【課題】
虚報を多発させることなく、システマティック欠陥を検出する半導体パターン検査装置を提供する。
【解決手段】
検査対象パターンを撮像して得た画像から抽出した特徴量と設計データから生成した設計データ画像から抽出した検査対象パターンを撮像して得た画像に対応する箇所の特徴量と検査対象パターンを撮像して得た画像と設計データ画像とを用いて作成した教示データの情報を用いて虚報と欠陥とを識別するための識別境界を算出し、検査対象パターンの検査領域を撮像して得た画像から検査対象パターンの検査領域の画像特徴量を算出し、検査対象パターンの検査領域に対応する設計データから設計データ画像を作成してこの作成した設計データ画像の特徴量を算出し、算出した検査対象パターンの検査領域の画像特徴量と設計データ画像の特徴量と識別境界とに基づいて検査対象パターンの検査領域内の欠陥を検出するようにした。 （もっと読む）

【課題】計算機式断層写真法（ＣＴ）システムの全体費用を低減しつつＣＴ撮像での投与線量低減を行なう。
【解決手段】ボウタイ・フィルタ２９は、検出器アレイ１８のアイソチャネル１２４を通過するＸ線１２０を減弱させる第一のＸ線濾波領域１０２と、アイソチャネル１２４からチャネル方向１３０に中心を外れて位置する検出器アレイ１８のチャネルを通過するＸ線１１２を減弱させる第二のＸ線濾波領域１０４と、アイソチャネル１２４からチャネル方向１３０に中心を外れて位置する検出器アレイ１８のチャネルを通過するＸ線１１２を減弱させるように配置自在なＸ線減弱材料１１０とを含んでいる。 （もっと読む）

【課題】実際の実環境において部材に発生した損傷部について、正確且つ簡略に損傷の原因を検査可能な検査方法を提供すること。
【解決手段】部材（１０）に発生した損傷部（１１）を被覆するように樹脂材料（１２）を塗布する保護工程と、前記損傷部（１１）を切り出すサンプリング工程と、前記樹脂材料（１２）が形成された状態で前記損傷部（１１）の分析を行う検査工程とを設ける。また、前記保護工程は、前記サンプリング工程の前に行うことができる。 （もっと読む）

【課題】 位相シフト法より少ない周期パターンからでも、窓フーリエ変換法より正確に波面情報を算出することが可能な波面測定方法、プログラムとそれを用いた波面測定装置とＸ線撮像装置を提供すること。
【解決手段】 波面測定装置は、光源からの光で光周期パターンを形成する光学素子１４０，１５０と、光学素子からの光を検出する複数の画素を有する検出器１６０と、検出器の検出結果に基づいて被検体を透過した光の波面の複数の位置における波面情報を算出する算出手段１７０と、を備え、被検体の情報を取得する。算出手段は、第１の光周期パターンの検出時に第１の画素が検出した検出結果と、第１の光周期パターン検出時に第１の画素から３画素以内に配置されている第２の画素が検出した検出結果と、第２の光周期パターンの検出時に第１の画素が検出した検出結果と、を用いて、１つの位置における波面情報を算出する。 （もっと読む）

【課題】任意の撮影条件を容易に設定変更し、各々の撮影条件での補正用のパラメータをそれぞれ算出することができる放射線撮影装置および断層画像補正方法を提供することを目的とする。
【解決手段】ステージ２に校正用ファントムＰｈを埋め込むことで、当該校正用ファントムＰｈを搭載可能にステージ２を構成する。撮影条件を変更したとしても、放射線撮影時に対象物および校正用ファントムＰｈを同時にステージ２に載置することができる。したがって、撮影条件を変更する毎に校正用ファントムＰｈを設置し直すという従来のような煩わしさを解消することができ、任意の撮影条件を容易に設定変更し、各々の撮影条件での補正用のパラメータをそれぞれ算出することができる。 （もっと読む）

【課題】樹脂片における、臭素の含有有無の評価をより容易に行なえる選別装置および製造方法を提供する。
【解決手段】当該選別装置は、加速電圧が４０ｋＶ以上６０ｋＶ以下の電子ビームにより連続Ｘ線６を照射するＸ線源１と、厚みが５０ｎｍ以上１００ｎｍ以下であるモリブデンで形成されたフィルター１４と、フィルター１４および樹脂片２を透過したＸ線を検出するＸ線検出器と、Ｘ線検出器の検出データに基づいて樹脂片２を選別する制御部とを備える。制御部は、フィルター１４を透過したＸ線について、臭素を含まない、樹脂片２と同一の樹脂にて形成された試験片にＸ線を照射したときのＸ線の透過強度のデータがあらかじめ記憶される記憶部と、フィルター１４および樹脂片２を透過したＸ線の透過強度を上記データと比較することにより、樹脂片２を選別する演算部とを含む。 （もっと読む）

【課題】モアレのビジビリティ低下を抑制することができ、高画質な位相像や微分位相像を取得することが可能となるトモシンセシス撮像装置及びトモシンセシス画像の撮像方法を提供する。
【解決手段】被検査物内部の奥行き情報を取得するトモシンセシス撮像装置であって、
遮蔽格子は、透過部と遮蔽部とが周期的に配列され、これらの周期が互いに異なる周期を有する、少なくとも２つの部分遮蔽格子の積層によって構成され、
２つの部分遮蔽格子を周期の方向に移動させ、積層による部分遮蔽格子間の各遮蔽部の重なり状態を制御する制御手段を備え、
電磁波源の回転による電磁波源の入射方向に応じて、制御手段により各遮蔽部の重なり状態を制御し、
電磁波源から出射され遮蔽格子の透過部を透過する電磁波が、各遮蔽部による遮蔽を抑制する。 （もっと読む）

【課題】重い原子及び軽い原子を同時に観察可能な電子顕微鏡像を生成する画像処理の方法を提供する。
【解決手段】方法は、走査透過型電子顕微鏡により試料を撮像した暗視野像であって、走査透過型電子顕微鏡の光軸からの第１角度と、第１角度よりも大きい第２角度との間に散乱した電子を検出して得られた暗視野像を取得し、この暗視野像と共に撮像された明視野像であって、第１角度よりも小さい第３角度以内に散乱した電子を検出して得られた明視野像を取得し、暗視野像の明暗を反転して反転像を生成し、反転像の各画素の輝度と、反転像の各画素に対応する明視野像の画素の輝度との差を、各画素の輝度とする差分像を生成する。 （もっと読む）

【課題】環境制御型透過型電子顕微鏡（ETEM）において、活性雰囲気下でサンプルを評価研究する際に、発生するサンプルのドリフトが取得画像の解像度の制限因子とならないようにする。
【解決手段】ドリフトを避けるため、または抑制するため、サンプルを所望の温度で不活性ガスに暴露し、その後不活性ガスを活性ガスに置換する。光、X線、または走査型プローブ顕微鏡に適用できる。 （もっと読む）

【課題】測定試料およびＸ線照射装置の姿勢を制御する駆動機構を有さず、測定可能な試料の大きさや形状に特段の制約がなく、測定面上に標準試料を安定して固定することができ、かつＸ線回折測定を行う際にＸ線の漏洩が防止されたＸ線回折装置を提供する。
【解決手段】本発明に係るＸ線回折装置は、Ｘ線照射装置と二次元Ｘ線検出器とを有し前記二次元Ｘ線検出器よりも大きい測定対象物に対してＸ線回折測定を行うＸ線回折装置であって、前記二次元Ｘ線検出器は平板状に設置されており、前記Ｘ線照射装置は前記二次元Ｘ線検出器を貫通するように配設され、前記二次元Ｘ線検出器と前記Ｘ線照射装置とが一体に固定され、前記Ｘ線照射装置の姿勢を規定しかつＸ線の漏洩を防止するための筒状シールド部材が前記二次元Ｘ線検出器の周縁に配設されており、前記測定対象物の表面に前記Ｘ線回折測定に用いる標準試料粉末を付着させ固定する付着固定機構を具備することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】未知の組成/幾何学形状を含む試料での用途に適し、かつ、測定データの自動デコンボリューション及び表面下の像の自動生成を可能にする荷電粒子顕微鏡による可視化法を提供する。
【解決手段】複数(N)の測定期間中に荷電粒子のプローブビームを試料の表面に照射する手順であって、各測定期間は、対応するビームパラメータ(P)の値を有し、値は、ある範囲から選ばれて、かつ異なる測定期間の間で異なる。各測定期間中に試料によって放出される誘導放射線を検出する手順、測定量(M)と各測定期間とを関連付ける手順、各測定期間での測定量(M)の値を記録することで、データ対{P_n,M_n}（1≦n≦N）からなるデータ組(S)をまとめることを可能にする手順を有する。データ組(S)を自動的に処理するのに数学的手法が用いられる。 （もっと読む）

【課題】試料の透過Ｘ線像をＴＤＩセンサで検出する際に、ＴＤＩセンサの積算段数を容易かつ広い範囲で調整することができる透過Ｘ線分析装置及び方法を提供する。
【解決手段】所定の走査方向Ｌに相対移動する試料１００の透過Ｘ線像を検出する透過Ｘ線分析装置であって、透過Ｘ線像に由来する画像を光電変換して生じる電荷を読み出す撮像素子を２次元状に複数個備えた時間遅延積分方式のＴＤＩセンサ１４であって、走査方向に垂直な方向に撮像素子が並ぶラインセンサ１４ａ〜１４ｈを走査方向に複数段並べ、１つのラインセンサに蓄積された電荷を隣接する次のラインセンサへ転送するＴＤＩセンサと、ＴＤＩセンサと試料との間に配置され、走査方向に進退してＴＤＩセンサに入射される画像の一部を遮蔽する遮蔽手段２１と、所定の段数のラインセンサを遮蔽するように遮蔽手段の位置を制御する遮蔽手段位置制御手段と、を備えている。 （もっと読む）

【課題】試料の各部ごとの材料特性情報を容易に、直感的に、しかも正確に知ることができるＸ線応力測定装置を提供する。
【解決手段】試料Ｓの光学画像を撮像するカメラ７と、その光学画像を表示するディスプレイ１７と、ディスプレイ１７の画面上の位置を入力できる入力装置１８と、Ｘ線を発生するＸ線源１１と、試料Ｓを移動させるテーブル４と、試料Ｓから出たＸ線Ｒ２を検出するＸ線検出器１２と、入力装置１８によって指示された位置に基づいて試料Ｓの測定位置を決定し、決定された試料Ｓの測定位置に対して測定を行う測定プログラムと、Ｘ線検出器１２の出力信号に基づいて試料Ｓの測定位置における応力を演算する応力演算プログラムと、試料Ｓの光学画像及び測定位置、応力の絶対値、及び応力の方向をディスプレイ１７の同じ画面上に表示させる画像形成プログラム２２とを有するＸ線応力測定装置である。 （もっと読む）

【課題】比較的大きな試料であっても、その試料全域において、金属組織レベルで金属材料の残留応力分布を、簡易的に、精度よく測定する方法を提供する。
【解決手段】金属材料の後方散乱電子回折像から結晶方位分布を取得するステップＳ１と、結晶方位分布から隣接格子点間の格子ひずみを算出するステップＳ２と、結晶方位分布における方位差で示す転位密度から塑性ひずみを算出するステップＳ３と、格子ひずみと塑性ひずみの差分から弾性ひずみを算出するステップＳ４と、金属材料に所定の荷重を負荷して塑性変形させた後、塑性変形後の金属材料について、再度ステップＳ１〜ステップＳ４を実行し、かつ、塑性変形後の金属材料表面の座標変位を測定するステップＳ５と、座標変位から塑性変形前後の座標を対応させて、塑性変形前の残留応力成分と塑性変形後の残留応力成分との差分を求めるステップＳ６とにより金属材料の残留応力を測定する。 （もっと読む）

【課題】 装置を小型化し、かつ、被検知物によるＸ線の吸収効果を考慮した微分位相像または位相像を得ることが可能なＸ線撮像装置およびＸ線撮像方法を提供する。
【解決手段】 Ｘ線を空間的に分割させ、被検知物に透過させた際に生じるＸ線の位置変化量に応じて、Ｘ線の透過量が連続的に変化するような減衰素子を用いる。一方の減衰素子と、この一方の減衰素子とは透過量の増減量が異なるか、または、増減傾向が異なる他方の減衰素子とを用いて透過率を算出する。この透過率を用いて、被検知物の微分位相像等を演算する。 （もっと読む）

【課題】ＦＥＭウェーハを自動測長する場合、測長対象の大きさは登録時と異なっていることが多いだけでなく、測長対象のパターンも崩れていることが多い。このため、測長の可否を自動的に判断することが困難である。
【解決手段】半導体検査システムにおいて、(1) 参照画像から算出される距離画像を利用し、検査画像の輪郭線の位置を特定する処理、(2) 特定された距離画像に対する輪郭線の位置に基づいて欠陥大きさ画像を算出し、当該欠陥大きさ画像から欠陥候補を検出する処理、(3-1) 欠陥候補が検出された場合、検出された欠陥候補の大きさを算出する処理、又は(3-2) 第１及び第２の輪郭線の相違部分を欠陥候補として検出する処理を実行する。 （もっと読む）

【課題】Ｘ線検出器において暗電流などの暗出力や検出感度の変化に即時に対応して補正を行なうことにより検査対象物の検査精度を向上させることができるＸ線検査装置およびＸ線検査装置用コンピュータプログラムを提供する。
【解決手段】Ｘ線検査装置１００は、筐体１０１内に貫通した状態で搬送コンベア１０４を備える。筐体１０１内における搬送コンベア１０４の上方にはＸ線Ｌを照射するＸ線照射器１０５が設けられており、同搬送コンベア１０４の内側にはＸ線照射器１０５に対向した状態でＸ線ラインセンサ１０７が設けられている。また、筐体１０１内の検査対象物ＷＫの搬送経路上におけるＸ線ラインセンサ１０７より上流側には、ワーク検出器１０８が設けられている。Ｘ線検査装置１００の作動を制御するコンピュータ装置１２０は、ワーク検出器１０８が検査対象物ＷＫを検出するごとにＸ線ラインセンサ１０７の暗出力補正および検出感度補正を実行する。 （もっと読む）

【課題】不均一放射照度環境下において検出器ゲイン特性をステッチングおよび線形化する方法を提供する。
【解決手段】不均一放射（平面的なＸ線（光）領域を有する放射源の使用が必要とされない）状況におけるマルチセンサ検出器ゲイン特性のステッチングおよび線形化の手法で、検出器センサの出力信号強度の変換のためのＬＵＴ関数の計算に基づいている。規定されたＬＵＴ関数の適用し、測定精度の範囲内で、同じでかつ線形であるセンサゲイン特性が受信される。ステッチングＬＵＴ関数の計算は、検出器の領域に沿ってゆっくりと変化する不均一Ｘ線（光）を照射し、同じゲイン特性を有する任意の２つの隣接したセンサの応答が、これらのセンサの連結部付近において類似の値を有することを利用する。 （もっと読む）

【課題】割れたりしたガラスびん、キャップやラベルなどが付いているガラスびんなどからガラスの原料であるカレットを製造できるようにするガラスびんの処理方法および処理システムを提供する。
【解決手段】ラベルが付着したり、キャップが付いたままのびん首、アルミや鉄などが混入したりした原料から、ラベルをガラス片を転動流下させながら擦り合わせて剥離させ、キャップが付いたびん首を原料から除去し、剥離させたラベルを原料から吸引除去し、その上原料に混入しているアルミと鉄をアルミと鉄とガラスとの磁気特性の相違を利用して原料から除去してカレット製造に適する原料とするものである。 （もっと読む）

【課題】絶縁性液体を充填した外囲器内に放射線発生管を備える構成において、装置の小型化、外囲器と放射線発生管との間の耐圧の向上、放射線の減衰量の低減を実現した放射線発生装置及びそれを用いた放射線撮影装置を提供する。
【解決手段】放射線を透過する第一の窓２７を有する外囲器１２と、外囲器１２内に収納され、第一の窓２７と対向する位置に放射線を透過する第二の窓１９を有する放射線発生管１４と、外囲器１２と放射線発生管１４との間に充填された絶縁性液体１３と、を備える放射線発生装置であって、第一の窓２７及びその周縁部と第二の窓１９及びその周縁部との間に、固体の絶縁部材２８が配置されていることを特徴とする放射線発生装置。 （もっと読む）