【課題】 導通体の導通不良の検査において、シンプルで高速で信頼性の高い検査を行えるようにする。
【解決手段】 ３次元Ｘ線ＣＴスキャンにより多層基板における導通体の導通不良を検査するものであって、３次元画像処理用の３次元縮小処理とラベリングの繰り返しを行い、３次元２値画像の導通体がこの導通体のギャップ部によって分裂表示するまでの３次元縮小処理回数から分裂パラメータを計測し、導通体の不良の程度を定量化した。さらに、不良の程度を判断するための２つの補助パラメータ、導通体に存在する穴（欠陥）の体積とギャップ部共通部分幅を計算し、分裂パラメータと組み合わせて解析することで、導通体の不良の判断の信頼性を向上するようにした。 （もっと読む）

【課題】 Ｘ線による異物検査とＸ線によるＸ線遮蔽物のヒビや穴の検査との双方が行えるＸ線検査装置を提供する。
【解決手段】 被検査物２に異物が混入しているか否かを検査する異物検査モードと被検査物２にヒビ又は穴が存在しているか否かを検査するヒビ穴検査モードとの一方の検査モードを操作部１０により設定し、制御部９は該設定された検査モードに基づき搬送装置１、Ｘ線源３、画像処理部６を制御する。 （もっと読む）

短Ｘ線パルスを発生するＸ線装置であって、熱陰極（１２）および陽極（１６）を有するＸ線管（１０）と、Ｘ線パルスを発生するために陽極（１６）に印加される高圧パルスを発生する第１の回路（２２，２０，１８）とを備えたＸ線発生器である。Ｘ線発生器は、Ｘ線放射（３０）の発生には不十分な程度の、Ｘ線管（１０）を余熱する低電圧を陽極（１６）に永続的に印加する第２の回路（２６）を含む。第１の回路は、高圧スイッチ（１８）を介して陽極（１６）に印加され得る高圧コンデンサ（２０）を充電させる高圧電源装置（２２）を有する。第２の回路はマルクス発生器で、永続的に低電圧を発生するとともに、高電圧を発生するマルクス発生器を駆動する電源が１つだけ存在する。このＸ線発生装置は、Ｘ線（３０）によって物体の像を生成する撮像装置（４４，４６）を有する物体検査装置の一部を構成する。
（もっと読む）

【課題】 Ｘ線遮蔽のれんを容易に着脱でき、装着することで検査ボックスの開閉扉を閉めることができ、安全スイッチが作動して検査できるＸ線検査装置を提供する。
【解決手段】 装置前面に設けられた開閉扉８を、支軸８ｂを中心に回転して開ける。スイッチ作動片８ａが差込口１１ｃから離れ、安全スイッチ１１が作動停止する。受枠１２ｃに支持されたＸ線遮蔽のれん１２を手前に引き出すと、係合片１２ａが手前に位置し、可動板１１ａがバネ１１ｄに押されて下がり、差込口１１ｃが下方に下がる。Ｘ線遮蔽のれん１２を取り出し洗浄する。再度、Ｘ線遮蔽のれん１２を受枠１２ｃに入れ奥に押し込むと、係合片１２ａが可動板１１ａを上方に押し上げる。差込口１１ｃの奥に検査ボックス５に取付けられた安全スイッチ１１が現れる。開閉扉８を閉じると、スイッチ作動片８ａが差込口１１ｃに挿入され、安全スイッチ１１が作動する。 （もっと読む）

【課題】 従来よりも高精度に物品の滞留発生を検出することが可能なＸ線検査装置を提供する。
【解決手段】 Ｘ線検査装置１０では、制御コンピュータ２０が、搬入口１１ａ、搬出口１１ｂに配置されたセンサ１７ａ１７ｂ、センサ１８ａ，１８ｂおよびＸ線ラインセンサ１４における商品Ｇの検出タイミングに基づいて、シールドボックス１１内において搬送される商品Ｇの滞留発生の有無を判定する。 （もっと読む）

本発明は、半導体ウェファのようなオブジェクト内の欠陥を分析する方法とデバイスとシステムを提供する。ある実施の形態において、それは半導体製造施設内での製造中に半導体ウェファの欠陥をキャラクタライズする方法を提供する。その方法は以下のようなアクションからなる。半導体ウェファは検査されて欠陥を探し出される。そして、探し出された欠陥に対応する位置が欠陥ファイルに格納される。複式荷電粒子ビームシステムが、欠陥ファイルからの情報を用いて、自動的にその欠陥位置の近傍にナビゲートされる。その欠陥が自動的に特定され、欠陥の荷電粒子ビーム画像が得られる。そして、その荷電粒子ビーム画像は分析され、欠陥をキャラクタライズする。次いで、欠陥の更なる分析のためにレシピが決められる。このレシピが自動的に実行されて、荷電粒子ビームを用いて欠陥部分をカットする。そのカット位置は荷電粒子ビーム画像の分析に基づく。最後に、荷電粒子ビームカットによって露呈された表面が画像化されて、欠陥についての追加の情報を得る。
（もっと読む）

【課題】高速かつ高精度で、パターン欠陥の分類及び定量化を行うパターン欠陥分類方法およびパターン欠陥分類装置を提供する。
【解決手段】マスク（１）の製造に使用された設計データの画像と検査対象マスクの画像とを取得し、検査対象マスクのパターンの位置と検査範囲を設定し（２３）、検査範囲内で設計データ画像に対するマスク画像の面積比を算出し（２４）、検査対象マスクの画像のパターン円形度を算出し（２７）、設計データの画像と検査対象マスクの画像の各パターンの重心座標をそれぞれ算出する（３３）ことによってマスクの欠陥の種類を判断し分類する方法、およびかかる方法を実施する欠陥分類装置。 （もっと読む）

本発明は、充填された容器における、ガラスの破片の様な異物を検査するための装置に関する。上記装置は、搬送面上に於いて一つ一つの容器１０を連続して一列に搬送するための搬送ユニット１６と、Ｘ線２４を予め定められた方向に放射するためのＸ線源１８と、及び上記容器１０を横切った後のＸ線２４を記録するためのユニット２０，２２とからなる。Ｘ線源１８より放射されるＸ線２４の方向は、搬送面に対し１０°〜６０°の間で傾いている。２つのＸ線源１８が、搬送面の上下に夫々備えられ得る。Ｘ線源が上記態様で配置されていることから、Ｘ線の通過する経路は、容器底部の膨らみの最大勾配に対して凡そ接線方向となり、それ故上記装置は、充填された容器１０における異物を検査するのに特に好適なものとなっている。
（もっと読む）

【課題】サブミクロンの空間分解能を実現でき、また、画像数値データを短時間で取得できるＸ線画像再構成装置を提供する。
【解決手段】Ｘ線画像再構成装置においては、被検領域６０に対する可動ブレード５４の回転位置を所定位置に設定し、この可動ブレード５４を全閉位置から全開位置まで所定の標本点間隔ごとに移動させる。コンピュータ側では、被検体で回折されて可動ブレード５４に遮蔽されていない部分を通過したＸ線ビームから得たＸ線強度Ｉを演算し、標本点間隔あたりのＸ線強度Ｉの差分を演算する。この差分が被検体を回折したＸ線画像の強度プロファイルとなる。この処理を可動ブレード５４の回転位置を少なくとも１８０度の範囲内で変化させて行い、この標本点間隔ごとの差分値に基づいて逆投影法を用いることにより、被検体の被検領域６０の画像を再構成する。 （もっと読む）

【課題】ベルト搬送部と検査手段の相互位置関係を一定とし、検査条件を一定化する。
【解決手段】物品検査装置１は、筐体２と、筐体に設けられた検査手段８，９と、少なくともその一部が筐体内に収納されるとともに、筐体から床面４上に引出されて第１の移動案内手段１５で支持される被検査体搬送用のベルト搬送部３とを備える。ベルト搬送部には第２の移動案内手段１６が設けられ、ベルト搬送部を筐体内の正規位置に収納すると、前記筐体の設置面６ａに第２の移動案内手段１６が当接した状態でベルト搬送部が支持されるので、ベルト搬送部と検査手段の相互位置関係が一定化される。 （もっと読む）

【課題】フィルムデジタル化に際して、欠陥概略寸法を一目で判断できる指標を提供する。
【解決手段】放射線透過試験用透過度計および試験体に放射線を照射し、前記放射線透過試験用透過度計および前記試験体を透過した放射線でフィルムを感光し（手順６４）、前記フィルムをスキャナでスキャニングして取得したデジタル画像を放射線透過試験結果判定に用いる放射線透過試験において、フィルムのスキャニング時に、前記フィルムとともに解像力確認チャートを同一画像データとしてスキャニングして（手順６８）デジタル画像データとし、前記解像力確認チャートに印刷加工された寸法の異なる複数のラインペア図によるラインペアに像よりデジタル画像観察時の画像拡大倍率を定め（手順７６）、また、前記解像力確認チャートの４辺に加工された目盛による像をデジタル画像上で試験体とともに観察し、欠陥のおおよその寸法を評価する（手順７８）。 （もっと読む）

【課題】 撮像倍率や分解能を容易に変更できる工業用用途に好適なＸ線ＣＴ装置を提供する。
【解決手段】 Ｘ線を発生させるＸ線源６と、試料Ｓを保持する試料保持台８と、Ｘ線源６から放射され試料Ｓを透過してきたＸ線を検出するＸ線検出器７と、Ｘ線源６およびＸ線検出器７を搭載する撮像系支持手段とを備える。撮像系支持手段は、回転軸Ｏを中心に回転自在である。また、撮像系支持手段は、試料Ｓを挟んでＸ線源６とＸ線検出器７とを対向配置する。さらに、撮像系支持手段は、Ｘ線源６およびＸ線検出器７の一方または双方を、試料Ｓに対して接離する方向へ移動可能である。 （もっと読む）

【課題】本発明の課題は、鋳造品のＸ線ＣＴ測定による鋳巣計測方法で、三次元鋳巣モデルにおける鋳巣の大きさや体積などの計測精度を評価することのできる鋳巣計測方法を提供することである。
【解決手段】Ｘ線ＣＴ画像群における仮想ボクセル空間内に所定の大きさの複数の仮想鋳巣を三次元的に作成し、この仮想鋳巣に基づいて実測により得られた鋳巣の計測精度を評価する。仮想鋳巣は球形と仮定して、基準試料を用いて輝度値テーブルを作成し（Ｓ１）、仮想鋳巣の中心座標からのボクセル座標の距離を求め（Ｓ２）、仮想断面画像を作成し（Ｓ３）、三次元仮想鋳巣モデルを作成し（Ｓ４）、球形の仮想鋳巣を基準として三次元仮想モデルの計測精度を評価する（Ｓ５）。 （もっと読む）

パターンを走査する為の装置および方法。方法は、（ｉ）第１走査路に沿ってパターンと相互作用する等の為に荷電粒子ビームを導くステップと、（ｉｉ）第２走査路に沿ってパターンと相互作用する等の為に荷電粒子ビームを導くステップと、を含む。ビームとの相互作用の結果、パターンは、その特性の一つを変える。第１走査路と第２走査路間の距離は、荷電粒子径より大きくてもよい。第１走査路と第２走査路の各々は、複数の連続したサンプルを含み、第１走査路と第２走査路との間の距離は、隣接したサンプル間の距離より大きくてもよい。走査路の位置は、測定間、特に、測定セッション間で変更してもよい。荷電粒子ビームの横断面は、楕円面でもよい。
（もっと読む）

【課題】コンピューテッドラジオグラフィ（ＣＲ）や平面Ｘ線画像検出器（ＦＰＤ）等のデジタルＸ線画像検出器を用いて、位相コントラストＸ線デジタル画像を得る。
【解決手段】デジタルＸ線画像検出器２の画素サイズが、下記シミュレイション式（１）で表されるＥＢあるいは下記シミュレイション式（２）で表されるＥＰの０．５倍以上３倍以下であることを特徴とする。ＥＢ＝２．３（１＋Ｒ２／Ｒ１）^１／３｛Ｒ２δ（２ｒ）^１／２｝^２／３＋Ｄ×（Ｒ２／Ｒ１）（１）
ＥＰ＝２．３｛Ｒ２δ（２ｒ）^１／２｝^２／３（２）
なお上記式（１）及び式（２）において、Ｒ１はＸ線源５と被写体１を円柱と仮定したときの該円柱の中心までの距離を表し、Ｒ２は被写体を円柱と仮定したときの該円柱の中心からデジタルＸ線画像検出器までの距離を表し、ｒは被写体を円柱と仮定した時の該円柱の半径を表し、δは被写体毎に定まる係数を表し、ＤはＸ線源の焦点サイズを表す。 （もっと読む）

【課題】 送電を停止させることなく、かつ当該電力ケーブルあるいは接続部の絶縁破壊を生じさせることなく、安全かつ確実に内部の欠陥位置の特定を可能にすること。
【解決手段】 電力ケーブルおよび接続部の部分放電測定により得られた図１の放電波形において、部分放電が発生していない電圧波形の位相に合わせて、電力ケーブルおよび接続部に放射線を照射する。そして内部の放射線写真を撮影し、この撮影された画像より電力ケーブルおよび接続部内部の欠陥を検出する。具体的には、電圧位相の一周期をＴ（５０ＨｚならＴ＝０．０２ｓｅｃ）としたとき、０（ｓｅｃ）〜０．１７８Ｔ（ｓｅｃ）、０．３２２Ｔ〜０．６７８Ｔ（ｓｅｃ）、または、０．８２２Ｔ〜１Ｔ（ｓｅｃ）のいずれかの間に放射線を照射する。また、特に劣化の著しいケーブルに対して、上記の電圧位相のうち、第２象限と第４象限に限定して放射線を照射する。 （もっと読む）

【課題】 高分解能であり、経時的に変化する試料の観察が可能な産業用Ｘ線ＣＴ装置を提供する。
【解決手段】 スキャンテーブル６とスキャン機構部７とを備えて産業用Ｘ線ＣＴ装置１を構成する。スキャンテーブル６は、鉛直方向となる回転中心軸１７を有し、試料３を配置するための中空部１６を回転中心軸１７周りに有し、Ｘ線管装置４及びＸ線検出器５を載置するための載置面１５を水平方向に平行に有する。スキャン機構部７は、スキャンテーブル６を回転させるための、駆動モータ、駆動モータの駆動力を伝達する駆動力伝達部材、及び駆動力伝達部材に結合する複合ころ軸受け１９を有する。スキャン機構部７の動作は、計測制御装置１０により制御する。 （もっと読む）

【課題】線幅０．２μｍ以下のパターンの評価を、高いスループット、かつ、高い信頼性を確保しておこなう。
【解決手段】電子銃２から放出された電子線を矩形に成形し、試料Ｓ上の視野を走査し、その走査領域から放出された電子を写像投影光学系で拡大し、その拡大像をシンチレータ５１に結像させ、リレー光学系でＣＣＤに導き、二次元像を得る構成の電子線装置において、前記ＣＣＤには前記二次元像を映像できる面を少なくとも二つ設け、一方の面が拡大像を受像中に他の面から画像データを取り出すことを特徴とする電子線装置。 （もっと読む）

【課題】
フィルタによって生じる不均一性を補正し、良好な３次元像を得ることが可能なＸ線計測装置を提供する。
【解決手段】
検査対象１０８に照射するＸ線を発生するＸ線源１０１と、検査対象１０８に関する計測データを検出するＸ線検出器１０２と、Ｘ線源１０１とＸ線検出器１０２を対向させて保持する保持装置１０３と、検査対象１０８に対するＸ線源１０１およびＸ線検出器１０２の相対位置を変化させる回転装置１０４と、計測データの演算処理を行う制御処理装置１０６とを有し、凹型の円弧と凸型の円弧と直線を組み合わせた断面形状を持つフィルタ１１０をＸ線源１０１と検査対象１０８との間に設置し、回転装置１０４が回転を行う間にＸ線源１０１がＸ線を発生すると共にＸ線検出器１０２が計測データを収集することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】半導体装置や液晶等の基板欠陥検査において、基板全面の電気抵抗および電気容量の分布や傾向を短時間に求めることが可能な検査方法を提供する。
【解決手段】半導体ウエハ等の被検査基板９に荷電粒子ビーム１９を照射して、発生した二次電子や後方散乱電子を検出器２０に取り込み、取り込んだ電子数に比例した信号を発生させ、その信号をもとに検査画像を形成させる。一方で、荷電粒子ビームの電流値および照射エネルギー、被検査基板表面での電場、二次電子および後方散乱電子の放出効率等を考慮し、検査画像と一致させるように電気抵抗や電気容量を決定する。電子ビーム照射による帯電を利用し、正常部と欠陥部の電気抵抗値の差を十分増大させた状態で電位コントラスト像を取得して検査を行い欠陥を検出する。このようにして電気抵抗や電気容量を見積もり、基板製造過程の早期に異常対策処理を講じることで基板不良率を低減して生産性を高められる。 （もっと読む）