【課題】その製造に際して用いたフラーレンの貧溶媒の残留量を低減したフラーレン内包シリカゲルを容易に得ることができる方法を提供する。
【解決手段】本発明によれば、フラーレンをトルエンに溶解し、得られた溶液に乾燥シリカゲルを加えて攪拌した後、トルエンを揮散させて乾固物を得、次いで、この乾固物をフラーレンの貧溶媒である塩化メチレンに加え、攪拌した後、減圧下に塩化メチレンを除去することを特徴とするフラーレン内包シリカゲルの製造方法が提供される。 （もっと読む）

【課題】アルカリ元素等の電子供与性金属元素内包によるフラーレンの電子状態改質は非常に有効で興味深いが、金属内包フラーレンの合成と単離は一般的に困難である。特にＣ_６０への金属内包ドーピングは、実現例が極めて少ない。本発明では、Ｌｉ＠Ｃ_６０塩を原料として用いて、Ｌｉ＠Ｃ_６０薄膜の作製することを目的とする。
【解決手段】本願発明の膜は、Ｌｉ＠Ｃ_６０塩を昇華させた生成物をＣｕ（１１１）面上に堆積させることによる形成されたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】スピントロニクスデバイス、単分子磁気デバイス等への応用が期待されるニッケル内包フラーレンは、鉄やニッケルなどに代表される遷移金属がフラーレンとの間で効率の良い電子移動が起こらず金属原子が生成途中でフラーレンから脱離するために、ニッケル内包フラーレンの合成は困難とされていた。
【解決手段】るつぼに入れたニッケル金属に対し電子ビームを照射し、蒸発したニッケル原子に電子を衝突させ、電子とニッケルイオンからなるプラズマを生成し、プラズマとフラーレンの反応により堆積基板上にニッケル内包フラーレンを含む堆積物を形成した。電子ビームのエミッション電流を制御することにより、ニッケル内包フラーレンの高効率合成が可能になった。 （もっと読む）

【課題】窒素内包フラーレンは、量子コンピュータ等の応用が期待される新規の材料である。しかし、従来の窒素内包フラーレンの製造装置を用いると、収率が１０^−４〜１０^−３％と低いという問題があった。
【解決手段】堆積基板の近傍に独立して電位制御可能なグリッド電極、エンドプレート電極を備えた製造装置を用い、窒素ガス圧力を高くし、フラーレン昇華オーブンの温度を７００℃以上の高温とし、かつ、電極と堆積基板の電位をそれぞれ独立して制御し、窒素内包フラーレンの合成を行った。合成プロセスの条件を最適化することで、世界最高の合成純度０．５％を得た。 （もっと読む）

【課題】単層カーボンナノチューブ薄膜の色彩を変化せしめる方法、この方法に用いられる表示セル、及びこの表示セルを用いた表示装置を提供すること。
【解決手段】透明セル１内に、基板２上の作用極３に接するように設けられた直径の大きさの揃った金属型又は半導体型単層カーボンナノチューブの薄膜４、電解液７、対極５、参照極６を収納した表示セルの作用極３と対極５間に電圧を印加して電気化学ドーピングを行い、単層カーボンナノチューブに電子又はキャリアの注入することにより単層カーボンナノチューブ薄膜の色彩を変化せしめる。例えば、単層カーボンナノチューブが金属型単層カーボンナノチューブであり、その直径が１．３〜１．４ｎｍであればシアン系（青）の色を呈しているが、電圧印加によりイエロー系（黄）に変化し、電圧印加を停止すれば元のシアン系の色に回復する。このとき、単層カーボンナノチューブとして、チューブ内にＣ６０分子又はβカロテン分子などのπ共役系分子を内包したものを用いれば、色の回復が改善される。 （もっと読む）

【課題】フラーレンベース材料を分離精製するフラーレンベース材料の製造方法を提供する。
【解決手段】イオン性又は分極性のフラーレンベース材料７を、泳動液２中に分散させた後、前記泳動中で複数の電極３，４間に電圧を印加する電気泳動法を用いて、イオン性又は分極性のフラーレンベース材料７を精製する。溶媒に溶けにくいフラーレンベース材料７の効率的な精製を行うことができ、純度の高いフラーレンベース材料７の大量精製が可能になった。 （もっと読む）

【課題】水溶液中での分散性と酵素活性の向上を同時に図ることができる、酵素が施与された炭素同素体を提供する。
【解決手段】ＤＮＡ及び酵素が施与された炭素同素体、及び前記炭素同素体の製造方法。並びに、前記炭素同素体を用いて酵素反応を行う方法。 （もっと読む）

【課題】炭素ナノ材料の分散剤としての応用が期待できる新規なイオン性高分岐ポリマー、並びに、炭素ナノ材料分散剤、及び炭素ナノ材料組成物を提供すること。
【解決手段】分子内に２個以上のラジカル重合性二重結合を有するモノマーＡと、分子内にカルボキシル基及び少なくとも１個のラジカル重合性二重結合を有するモノマーＢとを、該モノマーＡ及び該モノマーＢの合計モル数に対して、５モル％以上２００モル％以下の重合開始剤Ｃの存在下で重合させる段階と、前記重合段階の前、前記重合段階の間、又は前記重合段階に続いて、前記カルボキシル基に窒素原子含有塩基性化合物を反応させる段階とにより得られる、イオン性高分岐ポリマー、該ポリマーよりなる炭素ナノ材料分散剤、及び該分散剤を含む炭素ナノ材料組成物。 （もっと読む）

【課題】フラーレンを高濃度かつ安定に溶解した飽和炭化水素溶液を調製することができるフラーレンの飽和炭化水素溶液の製造方法を提供する。
【解決手段】フラーレンをトルエンまたはシクロヘキサンに予め溶解させ、この溶液と飽和炭化水素とを混合し、この混合液からトルエンまたはシクロヘキサンを減圧留去してフラーレンを溶解する飽和炭化水素溶液を調製することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】有機半導体デバイスの製造に適した昇華速度および純度（不純物酸素量）を有するフラーレン精製物およびその製造方法を提供する。
【解決手段】７２０℃における昇華速度が５０μｇ／ｍｉｎ以上であり、かつ、酸素含有量が８０重量ｐｐｍ以下であるフラーレン精製物。該フラーレン精製物は、原料フラーレンを７３０℃以上の温度に加熱して昇華させ、該加熱温度よりも低い析出温度にて、フラーレン精製物を析出させることにより製造することができる。 （もっと読む）

【課題】絶縁膜がリン酸塩やクロム酸塩等を含有する場合に生じる問題を解消することができる積層コアを提供する。
【解決手段】積層コア１は、積層された電磁鋼板１１を備え、電磁鋼板１１間には絶縁膜１２が形成されている。絶縁膜１２は、ＤＬＣおよびフラーレンのうちの少なくとも一つからなるから、低温形成が可能となる。絶縁膜１２形成時の冷却工程を大幅に低減することができる。絶縁膜１２は、有害物質を含有しないから、環境負荷の観点から、使用が制限されることはない。絶縁膜１２の熱伝導性が良いから、積層コアが組み込まれたモータの使用時、積層方向への熱伝導性が良くなる。電磁鋼板１１に打抜き加工を行う場合、打抜き加工性が良い。絶縁膜１２の基板追従性が良い。積層コア１に電磁コイルの巻き線を行った場合、電磁コイルの絶縁被覆の破壊を防止することができる。 （もっと読む）

【課題】単離されたＭ＠Ｃ_２ｎを得ること。
【解決手段】 Ｍ＠Ｃ_２ｎで表される単離された内包フラーレン。
Ｍ：単一若しくは複数の金属原子又はそれらを含む原子団
２ｎ＝６０又は７０
ポジティブモードでのレーザー脱離イオン化飛行時間型質量スペクトル（以下「ＬＤＩ-ＴＯＦ-ＭＳ」という。）において内包フラーレンのピーク強度に対する他のフラーレンのピーク強度が０．５％以下である下記式で表される内包フラーレン。
Ｍ＠Ｃ_２ｎ
Ｍ：単一若しくは複数の金属原子又はそれらを含む原子団
２ｎ＝６０又は７０ （もっと読む）

【課題】希土類鉄酸化物を用いた電子素子で、より低温下で製造可能とした電子素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】第１の半導体層と第２の半導体層とを接合させて形成したＰＮ接合を備えた電子素子及びその製造方法において、第１の半導体層を希土類鉄酸化物で形成した多結晶半導体層とし、第２の半導体層を有機材料で形成した有機半導体層とする。さらに、第１の半導体層は、粉末状とした希土類鉄酸化物を吹き付けて、または粉末状とした希土類鉄酸化物を所定の溶液に混合して生成した希土類鉄酸化物溶液を塗布して形成していることにも特徴を有する。 （もっと読む）

【課題】新規な炭素膜製造装置を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明の炭素膜製造装置は、供給ガスに電子ビームを照射し、プラズマを発生させる電子ビーム発生装置７と、炭素源を収容し、炭素源を加熱して気化させる炭素源容器４と、炭素膜を堆積させる基板３を有する。ここで、供給ガスは、アルゴンガスであることが好ましい。また、電子ビーム発生装置７の電子通過量は10〜100Aの範囲内にあることが好ましい。また、炭素源は、フラーレンC₆₀、フラーレンC₇₀、その他ナノメートルスケールのカーボン粒子であることが好ましい。また、基板３の広さは1〜100cm² の範囲内にあることが好ましい。また、基板３のバイアス電圧は-500〜0Vの範囲内にあることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】フラーレンファイバーのアスペクト比を調整することができる方法を提供する。
【解決手段】フラーレンを良溶媒に溶解した飽和溶液とフラーレンに対して貧溶媒となる液との界面にフラーレンファイバーを析出させる方法において、貧溶媒液中に水を混合する方法を用いれば、混合する水の分量とアスペクト比は図に示されるような比例関係にあり、水の分量によってアスペクト比を調整できることがわかった。また、従来用いていた高純度溶媒を用いずとも、より安価な溶媒を用いてフラーレンファイバーを合成することが可能であることがわかった。 （もっと読む）

本願は、１以上のオゾン分子が封入されている新規内包フラーレンを開示する。フラーレンは、例えばC₆₀-フラーレン(Buckminsterフラーレン)、C₇₀-フラーレン、C₇₆-フラーレン、C₇₈-フラーレン、C₈₂-フラーレン、C₈₄-フラーレン及びC₁₂₀-フラーレンから選択される。本願は、更に、内包フラーレンとキャリア物質とを含んでなる組成物を開示する。ここで、例えば、キャリア物質は、Ｌ-アスコルビン酸又はビタミンＥを含んでなる皮膚ローションのような皮膚ローションである。更に、新規フラーレンの種々の使用、例えば皮膚UV保護のため；サングラス中又はその表面上での、窓ガラス中又はその表面上での、繊維、織物、衣類、木、ペンキ、紙、クッション、革製品、ヘアケア製品及び植物中又はその表面上での使用が開示される。 （もっと読む）

【課題】従来構造のフラッシュメモリと比べてはるかに微細化可能な、フラーレンによるダイポールを利用した半導体記憶素子を提供する。
【解決手段】半導体領域を含む第１の電極１１と、第１の電極１１上に形成され、膜厚方向に設けられた孔を有する絶縁膜１２と、孔の開口部を覆って閉鎖された空間１３を形成する金属を含む第２の電極１５と、閉鎖空間１３内に配置され、電圧の印加により第１または第２の電極１１，１５のいずれかの側に移動することにより第１の電極１１と第２の電極１５との間にダイポールを発生させて、フラットバンド電圧をシフトさせるフラーレン１４を具備する。 （もっと読む）

フラーレン誘導体のための精製法を記載する。この精製法は、フラーレン誘導体および不純物、例えば他のフラーレン誘導体および多環式芳香族炭化水素等を含む溶液を、活性炭に通す工程を含む。高い純度を持つフラーレン誘導体が得られた。
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【課題】フラーレンに環状エーテル構造を有する基やフェニル基以外の基を付加できるフラーレン誘導体の製造方法であり、また、フラーレンに環状エーテル構造を有する基やフェニル基以外の基が付加しているフラーレン誘導体の提供。
【解決手段】炭素数ｍのフラーレン（Ｆ０）に、グリニャール試薬（Ｄ）と銅化合物（Ｅ）を反応させる工程１Ａと；工程１Ａで得られた反応生成物と環状エーテル化合物（Ｂ）とをハロゲン化シリル化合物（Ｃ）の存在下で反応させる工程２Ａと；工程２Ａで得られた反応生成物と無機酸（Ｇ）とを反応させる工程３を含む製造方法。 （もっと読む）

多孔性金属有機構造体、および複数の機能性フラーレンまたはフラーリドを含むガス吸着物質。金属有機構造体は、各金属クラスターが１つ以上の金属イオンを含有する複数の金属クラスター、および隣り合う金属クラスターを結合する複数の荷電した多座結合配位子を含む。 （もっと読む）