【課題】 検出精度の高い異物検査システムを提供する。
【解決手段】 コンベヤにより搬送される商品ＭにＸ線照射手段からのＸ線を照射し、前記商品Ｍを透過したＸ線をＸ線検出器に入射させて、前記商品に付着ないし混入している異物Ｄを検出することで合否の判定を行う異物検査システムに関する。前記Ｘ線照射手段２１，３１およびＸ線検出器２２，３２を２組設けると共に、これら２組のＸ線照射手段２１，３１およびＸ線検出器２２，３２を前記コンベヤの搬送方向Ｙに対して交差する平面上に設け、前記２組の光学系２０，３０の光軸Ｓ１，Ｓ１が、搬送方向Ｙの上流から見て互いに交差するように前記２組のＸ線照射手段２１，３１およびＸ線検出器２２，３２を配設する。 （もっと読む）

【課題】試料面が、ある自転軸に直交する同一面上にあることを容易に確認できる技術を提供する。
【解決手段】鏡面の試料面を持った複数の試料を取り付けた複数の試料取り付け窓を有する試料ホルダーを、これら複数の試料取り付け窓が同一の軌跡を持つように回転させて、個々の試料取り付け窓をある配置場所に順次配置し、その配置場所にある試料取り付け窓を自転させて、その試料面を観察し、試料面が自転軸に直交する同一面上にあることを確認する。 （もっと読む）

【課題】内容物の位置ズレを高精度に検出できる分包シート検査システム及び検査方法を提供する。
【解決手段】分包シートの外面に照射光を照射可能な光源と、前記光源から照射された照射光が分包シートの外面で反射された反射光を受けて映像信号を発生させる撮像手段４と、撮像手段４から出力される前記映像信号にエッジ強調処理を行なうことでシール部を強調するとともに、強調されたシール部において、分包シートの外端からポケット部とシール部との境界までの距離をシール長を計測するシール長計測装置６と、分包シートに照射するＸ線を照射可能なＸ線源７と、このＸ線照射に伴うＸ線透過量を検出するＸ線検出器８と、シール長の情報を入力してポケット部の位置と適合する検査領域を設定し、Ｘ線検出器８で検出されたＸ線透過量に基づいて、検査領域における内容物を検査する判定手段９とを備えたことを特徴とする。 （もっと読む）

【解決手段】プリアンプ信号のエッジを検出する方法は、プリアンプ信号の第１部分を特定する工程であって、第１部分の各部が第１極性を有する瞬間の傾きを有する工程と、第１部分の直後に続く第２部分を特定する工程であって、第２部分の各部が逆の第２極性を有する瞬間の傾きを有する工程と、、第２部分の直後に続く第３部分を特定する工程であって、第３部分の各部が第１極性を有する瞬間の傾きを有する工程とを含む。その方法は、更に、第２部分の終点と始点の強度の間の第１差を特定する工程と、第３部分の終点の強度と第１部分の始点の強度の間の第２差を特定する工程と、（i）第１差が閾値を超え（ii）第２差が閾値のある割合を超えるとき、エッジを検出する。 （もっと読む）

【課題】本発明は厚い窓材を有する撮像窓を備える分析室内の試料に対して、分析室外から分析対象位置を鮮明に撮像できるようにして、分析位置の特定ができなかった試料の分析を可能にするＸ線分析装置を提供する。
【解決手段】窓材４１を有する撮像窓４０を備える分析室２内でＸ線を試料Ｓに照射して分析を行うＸ線分析装置であって、窓材４１を透過させて試料Ｓを照明する試料照明手段７と、試料Ｓを分析室２の外部から撮像する撮像手段８であって、撮像部８１とフード８２を有し、試料照明手段７からの照射光が、窓材の裏面４１ｂで反射光となって撮像部８１内に入射しないように形成されている撮像手段８とを有し、試料照明手段７がフードを取り囲むように配置され、フードの窓近位部８２ｂの端部が撮像窓４０に近接しているＸ線分析装置。 （もっと読む）

【課題】検出された欠陥からシステマティック欠陥を分別する。
【解決手段】欠陥分類定義部２２１は、被検査デバイスにそのとき形成されているレイヤおよびその上層または下層に形成されたレイヤに対応するレイアウト設計データを用いて、被検査デバイスの表面に欠陥を分類する領域を定義する。欠陥分類処理部２２２は、欠陥レビュー装置１０で取得された欠陥からサンプリングしたサンプリング欠陥データ１３３（２３３）について、その欠陥の位置が前記定義された領域のどの領域に含まれるかによって、欠陥を分類する。欠陥集計部２２３は、その分類された欠陥を集計し、各領域の欠陥密度を求め、ある領域の欠陥密度が他の領域の欠陥密度の平均値よりも有意差以上に大きい場合には、システマティック欠陥判定部２２４は、その領域の欠陥をシステマティック欠陥と判定する。 （もっと読む）

【課題】本発明は蛍光Ｘ線分析装置のＥＤＳヘッド保護方法及び保護機構に関し、最適なＸ線強度を得ることができる蛍光Ｘ線分析装置のＥＤＳヘッド保護方法及び保護機構を提供することを目的としている。
【解決手段】蛍光Ｘ線分析装置で、試料上の測定点での位置を測定する位置検出器と、試料上の測定点の試料の高さを測定するラインセンサ３と、前記位置検出器で検出した試料上の位置座標と前記ラインセンサ３で測定した試料の高さを記録するメモリ１４と、該メモリ１４に記憶されている位置座標と試料の高さに基づき、ＥＤＳヘッド２の高さを制御する高さ制御手段１３と、を有して構成される。 （もっと読む）

【課題】試料１０の位置ずれを高い信頼性で検出可能な蛍光Ｘ線分析装置を提供する。
【解決手段】試料１０を載置するステージ２２と、このステージ２２を収納し、開閉可能なカバーが設けられた筐体を有し、試料１０にＸ線を照射して、試料１０からの蛍光Ｘ線を検出することにより測定を行う測定装置２と、カバーを開けた状態で試料１０をステージ２２上に載置した後であってカバーを閉める前後に、試料１０の同一箇所の画像をそれぞれ撮像し第１及び第２の画像データをそれぞれ取得する撮像装置３と、第１及び第２の画像データを用いて試料１０の位置ずれを検出する位置ずれ検出部１３と、位置ずれを通知する通知部１４とを備える。 （もっと読む）

【課題】固液界面の注目対象である特定元素(イオン)の構造もしくはその周辺の局所構造を容易に解析することができる評価方法と評価装置を提供する。
【解決手段】注目対象が含有される液体試料Sに対して、注目対象（Ｘ線の吸収原子）とは異なる材料からなる電極4を接触させる。この電極界面の液体試料SにＸ線エネルギーを変えながらＸ線を照射し、電極4近傍の注目対象にＸ線を吸収させて注目対象から電子を放出させ、その電子の放出に伴って電極4に生じる電気量を測定する。このＸ線エネルギーと電気量との関係から電極界面における注目対象またはその周囲の構造情報を解析する。 （もっと読む）

【課題】装置の簡略化および小型化を図ることができるイオンビーム分析装置を提供すること。
【解決手段】試料８にイオンビーム７を照射して、前記試料８から放射される放射エネルギーを検出するイオンビーム照射装置１であって、基端部から先端部に向かって先細となるように形成されて、その内周面側に到達した前記イオンビーム７を集光させるキャピラリー５と、前記キャピラリー５の外周面側および先端側を取り囲むとともに、前記試料８と当接させられる先端が、前記キャピラリー５の先端から前記試料８の側に向かって所定距離Ｌ離間するように構成されたキャピラリーガイド６とを備えている。 （もっと読む）

【課題】集束イオンビームを利用した不純物同定、元素分析、組成、結晶性、表面界面状態をナノメートルオーダーの微小領域で分析可能とする。
【解決手段】３次元可視化する方法として、10ｎｍ以下に集束した中エネルギー１００〜４００ｋｅＶのイオンを試料に走査照射し、ラザフォード後方散乱されるイオンの飛行時間計測を、２次電子イオンをスタート信号として検出することにより求め、各照射位置に対応したＴＯＦ−ＲＢＳデータをナノメートル分解能で取得し、時間エネルギー変換により３次元可視化を可能とする。 （もっと読む）

【課題】コンクリート構造物におけるコンクリート劣化が表面化していない早期の段階で、該構造物の劣化の危険性を予測することが可能なコンクリート劣化の診断システムを提供する。
【解決手段】コンクリート構造物及びその周辺の環境調査を行い対象とするコンクリート構造物の構造や立地条件を把握してコンクリートにおける劣化因子の抽出と劣化発生箇所の予測をし、該箇所のコンクリート表面について簡易な劣化の予兆検査を行い、予兆のあった箇所から採取したサンプルについて機器分析により精密な劣化診断をし、診断結果から劣化の予測を行う。 （もっと読む）

【課題】ノッチ形状誤差等によるノッチ位置決め誤差が補正でき、半径方向結晶方位の測定の精度が高い結晶方位測定装置を提供する。
【解決手段】円筒状結晶２をその円筒軸に対し回転させる回転部１１と、円筒状結晶２を回転し、円筒状結晶２の周側面に設けられたノッチ２ａを基準に円筒状結晶２を位置決めする位置決め部１２と、円筒状結晶２が位置決めされると、回転軸に対するノッチ２の位置を測定するノッチ測定部１２と、周側面にＸ線を照射して半径方向の結晶方位を測定する結晶方位測定部１３と、結晶方位測定部１３で測定した結晶方位をノッチ測定部１２で測定したノッチの位置で補正して半径方向の結晶方位を求める補正部１４２とを備える。 （もっと読む）

【課題】導体ウェハ収納容器内の付着物を十分に回収することができ、かつ気泡の影響を受けずに高精度に半導体ウェハ収納パーティクルの測定を行うことのできる半導体ウェハ収納容器の清浄度評価方法の提供。
【解決手段】半導体ウェハ収納容器の清浄度評価方法は、半導体ウェハ収納容器内に液体を注入して前記半導体ウェハ収納容器を撹拌し、容器内付着物を液体中に回収する手順Ｓ３と、付着物が回収された回収液体中に最終洗浄を行った半導体ウェハを浸漬する手順Ｓ４と、浸漬された半導体ウェハの表面を上向きにして一定時間静置し、前記回収液体中の付着物を前記半導体ウェハ表面に転写させる手順Ｓ５と、前記付着物が転写された半導体ウェハを乾燥させる手順Ｓ６と、乾燥した半導体ウェハ表面の前記付着物を、ウェハ用パーティクル測定装置にて測定する手順Ｓ７とを実施する。 （もっと読む）

【課題】複雑な形状の検査対象について正確に欠陥検出を行うことができなかった。
【解決手段】放射線を検査対象に照射し、前記検査対象を透過した放射線の強度に対応した透過放射線画像を取得し、基準の検査対象を撮影したときの透過放射線の強度が所定の強度になるようにオフセットを与えるための補正画像データを取得し、前記補正画像データによって前記透過放射線画像を補正した結果に基づいて、前記検査対象に欠陥が含まれるか否かを判定する。 （もっと読む）

【課題】 電子プローブマイクロアナライザを用いる地質年代測定と年代マップの表示を効率よく行う。
【解決手段】 （ａ）の分析領域Ｒに設定されているグリッド状の分析点（白丸で示す）と（ｂ）の分析領域に対応した反射電子像（原子番号の高い部分を黒く表示）の位置を対応させた状態が（ｃ）である。（ｄ）の棒グラフは、（ｃ）の直線Ｌ上に位置する分析点Ｌ１〜Ｌ１２における反射電子強度を表す。閾値Ｈ以上の反射電子強度を持つ分析点のみを測定対象とすると、（ｅ）中のＲ１〜Ｒ３は反射電子強度が閾値Ｈ以上の条件を満たす測定対象領域である。 （もっと読む）

【課題】面分析における定量分析の精度を向上させる方法を提供する。
【解決手段】試料表面上に点分析位置と点分析位置を含むように面分析領域を指定し、点分析位置に一次エネルギー線を照射して発生した二次エネルギー線に基づいて点分析におけるピーク強度とバックグランド強度を取得し、面分析領域内を一次エネルギーで走査して発生した二次エネルギー線に基づいて面分析におけるピーク強度とバックグランド強度を取得し、次に、点分析におけるピーク強度とバックグランド強度から原子濃度を求め、面分析におけるピーク強度とバックグランド強度の内で点分析位置に対応した位置に存在する元素に対応したピーク強度とバックグランド強度と、求めた原子濃度から元素に対応した相対感度係数値を求め、この相対感度係数と面分析におけるピーク強度とバックグランド強度とに基づいて面分析領域の定量計算を行う。 （もっと読む）

【課題】
絶縁性の高い試料を帯電することなく、また、汚染無く測定できる前処理法を提供する。
【解決手段】
絶縁性の高い分析対象試料に電離放射線やイオンビーム等のエネルギーを照射し、前記試料から放出される二次電子や二次イオン等のエネルギーを導いて前記試料表面を分析する表面分析方法において、前記絶縁性の高い分析対象試料上に導電性薄膜をメッシュ状に形成し、前記導電性薄膜が形成されていない前記試料上に前記電離放射線やイオンビーム等のエネルギーを照射することを特徴とする表面分析方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】高強度化、高導電率化とともに、優れた曲げ加工性を兼備した銅合金を提供することを目的とする。
【解決手段】強度と導電率とのバランスからＮｉ、Ｓｉ、Ｔｉを各々特定量含有する銅合金組織の、５０〜２００ｎｍの特定サイズの析出物の数密度を保証した上で、この範囲のサイズの析出物に含まれるＴｉの平均原子濃度を一定範囲に制御して、一定量のＴｉ含有析出物を存在させ、このＴｉ含有析出物による結晶粒成長抑制のピン止め効果によって、平均結晶粒径を２０μm 以下に微細化させ、前記銅合金に高強度、高導電率および曲げ加工性を兼備させる。 （もっと読む）

【課題】 Ｘ線レンズを用いて集光したＸ線を試料に照射するとき、試料の集光Ｘ線の焦点の周辺部に生じるハロー成分のＸ線が生じ、これにより微小領域での分析の精度が問題となっていた。
【解決手段】Ｘ線レンズ２と試料Ｓの間に、Ｘ線レンズからのＸ線を形状を制御するために開口部を備え、Ｘレンズ側よりも試料側の開口が小さくなっている先細りの形状を有するコリメータ３を設置した。 （もっと読む）