高粘度流体の生成プロセス
本発明は、メタロセン触媒及び非配位アニオン活性剤及び水素の存在下で20 cStより大きい100℃の動粘度を持つポリアルファ‐オレフィン（ＰＡＯ）を生産するプロセスに関する。
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
20 cStより大きく約10,000 cSt (30から7500cSt, 好ましくは 40から5000 cSt)までのKV100を持つ液状ポリアルファオレフィン（ＰＡＯ）を生産するプロセスであって、前記プロセスは以下を含む：
3から24炭素原子を持つ一以上のアルファーオレフィンモノマーを非架橋置換 bis（シクロペンタジエニル）遷移金属化合物と接触させることを含み、前記化合物は以下の
(Cp)(Cp*)MX1X2
式で表わされ
式中Ｍは金属中心であり、4族の金属、好ましくはTi, Hf又はZr, より好ましくはHf又はZrであり；
Cp及びCp*は各々Ｍに結合している同じ又は異なるシクロペンタジエニル環であり、１）Cp及びCp*は共に少なくとも一つの水素でない置換基Ｒで置換されており、又は２）Cpは２から５の置換基Ｒで置換されており、各置換基Ｒは、独立に、ヒドロカルビル、置換ヒドロカルビル、ハロカルビル、置換ハロカルビル、シリルカルビル、又はゲルミルカルビルであるラジカル基であり、又はCp及びCp*は任意の2つの隣接するＲ基が任意選択的に連結され、置換、非置換、飽和、部分的不飽和又は芳香族環状又は多環式置換基を形成している、同一の又は異なるシクロペンタジエニル環であり；
Ｘ１及びＸ２は、独立に、水素、ハロゲン、水素化物ラジカル、ヒドロカルビルラジカル、置換ヒドロカルビルラジカル、ハロカルビルラジカル、置換ハロカルビルラジカル、シリルカルビルラジカル、置換シリルカルビルラジカル、ゲルミルカルビルラジカル又は置換ゲルミルカルビルラジカルであり；
又は両Ｘは連結されそして金属原子に結合し約3から約20の炭素原子を含む金属環を形成し；又は両者は一緒になってオレフィン、ジオレフィン又はアライン配位子であっても良く；及び
重合条件下で、非配位アニオン活性剤、及び任意選択的にアルキルアルミニウム化合物であり、遷移金属化合物の活性剤に対するモル比率は10:1 から0.1:1であり、アルキルアルミニウム化合物が存在する場合、アルキルアルミニウム化合物の遷移金属化合物に対するモル比率は1:4から4000:1,であり；
重合条件は
i） 水素が反応器の全圧力に基づき0.1から300 psiの部分圧で存在し、又は水素の濃度は重量で1から30,000 ppm以下であり（好ましくは重量で1から20,000 ppm 以下);；
ii） 3 から24の炭素原子を持つアルファーオレフィンモノマーが、反応中に存在する触媒/活性剤/アルキルアルミニウム化合物溶液、モノマー及び全ての希釈剤又は溶媒の全重量に基づき10重量%以上存在し；
iii） ただし、エチレンが反応器に入るモノマーの40重量%より多くは存在しないことが条件となる。
【請求項２】
請求項１のプロセスであり、Cp及びCp*が共に少なくとも一つの非イソアルキル置換基で置換されており、イソアルキル置換基はCH(R*)2で規定され、各R*は独立にC1からC20のアルキル基である、前記プロセス。
【請求項３】
請求項１又は２のプロセスであり、Cp及びCp*は共に２から５の非水素置換基で置換されている、前記プロセス。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれか１項のプロセスであり、Cp及びCp*は共に２から５の非水素置換基で置換されている、前記プロセス。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれか１項のプロセスであり、前記遷移金属化合物は以下の化学式により表わされる非架橋、置換bis（シクロペンタジエニル）遷移金属化合物であり：
【化１】
式中Ｍは４族の金属、好ましくはTi, Hf又はZr, より好ましくはHf又はZrであり；
各Ｘは独立に、水素、ハロゲン、水素化物ラジカル、ヒドロカルビルラジカル、置換ヒドロカルビルラジカル、ハロカルビルラジカル、置換ハロカルビルラジカル、シリルカルビルラジカル、置換シリルカルビルラジカル、ゲルミルカルビルラジカル、又は置換ゲルミルカルビルラジカル；又は両Ｘは連結されそして金属原子に結合し3から20の炭素原子を含む金属環を形成し；又は両Ｘは一緒になってオレフィン、ジオレフィン又はアライン配位子であっても良く、好ましくは各Xは独立にC1からC20のヒドロカルビル又はハロゲン、より好ましくは各Xは独立にメチル、エチル、プロピル、イソプロピル、ブチル、イソブチル、ヘキシル、オクチル、デシル、又はドデシル基であり又はハロゲンは塩化物又は臭化物である；
R1からR10 はそれぞれ独立に、
水素、ヘテロ原子、ヒドロカルビル、置換ヒドロカルビル、ハロカルビル、置換ハロカルビル、シリルカルビル、又はゲルミルカルビルであるラジカル基であり、ただし、
R1からR5 の少なくとも一つは水素ではなく、R6 からR10 の少なくとも一つは水素ではなく、２つの隣接するＲ基は任意選択的に連結され、置換された、又は非置換、飽和、部分的不飽和又は芳香族環又は多環式置換基を形成することを条件とし、好ましくはR1からR10は、水素、C1からC30ヒドロカルビル、置換されたC1からC30ヒドロカルビル基又はへテロ原子から選択される、前記プロセス。
【請求項６】
請求項５のプロセスであって、更に、１）R1からR5 の少なくとも一つは水素でなく及び非イソーアルキル置換基であり、及びR6 からR10 の少なくとも一つは水素ではなく及び非イソーアルキル置換基であり、又は２）R1からR5 の少なくとも二つは水素ではなく、又は３）R1からR5 の少なくとも二つは水素ではなく、及びR6 からR10 の少なくとも二つは水素ではない、前記プロセス。
【請求項７】
R1からR5 の内の３又は４又は５個が水素でない、請求項５又は６のプロセス。
【請求項８】
R6 からR10の内の３又は４又は５個が水素でない、請求項５又は６のプロセス。
【請求項９】
請求項５乃至８のいずれか１項のプロセスであり、R1からR5 の一つがイソアルキルであり、R1からR5 の少なくとも他の一つが水素でなく、及びもしR6 からR10 の一つがイソアルキルなら、R6 からR10 の少なくとも他の一つは水素ではない、前記プロセス。
【請求項１０】
請求項５乃至９のいずれか１項のプロセスであり、R1からR10のいずれもイソアルキル基でない、前記プロセス。
【請求項１１】
請求項５乃至９のいずれか１項のプロセスであり、２つの隣接するR基がインデニル、テトラヒドロインデニル、置換インデニル、置換テトラヒドロインデニル、フルオレニル、又は置換フルオレニル基の一つを形成する、前記プロセス。
【請求項１２】
請求項１乃至１１のいずれか１項のプロセスであり、PAOは１０℃以下の流動点、好ましくは0℃、好ましくは‐15℃以下、好ましくは‐25℃以下の流動点を持つ、前記プロセス。
【請求項１３】
請求項１乃至１２のいずれか１項のプロセスであり、ポリアルファーオレフィンは1 から3.5のMw/Mnを持ち, 好ましくは1から2.6のMw/Mnを持つ、前記プロセス。
【請求項１４】
請求項１乃至１３のいずれか１項のプロセスであり、ポリアルファーオレフィンがポリデセンである、前記プロセス。
【請求項１５】
請求項１乃至１４のいずれか１項のプロセスであり、ポリアルファーオレフィンが1.8以上の臭素価を持つ、前記プロセス。
【請求項１６】
請求項１乃至１５のいずれか１項のプロセスであり、ポリアルファーオレフィンが50モル％より大きいビニリデン含有量を持ち、及び100℃の動粘度が3000 cSt未満である、前記プロセス。
【請求項１７】
請求項１乃至１６のいずれか１項のプロセスであり、ポリアルファーオレフィンがX以下のメチル含有量を持ち、ここでX = -3.4309Ln(100℃の動粘度、cSt) + 29.567である、前記プロセス。
【請求項１８】
請求項１乃至１７のいずれか１項のプロセスであり、更にポリアルファーオレフィンを得て、その後にポリアルファーオレフィンを水素化するステップを含み、ポリアルファーオレフィンは少なくとも一以上のC3からC24のアルファーオレフィンモノマーを少なくとも50モル％含み、水素化製品は1.8を超えない臭素価を持つ、前記プロセス。
【請求項１９】
請求項１乃至１８のいずれか１項のプロセスであり、ポリアルファーオレフィンは40℃の動粘度が50から100,000 cStである、前記プロセス。
【請求項２０】
請求項１乃至１９のいずれか１項のプロセスであり、ポリアルファーオレフィンは50以上、好ましくは100から450の粘度指数を持つ、前記プロセス。
【請求項２１】
請求項１乃至２０のいずれか１項のプロセスであり、ポリアルファーオレフィンは250から200,000 g/モルの重量平均分子量を持ち, 好ましくは250から100,000 g/モルの重量平均分子量を持つ、前記プロセス。
【請求項２２】
請求項１乃至２1のいずれか１項のプロセスであり、３から２４の炭素原子を持つモノマーが60重量％以上で存在し、好ましくは70重量％以上で存在する、前記プロセス。
【請求項２３】
請求項１乃至２２のいずれか１項のプロセスであり、ポリアルファーオレフィンは以下のものよりなる群から選択される：プロピレン、1‐ブテン、1‐ペンテン、1‐ヘキセン、1‐ヘプテン、1‐オクテン、1‐ノネン、1‐デセン、1‐ウンデセン、1‐ドデセン、1‐トリデセン、1‐テトラデセン、1‐ペンタデセン、1‐ヘキサデセン、1‐ヘプタデセン、1‐オクタデセン、1‐ノナデセン、1‐エイコセン、1‐ウンエイコセン、1‐ドコセン、１−トリコセン、1‐テトラコセン、1‐ペンタコセン、1‐ヘキサコセン、４−メチルー１−ペンテン、４−フェニルー１−ブテン、及び５−フェニルー１−ペンテン；好ましくはポリアルファーオレフィンは以下のものよりなる群から選択される：プロピレン、1‐ブテン、1‐ペンテン、1‐ヘキセン、1‐ヘプテン、1‐オクテン、1‐ノネン、1‐デセン、1‐ウンデセン、1‐ドデセン、1‐トリデセン、1‐テトラデセン、1‐ペンタデセン、及び1‐ヘキサデセン；より好ましくはポリアルファーオレフィンは以下のものよりなる群から選択される：1‐ヘキセン、1‐オクテン、1‐デセン、1‐ドデセン、1‐テトラデセン、1‐ヘキサデセン、及び1‐オクタデセン；より好ましくはポリアルファーオレフィンはオクテン、デセン、及びドデセンを含み、代替的にポリアルファーオレフィンはヘキセン、デセン、及びドデセン、又はへキセン、デセン及びテトラデセン；又はブテン、ヘキセン、及びドデセン；又はプロピレン、ブテン及びドデセン等を含む。
【請求項２４】
請求項１乃至２３のいずれか１項のプロセスであり、ポリアルファーオレフィンは150℃以上の引火点を持つ、前記プロセス。
【請求項２５】
請求項１乃至２４のいずれか１項のプロセスであり、ポリアルファーオレフィンは0.6から0.9 g/cm3の比重を持つ、前記プロセス。
【請求項２６】
請求項１乃至２５のいずれか１項のプロセスであり、エチレン、プロピレン及びブテンモノマーは１重量％より少ない量で存在する、前記プロセス。
【請求項２７】
請求項１乃至４３のいずれか１項のプロセスであり、プロピレン及び/又はブテンモノマーは少なくとも１重量％存在し、好ましくは純粋ポリプロピレン又はブテン又はその両者の組み合わせで１00重量％まで存在する、前記プロセス。
【請求項２８】
請求項１乃至４４のいずれか１項のプロセスであり、エチレンは原料の重量に基づき、30重量未満%, 好ましくは 20重量%未満, 好ましくは 10重量%未満, 好ましくは 5重量%未満, 好ましくは 1重量%未満で存在する、前記プロセス。
【請求項２９】
請求項１乃至２８のいずれか１項のプロセスであり、3 から24炭素原子を持つモノマーは60 モル%以上、好ましくは70モル%以上で存在する、前記プロセス。
【請求項３０】
請求項１乃至２９のいずれか１項のプロセスであり、前記プロセスは更に以下を含む：
１）任意選択的にポリアルファーオレフィンを処理しヘテロ原子含有化合物を600ｐｐｍより少なくし；
２）任意選択的にポリアルファーオレフィンを溶媒又は希釈剤及び他の軽質製品部分から分離する；
３）ポリアルファーオレフィンを水素及び水素化触媒と接触させる；及び
４）1.8未満の臭素価を持つ通常ポリアルファーオレフィンを得る、前記プロセス。
【請求項３１】
請求項３０のプロセスであり、ポリアルファーオレフィンは水素及び/又は水素化触媒と接触させる前にヘテロ原子含有化合物を除去するために処理され、好ましくは前記処理されたポリアルファーオレフィンは100ｐｐｍ未満のヘテロ原子含有化合物を含み、好ましくは前記処理されたポリアルファーオレフィンは10ｐｐｍ未満のヘテロ原子含有化合物を含むの、前記プロセス。
【請求項３２】
請求項１乃至３１のいずれか１項のプロセスであり、捕捉剤が存在し及び捕捉剤はメチルアルモキサン及び/又は修飾されたメチルアルモキサンを含む、前記プロセス。
【請求項３３】
請求項１乃至３２のいずれか１項のプロセスであり、非配位アニオン活性剤は以下を一以上含む：
N,N-ジメチルアニリニウム テトラキス（ペンタフルオロフェニル）ホウ酸塩
(N,N-dimethylanilinium tetrakis(pentafluorophenyl)borate),
N,N-ジアルキルアニリニウム テトラキス（ペンタフルオロフェニル）ホウ酸塩
(N,N-dialkylanilinium tetrakis(pentafluorophenyl)borate),
テトラキス（ペンタフルオロフェニル）ホウ酸塩
(tetrakis(pentafluorophenyl)borate),
トリ（ペンタフルオロフェニル）ホウ酸塩
(tri(pentafluorophenyl)borate),
トリ−アルキルアンモニウム テトラキス（ペンタフルオロフェニル）ホウ酸塩
(tri−alkylammonium tetrakis(pentafluorophenyl)borate),
テトラ−アルキルアンモニウム テトラキス（ペンタフルオロフェニル）ホウ酸塩
(tetrai−alkylammonium tetrakis(pentafluorophenyl)borate),
N,N-ジメチルアニリニウム テトラキス（ペルフルオロフェニル）ホウ酸塩
(N,N-dimethylanilinium tetrakis(perfluorophenyl)borate),
N,N-ジアルキルアニリニウム テトラキス（ペルフルオロフェニル）ホウ酸塩
(N,N-dialkylanilinium tetrakis(perfluorophenyl)borate),
トリチルテトラキス（ペルフルオロフェニル）ホウ酸塩
(trityl tetrakis(perfluorophenyl)borate),
トリ（ペルフルオロフェニル）ホウ酸塩
(tri (perfluorophenyl)borate),
トリ−アルキルアンモニウム テトラキス（ペルフルオロフェニル）ホウ酸塩
(tri−alkylammonium tetrakis(perfluorophenyl)borate),
テトラ−アルキルアンモニウム テトラキス（ペルフルオロフェニル）ホウ酸塩
(tetrai−alkylammonium tetrakis(perfluorophenyl)borate)であり、
ここでアルキル基はＣ1からC18アルキル基であるのが好ましい。
【請求項３４】
請求項１乃至３３のいずれか１項のプロセスであり、前記遷移金属は以下を一以上含む：
(bis(1,2,4-トリメチルシクロペンタジエニル)ジルコニウム ジクロライド)
(bis(l ,2,4-trimethylcyclopentadienyl)zirconium dichloride)
bis(1,3-ジメチルシクロペンタジエニル)ジルコニウム ジクロライド
(bis(l ,3-dimethylcyclopentadienyl)zirconium dichloride)
bis(1,2,3-トリメチルシクロペンタジエニル)ジルコニウム ジクロライド
(bis(l,2,3-trimethylcyclopentadienyl)zirconium dichloride)
bis(1,2,3,4-テトラヒドロインデニル) ジルコニウム ジクロライド
(bis(1,2,3,4-tetrahydroindenyl)zirconium dichloride)
bis(テトラメチルシクロペンタジエニル)ジルコニウム ジクロライド
(bis(tetramethylcyclopentadienyl)zirconium dichloride)
bis(ペンタメチルシクロペンタジエニル)ジルコニウム ジクロライド
(bis(pentamethylcyclopentadienyl)zirconium dichloride)
bis(インデニル) ジルコニウム ジクロライド
(bis(indenyl)zirconium dichloride)
bis(l,2,4-トリメチルシクロペンタジエニル)ジルコニウム ジメチル
(bis(l,2,4- trimethylcyclopentadienyl)zirconium dimethyl)
bis(l,2,3-トリメチルシクロペンタジエニル)ジルコニウム ジメチル
(bis(l,2,3- trimethylcyclopentadienyl)zirconium dimethyl)
bis(l,3-ジメチル)シクロペンタジエニル)ジルコニウム ジメチル
(bis(l,3-dimethyl)cyclopentadienyl)zirconium dimethyl)
bis(テトラメチルシクロペンタジエニル)ジルコニウム ジメチル
(bis(tetramethylcyclopentadienyl)zirconium dimethyl)
bis(ペンタメチルシクロペンタジエニル)ジルコニウム ジメチル
(bis(pentamethylcyclopentadienyl)zirconium dimethyl) 又は
bis(1,2,3,4-テトラヒドロインデニル) ジルコニウム ジメチル(bis(1,2,3,4-tetrahydroindenyl)zirconium dimethyl)、前記プロセス。
【請求項３５】
請求項１乃至３３のいずれか１項のプロセスであり、前記遷移金属は以下を一以上含む：
bis(1,2-ジメチルシクロペンタジエニル)ジルコニウム ジクロライド
(bis(l ,2-dimethylcyclopentadienyl)zirconium dichloride))
bis(1,3-ジメチルシクロペンタジエニル)ジルコニウム ジクロライド
(bis(l ,3-dimethylcyclopentadienyl)zirconium dichloride)
bis(1,2,3-トリメチルシクロペンタジエニル)ジルコニウム ジクロライド
(bis(l,2,3-trimethylcyclopentadienyl)zirconium dichloride)
bis(1,2,4-トリメチルシクロペンタジエニル)ジルコニウム ジクロライド
(bis(l ,2,4-trimethylcyclopentadienyl)zirconium dichloride)
bis(l ,2,3,4-テトラメチルシクロペンタジエニル)ジルコニウム ジクロライド
(bis(l ,2,3,4-tetramethylcyclopentadienyl)zirconium dichloride)
bis(l ,2,3,4,5-ペンタメチルシクロペンタジエニル)ジルコニウム ジクロライド
(bis(l ,2,3,4,5-pentamethylcyclopentadienyl)zirconium dichloride)
bis(l-メチル-2-エチルシクロペンタジエニル)ジルコニウム ジクロライド
(bis(l -methyl -2-ethylcyclopentadienyl)zirconium dichloride)
bis(l-メチル-2-n-プロピルシクロペンタジエニル)ジルコニウム ジクロライド
(bis(l-methyl-2-n-propylcyclopentadienyl)zirconium dichloride)
bis(l-メチル-2-n-ブチルシクロペンタジエニル)ジルコニウム ジクロライド
(bis(l -methyl-2-n-butyllcyclopentadienyl)zirconium dichloride)
bis(l-メチル-3-エチルシクロペンタジエニル)ジルコニウム ジクロライド
(bis(l-methyl-3-ethylcyclopentadienyl)zirconium dichloride)
bis(l-メチル-3-n-プロピルシクロペンタジエニル)ジルコニウム ジクロライド
(bis(l -methyl-3-n-propylcyclopentadienytyzirconium dichloride)
bis(l-メチル-3-n-ブチルシクロペンタジエニル)ジルコニウム ジクロライド
(bis(l -methyl-3-n-butylcyclopentadienytyzirconium dichloride)
bis((l-メチル-3-n-ペンチルシクロペンタジエニル)ジルコニウム ジクロライド
(bis(l-methyl-3-n-pentylcyclopentadienyl)zirconium dichloride)
bis(l, 2-ジメチル-4-エチルシクロペンタジエニル)ジルコニウム ジクロライド
(bis(l, 2-dimethyl-4-ethylcyclopentadienyl)zirconium dichloride)
bis(l, 2-ジメチル-4-n-プロピルシクロペンタジエニル)ジルコニウム ジクロライド
(bis(l,2-dimethyl-4-n-propylcyclopentadienyl)zirconium dichloride)
bis(l, 2-ジメチル-4-n-ブチルシクロペンタジエニル)ジルコニウム ジクロライド
(bis(l ,2-dimethyl-4-n-butylcyclopentadienyl)zirconium dichloride)
bis(l ,2-ジエチルシクロペンタジエニル)ジルコニウム ジクロライド
(bis(l ,2-diethylcyclopentadienyl)zirconium dichloride)
bis(l ,3-ジエチルシクロペンタジエニル)ジルコニウム ジクロライド
(bis(l,3-diethylcyclopentadienyl)zirconium dichloride)
bis(l ,2-ジ-n-プロピルシクロペンタジエニル)ジルコニウム ジクロライド
(bis(l ,2-di-n-propylcyclopentadienyl)zirconium dichloride)
bis(l ,2-ジ-n-ブチルシクロペンタジエニル)ジルコニウム ジクロライド
(bis( 1 ,2-di-n-butylcyclopentadienyl)zirconium dichloride)
bis(1 -メチル-2,4-ジエチルシクロペンタジエニル)ジルコニウム ジクロライド
(bis(1 -methyl-2,4-diethylcyclopentadienyl)zirconium dichloride)
bis(1 ,2-ジエチル-4-n-プロピルシクロペンタジエニル)ジルコニウム ジクロライド
(bis(1 ,2-diethyl-4-n-propylcyclopentadienyl)zirconium dichloride)
bis(1 ,2-ジエチル-4-n-ブチルシクロペンタジエニル)ジルコニウム ジクロライド
(bis(l,2-diethyl-4-n-butylcyclopentadienytyzirconium dichloride)
bis(l -メチル-3-i-プロピルシクロペンタジエニル)ジルコニウム ジクロライド
(bis(l -methyl-3-i-propylcyclopentadienyl)zirconium dichloride)
bis(l -エチル-3-i-プロピルシクロペンタジエニル)ジルコニウム ジクロライド
(bis(l -ethyl -3-i-propylcyclopentadienyl)zirconium dichloride)
（1,2-ジメチルシクロペンタジエニル）（シクロペンタジエニル)ジルコニウム ジクロライド
(l, 2-dimethylcyclopentadienyl)(cyclopentadienyl)zirconium dichloride)
(1, 3 -ジメチルシクロペンタジエニル)（シクロペンタジエニル)ジルコニウム ジクロライド
(1, 3 -dimethylcyclopentadienyl)(cyclopentadienyl)zirconium dichloride)
(1, 2-ジメチルシクロペンタジエニル)（メチルシクロペンタジエニル）ジルコニウム ジクロライド
(1, 2-dimethylcyclopentadienyl)(methylcyclopentadienyl)zirconiurn dichloride)
(1, 2-ジメチルジメチルシクロペンタジエニル)（エチルシクロペンタジエニル）ジルコニウム ジクロライド
(1 ,2-dimethylcyclopentadienyl)(ethylcyclopentadienyl)zirconium dichloride)
(1, 2-ジメチルジメチルシクロペンタジエニル)（l ,2-ジ-n-ブチルシクロペンタジエニル)ジルコニウム ジクロライド
(1 ,2-dimethylcyclopentadienyl)(l ,2-di-n-butylcyclopentadienyl)zirconium dichloride)
(1, 3-ジメチルジメチルシクロペンタジエニル)(シクロペンタジエニル)ジルコニウム ジクロライド
(l,3-dimethylcyclopentadienyl)(cyclopentadienyl)zirconium dichloride)
(1, 3-ジメチルジメチルシクロペンタジエニル)（1, 2-ジメチルシクロペンタジエニル）ジルコニウム ジクロライド
(l,3-dimethylcyclopentadienyl)(l,2-dimethylcyclopentadienyl)zirconium dichloride)
(1, 3-ジメチルジメチルシクロペンタジエニル)（1, 3-ジエチルシクロペンタジエニル）ジルコニウム ジクロライド
(1 ,3-dimethylcyclopentadienyl)(1, 3-diethylcyclopentadienyl)zirconium dichloride)
bis(インデニル) ジルコニウム ジクロライド
(bis(indenyl)zirconium dichloride)
bis(1-メチルインデニル) ジルコニウム ジクロライド
(bis(l -methylindenyl)zirconium dichloride)
bis(2-メチルインデニル) ジルコニウム ジクロライド (bis(2-methylindenyl)zirconium dichloride)
bis(4-メチルインデニル) ジルコニウム ジクロライド (bis(4-methylindenyl)zirconium dichloride)
bis(4,7-ジメチルインデニル) ジルコニウム ジクロライド (bis(4,7-dimethylindenyl)zirconium dichloride)
bis(4,5 ,6,7-テトラヒドロインデニル) ジルコニウム ジクロライド
(bis(4,5 ,6,7-tetrahydroindenyl)zirconium dichloride)
bis(4,5 ,6,7-テトラヒドロ-2-メチルインデニル) ジルコニウム ジクロライド (bis(4,5 ,6,7-tetrahydro-2-methylindenyl)zirconium dichloride)
bis(4,5 ,6,7-テトラヒドロ-4,7-ジメチルインデニル) ジルコニウム ジクロライド (bis(4,5,6,7-tetrahydro-4,7-dimethylindenyl)zirconium dichloride)
（シクロペンタジエニル）(4,5 ,6,7-テトラヒドロ-4,7-ジメチルインデニル) ジルコニウム ジクロライド
(cyclopentadienyl)(4,5,6,7-tetrahydroindenyl)zirconium dichloride)
bis(l,2-ジメチル)シクロペンタジエニル)ジルコニウム ジメチル
(bis(l,2-dimethyl)cyclopentadienyl)zirconium dimethyl)
bis(l,3-ジメチル)シクロペンタジエニル)ジルコニウム ジメチル
(bis(l,3-dimethyl)cyclopentadienyl)zirconium dimethyl)
bis(l,2,3-トリメチルシクロペンタジエニル)ジルコニウム ジメチル
(bis(l,2,3- trimethylcyclopentadienyl)zirconium dimethyl)
bis(l,2,4-トリメチルシクロペンタジエニル)ジルコニウム ジメチル
(bis(l,2, 4- trimethylcyclopentadienyl)zirconium dimethyl)
bis(l,2,3,4-テトラメチルシクロペンタジエニル)ジルコニウム ジメチル
(bis(l,2,3,4,5- tetramethylcyclopentadienyl)zirconium dimethyl)
bis(l,2,3,4-ペンタメチルシクロペンタジエニル)ジルコニウム ジメチル
(bis(l,2,3,4,5-pentamethylcyclopentadienyl)zirconium dimethyl)
bis(1 -メチル-2-エチルシクロペンタジエニル)ジルコニウム ジメチル
(bis(1 -methyl-2-ethylcyclopentadienyl)zirconium dimethyl)
bis(1 -メチル-2-n-プロピルシクロペンタジエニル)ジルコニウム ジメチル
(bis(1 -methyl-2-n-propylcyclopentadienyl)zirconium dimethyl)
bis(1 -メチル-2-n-ブチルシクロペンタジエニル)ジルコニウム ジメチル
(bis(1 -methyl-2-n-butylcyclopentadienyl)zirconium dimethyl)
bis(1 -メチル-3-エチルシクロペンタジエニル)ジルコニウム ジメチル (bis(l-methyl-3- ethylcyclopentadienyl)zirconium dimethyl)
bis(1 -メチル-3-n-プロピルシクロペンタジエニル)ジルコニウム ジメチル (bis(l-methyl-3-n- propylcyclopentadienyl)zirconium dimethyl)
bis(1 -メチル-3-n-ブチルシクロペンタジエニル)ジルコニウム ジメチル (bis(l-methyl-3-n- butylclopentadienyl)zirconium dimethyl)
bis(l, 2-ジメチル-4-エチルシクロペンタジエニル)ジルコニウム ジメチル
(bis(l, 2-dimethyl-4-ethylcyclopentadienyl)zirconium dimethyl)
bis(l, 2-ジメチル-4-n-プロピルシクロペンタジエニル)ジルコニウム ジメチル
(bis(l,2-dimethyl-4-n-propylcyclopentadienyl)zirconium dimethyl)
bis(l, 2-ジメチル-4-n-ブチルシクロペンタジエニル)ジルコニウム ジメチル
(bis(l ,2-dimethyl-4-n-butylcyclopentadienyl)zirconium dimethyl)
bis(l ,2-ジエチルシクロペンタジエニル)ジルコニウム ジメチル
(bis(l ,2-diethylcyclopentadienyl)zirconium dimethyl)
bis((l ,3-ジエチルシクロペンタジエニル)ジルコニウム ジメチル
(bis(l,3-diethylcyclopentadienyl)zirconium dimethyl)
bis(l ,2-ジ-n-プロピルシクロペンタジエニル)ジルコニウム ジメチル
(bis(l ,2-di-n-propylcyclopentadienyl)zirconium dimethyl)
bis(l ,2-ジ-n-ブチルシクロペンタジエニル)ジルコニウム ジメチル
(bis( 1 ,2-di-n-butylcyclopentadienyl)zirconium dimethyl)
bis(1 -メチル-2,4-ジエチルシクロペンタジエニル)ジルコニウム ジメチル
(bis(1 -methyl-2,4-diethylcyclopentadienyl)zirconium dimethyl)
bis(1 ,2-ジエチル-4-n-プロピルシクロペンタジエニル)ジルコニウム ジメチル
(bis(1 ,2-diethyl-4-n-propylcyclopentadienyl)zirconium dimethyl)
bis(1 ,2-ジエチル-4-n-ブチルシクロペンタジエニル)ジルコニウム ジメチル
(bis(l,2-diethyl-4-n-butylcyclopentadienytyzirconium dimethyl)
bis(l -メチル-3-i-プロピルシクロペンタジエニル)ジルコニウム ジメチル
(bis(l -methyl-3-i-propylcyclopentadienyl)zirconium dimethyl)
bis(l -エチル-3-i-プロピルシクロペンタジエニル)ジルコニウム ジメチル
(bis(l -ethyl -3-i-propylcyclopentadienyl)zirconium dimethyl)
（1,2-ジメチルシクロペンタジエニル）（シクロペンタジエニル)ジルコニウム ジメチル
(l, 2-dimethylcyclopentadienyl)(cyclopentadienyl)zirconium dimethyl)
(1, 3 -ジメチルシクロペンタジエニル)（シクロペンタジエニル)ジルコニウム ジメチル
(1, 3 -dimethylcyclopentadienyl)(cyclopentadienyl)zirconium dimethyl)
(1, 2-ジメチルシクロペンタジエニル)（メチルシクロペンタジエニル）ジルコニウム ジメチル
(1, 2-dimethylcyclopentadienyl)(methylcyclopentadienyl)zirconium dimethyl)
(1, 2-ジメチルジメチルシクロペンタジエニル)（エチルシクロペンタジエニル）ジルコニウム ジメチル
(1 ,2-dimethylcyclopentadienyl)(ethylcyclopentadienyl)zirconium dimethyl)
(1, 2-ジメチルジメチルシクロペンタジエニル)（(l ,2-ジ-n-ブチルシクロペンタジエニル)ジルコニウム ジメチル
(1 ,2-dimethylcyclopentadienyl)(l ,2-di-n-butylcyclopentadienyl)zirconium dimethyl)
(1, 3-ジメチルジメチルシクロペンタジエニル)(シクロペンタジエニル)ジルコニウム ジメチル
(l,3-dimethylcyclopentadienyl)(cyclopentadienyl)zirconium dimethyl)
(1, 3-ジメチルジメチルシクロペンタジエニル)（1, 2-ジメチルシクロペンタジエニル）ジルコニウム ジメチル
(l,3-dimethylcyclopentadienyl)(l,2-dimethylcyclopentadienyl)zirconium dimethyl)
(1, 3-ジメチルジメチルシクロペンタジエニル)（1, 3-ジエチルシクロペンタジエニル）ジルコニウム ジメチル
(1 ,3-dimethylcyclopentadienyl)-(1, 3-diethylcyclopentadienyl)zirconium dimethyl)
bis(インデニル) ジルコニウム ジメチル
(bis(indenyl)zirconium dimethyl)
bis(1-メチルインデニル) ジルコニウム ジメチル
(bis(l -methylindenyl)zirconium dimethyl)
bis(2-メチルインデニル) ジルコニウム ジメチル (bis(2-methylindenyl)zirconium dimethyl)
bis(4-メチルインデニル) ジルコニウム ジメチル (bis(4-methylindenyl)zirconium dimethyl)
bis(4,7-ジメチルインデニル) ジルコニウム ジメチル (bis(4,7-dimethylindenyl)zirconium dimethyl)
bis(4,5 ,6,7-テトラヒドロインデニル) ジルコニウム ジメチル
(bis(4,5 ,6,7-tetrahydroindenyl)zirconium dimethyl)
bis(4,5 ,6,7-テトラヒドロ-2-メチルインデニル) ジルコニウム ジメチル (bis(4,5 ,6,7-tetrahydro-2-methylindenyl)zirconium dimethyl)
bis(4,5 ,6,7-テトラヒドロ-4,7-ジメチルインデニル) ジルコニウム ジメチル (bis(4,5,6,7-tetrahydro-4,7-dimethylindenyl)zirconium dimethyl)
（シクロペンタジエニル）(4,5 ,6,7-テトラヒドロインデニル) ジルコニウム ジメチル
(cyclopentadienyl)(4,5,6,7-tetrahydroindenyl)zirconium dimethyl)
【請求項３６】
請求項１乃至３３のいずれか１項のプロセスであり、前記遷移金属は以下を一以上含む：
bis(l,2-ジメチルシクロペンタジエニル)ジルコニウム ジクロライド
(bis(l,2- dimethylcyclopentadienyl)zirconium dichloride),
bis(l,3-ジメチルシクロペンタジエニル)ジルコニウム ジクロライド
(bis(l, 3- dimethylcyclopentadienyl)zirconium dichloride),
bis(l,2,4-トリメチルシクロペンタジエニル)ジルコニウム ジクロライド
(bis(l,2,4- trimethylcyclopentadienyl)zirconium dichloride)
bis(テトラメチルシクロペンタジエニル)ジルコニウム ジクロライド
(bis(tetramethylcyclopentadienyl)zirconium dichloride),
bis(l -メチル-2-エチルシクロペンタジエニル)ジルコニウム ジクロライド
(bis(l -methyl -2- ethylcyclopentadienyl)zirconium dichloride),
bis(l -メチル-3-エチルシクロペンタジエニル)ジルコニウム ジクロライド (bis(l-methyl-3- ethylcyclopentadienyl)zirconium dichloride),
bis(l -メチル-3-n-プロピルシクロペンタジエニル)ジルコニウム ジクロライド (bis(l-methyl-3-n- propylcyclopentadienyl)zirconium dichloride),
bis(l -メチル-3-n-ブチルシクロペンタジエニル)ジルコニウム ジクロライド
(bis(l -methyl -3-n-butylclopentadienyl)zirconium dichloride)
bis(4,5,6,7-テトラヒドロ インデニル) ジルコニウム ジクロライド
(bis(4,5,6,7-tetrahydro indenyl)zirconium dichloride)
bis(インデニル) ジルコニウム ジクロライド
(bis(indenyl)zirconium dichloride)
bis(l,2-ジメチル)シクロペンタジエニル)ジルコニウム ジメチル
(bis(l,2-dimethyl)cyclopentadienyl)zirconium dimethyl)
bis(l,3-ジメチル)シクロペンタジエニル)ジルコニウム ジメチル
(bis(l,3-dimethyl)cyclopentadienyl)zirconium dimethyl)
bis(テトラメチルシクロペンタジエニル)ジルコニウム ジメチル
(bis(tetramethylcyclopentadienyl)zirconium dimethyl)
bis(1 -メチル-2-エチルシクロペンタジエニル)ジルコニウム ジメチル
(bis(1 -methyl-2-ethylcyclopentadienyl)zirconium dimethyl)
bis(1 -メチル-3-エチルシクロペンタジエニル)ジルコニウム ジメチル (bis(l-methyl-3- ethylcyclopentadienyl)zirconium dimethyl)
bis(1 -メチル-3-n-プロピルシクロペンタジエニル)ジルコニウム ジメチル (bis(l-methyl-3-n- propylcyclopentadienyl)zirconium dimethyl)
bis(1 -メチル-3-n-ブチルシクロペンタジエニル)ジルコニウム ジメチル (bis(l-methyl-3-n- butylclopentadienyl)zirconium dimethyl)
bis(4,5,6,7-テトラヒドロ インデニル) ジルコニウム ジクロライド (bis(4,5,6,7-tetrahydro indenyl)zirconium dichloride)
bis(インデニル) ジルコニウム ジメチル
(bis(indenyl)zirconium dimethyl)。
【請求項３７】
請求項１乃至３６のいずれか１項のプロセスであり、アルキルアルミニウム化合物が存在し、前記アルキルアルミニウム化合物は式R’3Alで表され、ここで各Ｒ’は独立にメチル、エチル、n‐プロピル、iso‐プロピル、iso−ブチル、n−ブチル、t−ブチル、n−ペンチル、iso−ペンチル、ネオペンチル、n−ヘキシル、iso−ヘキシル、n−へプチル、iso−へプチル、n−オクチル、iso−オクチル、n−ノニル、n−デシル、n−ウンデシル、n−ドデシル、n−トリデシル、n−テトラデシル、n−ペンタデシル、n−ヘキサデシル、n−ヘプタデシル、n−オクタデシル、及びこれらの異性類似体(iso-analog）よりなる群れから選択される、前記プロセス。
【請求項３８】
請求項１乃至３７のいずれか１項のプロセスであり、前記プロセスは連続プロセスであり、好ましくは、
a) 少なくとも10重量％の一以上のＣ３からＣ１０のアルファ−オレフィンを含む原料流を連続的に反応器に導入する；
b)連続的に遷移金属化合物及び活性剤を反応器に導入する；
c)任意選択的に、共活性剤を反応器に導入する；及び
d) 連続的にポリアルファ−オレフィンを反応器にから取り出す、
を含む連続プロセスである前記プロセス。
【請求項３９】
請求項３８項のプロセスであり、前記プロセスは更に以下を含む：
１）任意選択的に、連続的にポリアルファーオレフィンを処理しヘテロ原子含有化合物を600ｐｐｍより少なくする；
２）任意選択的に、連続的にポリアルファーオレフィンを分留し、軽質及び重質部分を分離し、重質部分は20以上の炭素を含む；
３）連続的にポリアルファーオレフィンを水素及び水素化触媒と接触させる；及び
４）連続的に1.8未満の臭素価を持つ通常ポリアルファーオレフィンを得る、前記プロセス。
【請求項４０】
請求項１乃至３９のいずれか１項のプロセスであり、
反応器中の温度は−10℃から250℃であり、好ましくは10℃から220℃, 好ましくは20℃から 180℃, 好ましくは40℃から150℃、好ましくは30℃から100℃である、前記プロセス。
【請求項４１】
請求項１乃至４０のいずれか１項のプロセスであり、前記モノマー、触媒化合物及び活性剤を5分から100時間の滞留時間で接触させ、好ましくは10分から20時間の滞留時間で接触させる、前記プロセス。
【請求項４２】
請求項１乃至４１のいずれか１項のプロセスであり、溶媒又は希釈剤が存在し、好ましくは溶媒又は希釈剤は
プロパン、ブタン、2−ブテン、イソーブテン、ペンタン、ヘキサン、ヘプタン、オクタン、ノナン、デカン、ウンデカン、ドデカン、トリデカン、テトラデカン、ペンタデカン、ヘキサデカン、ベンゼン、トルエン、o‐キシレン、m‐キシレン、p‐キシレン、混合キシレン、エチルベンゼン、イソプロピルベンゼン及びn−ブチルベンゼンよりなる群から選択される、前記プロセス。
【請求項４３】
請求項１乃至４２のいずれか１項のプロセスであり、前記モノマーを反応器中で遷移金属化合物及び活性剤と接触させ、そして反応器は連続かくはん槽反応器である、前記プロセス。
【請求項４４】
請求項１乃至４３のいずれか１項のプロセスであり、触媒残留物は製品から固体吸着剤と接触させることにより除去される、前記プロセス。
【請求項４５】
請求項１乃至４４のいずれか１項のプロセスであり、前記モノマーは液相又はスラリー相中で遷移金属化合物及び活性剤と接触させる、前記プロセス。
【請求項４６】
請求項１乃至４５のいずれか１項のプロセスであり、前記モノマーは反応器に導入される前にアルキルアルミニウム化合物と接触させ、及び/又はメタロセン及び/又は活性剤は反応器に入る前にアルキルアルミニウム化合物と組み合わされ、好ましくはアルキルアルミニウム化合物はトリーイソブチルアルミニウム、トリーn―オクチルアルミニウム、トリーn―ヘキシルアルミニウム、トリーn―デシルアルミニウム、トリーn―ドデシルアルミニウムから選択される、前記プロセス。
【請求項４７】
請求項１乃至４６のいずれか１項のプロセスであり、前記ポリアルファーオレフィンは水素及び水素化触媒と接触させ、好ましくは水素化触媒は担持された7, 8, 9,及び10族金属よりなる群から選択され、好ましくは水素化触媒はNi, Pd, Pt, Co, Rh, Fe, Ru, Os, Cr, Mo, 及びWの内の一以上よりなる群から選択され、シリカ、アルミナ、粘土、チタニア、ジルコニア、メソ多孔性材料、ＭＣＭ−４１材料、又は混合金属酸化物に担持され、好ましくは水素化触媒は珪藻土、シリカ、アルミナ、粘土、メソ多孔性材料、ＭＣＭ−４１又はシリカーアルミナに担持されたニッケルである、前記プロセス。
【請求項４８】
請求項１乃至４７のいずれか１項のプロセスであり、前記ポリアルファーオレフィンは水素及び水素化触媒と25°Cから350℃で接触する、前記プロセス。
【請求項４９】
請求項１乃至４８のいずれか１項のプロセスであり、前記生成された製品は６０重量％以下のＣ１０二量体を含み、好ましくは４０重量％以下のＣ１０二量体を含む、前記プロセス。
【請求項５０】
請求項１乃至４９のいずれか１項のプロセスであり、前記プロセスは更に以下を含む：
１）ポリアルファーオレフィンを固体吸着剤と接触させて触媒残留物をポリアルファーオレフィンから除去する；
２）任意選択的にポリアルファーオレフィンを処理しヘテロ原子含有化合物を600ｐｐｍより少なくする；
３）任意選択的に、ポリアルファーオレフィンを分留し、軽質及び重質部分を分離し、重質部分は20以上の炭素を含む；
４）ポリアルファーオレフィンを水素及び水素化触媒と接触させる；及び
５）1.8未満の臭素価を持つ通常ポリアルファーオレフィンを得る。
【請求項５１】
請求項１乃至５０のいずれか１項のプロセスであり、プロセスの生産性がグラム単位当り遷移金属化合物に対し少なくとも製品１．５kg、及び/又はプロセスの生産性がグラム単位当り非配位アニオン活性剤に対し少なくとも製品１．５kgである、前記プロセス。
【請求項５２】
請求項１乃至５１のいずれか１項のプロセスであり、前記プロセスは半連続である、前記プロセス。
【請求項５３】
請求項１乃至５２のいずれか１項のプロセスであり、反応ゾーンの温度が反応中20℃の幅を超えて上がらず、好ましくは反応ゾーンの温度が反応中１0℃の幅を超えて上がらず、好ましくは反応ゾーンの温度が反応中５℃の幅を超えて上がらず、好ましくは反応ゾーンの温度が反応中３℃の幅を超えて上がらない、前記プロセス。
【請求項５４】
請求項１乃至５３のいずれか１項のプロセスであり、液状ポリアルファーオレフィン製品はＸ重量％以下の二量体を持ち、ここで
Ｘ重量％ =0.8 x [231.55 x (100℃の流体Kv、cSt) (-0.9046)]である、前記プロセス。
【請求項５５】
請求項１乃至５４のいずれか１項のプロセスであり、液体ポリアルファーオレフィン製品は４０モル未満のmm又はrr三つ組部分を持ち、好ましくはmm又はrr三つ組部分は３０モル未満、２０モル未満である、前記プロセス。
【請求項５６】
請求項１乃至５５のいずれか１項のプロセスであり、液状ポリアルファーオレフィン製品は５０モル％以上のmr三つ組みを持つ、前記プロセス。
【請求項５７】
請求項１乃至５６のいずれか１項のプロセスであり、液状ポリアルファーオレフィン製品はＤＳＣにより測定され得る融点を持たない、前記プロセス。
【請求項５８】
請求項１乃至５７のいずれか１項のプロセスであり、１，２、２置換オレフィンがポリアルファーオレフィン製品中にＺモル未満で存在し、Z = 8.420*Log(V) - 4.048、式中V は100℃で測定したcStで表したポリアルファーオレフィンの動粘度であり、Ｚは好ましくは7モル%以下, 好ましくは5モル%以下である、前記プロセス。
【請求項５９】
請求項１乃至５８のいずれか１項のプロセスであり、前記アルファーオレフィンは以下の式で表わされる単位がＺ‐モル％未満であり、：
【化２】
式中ｊ、ｋ及びｍはそれぞれ独立に3, 4, 5, 6, 7, 8, 9, 10, 11, 12, 13, 14, 15, 16, 17, 18, 19, 20, 21, 又は22, nは1から350の整数、及びZ = 8.420*Log(V)−4.048,
であり、Ｖは100℃で測定したポリアルファーオレフィンのcStによる動粘度である、前記プロセス。
【請求項１】
20 cStより大きく約10,000 cSt (30から7500cSt, 好ましくは 40から5000 cSt)までのKV100を持つ液状ポリアルファオレフィン（ＰＡＯ）を生産するプロセスであって、前記プロセスは以下を含む：
3から24炭素原子を持つ一以上のアルファーオレフィンモノマーを非架橋置換 bis（シクロペンタジエニル）遷移金属化合物と接触させることを含み、前記化合物は以下の
(Cp)(Cp*)MX1X2
式で表わされ
式中Ｍは金属中心であり、4族の金属、好ましくはTi, Hf又はZr, より好ましくはHf又はZrであり；
Cp及びCp*は各々Ｍに結合している同じ又は異なるシクロペンタジエニル環であり、１）Cp及びCp*は共に少なくとも一つの水素でない置換基Ｒで置換されており、又は２）Cpは２から５の置換基Ｒで置換されており、各置換基Ｒは、独立に、ヒドロカルビル、置換ヒドロカルビル、ハロカルビル、置換ハロカルビル、シリルカルビル、又はゲルミルカルビルであるラジカル基であり、又はCp及びCp*は任意の2つの隣接するＲ基が任意選択的に連結され、置換、非置換、飽和、部分的不飽和又は芳香族環状又は多環式置換基を形成している、同一の又は異なるシクロペンタジエニル環であり；
Ｘ１及びＸ２は、独立に、水素、ハロゲン、水素化物ラジカル、ヒドロカルビルラジカル、置換ヒドロカルビルラジカル、ハロカルビルラジカル、置換ハロカルビルラジカル、シリルカルビルラジカル、置換シリルカルビルラジカル、ゲルミルカルビルラジカル又は置換ゲルミルカルビルラジカルであり；
又は両Ｘは連結されそして金属原子に結合し約3から約20の炭素原子を含む金属環を形成し；又は両者は一緒になってオレフィン、ジオレフィン又はアライン配位子であっても良く；及び
重合条件下で、非配位アニオン活性剤、及び任意選択的にアルキルアルミニウム化合物であり、遷移金属化合物の活性剤に対するモル比率は10:1 から0.1:1であり、アルキルアルミニウム化合物が存在する場合、アルキルアルミニウム化合物の遷移金属化合物に対するモル比率は1:4から4000:1,であり；
重合条件は
i） 水素が反応器の全圧力に基づき0.1から300 psiの部分圧で存在し、又は水素の濃度は重量で1から30,000 ppm以下であり（好ましくは重量で1から20,000 ppm 以下);；
ii） 3 から24の炭素原子を持つアルファーオレフィンモノマーが、反応中に存在する触媒/活性剤/アルキルアルミニウム化合物溶液、モノマー及び全ての希釈剤又は溶媒の全重量に基づき10重量%以上存在し；
iii） ただし、エチレンが反応器に入るモノマーの40重量%より多くは存在しないことが条件となる。
【請求項２】
請求項１のプロセスであり、Cp及びCp*が共に少なくとも一つの非イソアルキル置換基で置換されており、イソアルキル置換基はCH(R*)2で規定され、各R*は独立にC1からC20のアルキル基である、前記プロセス。
【請求項３】
請求項１又は２のプロセスであり、Cp及びCp*は共に２から５の非水素置換基で置換されている、前記プロセス。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれか１項のプロセスであり、Cp及びCp*は共に２から５の非水素置換基で置換されている、前記プロセス。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれか１項のプロセスであり、前記遷移金属化合物は以下の化学式により表わされる非架橋、置換bis（シクロペンタジエニル）遷移金属化合物であり：
【化１】
式中Ｍは４族の金属、好ましくはTi, Hf又はZr, より好ましくはHf又はZrであり；
各Ｘは独立に、水素、ハロゲン、水素化物ラジカル、ヒドロカルビルラジカル、置換ヒドロカルビルラジカル、ハロカルビルラジカル、置換ハロカルビルラジカル、シリルカルビルラジカル、置換シリルカルビルラジカル、ゲルミルカルビルラジカル、又は置換ゲルミルカルビルラジカル；又は両Ｘは連結されそして金属原子に結合し3から20の炭素原子を含む金属環を形成し；又は両Ｘは一緒になってオレフィン、ジオレフィン又はアライン配位子であっても良く、好ましくは各Xは独立にC1からC20のヒドロカルビル又はハロゲン、より好ましくは各Xは独立にメチル、エチル、プロピル、イソプロピル、ブチル、イソブチル、ヘキシル、オクチル、デシル、又はドデシル基であり又はハロゲンは塩化物又は臭化物である；
R1からR10 はそれぞれ独立に、
水素、ヘテロ原子、ヒドロカルビル、置換ヒドロカルビル、ハロカルビル、置換ハロカルビル、シリルカルビル、又はゲルミルカルビルであるラジカル基であり、ただし、
R1からR5 の少なくとも一つは水素ではなく、R6 からR10 の少なくとも一つは水素ではなく、２つの隣接するＲ基は任意選択的に連結され、置換された、又は非置換、飽和、部分的不飽和又は芳香族環又は多環式置換基を形成することを条件とし、好ましくはR1からR10は、水素、C1からC30ヒドロカルビル、置換されたC1からC30ヒドロカルビル基又はへテロ原子から選択される、前記プロセス。
【請求項６】
請求項５のプロセスであって、更に、１）R1からR5 の少なくとも一つは水素でなく及び非イソーアルキル置換基であり、及びR6 からR10 の少なくとも一つは水素ではなく及び非イソーアルキル置換基であり、又は２）R1からR5 の少なくとも二つは水素ではなく、又は３）R1からR5 の少なくとも二つは水素ではなく、及びR6 からR10 の少なくとも二つは水素ではない、前記プロセス。
【請求項７】
R1からR5 の内の３又は４又は５個が水素でない、請求項５又は６のプロセス。
【請求項８】
R6 からR10の内の３又は４又は５個が水素でない、請求項５又は６のプロセス。
【請求項９】
請求項５乃至８のいずれか１項のプロセスであり、R1からR5 の一つがイソアルキルであり、R1からR5 の少なくとも他の一つが水素でなく、及びもしR6 からR10 の一つがイソアルキルなら、R6 からR10 の少なくとも他の一つは水素ではない、前記プロセス。
【請求項１０】
請求項５乃至９のいずれか１項のプロセスであり、R1からR10のいずれもイソアルキル基でない、前記プロセス。
【請求項１１】
請求項５乃至９のいずれか１項のプロセスであり、２つの隣接するR基がインデニル、テトラヒドロインデニル、置換インデニル、置換テトラヒドロインデニル、フルオレニル、又は置換フルオレニル基の一つを形成する、前記プロセス。
【請求項１２】
請求項１乃至１１のいずれか１項のプロセスであり、PAOは１０℃以下の流動点、好ましくは0℃、好ましくは‐15℃以下、好ましくは‐25℃以下の流動点を持つ、前記プロセス。
【請求項１３】
請求項１乃至１２のいずれか１項のプロセスであり、ポリアルファーオレフィンは1 から3.5のMw/Mnを持ち, 好ましくは1から2.6のMw/Mnを持つ、前記プロセス。
【請求項１４】
請求項１乃至１３のいずれか１項のプロセスであり、ポリアルファーオレフィンがポリデセンである、前記プロセス。
【請求項１５】
請求項１乃至１４のいずれか１項のプロセスであり、ポリアルファーオレフィンが1.8以上の臭素価を持つ、前記プロセス。
【請求項１６】
請求項１乃至１５のいずれか１項のプロセスであり、ポリアルファーオレフィンが50モル％より大きいビニリデン含有量を持ち、及び100℃の動粘度が3000 cSt未満である、前記プロセス。
【請求項１７】
請求項１乃至１６のいずれか１項のプロセスであり、ポリアルファーオレフィンがX以下のメチル含有量を持ち、ここでX = -3.4309Ln(100℃の動粘度、cSt) + 29.567である、前記プロセス。
【請求項１８】
請求項１乃至１７のいずれか１項のプロセスであり、更にポリアルファーオレフィンを得て、その後にポリアルファーオレフィンを水素化するステップを含み、ポリアルファーオレフィンは少なくとも一以上のC3からC24のアルファーオレフィンモノマーを少なくとも50モル％含み、水素化製品は1.8を超えない臭素価を持つ、前記プロセス。
【請求項１９】
請求項１乃至１８のいずれか１項のプロセスであり、ポリアルファーオレフィンは40℃の動粘度が50から100,000 cStである、前記プロセス。
【請求項２０】
請求項１乃至１９のいずれか１項のプロセスであり、ポリアルファーオレフィンは50以上、好ましくは100から450の粘度指数を持つ、前記プロセス。
【請求項２１】
請求項１乃至２０のいずれか１項のプロセスであり、ポリアルファーオレフィンは250から200,000 g/モルの重量平均分子量を持ち, 好ましくは250から100,000 g/モルの重量平均分子量を持つ、前記プロセス。
【請求項２２】
請求項１乃至２1のいずれか１項のプロセスであり、３から２４の炭素原子を持つモノマーが60重量％以上で存在し、好ましくは70重量％以上で存在する、前記プロセス。
【請求項２３】
請求項１乃至２２のいずれか１項のプロセスであり、ポリアルファーオレフィンは以下のものよりなる群から選択される：プロピレン、1‐ブテン、1‐ペンテン、1‐ヘキセン、1‐ヘプテン、1‐オクテン、1‐ノネン、1‐デセン、1‐ウンデセン、1‐ドデセン、1‐トリデセン、1‐テトラデセン、1‐ペンタデセン、1‐ヘキサデセン、1‐ヘプタデセン、1‐オクタデセン、1‐ノナデセン、1‐エイコセン、1‐ウンエイコセン、1‐ドコセン、１−トリコセン、1‐テトラコセン、1‐ペンタコセン、1‐ヘキサコセン、４−メチルー１−ペンテン、４−フェニルー１−ブテン、及び５−フェニルー１−ペンテン；好ましくはポリアルファーオレフィンは以下のものよりなる群から選択される：プロピレン、1‐ブテン、1‐ペンテン、1‐ヘキセン、1‐ヘプテン、1‐オクテン、1‐ノネン、1‐デセン、1‐ウンデセン、1‐ドデセン、1‐トリデセン、1‐テトラデセン、1‐ペンタデセン、及び1‐ヘキサデセン；より好ましくはポリアルファーオレフィンは以下のものよりなる群から選択される：1‐ヘキセン、1‐オクテン、1‐デセン、1‐ドデセン、1‐テトラデセン、1‐ヘキサデセン、及び1‐オクタデセン；より好ましくはポリアルファーオレフィンはオクテン、デセン、及びドデセンを含み、代替的にポリアルファーオレフィンはヘキセン、デセン、及びドデセン、又はへキセン、デセン及びテトラデセン；又はブテン、ヘキセン、及びドデセン；又はプロピレン、ブテン及びドデセン等を含む。
【請求項２４】
請求項１乃至２３のいずれか１項のプロセスであり、ポリアルファーオレフィンは150℃以上の引火点を持つ、前記プロセス。
【請求項２５】
請求項１乃至２４のいずれか１項のプロセスであり、ポリアルファーオレフィンは0.6から0.9 g/cm3の比重を持つ、前記プロセス。
【請求項２６】
請求項１乃至２５のいずれか１項のプロセスであり、エチレン、プロピレン及びブテンモノマーは１重量％より少ない量で存在する、前記プロセス。
【請求項２７】
請求項１乃至４３のいずれか１項のプロセスであり、プロピレン及び/又はブテンモノマーは少なくとも１重量％存在し、好ましくは純粋ポリプロピレン又はブテン又はその両者の組み合わせで１00重量％まで存在する、前記プロセス。
【請求項２８】
請求項１乃至４４のいずれか１項のプロセスであり、エチレンは原料の重量に基づき、30重量未満%, 好ましくは 20重量%未満, 好ましくは 10重量%未満, 好ましくは 5重量%未満, 好ましくは 1重量%未満で存在する、前記プロセス。
【請求項２９】
請求項１乃至２８のいずれか１項のプロセスであり、3 から24炭素原子を持つモノマーは60 モル%以上、好ましくは70モル%以上で存在する、前記プロセス。
【請求項３０】
請求項１乃至２９のいずれか１項のプロセスであり、前記プロセスは更に以下を含む：
１）任意選択的にポリアルファーオレフィンを処理しヘテロ原子含有化合物を600ｐｐｍより少なくし；
２）任意選択的にポリアルファーオレフィンを溶媒又は希釈剤及び他の軽質製品部分から分離する；
３）ポリアルファーオレフィンを水素及び水素化触媒と接触させる；及び
４）1.8未満の臭素価を持つ通常ポリアルファーオレフィンを得る、前記プロセス。
【請求項３１】
請求項３０のプロセスであり、ポリアルファーオレフィンは水素及び/又は水素化触媒と接触させる前にヘテロ原子含有化合物を除去するために処理され、好ましくは前記処理されたポリアルファーオレフィンは100ｐｐｍ未満のヘテロ原子含有化合物を含み、好ましくは前記処理されたポリアルファーオレフィンは10ｐｐｍ未満のヘテロ原子含有化合物を含むの、前記プロセス。
【請求項３２】
請求項１乃至３１のいずれか１項のプロセスであり、捕捉剤が存在し及び捕捉剤はメチルアルモキサン及び/又は修飾されたメチルアルモキサンを含む、前記プロセス。
【請求項３３】
請求項１乃至３２のいずれか１項のプロセスであり、非配位アニオン活性剤は以下を一以上含む：
N,N-ジメチルアニリニウム テトラキス（ペンタフルオロフェニル）ホウ酸塩
(N,N-dimethylanilinium tetrakis(pentafluorophenyl)borate),
N,N-ジアルキルアニリニウム テトラキス（ペンタフルオロフェニル）ホウ酸塩
(N,N-dialkylanilinium tetrakis(pentafluorophenyl)borate),
テトラキス（ペンタフルオロフェニル）ホウ酸塩
(tetrakis(pentafluorophenyl)borate),
トリ（ペンタフルオロフェニル）ホウ酸塩
(tri(pentafluorophenyl)borate),
トリ−アルキルアンモニウム テトラキス（ペンタフルオロフェニル）ホウ酸塩
(tri−alkylammonium tetrakis(pentafluorophenyl)borate),
テトラ−アルキルアンモニウム テトラキス（ペンタフルオロフェニル）ホウ酸塩
(tetrai−alkylammonium tetrakis(pentafluorophenyl)borate),
N,N-ジメチルアニリニウム テトラキス（ペルフルオロフェニル）ホウ酸塩
(N,N-dimethylanilinium tetrakis(perfluorophenyl)borate),
N,N-ジアルキルアニリニウム テトラキス（ペルフルオロフェニル）ホウ酸塩
(N,N-dialkylanilinium tetrakis(perfluorophenyl)borate),
トリチルテトラキス（ペルフルオロフェニル）ホウ酸塩
(trityl tetrakis(perfluorophenyl)borate),
トリ（ペルフルオロフェニル）ホウ酸塩
(tri (perfluorophenyl)borate),
トリ−アルキルアンモニウム テトラキス（ペルフルオロフェニル）ホウ酸塩
(tri−alkylammonium tetrakis(perfluorophenyl)borate),
テトラ−アルキルアンモニウム テトラキス（ペルフルオロフェニル）ホウ酸塩
(tetrai−alkylammonium tetrakis(perfluorophenyl)borate)であり、
ここでアルキル基はＣ1からC18アルキル基であるのが好ましい。
【請求項３４】
請求項１乃至３３のいずれか１項のプロセスであり、前記遷移金属は以下を一以上含む：
(bis(1,2,4-トリメチルシクロペンタジエニル)ジルコニウム ジクロライド)
(bis(l ,2,4-trimethylcyclopentadienyl)zirconium dichloride)
bis(1,3-ジメチルシクロペンタジエニル)ジルコニウム ジクロライド
(bis(l ,3-dimethylcyclopentadienyl)zirconium dichloride)
bis(1,2,3-トリメチルシクロペンタジエニル)ジルコニウム ジクロライド
(bis(l,2,3-trimethylcyclopentadienyl)zirconium dichloride)
bis(1,2,3,4-テトラヒドロインデニル) ジルコニウム ジクロライド
(bis(1,2,3,4-tetrahydroindenyl)zirconium dichloride)
bis(テトラメチルシクロペンタジエニル)ジルコニウム ジクロライド
(bis(tetramethylcyclopentadienyl)zirconium dichloride)
bis(ペンタメチルシクロペンタジエニル)ジルコニウム ジクロライド
(bis(pentamethylcyclopentadienyl)zirconium dichloride)
bis(インデニル) ジルコニウム ジクロライド
(bis(indenyl)zirconium dichloride)
bis(l,2,4-トリメチルシクロペンタジエニル)ジルコニウム ジメチル
(bis(l,2,4- trimethylcyclopentadienyl)zirconium dimethyl)
bis(l,2,3-トリメチルシクロペンタジエニル)ジルコニウム ジメチル
(bis(l,2,3- trimethylcyclopentadienyl)zirconium dimethyl)
bis(l,3-ジメチル)シクロペンタジエニル)ジルコニウム ジメチル
(bis(l,3-dimethyl)cyclopentadienyl)zirconium dimethyl)
bis(テトラメチルシクロペンタジエニル)ジルコニウム ジメチル
(bis(tetramethylcyclopentadienyl)zirconium dimethyl)
bis(ペンタメチルシクロペンタジエニル)ジルコニウム ジメチル
(bis(pentamethylcyclopentadienyl)zirconium dimethyl) 又は
bis(1,2,3,4-テトラヒドロインデニル) ジルコニウム ジメチル(bis(1,2,3,4-tetrahydroindenyl)zirconium dimethyl)、前記プロセス。
【請求項３５】
請求項１乃至３３のいずれか１項のプロセスであり、前記遷移金属は以下を一以上含む：
bis(1,2-ジメチルシクロペンタジエニル)ジルコニウム ジクロライド
(bis(l ,2-dimethylcyclopentadienyl)zirconium dichloride))
bis(1,3-ジメチルシクロペンタジエニル)ジルコニウム ジクロライド
(bis(l ,3-dimethylcyclopentadienyl)zirconium dichloride)
bis(1,2,3-トリメチルシクロペンタジエニル)ジルコニウム ジクロライド
(bis(l,2,3-trimethylcyclopentadienyl)zirconium dichloride)
bis(1,2,4-トリメチルシクロペンタジエニル)ジルコニウム ジクロライド
(bis(l ,2,4-trimethylcyclopentadienyl)zirconium dichloride)
bis(l ,2,3,4-テトラメチルシクロペンタジエニル)ジルコニウム ジクロライド
(bis(l ,2,3,4-tetramethylcyclopentadienyl)zirconium dichloride)
bis(l ,2,3,4,5-ペンタメチルシクロペンタジエニル)ジルコニウム ジクロライド
(bis(l ,2,3,4,5-pentamethylcyclopentadienyl)zirconium dichloride)
bis(l-メチル-2-エチルシクロペンタジエニル)ジルコニウム ジクロライド
(bis(l -methyl -2-ethylcyclopentadienyl)zirconium dichloride)
bis(l-メチル-2-n-プロピルシクロペンタジエニル)ジルコニウム ジクロライド
(bis(l-methyl-2-n-propylcyclopentadienyl)zirconium dichloride)
bis(l-メチル-2-n-ブチルシクロペンタジエニル)ジルコニウム ジクロライド
(bis(l -methyl-2-n-butyllcyclopentadienyl)zirconium dichloride)
bis(l-メチル-3-エチルシクロペンタジエニル)ジルコニウム ジクロライド
(bis(l-methyl-3-ethylcyclopentadienyl)zirconium dichloride)
bis(l-メチル-3-n-プロピルシクロペンタジエニル)ジルコニウム ジクロライド
(bis(l -methyl-3-n-propylcyclopentadienytyzirconium dichloride)
bis(l-メチル-3-n-ブチルシクロペンタジエニル)ジルコニウム ジクロライド
(bis(l -methyl-3-n-butylcyclopentadienytyzirconium dichloride)
bis((l-メチル-3-n-ペンチルシクロペンタジエニル)ジルコニウム ジクロライド
(bis(l-methyl-3-n-pentylcyclopentadienyl)zirconium dichloride)
bis(l, 2-ジメチル-4-エチルシクロペンタジエニル)ジルコニウム ジクロライド
(bis(l, 2-dimethyl-4-ethylcyclopentadienyl)zirconium dichloride)
bis(l, 2-ジメチル-4-n-プロピルシクロペンタジエニル)ジルコニウム ジクロライド
(bis(l,2-dimethyl-4-n-propylcyclopentadienyl)zirconium dichloride)
bis(l, 2-ジメチル-4-n-ブチルシクロペンタジエニル)ジルコニウム ジクロライド
(bis(l ,2-dimethyl-4-n-butylcyclopentadienyl)zirconium dichloride)
bis(l ,2-ジエチルシクロペンタジエニル)ジルコニウム ジクロライド
(bis(l ,2-diethylcyclopentadienyl)zirconium dichloride)
bis(l ,3-ジエチルシクロペンタジエニル)ジルコニウム ジクロライド
(bis(l,3-diethylcyclopentadienyl)zirconium dichloride)
bis(l ,2-ジ-n-プロピルシクロペンタジエニル)ジルコニウム ジクロライド
(bis(l ,2-di-n-propylcyclopentadienyl)zirconium dichloride)
bis(l ,2-ジ-n-ブチルシクロペンタジエニル)ジルコニウム ジクロライド
(bis( 1 ,2-di-n-butylcyclopentadienyl)zirconium dichloride)
bis(1 -メチル-2,4-ジエチルシクロペンタジエニル)ジルコニウム ジクロライド
(bis(1 -methyl-2,4-diethylcyclopentadienyl)zirconium dichloride)
bis(1 ,2-ジエチル-4-n-プロピルシクロペンタジエニル)ジルコニウム ジクロライド
(bis(1 ,2-diethyl-4-n-propylcyclopentadienyl)zirconium dichloride)
bis(1 ,2-ジエチル-4-n-ブチルシクロペンタジエニル)ジルコニウム ジクロライド
(bis(l,2-diethyl-4-n-butylcyclopentadienytyzirconium dichloride)
bis(l -メチル-3-i-プロピルシクロペンタジエニル)ジルコニウム ジクロライド
(bis(l -methyl-3-i-propylcyclopentadienyl)zirconium dichloride)
bis(l -エチル-3-i-プロピルシクロペンタジエニル)ジルコニウム ジクロライド
(bis(l -ethyl -3-i-propylcyclopentadienyl)zirconium dichloride)
（1,2-ジメチルシクロペンタジエニル）（シクロペンタジエニル)ジルコニウム ジクロライド
(l, 2-dimethylcyclopentadienyl)(cyclopentadienyl)zirconium dichloride)
(1, 3 -ジメチルシクロペンタジエニル)（シクロペンタジエニル)ジルコニウム ジクロライド
(1, 3 -dimethylcyclopentadienyl)(cyclopentadienyl)zirconium dichloride)
(1, 2-ジメチルシクロペンタジエニル)（メチルシクロペンタジエニル）ジルコニウム ジクロライド
(1, 2-dimethylcyclopentadienyl)(methylcyclopentadienyl)zirconiurn dichloride)
(1, 2-ジメチルジメチルシクロペンタジエニル)（エチルシクロペンタジエニル）ジルコニウム ジクロライド
(1 ,2-dimethylcyclopentadienyl)(ethylcyclopentadienyl)zirconium dichloride)
(1, 2-ジメチルジメチルシクロペンタジエニル)（l ,2-ジ-n-ブチルシクロペンタジエニル)ジルコニウム ジクロライド
(1 ,2-dimethylcyclopentadienyl)(l ,2-di-n-butylcyclopentadienyl)zirconium dichloride)
(1, 3-ジメチルジメチルシクロペンタジエニル)(シクロペンタジエニル)ジルコニウム ジクロライド
(l,3-dimethylcyclopentadienyl)(cyclopentadienyl)zirconium dichloride)
(1, 3-ジメチルジメチルシクロペンタジエニル)（1, 2-ジメチルシクロペンタジエニル）ジルコニウム ジクロライド
(l,3-dimethylcyclopentadienyl)(l,2-dimethylcyclopentadienyl)zirconium dichloride)
(1, 3-ジメチルジメチルシクロペンタジエニル)（1, 3-ジエチルシクロペンタジエニル）ジルコニウム ジクロライド
(1 ,3-dimethylcyclopentadienyl)(1, 3-diethylcyclopentadienyl)zirconium dichloride)
bis(インデニル) ジルコニウム ジクロライド
(bis(indenyl)zirconium dichloride)
bis(1-メチルインデニル) ジルコニウム ジクロライド
(bis(l -methylindenyl)zirconium dichloride)
bis(2-メチルインデニル) ジルコニウム ジクロライド (bis(2-methylindenyl)zirconium dichloride)
bis(4-メチルインデニル) ジルコニウム ジクロライド (bis(4-methylindenyl)zirconium dichloride)
bis(4,7-ジメチルインデニル) ジルコニウム ジクロライド (bis(4,7-dimethylindenyl)zirconium dichloride)
bis(4,5 ,6,7-テトラヒドロインデニル) ジルコニウム ジクロライド
(bis(4,5 ,6,7-tetrahydroindenyl)zirconium dichloride)
bis(4,5 ,6,7-テトラヒドロ-2-メチルインデニル) ジルコニウム ジクロライド (bis(4,5 ,6,7-tetrahydro-2-methylindenyl)zirconium dichloride)
bis(4,5 ,6,7-テトラヒドロ-4,7-ジメチルインデニル) ジルコニウム ジクロライド (bis(4,5,6,7-tetrahydro-4,7-dimethylindenyl)zirconium dichloride)
（シクロペンタジエニル）(4,5 ,6,7-テトラヒドロ-4,7-ジメチルインデニル) ジルコニウム ジクロライド
(cyclopentadienyl)(4,5,6,7-tetrahydroindenyl)zirconium dichloride)
bis(l,2-ジメチル)シクロペンタジエニル)ジルコニウム ジメチル
(bis(l,2-dimethyl)cyclopentadienyl)zirconium dimethyl)
bis(l,3-ジメチル)シクロペンタジエニル)ジルコニウム ジメチル
(bis(l,3-dimethyl)cyclopentadienyl)zirconium dimethyl)
bis(l,2,3-トリメチルシクロペンタジエニル)ジルコニウム ジメチル
(bis(l,2,3- trimethylcyclopentadienyl)zirconium dimethyl)
bis(l,2,4-トリメチルシクロペンタジエニル)ジルコニウム ジメチル
(bis(l,2, 4- trimethylcyclopentadienyl)zirconium dimethyl)
bis(l,2,3,4-テトラメチルシクロペンタジエニル)ジルコニウム ジメチル
(bis(l,2,3,4,5- tetramethylcyclopentadienyl)zirconium dimethyl)
bis(l,2,3,4-ペンタメチルシクロペンタジエニル)ジルコニウム ジメチル
(bis(l,2,3,4,5-pentamethylcyclopentadienyl)zirconium dimethyl)
bis(1 -メチル-2-エチルシクロペンタジエニル)ジルコニウム ジメチル
(bis(1 -methyl-2-ethylcyclopentadienyl)zirconium dimethyl)
bis(1 -メチル-2-n-プロピルシクロペンタジエニル)ジルコニウム ジメチル
(bis(1 -methyl-2-n-propylcyclopentadienyl)zirconium dimethyl)
bis(1 -メチル-2-n-ブチルシクロペンタジエニル)ジルコニウム ジメチル
(bis(1 -methyl-2-n-butylcyclopentadienyl)zirconium dimethyl)
bis(1 -メチル-3-エチルシクロペンタジエニル)ジルコニウム ジメチル (bis(l-methyl-3- ethylcyclopentadienyl)zirconium dimethyl)
bis(1 -メチル-3-n-プロピルシクロペンタジエニル)ジルコニウム ジメチル (bis(l-methyl-3-n- propylcyclopentadienyl)zirconium dimethyl)
bis(1 -メチル-3-n-ブチルシクロペンタジエニル)ジルコニウム ジメチル (bis(l-methyl-3-n- butylclopentadienyl)zirconium dimethyl)
bis(l, 2-ジメチル-4-エチルシクロペンタジエニル)ジルコニウム ジメチル
(bis(l, 2-dimethyl-4-ethylcyclopentadienyl)zirconium dimethyl)
bis(l, 2-ジメチル-4-n-プロピルシクロペンタジエニル)ジルコニウム ジメチル
(bis(l,2-dimethyl-4-n-propylcyclopentadienyl)zirconium dimethyl)
bis(l, 2-ジメチル-4-n-ブチルシクロペンタジエニル)ジルコニウム ジメチル
(bis(l ,2-dimethyl-4-n-butylcyclopentadienyl)zirconium dimethyl)
bis(l ,2-ジエチルシクロペンタジエニル)ジルコニウム ジメチル
(bis(l ,2-diethylcyclopentadienyl)zirconium dimethyl)
bis((l ,3-ジエチルシクロペンタジエニル)ジルコニウム ジメチル
(bis(l,3-diethylcyclopentadienyl)zirconium dimethyl)
bis(l ,2-ジ-n-プロピルシクロペンタジエニル)ジルコニウム ジメチル
(bis(l ,2-di-n-propylcyclopentadienyl)zirconium dimethyl)
bis(l ,2-ジ-n-ブチルシクロペンタジエニル)ジルコニウム ジメチル
(bis( 1 ,2-di-n-butylcyclopentadienyl)zirconium dimethyl)
bis(1 -メチル-2,4-ジエチルシクロペンタジエニル)ジルコニウム ジメチル
(bis(1 -methyl-2,4-diethylcyclopentadienyl)zirconium dimethyl)
bis(1 ,2-ジエチル-4-n-プロピルシクロペンタジエニル)ジルコニウム ジメチル
(bis(1 ,2-diethyl-4-n-propylcyclopentadienyl)zirconium dimethyl)
bis(1 ,2-ジエチル-4-n-ブチルシクロペンタジエニル)ジルコニウム ジメチル
(bis(l,2-diethyl-4-n-butylcyclopentadienytyzirconium dimethyl)
bis(l -メチル-3-i-プロピルシクロペンタジエニル)ジルコニウム ジメチル
(bis(l -methyl-3-i-propylcyclopentadienyl)zirconium dimethyl)
bis(l -エチル-3-i-プロピルシクロペンタジエニル)ジルコニウム ジメチル
(bis(l -ethyl -3-i-propylcyclopentadienyl)zirconium dimethyl)
（1,2-ジメチルシクロペンタジエニル）（シクロペンタジエニル)ジルコニウム ジメチル
(l, 2-dimethylcyclopentadienyl)(cyclopentadienyl)zirconium dimethyl)
(1, 3 -ジメチルシクロペンタジエニル)（シクロペンタジエニル)ジルコニウム ジメチル
(1, 3 -dimethylcyclopentadienyl)(cyclopentadienyl)zirconium dimethyl)
(1, 2-ジメチルシクロペンタジエニル)（メチルシクロペンタジエニル）ジルコニウム ジメチル
(1, 2-dimethylcyclopentadienyl)(methylcyclopentadienyl)zirconium dimethyl)
(1, 2-ジメチルジメチルシクロペンタジエニル)（エチルシクロペンタジエニル）ジルコニウム ジメチル
(1 ,2-dimethylcyclopentadienyl)(ethylcyclopentadienyl)zirconium dimethyl)
(1, 2-ジメチルジメチルシクロペンタジエニル)（(l ,2-ジ-n-ブチルシクロペンタジエニル)ジルコニウム ジメチル
(1 ,2-dimethylcyclopentadienyl)(l ,2-di-n-butylcyclopentadienyl)zirconium dimethyl)
(1, 3-ジメチルジメチルシクロペンタジエニル)(シクロペンタジエニル)ジルコニウム ジメチル
(l,3-dimethylcyclopentadienyl)(cyclopentadienyl)zirconium dimethyl)
(1, 3-ジメチルジメチルシクロペンタジエニル)（1, 2-ジメチルシクロペンタジエニル）ジルコニウム ジメチル
(l,3-dimethylcyclopentadienyl)(l,2-dimethylcyclopentadienyl)zirconium dimethyl)
(1, 3-ジメチルジメチルシクロペンタジエニル)（1, 3-ジエチルシクロペンタジエニル）ジルコニウム ジメチル
(1 ,3-dimethylcyclopentadienyl)-(1, 3-diethylcyclopentadienyl)zirconium dimethyl)
bis(インデニル) ジルコニウム ジメチル
(bis(indenyl)zirconium dimethyl)
bis(1-メチルインデニル) ジルコニウム ジメチル
(bis(l -methylindenyl)zirconium dimethyl)
bis(2-メチルインデニル) ジルコニウム ジメチル (bis(2-methylindenyl)zirconium dimethyl)
bis(4-メチルインデニル) ジルコニウム ジメチル (bis(4-methylindenyl)zirconium dimethyl)
bis(4,7-ジメチルインデニル) ジルコニウム ジメチル (bis(4,7-dimethylindenyl)zirconium dimethyl)
bis(4,5 ,6,7-テトラヒドロインデニル) ジルコニウム ジメチル
(bis(4,5 ,6,7-tetrahydroindenyl)zirconium dimethyl)
bis(4,5 ,6,7-テトラヒドロ-2-メチルインデニル) ジルコニウム ジメチル (bis(4,5 ,6,7-tetrahydro-2-methylindenyl)zirconium dimethyl)
bis(4,5 ,6,7-テトラヒドロ-4,7-ジメチルインデニル) ジルコニウム ジメチル (bis(4,5,6,7-tetrahydro-4,7-dimethylindenyl)zirconium dimethyl)
（シクロペンタジエニル）(4,5 ,6,7-テトラヒドロインデニル) ジルコニウム ジメチル
(cyclopentadienyl)(4,5,6,7-tetrahydroindenyl)zirconium dimethyl)
【請求項３６】
請求項１乃至３３のいずれか１項のプロセスであり、前記遷移金属は以下を一以上含む：
bis(l,2-ジメチルシクロペンタジエニル)ジルコニウム ジクロライド
(bis(l,2- dimethylcyclopentadienyl)zirconium dichloride),
bis(l,3-ジメチルシクロペンタジエニル)ジルコニウム ジクロライド
(bis(l, 3- dimethylcyclopentadienyl)zirconium dichloride),
bis(l,2,4-トリメチルシクロペンタジエニル)ジルコニウム ジクロライド
(bis(l,2,4- trimethylcyclopentadienyl)zirconium dichloride)
bis(テトラメチルシクロペンタジエニル)ジルコニウム ジクロライド
(bis(tetramethylcyclopentadienyl)zirconium dichloride),
bis(l -メチル-2-エチルシクロペンタジエニル)ジルコニウム ジクロライド
(bis(l -methyl -2- ethylcyclopentadienyl)zirconium dichloride),
bis(l -メチル-3-エチルシクロペンタジエニル)ジルコニウム ジクロライド (bis(l-methyl-3- ethylcyclopentadienyl)zirconium dichloride),
bis(l -メチル-3-n-プロピルシクロペンタジエニル)ジルコニウム ジクロライド (bis(l-methyl-3-n- propylcyclopentadienyl)zirconium dichloride),
bis(l -メチル-3-n-ブチルシクロペンタジエニル)ジルコニウム ジクロライド
(bis(l -methyl -3-n-butylclopentadienyl)zirconium dichloride)
bis(4,5,6,7-テトラヒドロ インデニル) ジルコニウム ジクロライド
(bis(4,5,6,7-tetrahydro indenyl)zirconium dichloride)
bis(インデニル) ジルコニウム ジクロライド
(bis(indenyl)zirconium dichloride)
bis(l,2-ジメチル)シクロペンタジエニル)ジルコニウム ジメチル
(bis(l,2-dimethyl)cyclopentadienyl)zirconium dimethyl)
bis(l,3-ジメチル)シクロペンタジエニル)ジルコニウム ジメチル
(bis(l,3-dimethyl)cyclopentadienyl)zirconium dimethyl)
bis(テトラメチルシクロペンタジエニル)ジルコニウム ジメチル
(bis(tetramethylcyclopentadienyl)zirconium dimethyl)
bis(1 -メチル-2-エチルシクロペンタジエニル)ジルコニウム ジメチル
(bis(1 -methyl-2-ethylcyclopentadienyl)zirconium dimethyl)
bis(1 -メチル-3-エチルシクロペンタジエニル)ジルコニウム ジメチル (bis(l-methyl-3- ethylcyclopentadienyl)zirconium dimethyl)
bis(1 -メチル-3-n-プロピルシクロペンタジエニル)ジルコニウム ジメチル (bis(l-methyl-3-n- propylcyclopentadienyl)zirconium dimethyl)
bis(1 -メチル-3-n-ブチルシクロペンタジエニル)ジルコニウム ジメチル (bis(l-methyl-3-n- butylclopentadienyl)zirconium dimethyl)
bis(4,5,6,7-テトラヒドロ インデニル) ジルコニウム ジクロライド (bis(4,5,6,7-tetrahydro indenyl)zirconium dichloride)
bis(インデニル) ジルコニウム ジメチル
(bis(indenyl)zirconium dimethyl)。
【請求項３７】
請求項１乃至３６のいずれか１項のプロセスであり、アルキルアルミニウム化合物が存在し、前記アルキルアルミニウム化合物は式R’3Alで表され、ここで各Ｒ’は独立にメチル、エチル、n‐プロピル、iso‐プロピル、iso−ブチル、n−ブチル、t−ブチル、n−ペンチル、iso−ペンチル、ネオペンチル、n−ヘキシル、iso−ヘキシル、n−へプチル、iso−へプチル、n−オクチル、iso−オクチル、n−ノニル、n−デシル、n−ウンデシル、n−ドデシル、n−トリデシル、n−テトラデシル、n−ペンタデシル、n−ヘキサデシル、n−ヘプタデシル、n−オクタデシル、及びこれらの異性類似体(iso-analog）よりなる群れから選択される、前記プロセス。
【請求項３８】
請求項１乃至３７のいずれか１項のプロセスであり、前記プロセスは連続プロセスであり、好ましくは、
a) 少なくとも10重量％の一以上のＣ３からＣ１０のアルファ−オレフィンを含む原料流を連続的に反応器に導入する；
b)連続的に遷移金属化合物及び活性剤を反応器に導入する；
c)任意選択的に、共活性剤を反応器に導入する；及び
d) 連続的にポリアルファ−オレフィンを反応器にから取り出す、
を含む連続プロセスである前記プロセス。
【請求項３９】
請求項３８項のプロセスであり、前記プロセスは更に以下を含む：
１）任意選択的に、連続的にポリアルファーオレフィンを処理しヘテロ原子含有化合物を600ｐｐｍより少なくする；
２）任意選択的に、連続的にポリアルファーオレフィンを分留し、軽質及び重質部分を分離し、重質部分は20以上の炭素を含む；
３）連続的にポリアルファーオレフィンを水素及び水素化触媒と接触させる；及び
４）連続的に1.8未満の臭素価を持つ通常ポリアルファーオレフィンを得る、前記プロセス。
【請求項４０】
請求項１乃至３９のいずれか１項のプロセスであり、
反応器中の温度は−10℃から250℃であり、好ましくは10℃から220℃, 好ましくは20℃から 180℃, 好ましくは40℃から150℃、好ましくは30℃から100℃である、前記プロセス。
【請求項４１】
請求項１乃至４０のいずれか１項のプロセスであり、前記モノマー、触媒化合物及び活性剤を5分から100時間の滞留時間で接触させ、好ましくは10分から20時間の滞留時間で接触させる、前記プロセス。
【請求項４２】
請求項１乃至４１のいずれか１項のプロセスであり、溶媒又は希釈剤が存在し、好ましくは溶媒又は希釈剤は
プロパン、ブタン、2−ブテン、イソーブテン、ペンタン、ヘキサン、ヘプタン、オクタン、ノナン、デカン、ウンデカン、ドデカン、トリデカン、テトラデカン、ペンタデカン、ヘキサデカン、ベンゼン、トルエン、o‐キシレン、m‐キシレン、p‐キシレン、混合キシレン、エチルベンゼン、イソプロピルベンゼン及びn−ブチルベンゼンよりなる群から選択される、前記プロセス。
【請求項４３】
請求項１乃至４２のいずれか１項のプロセスであり、前記モノマーを反応器中で遷移金属化合物及び活性剤と接触させ、そして反応器は連続かくはん槽反応器である、前記プロセス。
【請求項４４】
請求項１乃至４３のいずれか１項のプロセスであり、触媒残留物は製品から固体吸着剤と接触させることにより除去される、前記プロセス。
【請求項４５】
請求項１乃至４４のいずれか１項のプロセスであり、前記モノマーは液相又はスラリー相中で遷移金属化合物及び活性剤と接触させる、前記プロセス。
【請求項４６】
請求項１乃至４５のいずれか１項のプロセスであり、前記モノマーは反応器に導入される前にアルキルアルミニウム化合物と接触させ、及び/又はメタロセン及び/又は活性剤は反応器に入る前にアルキルアルミニウム化合物と組み合わされ、好ましくはアルキルアルミニウム化合物はトリーイソブチルアルミニウム、トリーn―オクチルアルミニウム、トリーn―ヘキシルアルミニウム、トリーn―デシルアルミニウム、トリーn―ドデシルアルミニウムから選択される、前記プロセス。
【請求項４７】
請求項１乃至４６のいずれか１項のプロセスであり、前記ポリアルファーオレフィンは水素及び水素化触媒と接触させ、好ましくは水素化触媒は担持された7, 8, 9,及び10族金属よりなる群から選択され、好ましくは水素化触媒はNi, Pd, Pt, Co, Rh, Fe, Ru, Os, Cr, Mo, 及びWの内の一以上よりなる群から選択され、シリカ、アルミナ、粘土、チタニア、ジルコニア、メソ多孔性材料、ＭＣＭ−４１材料、又は混合金属酸化物に担持され、好ましくは水素化触媒は珪藻土、シリカ、アルミナ、粘土、メソ多孔性材料、ＭＣＭ−４１又はシリカーアルミナに担持されたニッケルである、前記プロセス。
【請求項４８】
請求項１乃至４７のいずれか１項のプロセスであり、前記ポリアルファーオレフィンは水素及び水素化触媒と25°Cから350℃で接触する、前記プロセス。
【請求項４９】
請求項１乃至４８のいずれか１項のプロセスであり、前記生成された製品は６０重量％以下のＣ１０二量体を含み、好ましくは４０重量％以下のＣ１０二量体を含む、前記プロセス。
【請求項５０】
請求項１乃至４９のいずれか１項のプロセスであり、前記プロセスは更に以下を含む：
１）ポリアルファーオレフィンを固体吸着剤と接触させて触媒残留物をポリアルファーオレフィンから除去する；
２）任意選択的にポリアルファーオレフィンを処理しヘテロ原子含有化合物を600ｐｐｍより少なくする；
３）任意選択的に、ポリアルファーオレフィンを分留し、軽質及び重質部分を分離し、重質部分は20以上の炭素を含む；
４）ポリアルファーオレフィンを水素及び水素化触媒と接触させる；及び
５）1.8未満の臭素価を持つ通常ポリアルファーオレフィンを得る。
【請求項５１】
請求項１乃至５０のいずれか１項のプロセスであり、プロセスの生産性がグラム単位当り遷移金属化合物に対し少なくとも製品１．５kg、及び/又はプロセスの生産性がグラム単位当り非配位アニオン活性剤に対し少なくとも製品１．５kgである、前記プロセス。
【請求項５２】
請求項１乃至５１のいずれか１項のプロセスであり、前記プロセスは半連続である、前記プロセス。
【請求項５３】
請求項１乃至５２のいずれか１項のプロセスであり、反応ゾーンの温度が反応中20℃の幅を超えて上がらず、好ましくは反応ゾーンの温度が反応中１0℃の幅を超えて上がらず、好ましくは反応ゾーンの温度が反応中５℃の幅を超えて上がらず、好ましくは反応ゾーンの温度が反応中３℃の幅を超えて上がらない、前記プロセス。
【請求項５４】
請求項１乃至５３のいずれか１項のプロセスであり、液状ポリアルファーオレフィン製品はＸ重量％以下の二量体を持ち、ここで
Ｘ重量％ =0.8 x [231.55 x (100℃の流体Kv、cSt) (-0.9046)]である、前記プロセス。
【請求項５５】
請求項１乃至５４のいずれか１項のプロセスであり、液体ポリアルファーオレフィン製品は４０モル未満のmm又はrr三つ組部分を持ち、好ましくはmm又はrr三つ組部分は３０モル未満、２０モル未満である、前記プロセス。
【請求項５６】
請求項１乃至５５のいずれか１項のプロセスであり、液状ポリアルファーオレフィン製品は５０モル％以上のmr三つ組みを持つ、前記プロセス。
【請求項５７】
請求項１乃至５６のいずれか１項のプロセスであり、液状ポリアルファーオレフィン製品はＤＳＣにより測定され得る融点を持たない、前記プロセス。
【請求項５８】
請求項１乃至５７のいずれか１項のプロセスであり、１，２、２置換オレフィンがポリアルファーオレフィン製品中にＺモル未満で存在し、Z = 8.420*Log(V) - 4.048、式中V は100℃で測定したcStで表したポリアルファーオレフィンの動粘度であり、Ｚは好ましくは7モル%以下, 好ましくは5モル%以下である、前記プロセス。
【請求項５９】
請求項１乃至５８のいずれか１項のプロセスであり、前記アルファーオレフィンは以下の式で表わされる単位がＺ‐モル％未満であり、：
【化２】
式中ｊ、ｋ及びｍはそれぞれ独立に3, 4, 5, 6, 7, 8, 9, 10, 11, 12, 13, 14, 15, 16, 17, 18, 19, 20, 21, 又は22, nは1から350の整数、及びZ = 8.420*Log(V)−4.048,
であり、Ｖは100℃で測定したポリアルファーオレフィンのcStによる動粘度である、前記プロセス。
【公表番号】特表２００９−５４３９２８（Ｐ２００９−５４３９２８Ａ）
【公表日】平成２１年１２月１０日（２００９．１２．１０）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００９−５２０７３５（Ｐ２００９−５２０７３５）
【出願日】平成１９年５月８日（２００７．５．８）
【国際出願番号】ＰＣＴ／ＵＳ２００７／０１１０８９
【国際公開番号】ＷＯ２００８／０１０８６５
【国際公開日】平成２０年１月２４日（２００８．１．２４）
【出願人】（５９９１３４６７６）エクソンモービル・ケミカル・パテンツ・インク (301)
【Ｆターム（参考）】
【公表日】平成２１年１２月１０日（２００９．１２．１０）
【国際特許分類】
【出願日】平成１９年５月８日（２００７．５．８）
【国際出願番号】ＰＣＴ／ＵＳ２００７／０１１０８９
【国際公開番号】ＷＯ２００８／０１０８６５
【国際公開日】平成２０年１月２４日（２００８．１．２４）
【出願人】（５９９１３４６７６）エクソンモービル・ケミカル・パテンツ・インク (301)
【Ｆターム（参考）】
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