【課題】被検査試料の外周部と中心部とで帯電特性が異なることから、被検査試料外周部と中心部とで同等の検査感度を得ることができない。
【解決手段】被検査試料を載置する試料ホルダの外周部に試料カバーを設け、被検査試料の帯電特性にあわせて試料カバーの帯電特性を変更する。これにより、試料外周部と中心部とで均質な帯電状態を形成でき、試料外周部の検査・観察が従来よりも高感度に実現可能となる。 （もっと読む）

【課題】荷電粒子線を高い効率で「水の窓」領域を含む０．６〜６ｎｍの波長領域の軟Ｘ線に変換すること及び荷電粒子線の試料内での拡散範囲を狭く抑えて試料へのダメージを抑制すること。
【解決手段】
本発明の試料支持部材（１１）は、窒化シリコン膜またはカーボン膜の試料支持膜（１１ａ）の一方主面に、電子線照射により０．６〜６．０ｎｍの波長領域の特性Ｘ線を放射する金属膜（１１ｂ）が設けられている。これは、電子線の照射を受けた金属膜（１１ｂ）から軟Ｘ領域の特性Ｘ線を高効率（高強度）で放射させるためであり、このような高強度の特性Ｘ線を試料（１０）に照射させることにより、観察画像のＳＮ比を向上させることができる。また、金属膜（１１ｂ）には、試料支持膜（１１ａ）内での電子の拡散範囲を抑制するという効果もあるため、入射電子線の加速電圧を高めることが可能となり、ＳＮ比の向上のみならず分解能の向上にも効果がある。 （もっと読む）

【課題】位置ずれ補正に要する走査画像の取得回数を１回で済まし、また、ｙ軸方向の位置ずれ補正およびｘ軸方向の位置ずれ補正に要する演算を１回で済まして、位置ずれ補正に要する時間を短縮する。
【解決手段】荷電粒子ビームを試料上で二次元的に走査して走査画像を形成する走査ビーム照射装置において、試料を支持するステージ上に設けたマークと、このマークを含む走査画像を取得する走査画像取得手段と、走査画像取得手段で取得した走査画像に基づいて位置ずれを補正する位置ずれ補正手段とを備え、走査画像取得手段は、同一のマークを走査画像中に含む２つの異なる走査画像を取得し、この２つの走査画像の取得は同じ走査期間内で行う。２つの走査画像は同一のマークを走査画像中に含むため、２つの走査画像中のマークの位置を比較することによって、走査画像間に位置ずれを求めることができる。 （もっと読む）

【課題】試料保持用の膜により覆われた基板の開口部を、光学顕微鏡により効率良く探し出すことのできる試料保持体を提供する。
【解決手段】試料を保持するための膜１０により覆われた開口部２０を有する基板を備え、開口部２０を覆っている膜の部分１０ａに保持された試料のＳＥＭ観察・検査ができるように構成された試料保持体において、該基板上には、開口部２０の位置する方向を識別するためのパターン５０１，５０２が形成されている。 （もっと読む）

【課題】肉厚と比較して小さな欠陥を検出しようとした場合、検査対象としての金属材の材料の粗密に起因して変化する透過放射線量（ノイズ）と、欠陥に起因して変化する透過放射線量との比が小さくなってしまい、ノイズを欠陥として過剰検出してしまっていた。
【解決手段】放射線を検査対象に照射し、検査対象と放射線の照射範囲との相対位置関係を変更してそれぞれ異なる位置で放射線透過画像を取得し、これら複数の放射線透過画像が取得された各位置および該複数の放射線透過画像に基づいて欠陥検出画像を生成し、欠陥検出画像に基づいて検査対象に欠陥が含まれるか否かを判定すると共に良否を判定する。 （もっと読む）

【課題】 電子線を使う半導体検査装置のスループットを向上する。
【解決手段】
電子線を試料に向けて照射する電子源１４・６と、該試料を保持する試料ステージ１４・２２と、該電子ビームの試料へ向けた照射によって該試料の表面の情報を得た電子を検出する検出器１４・４と、該検出器１４・４に検出された電子に基づいて試料表面の画像を生成する画像処理ユニット１４・５と、電子源１４・６から試料ステージ１４・２２への１次電子光学系と試料ステージ１４・２２から検出器１４・４への２次電子光学系を分離するウィーンフィルタ１４・３と、を備え、電子銃１４・６から放出された電子線はウィーンフィルタ１４・３においてクロスオーバを形成すると共に、試料表面から放出された放出電子はウィーンフィルタ１４・３においてクロスオーバを形成し、１次電子光学系と２次電子光学系のクロスオーバの位置は、ウィーンフィルタ１４・３上で異なっている。 （もっと読む）

【課題】試料ホルダの形状や搭載状態を、ステージマップ上に表示できる表面分析装置を提供する。
【解決手段】複数の試料ホルダを搭載可能な試料ステージ１９、試料ステージ１９を駆動するステージ駆動手段１１、複数の試料ホルダにそれぞれ収納された試料に対して、逐次測定をする測定手段１２を有する測定ユニット１と、ホルダベース、複数の試料ホルダの装着位置座標及び複数の試料ホルダの形状に関する表示情報を生成するマップ表示情報生成手段２３１、複数の試料ホルダの装着位置及び複数の試料ホルダの種類の情報を含む配置情報を生成するホルダ配置情報生成手段２２２、配置情報からホルダ配置図を生成するホルダ配置図生成手段２２３、ホルダ配置図をステージマップ図に合成するステージマップ表示手段２２６を有する演算処理装置２２ａと、ステージマップ図を表示する表示装置２６とを備える。 （もっと読む）

【課題】正確に被検査物をＸ線照射部とＸ線検出部との間の所定検査位置に搬送できるように、搬送機構の幅方向の位置決めを行うことができるＸ線検査装置を得る。
【解決手段】Ｘ線検査装置１００は、脚部１に支持されている装置筐体２と、Ｘ線照射部３と、Ｘ線検出部４と、フレーム５と、搬送機構６と、カバー７と、暖簾８と、位置決め機構と、支持機構と、を備えている。位置決め機構は、装置筐体２に設けられた一対の支持部材１０、１１に両先端が接続され、支持部材１０、１１を軸として回動可能に設けられた略コ字状の棒状部材である回動部材１２と、装置筐体２を支える脚部１に設けられ、回動部材１２の端部を支持する支持部１７、１８とを有しているものである。回動部材１２は、搬送機構６のハウジング６ａの自由端側に接触し、位置決めできるように構成されている。 （もっと読む）

【課題】検出画像を取得した被検査領域毎に閾値を最適化する手法はあるが、１枚の検出画像については１つ閾値だけを適用する。このため、１つの画像内に有意でない欠陥が含まれる場合でも、有意の欠陥と同じ感度レベルで検出される。
【解決手段】１つの検査領域内に複数の感度領域を設定して、１つの検査領域のうちＤＯＩ（Defect of interesting）が存在する領域の欠陥だけを他と区別して検出できる仕組みを提案する。具体的には、検査領域内の画像の特徴に基づいて、検査領域内に複数の感度領域を設定し、検出画像、差画像又は欠陥判定部の判定用閾値に、各感度領域の設定感度を適用する。 （もっと読む）

【課題】接合された異種材料の界面を破壊することなく、その界面における結晶性物質の分析を行うことができるＸ線回折法を提供する。
【解決手段】異種材料の接合界面に存在する結晶性物質を同定するＸ線回折法で、次の過程を備える。異種材料の接合界面のうち、その断面が曲線で表される領域を分析対象面とする試料SをＸ線照射源10と回折線検出器30との間に配置する過程。照射源10から、分析対象面に対して、前記曲線の接線方向にＸ線52を照射する過程。このＸ線52の照射に伴って発生する回折線54を回折線検出器30で検出する過程。Ｘ線を分析対象面の接線方向に照射することで、非破壊状態の分析対象面から回折線を的確に検知することができる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、放射線被曝を受ける側の材料におけるアルファ線の影響範囲に相当する飛程と放射線被曝を受ける側の材料から放出されるアルファ線の強度とを同時に測定できるアルファ線測定装置を提供し、また、異なる厚みの試料を透過するアルファ線の強度を容易に測定できるアルファ線測定方法を提供することを目的とする。
【解決手段】本願発明のアルファ線測定装置は、アルファ線源から照射されたアルファ線が照射される方向に試料を設け、試料を透過したアルファ線が通過する位置に透過したアルファ線を検出する放射線検出器を設ける構成とし、また、本願発明のアルファ線測定方法は、一方から他方へ変化している厚みを有する試料へアルファ線を照射しながら、アルファ線の照射を試料の一方から他方へ走査して試料を透過するアルファ線の強度を検出する方法とした。 （もっと読む）

【課題】微細なパターンを観察できる試料観察方法及び装置を提供する。
【解決手段】試料観察方法は、電子ビームを用いて試料のパターンを観察する。この方法は、試料に電子ビームを照射し、電子ビームの照射によって生じるミラー電子を検出し、検出されたミラー電子から試料の画像を生成する。電子ビームを照射するステップは、両側にエッジを有する凹パターンに電子ビームが照射されたときに照射電子が凹パターンにてＵターンしてミラー電子になるようにランディングエネルギーＬＥが調整された電子ビームを試料に照射する。好適な条件は、ＬＥＡ≦ＬＥ≦ＬＥＢ＋５[ｅＶ]である。 （もっと読む）

【課題】平行ビーム法を用いたＸ線回折法において、角度分解能が優れていて、Ｘ線強度の低下が少なく、構造が簡素化されたＸ線回折装置およびＸ線回折方法を提供する。
【解決手段】平行ビームのＸ線２４を試料２６に照射して、試料２６からの回折Ｘ線２８をミラー１８で反射させてからＸ線検出器２０で検出する。ミラー１８の反射面は複数の平坦反射面の組み合わせからなり、各平坦反射面の中心点は、試料２６の表面上に中心を有する等角螺旋の上にある。Ｘ線検出器２０は、回折平面に平行な平面内において１次元の位置感応型である。異なる平坦反射面で反射した反射Ｘ線が、Ｘ線検出器２０の異なる地点にそれぞれ到達する。異なる平坦反射面で反射した反射Ｘ線がＸ線検出器の同一の検出領域上で混在して検出されることを想定して、それらを互いに区別するための補正処理を実施する。 （もっと読む）

【課題】欠陥等の分類精度を向上し得る半導体検査方法及び半導体検査システムを提供する。
【解決手段】半導体ウェハ上の欠陥の座標値と、欠陥の輝度に応じた第１の特徴情報とを第１の装置により取得するステップＳ１と、第１の装置により取得された欠陥の座標値に基づいて、欠陥の画像を第２の装置により取得するステップＳ２と、第２の装置により取得された欠陥の画像に基づいて、欠陥に関する第２の特徴情報を抽出するステップＳ３と、第１の特徴情報と第２の特徴情報とに基づいて、欠陥の種類を判定するステップＳ５，Ｓ６とを有している。 （もっと読む）

【課題】従来の消滅ガンマ線のエネルギー分布又は陽電子寿命分布を測定して得られる画像では、試料表面の安定した情報が得られない問題や、ノイズが入ってしまうという問題があるので、高性能の画像を取得することを目的とする。
【解決手段】陽電子ビームを測定対象物に走査して照射し、放出される消滅ガンマ線又は散乱粒子を検出して分析画像を作成するとともに、消滅ガンマ線の検出数をコントラストとする画像を作成して、これらの画像の組み合わせから新しい分析画像を作成することにより、高性能な画像を得る。 （もっと読む）

【課題】強磁場中に配置されるマイクロチャンネルプレートでの二次電子増幅率の減少を抑制して散乱イオンの測定精度の低下を抑制できる散乱イオン分析装置を提供することを課題とする。
【解決手段】本発明に係る散乱イオン分析装置は、磁場形成手段１８と散乱イオン検出器２０とアパーチャ１６とを備え、散乱イオン検出器は、マイクロチャンネルプレート（ＭＣＰ）２２と二次電子の位置を検出する位置検出手段３０とバイアス電圧を印加するためのバイアス電源３２とを有し、ＭＣＰ２２では、磁場Ｂ方向に対し、微細貫通孔２６に入射する散乱イオンの入射方向が傾いているのと同じ側に微細貫通孔２６の中心軸２６ｂが傾き、且つ散乱イオンの入射方向の傾きよりも中心軸２６ｂの傾きが小さくなるように当該微細貫通孔２６が形成されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 互いに積層されてパッケージに収容された複数の単結晶基板の夫々について、パッケージを破壊することなく反りを測定する。
【解決手段】
パッケージにＸ線を照射するステップと、受光スリットの調節及びパッケージの高さ方向の位置調節を行うことにより、パッケージに収容された複数の単結晶基板により回折された複数の回折Ｘ線のなかから、所望の単結晶基板からの回折Ｘ線だけを選択的に検出するステップと、所望の単結晶基板からの回折Ｘ線のロッキング曲線を測定するステップと、パッケージを所定方向に一定距離移動させるステップとを含み、ロッキング曲線測定を行うステップとパッケージを所定方向に一定距離移動させるステップとを繰り返し行う。 （もっと読む）

【課題】効率、制御性及び再現性よく中性子を発生させることができる中性子発生用電極並びに中性子発生装置を提供すること、更に、これら中性子発生用電極及び中性子発生装置を用いることにより、中性子発生の効率が高いことから装置規模を抑制することができ、中性子発生の制御性及び再現性に優れる荷物検査装置を提供すること。
【解決手段】導電体及び前記導電体に螺旋状に捲回された水素吸蔵合金線を含む第一の電極と、前記第一の電極の周囲に配置された円筒状でかつ網状の第二の電極と、を含む中性子発生用電極対を用いる。 （もっと読む）

【課題】蛋白単分子等の微小標的粒子にＸ線ビームを照射するＸ線分析装置において、コンテナレス法やコンテナ法では解決が難しかった種々の技術的課題を一挙に解決する。
【解決手段】保持基板１に保持されている標的粒子Ｐの位置形状測定を行うプローブ式測定手段２と、前記プローブ式測定手段２のプローブ２ａを、標的粒子Ｐの測定が可能な位置である測定位置と、前記Ｘ線照射機構による標的粒子へのＸ線ビームの照射に干渉しない位置である退避位置との間で移動可能に保持する移動機構３と、前記保持基板１及びＸ線照射機構の相対位置を調整する位置調整機構５とを設け、前記プローブ式測定手段２で位置が特定された標的粒子Ｐに対し、前記保持基板１及びＸ線照射機構の相対位置を調整してＸ線ビームを照射できるように構成した。 （もっと読む）

【課題】試料の設計情報を用いて形成される回路パターンの配置や上下関係などの構造を解析し、解析結果をもとに欠陥画像から良品画像を作成し、比較検査により欠陥を検出することができる欠陥観察装置を提供する。
【解決手段】欠陥観察装置において、観察対象の試料１０６の設計情報を記憶部１１４から入力し、１つ以上のレイヤを含む設計情報に基づいて、観察対象の試料に対して予め設定された観察可能なレイヤ情報を記憶部１１４から入力し、他の検査装置により検出された試料上の欠陥座標を記憶部１１４から入力し、欠陥座標に基づいた観察対象の試料１０６上の欠陥について、欠陥座標の周辺領域における回路パターンの構造を、設計情報およびレイヤ情報に基づいて解析し、回路パターンの構造の解析結果を用いて良品画像を推定し、良品画像および画像取得部からの画像情報の比較検査により欠陥を検出する演算部１２０を備えた。 （もっと読む）