【課題】実用材料として好適な、粒子状突起構造を有するナノ炭素材料複合体およびその製造方法並びにナノ炭素材料複合体を用いた電子放出素子を提供する。
【解決手段】基体２と基体２上に成長した粒子状突起構造を有し、粒子状突起構造の直径は５０ｎｍ〜５００ｎｍであるナノ炭素材料３から成ることを特徴とするナノ炭素材料複合体１を提供する。パラジウムまたはその化合物から選ばれる薄膜を基体２上に形成する第１工程と、金属薄膜担持基体をオクタノール中で５５０℃以上６５０℃以下の範囲で加熱する第２工程とにより、ナノ炭素材料複合体を製造することができる。 （もっと読む）

【課題】実用材料として好適な、くびれ構造を有するナノ炭素材料複合体およびその製造方法並びにそのナノ炭素材料複合体を用いた電子放出素子を提供する。
【解決手段】基体２と基体２上に成長したくびれ構造を有するナノ炭素材料３から成るナノ炭素材料複合体１を提供する。パラジウムまたはその化合物から選ばれる薄膜を基体２上に形成する第１工程と、パラジウム担持基体をオクタノール中で６５０℃以上９５０℃以下の範囲で加熱する第２工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】
本発明は、簡便かつ安定した材質で製造することができ、さらに電気特性に優れた有機半導体を使用してなる電界効果トランジスタ、及びそれを形成してなる半導体チップを提供する。
【解決手段】
本発明は、有機半導体層が、フラーレンが結合した分子が自己組織化して内壁表面及び外壁表面の両面に結合したフラーレンからなる層を有するナノサイズ構造体を含む電荷輸送材料からなることを特徴とする電界効果トランジスタ、及びそれを形成してなる半導体チップに関する。 （もっと読む）

【課題】高分子フィルムを、熱処理により炭素化させて、皺、ひずみおよび割れのない平面性の高い炭素質フィルムが得られる炭素質フィルムの製造方法を提供する。
【解決手段】本炭素質フィルムの製造方法は、１枚以上の高分子フィルム１３と高分子フィルムの熱分解温度以上の温度において耐熱性を有する耐熱性フィルム１１とを交互に積層して積層体１０を得る積層工程と、不活性ガス中あるいは真空中で、高分子フィルムの熱分解温度以上の温度で、積層体１０を熱処理することにより、高分子フィルム１３を炭素化して炭素質フィルム１５を得る炭素化工程と、を備える。 （もっと読む）

【課題】パターン化された構造内でのゼオライト結晶の合成方法、さらに、ゼオライト結晶内において、カーボンナノ構造体を高収率で形成する方法を提供する。
【解決手段】上面にパターン化された構造（開口）を有する基板を準備し１１、上記基板にゼオライト合成溶液若しくはジェルを含浸させ１２、上記パターン化された構造に合成溶液を含ませるため機械的力を加え１３、ゼオライト結晶を形成するため水熱処理を適用してゼオライト合成溶液を結晶化し１４、上記基板をリンスし乾燥させ１５、内包されていない若しくは固着していないゼオライト結晶を取り除くため、付加的に機械的力を加える１６ことにより、パターン化された構造内に、ゼオライト結晶を組み込む。さらに、これらのゼオライト結晶を、緻密で配列されたＣＮＴの成長、即ちカーボンナノ構造体の成長のため使用する。ＣＮＴの成長は、ゼオライト結晶の多孔質構造体内において達成される。 （もっと読む）

【課題】本発明は、カーボンナノチューブ構造体及びその製造方法に関する。
【解決手段】本発明のカーボンナノチューブ構造体は、少なくとも一枚のカーボンナノチューブフィルムを含む。一枚の前記カーボンナノチューブフィルムが複数のカーボンナノチューブを含む。前記複数のカーボンナノチューブがそれぞれ前記カーボンナノチューブフィルムの表面に平行に配列されている。単一の前記カーボンナノチューブの長さが、１ｃｍ以上である。本発明は、前記カーボンナノチューブ構造体の製造方法も提供する。 （もっと読む）

【課題】高品質なカーボンナノチューブを高いスループットにて形成することができるカーボンナノチューブ形成技術を提供する。
【解決手段】真空チャンバ１０にはラジカルビーム照射部５０およびナノ粒子ビーム照射部７０が設けられている。基板Ｗは基板保持部３０によって保持されている。ナノ粒子ビーム照射部７０から触媒となる金属のナノ粒子のビームを基板Ｗに照射して触媒形成を行う。その後、ラジカルビーム照射部５０にて原料ガスからプラズマを発生させ、生成された中性ラジカル種のビームを基板Ｗに照射してカーボンナノチューブを成長させる。ラジカルビーム照射部５０にはアパーチャ５９が設けられているため、プラズマ発生に伴う圧力が高かったとしても、真空チャンバ１０内を１０^-5Torr〜１０^-3Torrの比較的高い真空度に維持し続けることができる。 （もっと読む）

【課題】ポリテトラフロロエチレンまたは架橋ポリテトラフロロエチレンに炭素の微粒子を浸透拡散させる。
【解決手段】ポリテトラフロロエチレンまたは架橋ポリテトラフロロエチレンを、表面に炭素の微粒子を接触させた状態で、３３０℃から３６０℃の温度範囲に加熱して炭素の微粒子をポリテトラフロロエチレンの中に拡散浸透させることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 ＣＮＴを基板上に直接合成する触媒ＣＶＤ法で、そのカイラリティを制御すること、特に金属的性質を示すアームチェア型ＣＮＴを選択的に合成することは極めて困難である。そこで、本発明の目的は、金属的性質を有するアームチェア型ＣＮＴを選択的に基板上に直接合成する方法を提供することにある。
【解決手段】 本発明は、ＣＮＴ合成時に触媒として作用する金属として準結晶組成から成るアルミニウム３元合金を用いて、それを熱処理することにより準結晶相を有する微粒子を形成して、その合金微粒子を触媒として用いる触媒ＣＶＤ法により、アームチェア型ＣＮＴを選択的に合成することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 カーボン材料としてフルフリルアルコールを用い、大きな比表面積および比孔容量を有するメソポーラスカーボンを提供すること。
【解決手段】 本発明によるメソポーラスカーボンは、空間群が立方晶Ｉａ３ｄ対称禁制であり、比表面積が１８×１０^２ｍ^２／ｇ以上２４×１０^２ｍ^２／ｇ以下であり、比孔容量が１．６ｃｍ^３／ｇ以上２．０ｃｍ^３／ｇ以下であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】メソ孔割合大の炭素材料製造方法を提供する。
【解決手段】式（１）で表される化合物を不活性ガス雰囲気下、８００℃〜３０００℃で加熱する。


（式中、Ｒは水素原子又は炭化水素基、Ｒ’は水素原子又はメチル基を表す。ｎは３〜７の整数を表す。） （もっと読む）

本発明は、粒子直径が１μｍ未満のカーボンエアロゲルに関する。カーボンエアロゲルは、（Ａ）モノヒドロキシベンゼン及び／又はポリヒドロキシベンゼン、アルデヒド、並びに触媒を、反応器内で７５〜２００℃の範囲の反応温度Ｔで、８０〜２４００ｋＰａの圧力で反応させる工程、（Ｂ）引き続き方法工程（Ａ）からの反応混合物を酸中に吹き付ける工程、（Ｃ）方法工程（Ｂ）から生成する生成物を乾燥させる工程、及び（Ｄ）炭化する工程によって製造される。本発明によるカーボンエアロゲルは、充填剤、強化充填材、ＵＶ安定剤、電極材料、吸音材、断熱材、触媒、触媒担体、導電性添加剤、ガス浄化及び／又は液体浄化のための吸収剤、又は顔料として、使用することができる。 （もっと読む）

【課題】基材の材料に依らない、基材及び該基材上に形成される垂直配向カーボンナノチューブ膜を有する構成体及び／又はその製造方法の提供。
【解決手段】第１の基材及び該第１の基材上に形成される垂直配向カーボンナノチューブを有する第１の構成体の製造方法であって、ａ）石英又はシリコンからなる第２の基材及び該第２の基材上に形成される垂直配向カーボンナノチューブを有する第２の構成体を準備する工程；ｂ）該第２の構成体を水に浸漬する工程であって、水の温度（Ｔ_ｗ）は第２の構成体の温度（Ｔ_ｃ）より高温であり、Ｔ_ｗとＴ_ｃとの温度差ΔＴ（＝Ｔ_ｗ−Ｔ_ｃ）が２５℃以上である工程に付し、第２の基材から垂直配向カーボンナノチューブを剥離させ、水の中又は表面に配置させる工程；及びｃ）剥離された垂直配向カーボンナノチューブを第１の基材上に配置させる工程；を有し、垂直配向カーボンナノチューブを第１の基材上に形成する、上記方法により、上記課題を解決する。 （もっと読む）

より少ない溶媒の使用、または溶媒の排除、ならびにより短い反応時間およびより高い反応温度の使用を含む、フラーレン誘導体生成の改良された方法を開示する。ビス-フラーレン誘導体、トリス-フラーレン誘導体、テトラ-フラーレン誘導体、ペンタ-フラーレン誘導体、およびヘキサ-フラーレン誘導体の生成に有用な方法を開示する。インデンが好ましい誘導体である。太陽電池用途のための活性層に使用される誘導体を開示する。

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【課題】グラフェンシェルの製造方法を提供する。
【解決手段】三次元構造を有するグラファイト化触媒を有機溶媒中で第１の熱処理を行うことにより、前記グラファイト化触媒を浸炭させる第１の工程と、前記第１の工程により得られる浸炭されたグラファイト化触媒を不活性雰囲気または還元性雰囲気下で第２の熱処理を行い、前記浸炭されたグラファイト化触媒の表面上にグラフェンシェルを形成させる第２の工程と、を含むグラフェンシェルの製造方法である。 （もっと読む）

【課題】廃棄処分となったセルロースアシレートフイルムを活性炭の原料として再利用する。
【解決手段】活性炭製造設備６０は炭素化装置６２と賦活装置６９とを備える。炭素化装置６２は加熱炉７１を有し、賦活装置６９はロータリキルン９１とガス供給源９２とを有する。炭素化工程では、炭素化すべきチップ６３を数回に分けて、加熱炉７１にチップ６３を供給する第一工程と、供給されたチップ６３を炭素化する第２工程とを繰り返し行う。前回の第２工程で生成した炭素化物３１が次の供給分の溶融物に取り込まれるように、次回の供給分の量が決定される。炭素化物３１は、砕かれた後、ロータリキルン５１に送り込まれると、羽根５６の回転により攪拌されながら、賦活される。これにより、炭素化物３１は活性炭２２となる。 （もっと読む）

【課題】大きな変形を伴う基材の表面に形成した場合においても、剥離及びクラックが発生しにくく且つ耐蝕性が高い炭素質薄膜を実現できるようにする。
【解決手段】炭素質薄膜は、基材の表面に形成され、炭素同士が結合したＣ−Ｃ成分及び炭素とシリコンとが結合したＳｉＣ成分を含む膜本体を備えている。膜本体の表面における酸化シリコン成分の比率は、０．０５以下である。 （もっと読む）

【課題】基板と平行に設けられた膜であって、当該膜の少なくとも最上端表面にメソ孔が開口部をもって規則的に配列された特有な細孔構造をもち、電極材料、分離膜、ガス吸着貯蔵材料、揮発性有機蒸気（ＶＯＣガス）の吸着分離剤等として有用な、新規な多孔質炭素膜およびその製造方法を提供する。
【解決手段】基板と平行に設けられた膜であって、当該膜の少なくとも最上端表面にメソ孔が開口部をもって規則的に配列されている多孔質炭素膜。基板上に設けた熱硬化性樹脂前駆体と界面活性剤とから形成される構造規則性を有する液状構造物に、気相状態の架橋剤を接触させて、硬化反応を行い、ついで得られる硬化体を焼成して炭素化して上記多孔質炭素膜を製造する。 （もっと読む）

【課題】カーボンナノチューブの成長を安定に持続させることができるカーボンナノチューブの製造方法を提供すること。
【解決手段】化学気相蒸着法によるカーボンナノチューブの製造方法において、反応装置内の炭素源の圧力を１.０〜２.０ｔｏｒｒ［１３３〜２６６Ｐａ］としてカーボンナノチューブを成長させる工程と、酸化性ガスによるアモルファスカーボンの除去工程と、還元性ガスによるカーボンナノチューブの成長触媒の還元工程と、再度反応装置内の炭素源の初期圧力を１.０〜２.０ｔｏｒｒ［１３３〜２６６Ｐａ］に保ち、カーボンナノチューブ成長工程を繰り返す。これにより、アモルファスカーボンの生成抑制および除去を行うことでカーボンナノチューブ成長触媒の活性を維持し、カーボンナノチューブの成長を持続させることができる。 （もっと読む）

【課題】簡易にしかも安価に作製することができるアモルファスカーボン薄膜作製方法を提供する。
【解決手段】超臨界流体セル６の流体層５内に二酸化炭素及び炭化水素を封入し超臨界状態を形成する工程と、流体層５内に紫外波長のレーザー光を照射する工程と、を含むアモルファスカーボン薄膜作製方法。 （もっと読む）