【課題】２つの結晶の方位関係と結晶粒界の特性をリアルタイムで正確に確認できることを特徴とし、透過電子顕微鏡のゴニオメ−タを利用した隣り合う結晶粒の結晶学的方位関係と結晶粒界の特性を測定する測定装置及びその測定方法を提示する。
【解決手段】このため結晶軸（Ｈ１，Ｈ２，Ｈ３）に対してゴニオメ−タを利用してＸ傾斜軸及びＹ傾斜軸にそれぞれ垂直する軸である（Ｔｘ，Ｔｙ）値を測定し、測定された結晶軸（Ｈ１，Ｈ２，Ｈ３）に対する３つの（Ｔｘ，Ｔｙ）値から（Ｈ１，Ｈ２，Ｈ３）結晶軸の挟角を求める。次いで（Ｈ１，Ｈ２，Ｈ３）の結晶指数から結晶学的な方法で（Ｈ１，Ｈ２，Ｈ３）の挟角を求める。次いで、測定された（Ｔｘ，Ｔｙ）値から得た（Ｈ１，Ｈ２，Ｈ３）の挟角と結晶学的に算出した挟角とを比較して、その差を最小化する（Ｔｘ，Ｔｙ）値を正確な測定値として選択して、傾斜軸と結晶軸（Ｈ１，Ｈ２，Ｈ３）間の関係を樹立する。次いで２つの結晶間の脱角行列を利用して結晶粒界の特性を糾明する。 （もっと読む）

【課題】極微量の元素検出を可能とし、被射体内部の特定元素分布をＣＴで得られるのと同様に断層像として、高空間分解能を有する機能画像の作成を行う蛍光エックス線分析装置を提供すること。
【解決手段】単色エックス線をシートビーム状に照射する光源部と、分析試料を支持する試料支持部と、分析試料に含まれる被検元素から発生する蛍光エックス線を検出する検出部と、データ処理用コンピューターを備え、検出部がエックス線照射方向と直交するシートビーム面に配設され、検出素子からエックス線照射方向へおろした垂線上に存在する被検元素から発生する蛍光エックス線を検出し、且つ、試料支持部がシートビーム面を垂直に貫通する線を中心軸としてシートビーム面を光源部及びエックス線検出部に対して相対的に回転し、分析試料を単色エックス線で回転走査して分析試料内部の画像を得ることができる蛍光エックス線検出装置として構成する。 （もっと読む）

【課題】オペレータの操作により作り出したある時点における状態に戻したり、衝突危険領域から離脱させることを、手間を要することなく確実に実現することのできるＸ線検査装置を提供する。
【解決手段】ステージ３および／またはＸ線検出器２を移動させるべくオペレータが操作部２０を操作したとき、その操作履歴を記憶する記憶手段１０ａを備えるとともに、指令の付与により、記憶手段１０ａに記憶されている操作履歴を逆順で再生して移動指令としてステージ移動機構６や検出器傾動機構４等に供給することで、例えば衝突危険領域で透視している状態で指令を与えることにより、その衝突危険領域に至る前の状態に自動的にステージ３等が戻ることを可能とする。 （もっと読む）

【課題】同一の生体組織試料について、電子像観察だけでなく、蛍光像観察、そして透視像観察等を行うことも可能な、複数の観察用光源を備えた多光源顕微鏡を提供する。
【解決手段】電子顕微鏡の光源である電子銃とそれ以外の少なくとも１種の光源を有し、試料を同一位置で観察可能な多光源顕微鏡であって、蛍光を観察するための光学顕微鏡２０と走査型電子顕微鏡２とからなり、該走査型電子顕微鏡の電子ビームの光軸と同軸となるように該光学顕微鏡のカセグレン鏡１２が該走査型顕微鏡の鏡筒内に配置されてなり、反射面が非球面型であるカセグレン鏡を用いる。 （もっと読む）

【課題】複数個の試料から同時にスペクトル像を取得し、スペクトル像より抽出された電子エネルギー損失スペクトルから、高精度のケミカルシフトを測定することが可能な透過型電子顕微鏡装置，試料ホルダ，試料台及びスペクトル像の取得方法を提供する。
【解決手段】透過電子顕微鏡装置１は、電子線３を放射する電子銃と、放射された電子線３を収束する収束レンズ４と、収束された電子線３が放射され、試料を配置する複数個の試料台２０，２１と、試料台を移動する試料移動制御装置２２と、複数個の試料を透過した電子線３を結像する結像レンズ系７と、結像された電子線３の有するエネルギー量により電子線３を分光し、エネルギー分散軸及びエネルギー分散軸と直交する方向とで収束位置を異ならせたスペクトル像を出力して複数個の試料より同時にスペクトル像を取得する電子分光器８と、取得したスペクトル像を表示する画像表示装置１４とを備える。 （もっと読む）

本発明は、細胞壁を透過する検体の移送を測定する方法および装置を含む。
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【課題】培養された細胞等からなる試料に散布される薬品の使用量を低減することのできる試料保持体等を提供する。
【解決手段】試料保持体４０は、開放された試料保持面３７ａの少なくとも一部が膜３２と膜３２の周囲のテーパ部３７ｂで構成され、膜３２の試料保持面３２ａにおいて試料３８を培養可能である。テーパ部３７ｂがあるので、使用する試薬の量を少なくすることができる。試料３８には、膜３２を介して、試料観察又は検査のための一次線が照射可能となっている。これにより、細胞等の試料３８を培養させた状態で生きたままでの観察又は検査を良好に行うことができる。特に、一次線として電子線を用いれば、生きた状態での試料のＳＥＭ観察・検査を良好に行うことができる。 （もっと読む）

【課題】ガラス基板の面取斜面の異物を発見することができる検査方法及び検査装置及びガラス基板の製造方法を提供する。
【解決手段】ステージ上に搭載したガラス基板の表面の欠陥に電子線を照射して検査する検査方法において、ガラス基板の面取斜面を検査する際の面取斜面と電子線との照射角度が、ガラス基板の磁性層形成面を検査する際の磁性層形成面と電子線との照射角度と同じとなるように、ステージを傾けることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】透視Ｘ線画像の視野や観察位置を変化させるためのステージやＸ線測定光学系の移動操作の操作性を向上する。
【解決手段】３Ｄデータ作成部２５はステージ４上に載置された被測定物Ｓを光学撮影した画像に基づいて３Ｄオブジェクトのデータを作成し、３Ｄ画像作成部２６は被測定物Ｓ、ステージ４、Ｘ線測定光学系１をそれぞれ３Ｄオブジェクトとする３Ｄ画像を作成する。この３Ｄ画像は表示部１３の画面上に表示される操作画面内に透視Ｘ線画像と並べて表示される。３Ｄ画像上でマウス操作を行うことで３Ｄオブジェクトを選択して移動させると、この操作に連動して駆動制御部２８がステージ４やＸ線測定光学系１を移動させるべく制御を行う。これにより、オペレータは操作画面のみを見ながら移動操作を行うことができる。しかも被測定物ＳとＸ線測定光学系１との位置関係を直感的に把握できるので、衝突回避の移動を行う際の操作性も向上する。 （もっと読む）

【課題】結晶端面Ｓｃのカソードルミネッセンス画像から、貫通転位などの欠陥数を自動計数する場合に、その誤差を小さくしてより正確に計数できるようにする。
【解決手段】欠陥像の面積に対する欠陥像数の分布から、孤立欠陥による欠陥像と近接欠陥による欠陥像とを推定的に分離したうえで、孤立欠陥の数と孤立欠陥像の面積を算出し、その後、前記孤立欠陥数と孤立欠陥像面積を用いた補正演算によって、近接欠陥による欠陥像から欠陥数を算出するようにした。 （もっと読む）

【課題】半導体ウエハのパターンの検査において、非検査領域が混在する試料でも非検査領域への電子ビームの照射を防止し、所望の検査領域を検査することができる検査装置、および検査方法を提供する。
【解決手段】電子ビームは試料の照射領域を画像化するための照射エネルギーを有し、電子ビームの走査中に電子ビームが試料へ照射するのを妨げるように電子ビームをブランキング偏向するブランキング偏向器と、電子ビームの走査中に試料を連続的に移動させるステージと、電子ビームの照射領域の選択に従って、電子ビームの非照射領域では電子ビームをブランキング偏向するブランキング偏向器へ偏向指令を送信する制御装置とを備える。 （もっと読む）

【課題】複数の検査パターンを積算して行う欠陥検査を、一つの検査パターンによって行い、ＴＦＴアレイ検査の検査時間を短縮する。
【解決手段】荷電粒子ビームをＴＦＴアレイ上で走査して走査画像を形成し、走査画像から欠陥ピクセルを検出する走査ビーム検査装置であって、走査制御部と、二次電子を検出する検出器と、検査信号を印加する検査信号印加部と、検査信号を印加したＴＦＴアレイを二次元的に走査して走査画像を形成し、走査画像から各ピクセルの信号強度を検出する信号強度検出部と、信号強度をデータ処理することによって欠陥ピクセルを抽出するデータ処理部とを備える。データ処理部は、ピクセルの信号強度を複数の閾値と比較し、信号強度が、複数の閾値で区分される正常強度範囲と欠陥強度範囲の何れの強度範囲にあるかを検出する比較部と、信号強度が欠陥強度範囲にあるピクセルを欠陥ピクセルとして判定する判定部とを備える。 （もっと読む）

【課題】中性原子ビームや中性分子ビームの３次元速度分布を計測し、それらの流速、流量、角度分布を厳密に評価できる方法及び装置を提供する。
【解決手段】（１）試料の中性原子ビーム又は中性分子ビームを発生させる工程と、（２）送出された中性ビームからイオンを生成させて垂直の方向に引き出し、速度ごとに異なる位置に集束させる工程と、（３）イオンを位置敏感型検出器に衝突させて中性ビームの速度分布を投影させ、得られた画像に数値変換を施して中性ビームの３次元速度分布を決定する工程とを含む原子／分子ビームの３次元速度分布測定方法。 （もっと読む）

【課題】ＴＦＴアレイの検査時間を長くすることなく、ＴＦＴアレイの電位をチャージ保持することで検出される欠陥を検出する。
【解決手段】荷電粒子ビームをＴＦＴ基板上で二次元的に走査して走査画像を形成し、この走査画像によりＴＦＴアレイを検査するＴＦＴアレイ検査装置であり、試料を支持するとともに二次元方向に移動するステージと、このステージを駆動制御するステージ制御部と、荷電粒子ビームの走査を制御するとビーム走査制御部と、ＴＦＴ基板への検査信号の印加を制御する検査信号制御部と、走査画像を取得してアレイ検査を行う信号処理部とを備える。ステージ制御部およびビーム走査制御部は、荷電粒子ビームのＸ方向のビーム走査と、ステージのＸ方向と直交するＹ方向のステージ送りとによる二次元走査を一パスとして、ＴＦＴ基板をビーム走査方向に複数のパスで分割して二次元走査し、各パスにおいて、同一のパスを往路と復路とで往復して走査する。 （もっと読む）

【課題】試料を交換する際に、複雑な機構を用いずに試料の位置ずれを抑制でき、且つ試料軸の正確な回転数を保つことができる試料交換機を提供する。
【解決手段】第１の回転軸の周りを回転可能な複数の試料台１０ａ，１０ｅを円周上に沿って配列した円板状の回転板４と、回転板４を回転させる試料位置逐次移動機構７と、複数の試料台１０ａ，１０ｅの回転軸に接続され極性の異なる複数の第１の磁石の作用極を回転軸を中心軸とする円周面上に交互に周期的に配列した複数の受動磁石配列ユニット１２ａ，１２ｅと、極性の異なる複数の第２の磁石の作用極を回転軸を中心軸とする円周面上に交互に周期的に配列して回転する駆動磁石配列ユニット８１と、測定位置の試料台１０ａに接続された受動磁石配列ユニット１２ａを、駆動磁石配列ユニット８１を回転させることにより第１及び第２の磁石間の磁力を介して回転させる試料台回転駆動部８とを備える。 （もっと読む）

【課題】多結晶固体のＥＢＳＤ測定から得られる前記多結晶固体の結晶方位情報と位置情報とを含む数値データを使用して、実材料を詳細に反映した材料特性の三次元数値解析を、詳細でかつ誤差の少なく実行できるようにする。
【解決手段】多結晶固体を構成する結晶粒に対して、後方散乱電子回折装置を用いて１つの結晶粒について複数の測定点を含むように測定対象の各結晶粒を計測されて得た数値データＡ_iを入力し、入力された数値データＡ_iを有限要素に割り付け、前記有限要素に三次元テンソルで表わされる物性値を与えて有限要素モデルを構築し、該有限要素モデルを用いて前記数値データＡ_iを数値解析する。 （もっと読む）

【課題】Ｘ線又は光学測定において迅速に、しかも空間分解能の高い二次元画像取得方法とその装置を提供する。
【解決手段】蛍光Ｘ線による二次元画像測定装置に適用した形態では、二次元Ｘ線検出器と試料の間に２つの独立したコリメータを配置し、試料に近い側のコリメータで蛍光Ｘ線を二次元の平行光束とし、他のコリメータを経て検出器に導いて蛍光Ｘ線による二次元画像を得る。このとき、２つのコリメータのなす角度をＸ線全反射臨界角近傍で調整することにより、検出器に到達する蛍光Ｘ線のエネルギーを選別する。 （もっと読む）

【課題】半導体基板の外周面に存在する不純物を簡易的に分析する方法を提供する。
【解決手段】測定対象となる半導体基板４を分割構造のステージ２で挟持し、半導体基板４の外周面とステージ２の外周面とで、半導体基板４の外周面を中心とする平坦部Ｆを形成する。半導体基板４の外周面とステージ２の外周面とで形成された平坦部ＦにＸ線を全反射条件で照射し、半導体基板４の外周面から発生した不純物の蛍光Ｘ線を検出する。蛍光Ｘ線の検出結果に基づいて半導体基板４の外周面の不純物による汚染状態を評価する。 （もっと読む）

【課題】液体試料の観察又は検査を効率良く行うことのできる検査方法等に関し、装置のメンテナンスの向上を可能にする検査方法及びそれに用いられる試液を提供する。
【解決手段】一部が膜３２から構成された試料保持体４０に液体試料２０として培地３９と細胞３８が入れてある。この液体試料に閉塞物質４１を混入させる。膜３２の下方から膜３２を介して一次線を細胞３８に照射可能で、その時に発生する二次的信号を検出することで細胞の像や情報を得ることができる。膜３２が一次線照射や、何らかの機械的刺激により破壊された場合であっても、閉塞物質４１が膜の破損個所を閉塞するので液漏れを最小限にすることができる。従来、膜の破壊毎に装置を洗浄する必要があったが、本発明により少なくとも１０回膜が破壊されても洗浄の必要性がなくなる。 （もっと読む）

【課題】半導体製造工程途中のウエハを検査する技術として、回路パターンに電圧および温度等の電気的負荷をかけて信頼性評価を行う半導体検査方法を提供する。
【解決手段】半導体製造工程途中の回路パターンを含むウエハに対して、電子線を所定の時間照射して、回路パターンを所定の帯電電圧に帯電させる工程（ステップ９９）と、レーザー照射等により回路パターン周りの領域を所定の温度に制御する工程（ステップ１０６）とにより、回路パターンに電気的負荷を印加する。そして、電気的負荷印加の前後において、回路パターンを含む領域に電子線を照射することで二次電子画像を取得し（ステップ９０）、この電気的負荷印加の前後の二次電子画像を比較判定することで、回路パターンおよびそれを含むウエハを検査する。 （もっと読む）