
【００８３】
第３実施形態に係る液晶装置は、ＴＦＴアレイ基板１０上における走査線駆動回路１０４が形成された領域内に遮光膜５３０（図１１及び図１２参照）を備えている点で、上述した第１実施形態に係る液晶装置と異なり、その他の点については、上述した第１実施形態に係る液晶装置と概ね同様に構成されている。
【００８４】
先ず、本実施形態に係る液晶装置の走査線駆動回路の電気的な構成について、図９及び図１０を参照して詳細に説明する。
【００８５】
図９は、走査線駆動回路の電気的な構成を示す回路図である。図１０は、出力バッファの具体的な構成を示す回路図である。尚、図９及び図１０並びに後述する図１１及び図１２において、図１から図６に示した第１実施形態に係る構成要素と同様の構成要素に同一の参照符合を付し、それらの説明は適宜省略する。
【００８６】
図９において、走査線駆動回路１０４は、シフトレジスタ２４０と出力バッファ２３０とから構成されている。
【００８７】
シフトレジスタ２４０は、複数のインバータ２４１及びＮＡＮＤ回路２４２から構成されており、Ｙクロック信号ＣＬＹ及び反転Ｙクロック信号ＣＬＹｉｎｖに基づいて、各画素の画素電極９ａに画像信号を供給すべきタイミングで、転送信号を順次出力し、出力バッファ２３０に転送している。
【００８８】
出力バッファ２３０は、インバータ２３１、２３２及び２３３が直列に電気的に接続されている。出力バッファ２３０の入力端子は、シフトレジスタ２４０の出力端子に電気的に接続されており、出力バッファ２３０の入力端子には、シフトレジスタ２４０からの転送信号が入力される。出力バッファ２３０は、シフトレジスタ２４０から転送された転送信号に駆動能力を持たせる。駆動能力（言い換えれば、電流供給能力）を得た転送信号は、最終的には走査線駆動回路１０４から走査信号として走査線１１ａを介して画素スイッチング用ＴＦＴ３０に供給される。
【００８９】
このように、出力バッファ２３０は、複数段のインバータ２３１、２３２及び２３３から構成されることで、転送信号を、駆動能力増大、波形整形及びタイミング調整した後に、走査信号として出力する機能を有する。
【００９０】
図１０に詳細に示すように、インバータ２３１は、相補型トランジスタとして構成されており、Ｎチャネル型ＴＦＴであるＴＦＴ２３１ａとＰチャネル型ＴＦＴであるＴＦＴ２３１ｂとから構成されている。同様に、インバータ２３２は、Ｎチャネル型ＴＦＴであるＴＦＴ２３２ａとＰチャネル型ＴＦＴであるＴＦＴ２３２ｂから構成されており、インバータ２３３は、Ｎチャネル型ＴＦＴであるＴＦＴ２３３ａとＰチャネル型ＴＦＴであるＴＦＴ２３３ｂとから構成されている。出力バッファ２３０の入力端子は、ＴＦＴ２３１ａ及びＴＦＴ２３１ｂのゲートに電気的に接続されている。出力バッファ２３０の出力端子は、ＴＦＴ２３３ａ及びＴＦＴ２３３ｂのドレインに電気的に接続されている。
【００９１】
インバータ２３１、２３２及び２３３は、走査駆動回路用高電位電源ＶＤＤＹ及び低電位電源ＶＳＳＹによって駆動される。よって、転送信号の電圧は、走査駆動回路用高電位電源ＶＤＤＹの電位及び走査駆動回路用低電位電源ＶＳＳＹの電位間で遷移し、徐々に駆動能力を高められ、走査信号Ｇ１、・・・、Ｇｍとして出力される。
【００９２】
次に、上述した出力バッファを構成する複数段のインバータのうち、走査線への出力側の最終段に位置するインバータの具体的な構成について、図１１及び図１２を参照して説明する。
【００９３】
図１１は、出力バッファを構成する複数段のインバータのうち、走査線への出力側の最終段に位置するインバータの具体的な構成を示す平面図である。図１２は、出力バッファを構成する複数段のインバータのうち、走査線への出力側の最終段に位置するインバータに対応して設けられた遮光膜の構成を示す平面図である。
【００９４】
図１１において、インバータ２３３は、Ｎチャネル型ＴＦＴであるＴＦＴ２３３ａとＰチャネル型ＴＦＴであるＴＦＴ２３３ｂとからなる相補型トランジスタとして構成されている。
【００９５】
ＴＦＴ２３３ａは、半導体層３１０を有している。半導体層３１０は、図４及び図５を参照して上述した半導体層７４と同様に、下地絶縁膜１２上に形成されている。半導体層３１０は、ＴＦＴ２３３ａ及び２３３ｂに共通して設けられたゲート配線３５０からの電界によりチャネルが形成されるチャネル領域と、ソース配線３１１にコンタクトホール８１を介して電気的に接続されているソース領域と、ＴＦＴ２３３ａ及び２３３ｂに共通して設けられたドレイン配線３３０にコンタクトホール８４を介して電気的に接続されているドレイン領域とを有している。
【００９６】
ＴＦＴ２３３ｂは、半導体層３２０を有している。半導体層３２０は、図４及び図５を参照して上述した半導体層７４と同様に、下地絶縁膜１２上に形成されている。半導体層３２０は、ゲート配線３５０からの電界によりチャネルが形成されるチャネル領域と、ソース配線３２１にコンタクトホール８２を介して電気的に接続されているソース領域と、ドレイン配線３３０にコンタクトホール８３を介して電気的に接続されているドレイン領域とを有している。
【００９７】
ゲート配線３５０は、図４及び図５を参照して上述したゲート配線７１Ｇと同一膜から形成されている、即ち、半導体層３１０及び３２０よりゲート絶縁膜を介して上層側に、例えば導電性ポリシリコン膜等から形成されている。尚、ゲート配線３５０は、インバータ２３２の出力端子に電気的に接続されている。
【００９８】
ＴＦＴ２３３ｂのソース配線３１１は、図４及び図５を参照して上述したソース配線７１Ｓと同一膜から形成されている、即ち、半導体層３１０より層間絶縁膜４１及び４２を介して上層側に、例えばアルミニウム等の金属膜から形成されている。尚、ソース配線３１１は、走査線駆動回路用低電位電源ＶＳＳＹを供給する走査線駆動回路用低電位電源配線に電気的に接続されている。
【００９９】
ＴＦＴ２３３ａのソース配線３２１は、ソース配線３１１と同一膜から形成されている、即ち、半導体層３２０より層間絶縁膜４１及び４２を介して上層側に、例えばアルミニウム等の金属膜から形成されている。尚、ソース配線３２１は、走査線駆動回路用高電位電源ＶＤＤＹを供給する走査線駆動回路用高電位電源配線に電気的に接続されている。
【０１００】
ドレイン配線３３０は、ソース配線３２１及び３２２と同一膜から形成されている、即ち、半導体層３１０及び３２０より層間絶縁膜４１及び４２を介して上層側に、例えばアルミニウム等の金属膜から形成されている。ドレイン配線３３０は、図示しないコンタクトホール及び中継配線などを介して、走査線１１ａに電気的に接続されている。
【０１０１】
図１１及び図１２において、本実施形態では特に、インバータ２３３毎に設けられた遮光膜５３０を備えている。遮光膜５３０は、インバータ２３３を構成するＴＦＴ２３３ａ及び２３３ｂよりも下地絶縁膜１２を介して下層側に配置され、ＴＦＴアレイ基板１０上で平面的に見て、ＴＦＴ２３３ａ及び２３３ｂに重なるように形成されている。遮光膜５３０は、複数のインバータ２３３の各々に対して１つずつ設けられることで、画像表示領域１０ａの近傍に、Ｙ方向に沿って複数設けられている。遮光膜５３０は、図４から図６を参照して上述した遮光膜５１０と同様に、例えばチタン（Ｔｉ）、クロム（Ｃｒ）、タングステン（Ｗ）、タンタル（Ｔａ）、モリブデン（Ｍｏ）等の高融点金属のうちの少なくとも一つを含む金属単体、合金、金属シリサイド、ポリシリサイド又はこれらの積層体等の遮光性導電材料から形成されている。
【０１０２】
図１２に示すように、遮光膜５３０は、インバータ２３３が形成される領域２３３Ｓに重なるように形成され、遮光膜５３０には、複数のスリット５３０ｓが形成されている。スリット５３０ｓは、本発明に係る「開口部」の一例であり、インバータ２３３を構成するＴＦＴ２３３ａ及び２３３ｂのチャネル長方向（即ち、Ｙ方向）に沿って延びるように、遮光膜５３０に開口されている。
【０１０３】
複数のスリット５３０ｓの各々は、遮光膜５３０に例えば１ｕｍ以下である所定の幅でＴＦＴ２３３ａ及び２３３ｂのチャネル長方向（即ち、Ｘ方向）に沿って延びるように形成されている。更に、複数のスリット５３０ｓは、ＴＦＴ２３３ａ及び２３３ｂのチャネル幅方向（即ち、Ｘ方向）に沿って例えば１ｕｍである所定間隔を隔てて配列するように形成されている。尚、図１２では、スリット５３０ｓを図面上で認識可能な程度の大きさとするため、遮光膜５３０に対して縮尺を異ならしめてある。
【０１０４】
よって、画像表示領域１０ａの周辺に位置する周辺領域からの光漏れやインバータ２３３を構成するＴＦＴ２３３ａ及び２３３ｂによる戻り光の再反射を、遮光膜５３０によって低減できる。即ち、複数の遮光膜５３０によって、画像表示領域１０ａにおける走査線駆動回路１０４が形成された側の縁付近において周辺領域からの光漏れが生じてしまうことを低減できると共に、ＴＦＴアレイ基板１０における裏面反射や、複板式のプロジェクタ等で他の液晶装置から発せられ合成光学系を突き抜けてくる光などの戻り光がＴＦＴ２３３ａ及び２３３ｂによって反射されてしまうことを低減できる。従って、複数のインバータ２３３（言い換えれば、ＴＦＴ２３３ａ及び２３３ｂ）の配列パターンに応じた明暗パターンなど、周辺領域における光の反射や透過に応じた明暗パターンが画像表示領域１０ａの縁付近に映し出されてしまうことを低減できる。
＜第４実施形態＞
第４実施形態に係る液晶装置について、図１３及び図１４を参照して説明する。
【０１０５】
図１３は、第４実施形態に係る液晶装置の構成を概略的に示すブロック図である。尚、図１３において、図１から図６に示した第１実施形態に係る構成要素と同様の構成要素に同一の参照符合を付し、それらの説明は適宜省略する。
【０１０６】
図１３において、第４実施形態に係る液晶装置は、ＴＦＴアレイ基板１０上の画像表示領域１０ａの周辺に位置する周辺領域に位相差補正回路６００を備え、この位相差補正回路６００を構成する複数のトランジスタのうち少なくとも一のトランジスタに対応して本発明に係る「遮光膜」の一例としての遮光膜が設けられている点で、上述した第１実施形態に係る液晶装置と異なり、その他の点については、上述した第１実施形態に係る液晶装置と概ね同様に構成されている。
【０１０７】
位相差補正回路６００は、画像表示領域１０ａの近傍（例えば、画像表示領域１０ａの縁からの距離が数百ｕｍ（例えば４００〜８００ｕｍ程度）の範囲内の領域）に設けられている。より具体的には、位相差補正回路６００は、画像表示領域１０ａの周辺に位置する周辺領域のうち、サンプリング回路７或いはデータ線駆動回路１０１と画像表示領域１０ａを挟んで対向する位置であって、画像表示領域１０ａのＸ方向の幅を二分する中心線上に配置されている。そして、位相差補正回路６００には、Ｙクロック信号ＣＬＹ及び反転Ｙクロック信号ＣＬＹｉｎｖが供給される。
【０１０８】
尚、Ｙクロック信号ＣＬＹは、複数の外部回路接続端子１０２（図１参照）のうちＹクロック信号端子から、周辺領域をＴＦＴアレイ基板１０の外周に沿うように配線されたＹクロック信号線を介して位相差補正回路６００に供給される。反転Ｙクロック信号ＣＬＹｉｎｖは、複数の外部回路接続端子１０２のうち反転Ｙクロック信号端子から、周辺領域をＴＦＴアレイ基板１０の外周に沿うように配線された反転Ｙクロック信号線を介して位相差補正回路６００に供給される。
【０１０９】
位相差補正回路６００は、外部から、周辺領域に配線されたＹクロック信号線及び反転Ｙクロック信号線を介して夫々供給されるＹクロック信号ＣＬＹ及び反転Ｙクロック信号ＣＬＹｉｎｖの位相を補正し、その後に走査線駆動回路１０４（即ち、画像表示領域１０ａを挟んで対向して配置された２つの走査線駆動回路部分１０４Ｌ及び１０４Ｒの各々）に供給するように構成されている。従って、誤動作を生じさせることなく正常に或いは高精度で走査線駆動回路１０４を駆動させることが可能となる。
【０１１０】
図１４は、本実施形態に係る液晶装置の位相差補正回路の電気的な構成を示す回路図である。
【０１１１】
図１４において、位相差補正回路６００は、第１バッファ回路６０１、双安定回路６０２、及び第２バッファ回路６０３から構成されている。第１バッファ回路６０１は、相補型トランジスタとして夫々構成されたインバータ６０１ａ及び６０１ｂを備えている。第２バッファ回路６０２は、相補型トランジスタとして夫々構成されたインバータ６０２ａ及び６０２ｂを備えている。第３バッファ回路６０３は、相補型トランジスタとして夫々構成されたインバータ６０３ａ及び６０３ｂを備えている。
【０１１２】
位相差補正回路６００では、インバータ６０１ａ及び６０１ｂから構成されるバッファ回路６０１において、Ｙクロック信号ＣＬＹと反転Ｙクロック信号ＣＬＹｉｎｖを供給する回路の駆動能力を補うと共に、双安定回路６０２の一方のインバータ６０２ａの出力を他方のインバータ６０２ｂの入力に、また他方のインバータ６０２ｂの出力を一方のインバータ６０２ａの入力に夫々供給することによって、夫々のインバータ６０２ａ及び６０２ｂの入力信号に正帰還をかけて位相差を無くす構成となっている。また、位相差補正回路６００においては、双安定回路６０２の後に、第２バッファ回路６０３を設けており、この第２バッファ回路６０３の働きにより、双安定回路６０２の駆動能力の低下を防止している。
【０１１３】
再び図１３において、位相差補正回路６００は、Ｙクロック信号線６９１Ｒ及び反転Ｙクロック信号線６９２Ｒを介して、走査線駆動回路１０４のうち図１３における右側に配置された走査線駆動回路部分１０４Ｒに電気的に接続されており、一方、Ｙクロック信号線６９１Ｌ及び反転Ｙクロック信号線６９２Ｌを介して、走査線駆動回路１０４のうち図１３における左側に配置された走査線駆動回路部分１０４Ｌに電気的に接続されている。
【０１１４】
このように構成されることにより、位相差補正回路６００の上述のような動作によって互いに位相差の補正されたＹクロック信号ＣＬＹ及び反転Ｙクロック信号ＣＬＹｉｎｖが、走査線駆動回路１０４（即ち、走査線駆動回路部分１０４Ｒ及び１０４Ｌ）に入力される。更に、このように構成されることにより、位相差補正回路６００から走査線駆動回路部分１０４Ｒまでの配線距離と、位相差補正回路６００から走査線駆動回路部分１０４Ｌまでの配線距離は等しくなり、両者の配線時定数は等しくなっている。よって、例えば、位相差補正回路６００から走査線駆動回路部分１０４Ｒ及び１０４Ｌまでの間に信号遅延が無視し得ない程度に生じる場合においても、左右の走査線駆動回路部分までの夫々の信号遅延量は等しいので、信号遅延に起因して左右の走査線駆動回路部分の間で駆動タイミングのずれが生じること等の不具合を防止することが可能となる。
【０１１５】
本実施形態では特に、位相差補正回路６００を構成する複数のインバータ毎に（即ち、インバータ６０１ａ、６０１ｂ、６０２ａ、６０２ｂ、６０３ａ及び６０３ｂの各々に対して１つずつ）設けられた遮光膜を備えている。該遮光膜は、位相差補正回路６００を構成するインバータとＴＦＴアレイ基板１０との間（即ち、ＴＦＴアレイ基板１０上における該インバータを構成する相補型のＴＦＴよりも下層側）に配置に配置され、ＴＦＴアレイ基板１０上で平面的に見て、該インバータを構成するＴＦＴに重なると共に、該ＴＦＴのチャネル長方向に沿った長手状のスリットが複数形成されている。該遮光膜は、図６を参照して上述した第１実施形態における遮光膜５１０と概ね同様の平面形状を有している。
【０１１６】
よって、画像表示領域１０ａの周辺に位置する周辺領域からの光漏れや位相差補正回路６００のインバータを構成するＴＦＴによる戻り光の再反射を、位相差補正回路６００のインバータ毎に設けらた遮光膜によって低減できる。即ち、このような遮光膜によって、画像表示領域１０ａにおける位相差補正回路６００が形成された側の縁付近において周辺領域からの光漏れが生じてしまうことを低減できると共に、ＴＦＴアレイ基板１０における裏面反射や、複板式のプロジェクタ等で他の液晶装置から発せられ合成光学系を突き抜けてくる光などの戻り光が位相差補正回路６００のインバータを構成するＴＦＴによって反射されてしまうことを低減できる。従って、位相差補正回路６００の複数のインバータの配列パターンに応じた明暗パターンなど、周辺領域における光の反射や透過に応じた明暗パターンが画像表示領域１０ａの縁付近に映し出されてしまうことを低減できる。
＜電子機器＞
次に、上述した電気光学装置である液晶装置を各種の電子機器に適用する場合について、図１５を参照して説明する。以下では、この液晶装置をライトバルブとして用いたプロジェクタについて説明する。ここに図１５は、プロジェクタの構成例を示す平面図である。
【０１１７】
図１５に示すように、プロジェクタ１１００内部には、ハロゲンランプ等の白色光源からなるランプユニット１１０２が設けられている。このランプユニット１１０２から射出された投射光は、ライトガイド１１０４内に配置された４枚のミラー１１０６及び２枚のダイクロイックミラー１１０８によってＲＧＢの３原色に分離され、各原色に対応するライトバルブとしての液晶パネル１１１０Ｒ、１１１０Ｂ及び１１１０Ｇに入射される。
【０１１８】
液晶パネル１１１０Ｒ、１１１０Ｂ及び１１１０Ｇの構成は、上述した液晶装置と同等であり、画像信号処理回路から供給されるＲ、Ｇ、Ｂの原色信号でそれぞれ駆動されるものである。そして、これらの液晶パネルによって変調された光は、ダイクロイックプリズム１１１２に３方向から入射される。このダイクロイックプリズム１１１２においては、Ｒ及びＢの光が９０度に屈折する一方、Ｇの光が直進する。従って、各色の画像が合成される結果、投射レンズ１１１４を介して、スクリーン等にカラー画像が投写されることとなる。
【０１１９】
ここで、各液晶パネル１１１０Ｒ、１１１０Ｂ及び１１１０Ｇによる表示像について着目すると、液晶パネル１１１０Ｇによる表示像は、液晶パネル１１１０Ｒ、１１１０Ｂによる表示像に対して左右反転することが必要となる。
【０１２０】
尚、液晶パネル１１１０Ｒ、１１１０Ｂ及び１１１０Ｇには、ダイクロイックミラー１１０８によって、Ｒ、Ｇ、Ｂの各原色に対応する光が入射するので、カラーフィルタを設ける必要はない。
【０１２１】
尚、図１５を参照して説明した電子機器の他にも、モバイル型のパーソナルコンピュータや、携帯電話、液晶テレビ、ビューファインダ型、モニタ直視型のビデオテープレコーダ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、タッチパネルを備えた装置等が挙げられる。そして、これらの各種電子機器に適用可能なのは言うまでもない。
【０１２２】
本発明は、上述した実施形態に限られるものではなく、特許請求の範囲及び明細書全体から読み取れる発明の要旨或いは思想に反しない範囲で適宜変更可能であり、そのような変更を伴う電気光学装置及び該電気光学装置を備えてなる電子機器もまた本発明の技術的範囲に含まれるものである。
【図面の簡単な説明】
【０１２３】
【図１】第１実施形態に係る液晶装置の全体構成を示す平面図である。
【図２】図１のII−II’線断面図である。
【図３】第１実施形態に係る液晶装置の電気的な構成を示すブロック図である。
【図４】サンプリング用ＴＦＴの構成を示す平面図である。
【図５】図４のV−V’線断面図である。
【図６】サンプリング用ＴＦＴに対応して設けられた遮光膜の構成を示す平面図である。
【図７】第２実施形態における図６と同趣旨の平面図である。
【図８】第２実施形態の変形例における図６と同趣旨の平面図である。
【図９】走査線駆動回路の電気的な構成を示す回路図である。
【図１０】出力バッファの具体的な構成を示す回路図である。
【図１１】出力バッファを構成する複数段のインバータのうち、走査線への出力側の最終段に位置するインバータの具体的な構成を示す平面図である。
【図１２】出力バッファを構成する複数段のインバータのうち、走査線への出力側の最終段に位置するインバータに対応して設けられた遮光膜の構成を示す平面図である。
【図１３】第４実施形態に係る液晶装置の構成を概略的に示すブロック図である。
【図１４】位相差補正回路の電気的な構成を示す回路図である。
【図１５】電気光学装置を適用した電子機器の一例たるプロジェクタの構成を示す平面図である。
【符号の説明】
【０１２４】
６ａ…データ線、７…サンプリング回路、９ａ…画素電極、１０…ＴＦＴアレイ基板、１０ａ…画像表示領域、１１ａ…走査線、２０…対向基板、２１…対向電極、５０…液晶層、７１…サンプリング用ＴＦＴ、１０１…データ線駆動回路、１０２…外部回路接続端子、１０４…走査線駆動回路、５１０…遮光膜、５１０ｓ…スリット
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に、
複数の画素電極と、
該複数の画素電極が配列された画素領域の周辺に位置する周辺領域に設けられたトランジスタと、
該トランジスタよりも下層側に配置され、前記基板上で平面的に見て、前記トランジスタの少なくとも一部に重なると共に、前記トランジスタのチャネル長方向に沿った長手状の開口部が形成された遮光膜と
を備えたことを特徴とする電気光学装置。
【請求項２】
前記開口部は、前記トランジスタのチャネル幅方向に所定間隔を隔てて複数形成されることを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置。
【請求項３】
前記開口部は、前記基板上で平面的に見て、前記トランジスタのチャネル領域に少なくとも部分的に重なることを特徴とする請求項１又は２に記載の電気光学装置。
【請求項４】
前記開口部の幅は、１ｕｍ以下であることを特徴とする請求項１から３のいずれか一項に記載の電気光学装置。
【請求項５】
前記遮光膜は、
前記開口部を有する第１遮光部分と、
前記トランジスタのチャネル幅方向に沿って前記第１遮光部分よりも前記画素領域から遠い側に前記第１遮光部分に隣接して形成されると共に前記第１遮光部分と互いに異なる平面パターンを有する第２遮光部分と
を備えることを特徴とする請求項１から４のいずれか一項に記載の電気光学装置。
【請求項６】
前記第２遮光部分は、前記基板上で平面的に見て、前記トランジスタと少なくとも部分的に重ならないように形成されることを特徴とする請求項５に記載の電気光学装置。
【請求項７】
前記トランジスタのチャネル幅は、５ｕｍ以上であることを特徴とする請求項１から６のいずれか一項に記載の電気光学装置。
【請求項８】
前記トランジスタのチャネル幅は、前記トランジスタのチャネル長よりも長いことを特徴とする請求項１から７のいずれか一項に記載の電気光学装置。
【請求項９】
前記画素領域に配線された複数の走査線及び複数のデータ線と、
前記周辺領域に設けられ、画像信号を供給する画像信号線と
を備え、
前記トランジスタは、前記画像信号線に供給される画像信号をサンプリング信号に応じて前記複数のデータ線に夫々供給すると共に前記複数のデータ線に対応して配列された複数のサンプリング用トランジスタとして形成される
ことを特徴とする請求項１から８のいずれか一項に記載の電気光学装置。
【請求項１０】
基板上に、
複数の画素電極と、
該複数の画素電極が配列された画素領域の周辺に位置する周辺領域に設けられた相補型トランジスタと、
該相補型トランジスタと前記基板との間に配置に配置され、前記基板上で平面的に見て、前記相補型トランジスタの少なくとも一方のトランジスタに重なると共に、該トランジスタのチャネル長方向に沿った長手状の開口部が形成された遮光膜と
を備えたことを特徴とする電気光学装置。
【請求項１１】
請求項１から１０のいずれか一項に記載の電気光学装置を具備してなることを特徴とする電子機器。
【請求項１】
基板上に、
複数の画素電極と、
該複数の画素電極が配列された画素領域の周辺に位置する周辺領域に設けられたトランジスタと、
該トランジスタよりも下層側に配置され、前記基板上で平面的に見て、前記トランジスタの少なくとも一部に重なると共に、前記トランジスタのチャネル長方向に沿った長手状の開口部が形成された遮光膜と
を備えたことを特徴とする電気光学装置。
【請求項２】
前記開口部は、前記トランジスタのチャネル幅方向に所定間隔を隔てて複数形成されることを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置。
【請求項３】
前記開口部は、前記基板上で平面的に見て、前記トランジスタのチャネル領域に少なくとも部分的に重なることを特徴とする請求項１又は２に記載の電気光学装置。
【請求項４】
前記開口部の幅は、１ｕｍ以下であることを特徴とする請求項１から３のいずれか一項に記載の電気光学装置。
【請求項５】
前記遮光膜は、
前記開口部を有する第１遮光部分と、
前記トランジスタのチャネル幅方向に沿って前記第１遮光部分よりも前記画素領域から遠い側に前記第１遮光部分に隣接して形成されると共に前記第１遮光部分と互いに異なる平面パターンを有する第２遮光部分と
を備えることを特徴とする請求項１から４のいずれか一項に記載の電気光学装置。
【請求項６】
前記第２遮光部分は、前記基板上で平面的に見て、前記トランジスタと少なくとも部分的に重ならないように形成されることを特徴とする請求項５に記載の電気光学装置。
【請求項７】
前記トランジスタのチャネル幅は、５ｕｍ以上であることを特徴とする請求項１から６のいずれか一項に記載の電気光学装置。
【請求項８】
前記トランジスタのチャネル幅は、前記トランジスタのチャネル長よりも長いことを特徴とする請求項１から７のいずれか一項に記載の電気光学装置。
【請求項９】
前記画素領域に配線された複数の走査線及び複数のデータ線と、
前記周辺領域に設けられ、画像信号を供給する画像信号線と
を備え、
前記トランジスタは、前記画像信号線に供給される画像信号をサンプリング信号に応じて前記複数のデータ線に夫々供給すると共に前記複数のデータ線に対応して配列された複数のサンプリング用トランジスタとして形成される
ことを特徴とする請求項１から８のいずれか一項に記載の電気光学装置。
【請求項１０】
基板上に、
複数の画素電極と、
該複数の画素電極が配列された画素領域の周辺に位置する周辺領域に設けられた相補型トランジスタと、
該相補型トランジスタと前記基板との間に配置に配置され、前記基板上で平面的に見て、前記相補型トランジスタの少なくとも一方のトランジスタに重なると共に、該トランジスタのチャネル長方向に沿った長手状の開口部が形成された遮光膜と
を備えたことを特徴とする電気光学装置。
【請求項１１】
請求項１から１０のいずれか一項に記載の電気光学装置を具備してなることを特徴とする電子機器。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【公開番号】特開２００９−５３６６０（Ｐ２００９−５３６６０Ａ）
【公開日】平成２１年３月１２日（２００９．３．１２）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００８−１３７９１８（Ｐ２００８−１３７９１８）
【出願日】平成２０年５月２７日（２００８．５．２７）
【出願人】（０００００２３６９）セイコーエプソン株式会社 (51,324)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２１年３月１２日（２００９．３．１２）
【国際特許分類】
【出願日】平成２０年５月２７日（２００８．５．２７）
【出願人】（０００００２３６９）セイコーエプソン株式会社 (51,324)
【Ｆターム（参考）】
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