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Fターム[2G001DA09]の内容

放射線を利用した材料分析 (46,695) | 検出器関連言及 (3,003) | プリセッション(数、種類) (1,477) | 2次元以上 (782)

Fターム[2G001DA09]に分類される特許

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【課題】複数のエネルギー帯のX線を用いて測定対象の成分を計測できるとともに、測定対象に応じて識別すべきエネルギー帯を容易に変更できるX線成分計測装置を提供する。
【解決手段】X線発生器10から照射されたX線は、計測対象30を透過して、X線検出器20に入射する。X線検出器20は、量子計数方式の検出器であって、予め設定された2個以上のしきい値で区切られたエネルギー帯のX線量子数を計数する。X線検出器20により計数されたX線量子数に基づいて3種類以上の成分比を算出することができる。しきい値は、測定対象に応じて変更でき、しきい値を3個以上にとると、4種類以上の成分比を算出することができる。 (もっと読む)


【課題】従来のエリアディテクタ方式の3軸応力測定法の問題点を解決し、より精度の高い測定方法を提供すること。
【解決手段】被検物にX線を照射して得られる回折環に基いて3軸応力を測定する方法である。第一の態様では、4つの入射方向(φ0 = 0°、90°、180°、270°)にてX線を斜めに照射して各々回折環を得、φ0 =(0°、180°)では(σx −σz )、τyzを求め、φ0 =(90°、270°)では(σy−σz )、τxz を求め、これらの回折環からτxyσz を求め、もって6個の3軸応力成分を得る。第二の態様では、垂直入射と2つの斜め入射φ0 =(0°、90°)によって回折環を得、垂直入射ではτxz、τyz を、φ0 = 0°では(σx−σz )、τxy を、φ0 = 90°では(σy −σz )、τxy を求め、これらの回折環からσz を求め、もって6個の3軸応力成分を得る。 (もっと読む)


【課題】従来に比べて分解能をより一層向上させることができる荷電粒子顕微鏡及び解析方法を提供する。
【解決手段】試料20内で広がった電子線プローブをCCDカメラ23で撮影し、電子線プローブ(実効的プローブ)の形状、大きさ及び強度分布のデータを取得する。その後、CCDカメラ23を電子線の通過域から退避させ、STEM検出器22により観察像を取得するとともに、EELS検出器24によりEELSスペクトルを取得する。次いで、電子線プローブ(実効的プローブ)の形状、大きさ及び強度分布のデータを使用し、分析目的位置毎に分析目的位置に照射される電子線量(強度)とその周囲に照射される電子線量とを演算し、その結果に基づいてSTEM検出器22又はEELS検出器24により得た測定値を演算処理して、周囲の影響を排除した真の測定値を得る。 (もっと読む)


【課題】 特許文献1に記載された手法と比較して、検出器の画素サイズに対しX線の移動量検出範囲が十分に取れるX線撮像装置等を提供する。
【解決手段】 本発明のX線撮像装置は、X線を空間的に線状に分割する分割素子を有する。また、分割素子により分割され、被検知物により位置が変化したX線の一部を遮蔽する遮蔽手段を有する。この遮蔽手段は、X線を透過する領域とX線を遮蔽する遮蔽素子を備えた領域とを有する。X線を透過する領域と遮蔽素子を備えた領域との境界線が前記線状に分割されたX線を横切るように斜めに配されて構成されている。 (もっと読む)


【課題】 結晶方位の解析方法において、方位測定誤差を吸収できるとともに、測定点数の増加を招来しない効率の良いデータ処理方法を提供する。
【解決手段】 電子後方散乱回折により所定距離間隔の格子状測定点を測定した結晶方位データを、コンピュータによってデータ処理する結晶方位の解析方法であって、前記結晶方位データを用いて隣り合う測定点の方位差を演算し、得られた方位差を予め定められた閾値と比較することにより結晶粒界を求めるステップと、同一結晶粒内の前記結晶方位データを用いて、同一結晶粒内の各測定点について、各測定点の周囲の所定範囲内にある測定点との結晶方位データの平均を算出することにより、平均化された結晶方位データを求めるステップと、同一結晶粒内の前記平均化された結晶方位データを用いて、同一結晶粒内の方位差を演算するステップと、を含む。 (もっと読む)


【課題】 異物起因のコントラストのみを明確に判別して過検出及び誤検出を防ぐこと。
【解決手段】 測定試料に含まれる一つの元素のX線吸収端より低く、かつ、検出元素のX線吸収端より高いエネルギーの特性X線を試料に照射するX線管球11と、X線が試料を透過した際の透過X線を検出するX線検出器13と、透過X線の透過像からコントラスト像を得る演算部15と、を備えたX線透過装置及びX線透過方法とする。 (もっと読む)


【課題】既知の反射特性を有する第1層と、第1層上に形成された第2層を有するサンプルの検査方法を提供する。
【解決手段】本方法は、サンプル表面へ放射線を向けること、表面に対する仰角の関数として反射信号を生成するためにその表面で反射された放射線を検知することを含む。第1層からの放射線の反射による特徴は反射信号で同定される。同定された特徴と第1層の既知の反射特性とに対応して反射信号が較正される。その較正された反射信号は第2層の特性を決定するために分析される。他方で、向上された検査方法も同様に開示する。 (もっと読む)


【課題】放射線の線量を少なくでき、簡易な方法でかつ従来と同様な精度の腐食調査が可能な腐食画像を得る方法及び装置を得る。
【解決手段】本発明に係る腐食画像取得方法は、放射線を被検査体に照射して前記被検査体を透過した放射線に基づいて前記被検査体の腐食状態を示す腐食画像を取得する腐食画像取得方法であって、前記被検査体を透過した放射線を検出する検出手段としてフォトンカウンティングセンサを用い、フォトンカウンティングセンサで得られた結果に基づいて腐食画像を形成するようにしたことを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】厚さの薄い被写体のX線画像を、長時間安定して低ノイズで形成することができる低エネルギーX線画像形成装置を提供する
【解決手段】X線源10から20keV未満の低エネルギーX線を被写体100に照射し、透過する低エネルギーX線をガス電子増幅器12で電子に変換して増幅し、電子検出器14で検出してX線画像形成装置16により被写体100の低エネルギーX線画像を形成する。この低エネルギーX線画像は、標準X線画像や可視画像と比較して、あるいは異物による低エネルギーX線の吸収端を検出することにより、印刷インクや金属その他の異物等のノイズを除去する。 (もっと読む)


【課題】本発明は、観察条件に最適な感度ムラ補正の補正係数の設定を自動的に行なうことができる透過型電子顕微鏡用カメラの感度ムラ補正方法及び装置を提供することを目的としている。
【解決手段】試料を透過した透過電子線を入射して透過電子線像を撮影する透過型電子顕微鏡用カメラ24と、透過型電子顕微鏡21の観察条件に合わせてピクセル毎の感度ムラ補正係数を記憶するコンピュータ23と接続された外部記憶装置27と、観察画像を得るに際し、前記透過型電子顕微鏡用カメラ24で撮影されたピクセル毎の画像データに、前記記憶装置27に記憶された感度ムラ補正係数を乗算するコンピュータ内演算手段と、該演算手段により乗算された画像データを表示する表示手段23aとを具備して構成される。 (もっと読む)


CTスキャンは、軸に沿って移動する対象物体のスキャンの最中に回転する軸の周りを回転するよう支持されている、少なくとも1つのX線源及び任意の形状のマルチ列検出器アレイと、を備えており、ここで各検出器のためのデータは、受けたX線エネルギーに応じて生成される。CTスキャンは更に、仮想検出器アレイの曲線上にデータのリサンプリングを実行するよう構成されたデータプロセッサを備えている。曲線は仮想平面検出器の傾斜線上に投影し、データの接線のフィルタリングを可能にする。
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【課題】X線透過画像内に不存在領域やシール領域を特定する処理を不要とすることにより、処理の負荷を軽減できるとともに検査速度及び検査精度を向上することが可能なX線検査装置を得る。
【解決手段】X線検査装置1は、内容物がパッケージ内に封入された物品50を検査するX線検査装置であって、物品50にX線を照射するX線照射部7と、物品50を透過したX線を検出するX線検出部8と、X線検出部8の検出結果に基づいてX線透過画像60を作成する透過画像作成部30と、X線透過画像60に基づいて、パッケージのシール部への内容物の噛み込みを判定する噛み込み判定部31とを備え、噛み込み判定部31は、パッケージの外縁から内容物の外縁までの長さをX線透過画像60に基づいて算出し、該算出された長さに基づいて内容物の噛み込みを判定する。 (もっと読む)


【課題】 異物起因のコントラストのみを明確に判別して過検出及び誤検出を防ぐことができるX線透過検査装置及びX線透過検査方法を提供すること。
【解決手段】 測定対象の元素のX線吸収端より低いエネルギーの第1の特性X線を試料Sに照射する第1のX線管球11と、元素のX線吸収端より高いエネルギーの第2の特性X線を試料Sに照射する第2のX線管球12と、第1の特性X線が試料Sを透過した際の第1の透過X線を受けてその強度を検出する第1のX線検出器13と、第2の特性X線が試料Sを透過した際の第2の透過X線を受けてその強度を検出する第2のX線検出器14と、検出された第1の透過X線の強度の分布を示す第1の透過像と検出された第2の透過X線の強度の分布を示す第2の透過像とを作成し、第1の透過像と第2の透過像との差分からコントラスト像を得る演算部15と、を備えている。 (もっと読む)


【課題】 異物起因のコントラストのみを明確に判別して過検出及び誤検出を防ぐこと。
【解決手段】 測定対象元素のX線吸収端より低いエネルギーの第1の特性X線を試料Sに照射する第1のX線管球11と、元素のX線吸収端より高いエネルギーの第2の特性X線を試料に照射する第2のX線管球12と、第1の特性X線及び第2の特性X線が試料を透過した際の第1の透過X線及び第2の透過X線を検出する第1のX線検出器13及び第2のX線検出器14と、第1の透過X線の第1の透過像と第2の透過X線の第2の透過像との差分からコントラスト像を得る演算部15と、を備え、試料と第1のX線管球との間に第1の特性X線よりも高いエネルギーのX線吸収端を有する元素の第1のフィルタF1を配すると共に、試料と第2のX線管球との間に第2の特性X線よりも高いエネルギーのX線吸収端を有する元素の第2のフィルタF2を配する。 (もっと読む)


【課題】肉厚と比較して小さな欠陥を検出しようとした場合、検査対象としての金属材を透過する際の放射線の散乱の影響等によって変化する透過放射線量(ノイズ)と、欠陥に起因して変化する透過放射線量との比が小さくなってしまい、ノイズを欠陥として過剰検出してしまっていた。
【解決手段】放射線を検査対象に照射し、フォトンエネルギーの異なる放射線を照射して複数の放射線透過画像を取得し、これら複数の放射線透過画像に基づいて欠陥検出画像を生成し、欠陥検出画像に基づいて検査対象に欠陥が含まれるか否かを判定すると共に良否を判定する。 (もっと読む)


【課題】小型・高密度化するパワーモジュールのような機器内部の絶縁欠陥発生箇所の詳細な位置検出および欠陥状態の判別をすることで欠陥発生要因の特定を行うことのできる被測定物の欠陥検出装置と方法を提供する。
【解決手段】被測定物に対して試験電圧を印加し、ビーム状のX線を照射して部分放電を測定して欠陥位置を検出する際に、照射範囲の透過画像を観測できるようにし、全体透過画像と対応させてX線照射位置を確認することで、照射位置を正確に制御することができ、欠陥検出時に欠陥を可視化することで、欠陥の正確な位置を特定することができる。さらに、部分放電波形の測定による欠陥状態の判別結果と合わせて、欠陥発生要因を特定する。 (もっと読む)


【課題】肉厚と比較して小さな欠陥を検出しようとした場合、検査対象としての金属材の材料の粗密に起因して変化する透過放射線量(ノイズ)と、欠陥に起因して変化する透過放射線量との比が小さくなってしまい、ノイズを欠陥として過剰検出してしまっていた。
【解決手段】放射線を検査対象に照射し、検査対象と放射線の照射範囲との相対位置関係を変更してそれぞれ異なる位置で放射線透過画像を取得し、これら複数の放射線透過画像が取得された各位置および該複数の放射線透過画像に基づいて欠陥検出画像を生成し、欠陥検出画像に基づいて検査対象に欠陥が含まれるか否かを判定すると共に良否を判定する。 (もっと読む)


【課題】X線イメージングにおける解像度を改善する技術を提供すること。
【解決手段】X線撮像装置1は、スピン固定層11と、非磁性中間層12と、スピンフリー層13とが積層されたスピン注入磁化反転素子6を画素として備え、2次元アレイ上に設けられた複数の画素と、上部電極9と、下部電極8とを有して、スピンフリー層13側から単色円偏光X線ビームを受光する受光画素部2と、磁化反転させるスピン注入磁化反転素子6を選択すると共に、受光画素部2の受光面に亘って画素を走査する画素選択手段と、上部電極9および下部電極8を介してスピン注入磁化反転素子6に流れる電流の方向とその大きさを制御して、スピンフリー層13にスピン注入することで、スピンフリー層13の磁化方向を反転させる磁化反転電流注入手段と、選択されたスピン注入磁化反転素子6がX線を吸収することによって発生する電流の値を検出する信号電流検出処理部4とを備える。 (もっと読む)


【課題】 電子線を使う半導体検査装置のスループットを向上する。
【解決手段】
電子線を試料に向けて照射する電子源14・6と、該試料を保持する試料ステージ14・22と、該電子ビームの試料へ向けた照射によって該試料の表面の情報を得た電子を検出する検出器14・4と、該検出器14・4に検出された電子に基づいて試料表面の画像を生成する画像処理ユニット14・5と、電子源14・6から試料ステージ14・22への1次電子光学系と試料ステージ14・22から検出器14・4への2次電子光学系を分離するウィーンフィルタ14・3と、を備え、電子銃14・6から放出された電子線はウィーンフィルタ14・3においてクロスオーバを形成すると共に、試料表面から放出された放出電子はウィーンフィルタ14・3においてクロスオーバを形成し、1次電子光学系と2次電子光学系のクロスオーバの位置は、ウィーンフィルタ14・3上で異なっている。 (もっと読む)


【課題】高い空間分解能と高い時間分解能と簡便なモニタリングとを兼ね備えた走査型リアルタイム顕微システムを実現する。
【解決手段】走査型リアルタイム顕微システム10aは、X線ビームを照射する光源3と、光源3から照射されたX線ビームを集光するゾーンプレート1と、X線ビームを集光するゾーンプレート1を動かす駆動機構2とを備え、駆動機構2は、ゾーンプレート1に入射するX線ビームの進行方向に垂直な方向の周りにゾーンプレート1を回動させる。 (もっと読む)


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