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Fターム[2K002AB12]の内容

光偏向、復調、非線型光学、光学的論理素子 (16,723) | 機能、デバイス (2,781) | 光変換器 (1,270) | 周波数(波長)変換、シフト (1,225)

Fターム[2K002AB12]に分類される特許

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【課題】大伝送容量、小型化及び省電力化が実現可能であり、波長分割多重光における全ての信号光を再生することができる波形整形器を提供する。
【解決手段】ファイバ長がソリトン周期の2倍以下である異常分散ファイバ(Anomalous-dispersion fiber: ADF)を有するソリトンコンバータが備えられている。 (もっと読む)


【課題】光学素子の中心部分の温度を精度よく制御できる温度制御装置を提供する。
【解決手段】第1の主面及び第1の主面と対向する第2の主面を有する光学素子の温度制御装置であって、第1の主面に一定の接触熱抵抗で接する第1の筐体と、第1の筐体と第1の主面とが接する面積と等しい面積で、第2の主面に一定の接触熱抵抗で接する第2の筐体と、第1の筐体の温度を調整する温度調整素子と、第1の筐体の温度を測定する第1の温度測定素子と、第2の筐体の温度を測定する第2の温度測定素子と、第1の温度測定素子により測定された第1の筐体の測定温度と第2の温度測定素子により測定された第2の筐体の測定温度との平均値を光学素子の温度として、平均値が予め設定された設定値であるように温度調整素子を制御して第1の筐体の温度を調整させる制御装置とを備える。 (もっと読む)


【課題】テラヘルツ波発生器やテラヘルツ波検出器等のテラヘルツ帯デバイスにおいて優れた特性を発揮できるテラヘルツ帯デバイス用ZnTe薄膜及びその製造方法を提供する。
【解決手段】テラヘルツ帯デバイス用ZnTe薄膜において、気相成長法によって基板上に気相成長され、厚さが5〜10μmであり、厚さのばらつきの範囲が厚さの10%以内である。
また、テラヘルツ帯デバイス用ZnTe薄膜の製造方法において、基板上にZnTe下地層を10〜200オングストロームの厚さで形成する工程と、前記ZnTe下地層上にZnTe層を5〜10μmの厚さで気相成長させる工程と、を有する。 (もっと読む)


【課題】確率的ゲートを用い、損失の影響を抑えながら所望のエンタングルメント状態にある複数の量子ビットを生成する。
【解決手段】エンタングルメント状態の3個以上の量子ビットからなる第1量子ビット集合に含まれる1個の量子ビットをX測定し、量子状態|η1>|Φ1>|Φ3>|η3>+|η2>|Φ2>|Φ4>|η4>の第2量子ビット集合を生成する。この量子状態との第3量子ビット集合の量子状態|η51>|Φ5>|η52>+|η61>|Φ6>|η62>に対し、γ1<Φ3|<Φ5|+γ2<Φ4|<Φ6|で表される量子操作を行い、エンタングルメント状態にある量子状態|η71>|Φ1>|η72>+|η81>|Φ2>|η82>の第4量子ビット集合を生成する。 (もっと読む)


【課題】レーザ光源装置において、フォトダイオード等の光検知装置を用いることなく、波長変換素子の波長変換効率の最適化を図り、安定した光出力を可能にすること。
【解決手段】半導体レーザ2から出射した基本波光は、波長変換素子5で波長変換され出射する。点灯回路20は上記半導体レーザ2に電力を供給し半導体レーザ2を点灯させる。制御部21は、装置の動作を制御するとともに、加熱手段7の給電量を制御して、波長変換素子5が最適な波長変換効率となる温度になるように制御する。制御部21には温度検出手段Th1により検出された温度が入力され、制御部21は、加熱手段7への給電量が極大となるときの波長変換素子5の温度を、最適な波長変換効率となる設定温度とし、加熱手段7による加熱量を制御して波長変換素子5の温度が上記設定温度になるように、波長変換素子5の温度をフィードバック制御する。 (もっと読む)


【課題】疑似位相整合型の波長変換光学素子におけるフォトリフラクティブ効果を抑制し得る手法を提供し、同効果に起因した問題を解決可能なレーザ装置等を提供する。
【解決手段】レーザ装置LSは、レーザ光を出力するレーザ光出力部1と、レーザ光出力部から出力されたレーザ光を波長変換して出力する波長変換部3とを備える。波長変換部3には、波長λのレーザ光を波長λ/2のレーザ光に波長変換する疑似位相整合型の波長変換光学素子31を備え、この波長変換光学素子31の入射面及び出射面の少なくともいずれかに、波長がλ〜λ/n(n≧3)の光の反射率を低減する反射率低減コーティングが施されて構成される。 (もっと読む)


【課題】効率よく直接光結合させたレーザ素子及び光素子を含むレーザ光源を提供することを目的とする。
【解決手段】リッジ部(23)を有し且つ発光部(26)からレーザ光を出射するレーザ素子(20)と、入射部(36)に入射されたレーザ光を導波するための導波路(32)を有する光素子(30)と、レーザ素子と光素子とを直接光結合するように近接して接合させるための基板(10)を有し、発光部の位置に対して入射部の位置が上方又は下方に所定距離シフトされた状態でレーザ素子及び光素子が基板に接合されていることを特徴とするレーザ光源(1)。 (もっと読む)


【課題】安定したレーザ光を得る。
【解決手段】波長変換装置は、入射する第1のレーザ光を第2のレーザ光に波長変換して出力する波長変換部と、前記波長変換部を当該波長変換部の少なくとも1つの面側から冷却する冷却機構と、を備えてもよい。 (もっと読む)


【課題】大きな光路長変動であっても、位相変動を補償することで光路長の変動の補償を行う。
【解決手段】レーザ光を2分岐する光分配器2と、変調用マイクロ波信号に基づき、光分配器2により分岐された一方のレーザ光の角周波数をシフトさせる光周波数シフタ3と、光周波数シフタ3から光サーキュレータ4および伝送光ファイバ5を介して出力されたレーザ光の一部を伝送光ファイバ5に反射し、残りを透過して光基準信号として出力する光部分反射鏡6と、光分配器2により分岐された他方のレーザ光と、光部分反射鏡6から伝送光ファイバ5および光サーキュレータ4を介して出力されたレーザ光とを合波する光合波器7と、光合波器7により合波されたレーザ光をマイクロ波信号に変換する光電変換手段8と、光電変換手段8により変換されたマイクロ波信号の位相と基準マイクロ波信号の位相とに基づき、変調用マイクロ波信号を生成する位相同期回路10とを備えた。 (もっと読む)


【課題】光素子の位置ずれ及び光素子の光導波路の特性変化を抑えることを可能とした光デバイス及び光デバイスの製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】第1の光素子(3)と、第1の光素子と光学的に結合する第2の光素子(20)と、第1の光素子及び第2の光素子が搭載された第1のシリコン基板(10)とを有し、第2の光素子は第2のシリコン基板(21)及び第2のシリコン基板と貼り合わされた導波路基板(30)を含み、第2の光素子は導波路基板が第1のシリコン基板に向かい合う状態で第1のシリコン基板上に搭載されている光デバイス(1)。 (もっと読む)


【課題】4つのベル状態の全てを選択して実現可能とする偏波量子もつれ光子対発生装置を提供する。
【解決手段】偏波分離合成器101とその2つの入出力端とを含んで構成されるサニャック型干渉計のループ光路20と、励起光をループ光路に入力し、またこのループ光路から出力される量子もつれ光子対波長成分を空間分離して出力する光分岐入出力部10を備えた偏波量子もつれ光子対発生装置である。ループ光路は、非線形光学媒質102と90度偏波面回転部103と偏波面及び光位相調整部104とを光ファイバーで直列に配置接続されている。光分岐入出力部は、バンドパス光フィルター105、ローパス光フィルター106、WDMフィルター107を備えて構成されている。また、光分岐入出力部の後段には1/2波長板108が配置されている。 (もっと読む)


【課題】簡単な構造で高精度に組み立てでき小型化できること。
【解決手段】実装基板101上には、光学素子としてLD素子102と、波長変換素子103が実装される。光ファイバ105の端部は、サブ基板104のファイバ固定溝301に所定長さ固定される。このサブ基板104は、実装基板101に対し、光ファイバ105が支持された面が対向して実装され、波長変換素子103と光ファイバ105とが結合される。実装基板101にサブ基板104が実装されることにより、波長変換素子103の出射端と光ファイバ105の入射端との結合箇所は、実装基板101の端部から所定距離内部の位置に設けられる。 (もっと読む)


【課題】出力光の吸収による位相不整合を低減して波長変換効率を向上可能なレーザ装置を提供する。
【解決手段】本発明を例示する態様のレーザ装置は、第1のレーザ光L10を出力する第1レーザ光出力部10と、第1のレーザ光を波長変換して変換光L30を出力する波長変換光学素子30と、第1のレーザ光と異なる波長の第2のレーザ光L20を出力する第2レーザ光出力部20と、第2のレーザ光L20を第1のレーザ光L10と重ね合わせて波長変換光学素子30に入射させる合成光学素子31とを備える。第2のレーザ光L20は、波長変換光学素子30における第2のレーザ光L20の吸収によって発生する熱量が、波長変換光学素子における変換光L30の吸収によって発生する熱量と略等しくなるように設定される。 (もっと読む)


【課題】 レーザー照射により結晶の内部に損傷が生じた有機光学結晶の損傷を修復する方法を提供する。
【解決手段】 スチルバゾリウム誘導体からなる有機光学単結晶を、不活性ガス中で有機光学単結晶の融点以下かつ結晶分子の自由度が高まる温度以上の範囲でアニーリング処理することにより、レーザー照射により結晶の内部に損傷が生じた有機光学結晶の損傷を修復する修復方法により、テラヘルツ波の発生時間が向上した有機光学単結晶を安定して容易にかつ簡便に提供することができる。 (もっと読む)


【課題】光周波数無相関な光子対が、より小型で低コストな状態で生成できるようにする。
【解決手段】光子対発生部102は、例えばシリコンなどの単結晶の半導体からなるコアを備える光導波路から構成され、光源101が出力したポンプ光を入力して2fp=fs+fiの関係を満たす光周波数fsのシグナル光子および光周波数fiのアイドラ光子から構成される光子対を自然放出四光波混合過程により発生して出力する。ここで、光子対発生部102を構成する光導波路は、コアの形状を制御することで、ポンプ光の光周波数における群速度vg(fp)とシグナル光子の光周波数における群速度vg(fs)とが等しい状態、およびポンプ光の光周波数における群速度vg(fp)とアイドラ光子の光周波数における群速度vg(fi)とが等しい状態のいずれかの状態とされている。 (もっと読む)


【課題】本来用いられるべき装置から取り外された場合、単独動作時には出力を低下させるようにし、その一方で、本来用いられるべき装置に組み込まれた状態にある場合は、緑色レーザ光が正常に発光されるよう構成されたレーザ光源装置と、そのレーザ光源装置を搭載し緑色レーザ光を発光させることが可能な画像表示装置を提供する。
【解決手段】励起用レーザ光を出力する半導体レーザ31と、その励起用レーザ光により励起されて基本レーザ光を出力する固体レーザ素子34と、半導体レーザおよび固体レーザ素子34を支持する基台38と、を備え、固体レーザ素子34は略直方体の形状を有し、半導体レーザ31からの励起用レーザ光の入射面および基本レーザ光の出射面を除く4つ面のうち、少なくとも互いに隣接する2つの面のそれぞれにおいて、その表面積よりも小さな接触面積により基台38と当接したことを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】レーザ光源装置において、凹面ミラーの簡易な位置決めにより、レーザの出力を良好に維持しつつ、他の光学素子に必要とされる光軸調整マージンを抑制可能とする。
【解決手段】励起用レーザ光を出力する半導体レーザ31と、励起用レーザ光により励起されて赤外レーザ光を出力するレーザ媒体34と、赤外レーザ光の波長を変換して高調波のレーザ光を出力する波長変換素子35と、波長変換素子に対向する凹面36aを有し、レーザ媒体とともに共振器を構成する凹面ミラー36と、凹面ミラーを支持する凹面ミラー支持部61とを備え、この凹面ミラー支持部は、波長変換素子からのレーザ光を通過させる開口部61bと、波長変換素子からのレーザ光の光軸と直交すると共に、開口部の一端側の周囲に形成されて凹面ミラーの凹面側が当接する外面61aとを有する構成とする。 (もっと読む)


【課題】出力光のパワー制御を安定的に行うことができるレーザ装置を提供する。
【解決手段】レーザ装置は、波長が紫外領域のUVレーザ光を出力するUV光出力部Iと、波長が可視〜赤外領域のVIRレーザ光を出力するVIR光出力部II,IIIと、UV光出力部Iから出力されたUVレーザ光とVIR光出力部から出力されたVIRレーザ光とから、波長変換により波長がUVレーザ光よりも短いDUVレーザ光を発生して出力するDUV光変換部IVと、UV光出力部及びVIR光出力部の作動を制御する制御部8とを備える。制御部8は、DUVレーザ光のパワーを変化させるときに、UVレーザ光のパワーを略一定とし、VIRレーザ光のパワーを変化させる制御を行うように構成される。 (もっと読む)


【課題】複数段のファイバ光増幅器を備えたレーザ装置において、ファイバ光増幅器の励起を下流側から停止させ、意図しない発振に基づく機器の損傷を抑制する。
【解決手段】レーザ装置は、信号光を出力する信号光出力部10と、複数のファイバ光増幅器21〜23を有し信号光を順次増幅して増幅光を出力する増幅部20とを備える。ファイバ光増幅器21〜23は、各々増幅用ファイバ(添え字a)と、励起光源(添え字b)と、励起光源により発生された励起光を増幅用ファイバに伝送する伝送用ファイバ(添え字c)とを備える。ファイバ光増幅器21〜23は、各段の伝送用ファイバのファイバ長を上流側からL1,L2,L3としたときに、L1>L2>L3となるように構成される。 (もっと読む)


【課題】 高調波成分を抽出することができる光周波数ダブラおよびマルチキャリア発生器を提供する。
【解決手段】 光周波数ダブラは、 光信号を2つに分岐する分岐部と、分岐部に接続された2本の半導体光導波路と、2本の半導体光導波路のそれぞれに対して同振幅で逆位相の変調信号を入力するための変調用電極と、2本の半導体光導波路から入力された光信号の偶数次高調波成分あるいは奇数次高調波成分の何れかを同相で合成して出力する合波部と、を備えるものである。 (もっと読む)


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