【課題】少量多品種では十分サンプル数が集まらないことも考慮し、１）相関状態によって統計的にグルーピングするステップと、２）集まったサンプル数に応じた相関解析を行うステップによりデータマイニングする方式を提供する。
【解決手段】ロガー１０３はウエハ研磨装置１００から送られてくるＥＱデータ（装置データ）を蓄積する。ＦＡ ＨＯＳＴ１０１は半導体装置製造時におけるこれらのＥＱデータと該半導体装置完成品における実測データをサンプルのパッケージとする。ＦＡ ＨＯＳＴ１０１はＥＱデータを一定の相関閾値を持つか否かで採否を決定する。この際、ＦＡ ＨＯＳＴ１０１はサンプル数に応じてこの相関閾値を増減する。 （もっと読む）

【課題】加工対象のワークを効率的に研削、研磨するための表面加工装置を提供する。
【解決手段】表面加工装置２０のロードユニット３０において、ワークＷはトランスファチャック１０に吸着させる。そして、トランスファチャックに固定されたワークＷは、研削ユニット４０に搬送され、研削が行なわれる。研削を終了した場合、トランスファチャック１０に固定されたワークＷは、研磨ユニット５０に搬送される。そして、ワークＷが一括処理枚数に達した場合には、バッチ処理により研磨が行なわれる。研磨を終了した場合、トランスファチャック１０に固定されたワークＷは、ロードユニット３０に搬送される。そして、トランスファチャック１０からワークＷが取り外されて、それぞれ洗浄される。このトランスファチャック１０には、新たなワークＷを吸着させる。 （もっと読む）

【課題】半導体ウエハ等の基板を研磨面に押圧するためのメンブレンの特性を装置に入力することにより、メンブレンの特性に合わせた最適な研磨条件で基板を研磨することができる研磨装置および方法を提供する。
【解決手段】研磨面を有した研磨テーブル１０１と、圧力流体が供給される圧力室５，６，７を形成する弾性膜であるメンブレン４と、メンブレン４を保持するトップリング本体２とを有し、圧力室５，６，７に圧力流体を供給することで流体圧により基板を研磨面に押圧するトップリング１と、装置内の各機器を制御する制御部とを備え、制御部は、予め測定したメンブレン４の特性を入力することによりメンブレン４の特性に合わせて研磨条件を変更する。 （もっと読む）

【課題】加工工程おける被加工製品の生産効率を向上させる。
【解決手段】加工装置制御システム１００は、研磨パッド、ドレッサなどの消耗部品の状態を表す物理量（累積使用時間など）から半導体ウェハＣＭＰ装置などの加工装置２００の装置性能（研磨レートなど）を予測する予測モデル、および、その予測モデルのパラメータを予測するメタ予測モデルを有する。モデル作成シミュレータ部１１０は、加工履歴データ記憶部１４０に蓄積されている加工履歴データと予め定めた所定の統計分布に従う乱数とを用いて、シミュレーションにより、そのメタ予測モデルのパラメータを定めるとともに、装置性能の予測モデルのパラメータを定め、そのパラメータを制御演算部１３０へ送信する。制御演算部１３０は、受信したパラメータによって定められる装置性能の予測モデルと前記消耗部品の状態を表す物理量の現在値とを用いて、加工装置２００に対する制御量を演算する。 （もっと読む）

【課題】第１面と第２面とを表面研削装置を用いて同時に研削する際に両面の削り量を略一致させることができる研削前板状ガラス素材及び情報記録媒体用ガラス基板の製造方法の提供を目的とする。
【解決手段】本発明の研削前板状ガラス素材の第１面の被研削加工部は、その表面粗さ（Ｒａ）が０．１μｍ以上、２．０μｍ以下の範囲になるように構成され、第２面の被研削加工部は、その表面粗さ（Ｒａ）が０．１μｍ以上、３．０μｍ以下の範囲で、且つ、前記第１面の表面粗さ（Ｒａ）の１．２倍以上で３．０倍以下になるように構成されている。 （もっと読む）

【課題】磁性基板、光学基板および半導体基板から選択される基板を研磨するのに適している、ケミカルメカニカルポリッシングパッドを提供する。
【解決手段】アミン部分の未反応−ＮＣＯ部分に対する化学量論比が９５％未満で前記芳香族ポリアミンおよびイソシアネート末端プレポリマーポリオールが提供され、前記光安定性ポリマー終点検出窓が、１kPaの一定軸引張荷重で６０℃一定温度で１００分で測定したときに０．０２％以下の時間依存性歪みを示し、厚み１．３mmの窓について波長３８０nmにおいて、１５％以上の光学複光路透過率（ｏｐｔｉｃａｌ ｄｏｕｂｌｅ ｐａｓｓ ｔｒａｎｓｍｉｓｓｉｏｎ）を示し、かつ研磨表面が、磁性基板、光学基板および半導体基板から選択される基板を研磨するのに適している、ケミカルメカニカルポリッシングパッド。 （もっと読む）

【課題】深い溝に埋め込まれる被加工層の表面に対する平坦化工程のプロセス管理を高い精度で行うことができる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】被エッチング材１０の主面を選択的にエッチングして第１の溝ＳＴとこの第１の溝ＳＴよりも深い第２の溝ＤＴとを形成する工程と、第１の溝ＳＴ及び第２の溝ＤＴにそれぞれ被加工材料を堆積させて被加工層を成膜する工程と、この被加工層の表面を平坦化する平坦化工程と、平坦化工程の後または途中で第１の溝ＳＴにおける被加工層１４Ｓの厚みを測定する工程とを備える。 （もっと読む）

【課題】本発明は、インサイチュ終末点検出器の機能の低下なしに化学機械的研磨効率の極大化に適合する研磨パッド、化学機械的研磨効率を極大化させることができる研磨パッドを用いて化学機械的研磨工程をモニターする方法、研磨テーブルを用いて化学機械的研磨工程の終末点を検出する方法並びに、研磨パッドを製造する方法を提供する。
【解決手段】透明な支持層を備える研磨層を含み、透明な支持層に研磨層よりも薄く形成される層が隣接し、研磨層に付着したプラテン層をさらに含み、プラテン層は支持層に対応する位置で貫通ホールを有し、当該ホールの研磨層側の断面が広く形成される部位に直接的に接して支持されるとともに支持層と接する透明なプラテン窓を備え、プラテン窓の研磨層に対して前記プラテン層が位置する方向である下方の部位がプラテン層の研磨層と接する面よりも下方に位置する化学機械的研磨パッドである。 （もっと読む）

【課題】生産性を低下することなく、研磨後の膜厚の目標値からのずれ量を小さくし、高精度な研磨を行う。
【解決手段】複数の基板Ｗにおける被処理膜の初期膜厚を測定する初期膜厚測定手段６と、初期膜厚の測定結果に基づき、各基板間の被処理膜の初期膜厚差が所定値以下となるように複数の基板を並べ替えるソート手段１０と、並べ替えられた複数の基板の被処理膜を１次研磨する第１研磨手段１４と、研磨後の被処理膜の膜厚を測定する研磨後膜厚測定手段１５と、測定した初期膜厚と研磨後の被処理膜の膜厚、及びその時の研磨時間に基づき１次研磨における研磨レートを算出し、更に算出した研磨レートと次に１次研磨する基板の初期膜厚、及び研磨後の被処理膜の膜厚の目標値に基づき研磨時間を算出し、該研磨時間を次に１次研磨する基板の研磨時間としてフィードバックする制御を初期膜厚の厚さ順に逐次行う制御手段２０と、を備える。 （もっと読む）

【課題】研磨装置により円盤状基板の研磨を行う際に、研磨時間を抑制しつつ、特にエッジロールオフ（端ダレ）を抑え、円盤状基板をより均等に研磨することができる円盤状基板の製造方法等を提供する。
【解決手段】ガラス基板の主表面を研削する研削工程と、研削工程を経たガラス基板を研磨する研磨工程と、を有し、研磨工程は、ガラス基板の主表面に対する研磨の圧力を最大圧力まで単調増加させた後にこの最大圧力に留めることなく徐々に低下させると共に、研磨開始から研磨の圧力が最大圧力に達するまでの時間を研磨の圧力が最大圧力に達してから研磨終了までの時間より短くなるように設定することを特徴とする円盤状基板の製造方法。 （もっと読む）

【課題】基板の裏面を研磨することによるスループットの低減や基板の劣化を防止し、また、研磨部材の交換に要する労力や時間やコストを低減すること。
【解決手段】本発明では、基板（５）の裏面を研磨する基板裏面研磨装置（９）、基板裏面研磨装置（９）を有する基板裏面研磨システム（１）、基板裏面研磨装置（９）で用いる基板裏面研磨方法や基板裏面研磨プログラムにおいて、基板（５）の前工程での処理に関する情報に応じて基板（５）の裏面を基板研磨手段（１６、１７）で研磨することにした。また、基板（５）の前工程での処理に関する情報に基づいて決定した研磨範囲を基板研磨手段（１６、１７）で研磨することにした。さらに、基板（５）の前工程での処理に関する情報に基づいて決定したいずれか又は全ての基板研磨手段（１６、１７）を用いて研磨することにした。 （もっと読む）

【課題】板状部材と研磨ベルトとの押圧面を均一に接触させて、均一平面に仕上げると共に、押圧や研磨ベルトの駆動速度の加減速度の調整を容易として最適な研磨条件で板状部材を効率的に研磨できる板状部材研磨装置を提供する。
【解決手段】圧接部材７を研磨ベルト１の駆動方向と直交する方向に揺動自在とする簡単な追従機構とすると共に圧接部材降下用電動シリンダー３５の圧接力は電流比制御を行い常に均一に調整し、研磨ベルト１を安定して連続的に駆動しながら被研磨材５０を上載する保持台４０を往復動させることで被研磨材５０表面の平滑化及び表面の仕上げを良好なものとする研磨を行うことができるオープンリール式のベルト研磨装置である。 （もっと読む）

【課題】研磨中のウェハからの光反射率の絶対量に変化が生じたり、スラリーがウェハ表面に介在してノイズが混入しても、研磨終了点を正確に検出できるようにする。
【解決手段】図は、分光スペクトルにおける波形の節の波長変化を時間軸に対してプロットした特性図である。この波長変化のプロットに対して、予め設定した近似線、例えば、ｙ＝−ａｔ＋ｂの一次式で近似した近似線を描く。尚、ｙは波長、ｔは研磨時間、ａ，ｂは定数である。そして、近似線が任意の波長に達したタイミングを研磨終了点とする。例えば、分光スペクトルの波長が５１０ｎｍに達した時刻（研磨開始時点からの時刻）１１０ｓｅｃを研磨終了時刻として予測する。このようにして、近似線を用いることにより、研磨中のウェハの膜厚むらの有／無に関わらず、ウェハの膜厚変化に対する波長のシフト量からウェハの研磨終了時刻を正確に予測することができる。 （もっと読む）

【課題】１μｍより小さい精度で磁気ディスク用基板を研磨加工することができる生産性が向上した磁気ディスク用基板の製造方法を提供する。
【解決手段】磁気ディスク装置に用いられる磁気ディスクの磁性膜が設けられる前の磁気ディスク用基板の製造方法であって、圧電材料である水晶部材を切断する切断工程と、前記水晶部材が切断され形成された水晶板の側面を研削する側面研削工程と、前記水晶板に貫通孔を形成する貫通孔形成工程と、前記水晶板の両主面を研磨する第一の研磨工程と、前記水晶板の両主面を研磨する第二の研磨工程と、を備えており、前記第一の研磨工前後の前記水晶板の周波数を測定し前記第二の研磨工程での研磨量を決定することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】加工の品質が安定し、サイクルタイムが安定するホーニング方法及びホーニング装置を提供する。
【解決手段】シリンダ内面Ｓに接して回転される砥石２を油圧力でシリンダ内面Ｓに向け拡張させることにより砥石２を自生させつつシリンダ内面Ｓを仕上げ加工するホーニング方法において、加工中にシリンダ径方向の所定距離を加工するのに要した所要時間を測定し、所要時間ｔ２が目標時間ｔ０より短いときには油圧力を低下させ、所要時間ｔ１が目標時間ｔ０より長いときには油圧力を上昇させる。 （もっと読む）

【課題】被加工物の特性にあった規格の切削ブレードを切削装置のスピンドルに装着可能な切削ブレードの管理方法を提供する。
【解決手段】ブレードケースを切削ブレードの規格に対応して複数の色に彩色する彩色工程と、規格に対応して彩色されたブレードケース中に規格に合った切削ブレードを収容する切削ブレード収容工程と、被加工物の特性に合った規格の切削ブレードを選定する切削ブレード選定工程と、選定された規格の切削ブレードを収容したブレードケースの色と同じ色を切削装置に登録する色登録工程と、切削ブレードの交換時に該登録された色のマーク１００を該切削装置の表示画面７に表示する色表示工程と、該切削装置の表示画面７に表示された色と同じ色のブレードケースを用意し、該ブレードケース中に収容された切削ブレードを該切削装置のスピンドルに装着する切削ブレード装着工程と、を具備したことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】周波数掃引法によって厚み検出を行う圧電振動子の両面ポリッシング加工において、非導電性のポリッシングパッドの厚み、弾性、あるいは使用時間の影響を実質的に受けることなく、共振周波数の高周波数化と表面粗度への要求とに対応することを課題とする。
【解決手段】上定盤１１には、流体貯留部３４内に開口し、樋２５から通電用流体を供給するための注入路３２が設けられている。流体貯留部３４内には、電極端面３３１が流体ポケット３５より突出しない位置になるように測定電極３３が設けられている。測定電極３３は、電極端面３３１を除いて周囲が絶縁壁３３２により電気的に絶縁されている。 （もっと読む）

【課題】ワイヤ駆動方向切換時の張力付与部材の急激な変位を抑制する。
【解決手段】第１リール９ＡからワイヤＷを繰り出しながら当該ワイヤＷの張力を繰出し側張力に上げる一方、このワイヤＷの張力をこの張力よりも低い巻取り側張力に下げて第２リール９Ｂに巻取る前進駆動切断工程と、第２リール９Ｂからワイヤを繰り出しながら当該ワイヤＷの張力を繰出し側張力まで上げる一方、このワイヤＷの張力を巻取り側張力まで下げて第１リール９Ａに巻取る後退駆動切断工程とを繰返し行う。その際、ワイヤ繰出し側では、第１リールをその周速度がガイドローラ２４等の周速度よりも低くなる第１の回転速度で駆動し、巻取り側では、第２リールをその周速度が第１の回転速度で駆動される第１リールの周速度よりも低くなる第２の回転速度で駆動する。 （もっと読む）

【目的】 研磨揚送装置の研磨ベルト移動制御システムにおいて、研磨ベルトを最後まで有効に使用することができる研磨ベルト移動制御システムを提供する。
【解決手段】 研磨ベルトの残量が巻取装置による１回の巻取り動作で巻き取り可能な研磨ベルトの巻取り量よりも少ないと、未使用部分となる研磨ベルトの残量と汚れたパチンコ玉の総数とに基づいて、使用済の研磨ベルトの交換を促す報知を行うか否かを判定する（ステップＳ２２）。これにより、未使用部分が大部分残っているにも拘わらず交換報知に従って研磨ベルトを交換せざるを得ないような遊技場側の状況をなくすことができ、ロール状の研磨ベルトを最後まで有効に使用することができる。 （もっと読む）

【課題】 光学監視装置で生成される信号のノイズに拘わらず正しい終点を検出する。
【解決手段】 方法とともに装置が、基板１０表面を研磨パッド３０に接触させる。光学終点検出装置により、光線４２を向けて基板１０表面に衝突させる。光学終点監視装置からの信号を監視し、第一の終点基準が第一の時間ウィンドウ内で検出されない場合には、デフォルト研磨時間で研磨を停止する。第一の終点基準が第一の時間ウィンドウ内で検出される場合には、第二の終点基準を得るために信号を監視し、第二の終点基準が検出される場合に研磨を停止する。 （もっと読む）