【課題】大気雰囲気での仮焼工程を行うことなく、非酸化雰囲気で本焼成を行うことが可能な焼結体形成用の粘土状組成物（銅粘土）、焼結体形成用の粘土状組成物用粉末、焼結体形成用の粘土状組成物の製造方法、銅焼結体及び銅焼結体の製造方法を提供する。
【解決手段】銅を含む銅含有金属粉末と銅を含む銅含有酸化物粉末とを含有する粉末成分と、バインダーと、水とを含み、前記粉末成分に含有される酸素量が、４質量％以上８質量％以下の範囲内とされていることを特徴とする。さらに、Ｆｅの含有量を１０００ｐｐｍ以下とすることで、銅焼結体の焼結性が向上する。 （もっと読む）

【課題】均一な組成のＣｕ−Ｇａ合金スパッタリングターゲットを得る。
【解決手段】Ｃｕ粉末とＧａとが質量比で８５：１５〜５５：４５の割合で配合された混合粉末を、不活性雰囲気中で撹拌しながら３０℃〜４００℃の温度で加熱して合金化した後、合金化物を粉砕及び粉砕物を混合して、Ｃｕ−Ｇａ合金粉末を作製し、このＣｕ−Ｇａ合金粉末を焼結してＧａのばらつきが３．０質量％以内のＣｕ−Ｇａ合金スパッタリングターゲットを製造する。 （もっと読む）

【課題】金属不純物の混入を抑制する。
【解決手段】金属製容器にて、Ｃｕ粉末及びＧａとが質量比で８５：１５〜５５：４５の割合で配合された混合粉末を、酸素分圧２０Ｐａ以下の雰囲気中で３０℃以上４００℃以下の温度で加熱しながら、金属製攪拌羽根で撹拌して合金化したＣｕ−Ｇａ合金粉末を作製し、このＣｕ−Ｇａ合金粉末を焼結して、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｃｒの合計が３ｐｐｍ以下であるＣｕ−Ｇａ合金スパッタリングターゲットを製造する。 （もっと読む）

【課題】粉末焼結法で作製されたＣｕ−Ｇａ合金スパッタリングターゲットにおいて、大きなスパッタ電力を投入しても、スパッタ膜にパーティクルが発生することを抑制することができる高品質なＣｕ−Ｇａ合金ターゲットを提供する。
【解決手段】Ｃｕ粉末及びＧａが質量比で８５：１５〜５５：４５の割合で配合された混合粉末を、不活性雰囲気中で加熱しながら撹拌し合金化して得られた平均粒径が１５０μｍ以下のＣｕ−Ｇａ合金粉末を、ホットプレス焼結することにより、断面組織に平均結晶粒径４０μｍ以下の粒子が含有されたＣｕ−Ｇａ合金スパッタリングターゲットを製造する。 （もっと読む）

【課題】高品質なＣｕ−Ｇａ合金スパッタリングターゲットを作製する。
【解決手段】Ｃｕ粉末とＧａとが質量比で８５：１５〜５５：４５の割合で配合された混合粉末が不活性雰囲気中で３０℃以上４００℃以下の温度で合金化されて得られたＣｕ−Ｇａ合金粉末１を真空又は不活性雰囲気中で４００℃以上９００℃以下の温度で熱処理した後に、加圧して焼結する。 （もっと読む）

【課題】酸素含有量が少ないＣｕ−Ｇａ合金スパッタリングターゲットを作製する。
【解決手段】Ｃｕ粉末とＧａとが質量比で８５：１５〜５５：４５の割合で配合され、酸素含有量が０．２ｗｔ％以下である混合粉末を酸素分圧が２０Ｐａ以下の雰囲気中で合金化し、得られたＣｕ−Ｇａ合金粉末をホットプレス法により焼結する。 （もっと読む）

【課題】大気雰囲気下でも容易に変色せず、かつ、引張強度、曲げ強度、表面の硬さ（以下、機械的強度と総称することがある）や伸び等に優れた銀銅合金焼結体を形成可能な銀銅合金焼結体形成用の粘土状組成物から製造した銀銅合金焼結体及び銀銅合金焼結体の製造方法を提供する。
【解決手段】銀粉末と酸化銅粉末とを含有する粉末成分と、バインダーと、水とを含み、前記酸化銅粉末として、酸化銅（ＩＩ）の粉末（ＣｕＯ粉）を前記粉末成分全体に対して４質量％以上３５質量％以下の範囲で含有し、前記粉末成分中の酸素を除く全金属成分に対するＡｇ元素の含有量が４６質量％以上９７質量％以下とされている銀銅合金焼結体形成用の粘土状組成物を焼成することで前記の課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】 スパッタリングの際に安定した成膜が可能なＣｕ−Ｇａ合金ターゲット材を提供する。
【解決手段】 Ｇａを１０〜９５質量％含有し、残部Ｃｕおよび不可避的不純物からなるＣｕ−Ｇａ合金ターゲット材であって、組織が平均粒径３００μｍ以下のＣｕ−Ｇａ合金相からなり、ターゲット材中の各部位のＧａ含有量のターゲット材全体のＧａ含有量の平均値に対する変動量が±３％以内の範囲にあり、ターゲット材の各部位の相対密度のターゲット材全体の相対密度の平均値に対する変動量が±２％以内の範囲にあり、ターゲット材全体の相対密度の平均値が１００％以上であり、ターゲット材の各部位の酸素含有量のターゲット材全体の酸素含有量の平均値に対する変動量が±２０％以内の範囲にあり、且つ、ターゲット材全体の酸素含有量の平均値が３００質量ｐｐｍ以下であるＣｕ−Ｇａ合金ターゲット材。 （もっと読む）

【課題】耐電圧や遮断性能やコンデンサ開閉性能を向上できる真空遮断器用電極材料の製造方法及び真空遮断器用電極材料を提供する。
【解決手段】真空遮断器用電極材料は、混合工程と、プレス焼結工程と、Ｃｕ溶浸工程で製造する。混合工程で、粒径が０．８〜６μｍのＭｏ粉と粒径が４０〜３００μｍのテルミットＣｒ粉とを、混合比率をＭｏ：Ｃｒ＝１：１〜９：１にすると共に混合重量をＭｏ≧Ｃｒにして均一に混合する。プレス焼結工程で、混合した混合物をプレス圧１〜４ｔ／ｃｍ^２で加圧成形して成形体を形成し、かつ成形体を加熱炉において１１００〜１２００℃の温度で１〜２時間保持する焼結を行って仮焼結体を作る。Ｃｕ溶浸工程で、仮焼結体上にＣｕ薄板を配置し、加熱炉において１１００〜１２００℃の温度で１〜２時間保持することで仮焼結体中にＣｕを液相焼結させて溶侵させる。 （もっと読む）

【課題】膜の全体が緻密であり、かつ、基材への密着性が良好なナノ粒子焼結膜の成膜方法を提供する。
【解決手段】本発明に係るナノ粒子焼結膜の成膜方法は、金属粒子を含むペーストを基材１０表面に塗布し、塗布層２０を形成する塗布工程と、基材１０を加熱する加熱工程、及び塗布層２０に局所的にエネルギーを加えるエネルギー照射工程とにより塗布層２０から燒結膜２５を形成する焼結膜形成工程とを備える。 （もっと読む）

【課題】偏析相が少ないＣｕ−Ｇａ合金材、スパッタリングターゲット、及びＣｕ−Ｇａ合金材の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明のＣｕ−Ｇａ合金材は、平均組成が３２重量％以上５３重量％以下のガリウム（Ｇａ）と、残部が銅（Ｃｕ）及び不可避的不純物とからなるＣｕ−Ｇａ合金材であって、４７重量％未満の銅と不可避的空隙とを含む領域の体積のＣｕ−Ｇａ合金材全体の体積に占める割合が２％以下である。 （もっと読む）

【課題】高温加熱・溶解および高真空環境を緩和して金属ガラス製品の工業的生産を可能にするアモルファス合金製品の製造方法を提供する。
【解決手段】金属ガラス製品の製造をおこなう場合に、あらかじめ製品のプリフォーム成形体を作製する工程と、作製されたプリフォーム成形体を金型（ダイ２１）内に装入し、真空中においてガラス遷移温度に加熱・加圧し、粘性流動加工をおこなうことでニアネットシェイプ製品（真空加圧・加熱成形体１６ａ）を作製する工程とからなるアモルファス合金製品の製造方法。 （もっと読む）

【課題】高品質なＣｕ−Ｇａ合金粉末を容易に製造することができるＣｕ−Ｇａ合金粉末の製造方法及びＣｕ−Ｇａ合金粉末、並びにＣｕ−Ｇａ合金スパッタリングターゲットの製造方法及びＣｕ−Ｇａ合金スパッタリングターゲットを提供する。
【解決手段】Ｃｕ粉末とＧａとが質量比で８５：１５〜５５：４５の割合で配合された混合粉末を、不活性雰囲気中で３０〜７００℃の温度で攪拌して合金化することにより、Ｃｕ−Ｇａ合金粉末を得る。また、このＣｕ−Ｇａ合金粉末を成型し、焼結することにより、Ｃｕ−Ｇａ合金スパッタリングターゲットを得る。 （もっと読む）

【課題】高品質なＣｕ−Ｇａ合金粉末を容易に製造することができるＣｕ−Ｇａ合金粉末の製造方法及びＣｕ−Ｇａ合金粉末、並びにＣｕ−Ｇａ合金スパッタリングターゲットの製造方法及びＣｕ−Ｇａ合金スパッタリングターゲットを提供する。
【解決手段】Ｃｕ粉末とＧａとが質量比で８５：１５〜５５：４５の割合で配合された混合粉末を、不活性雰囲気中で３０〜７００℃の温度で攪拌して合金化することにより、Ｃｕ−Ｇａ合金粉末を得る。また、このＣｕ−Ｇａ合金粉末を成型し、焼結することにより、Ｃｕ−Ｇａ合金スパッタリングターゲットを得る。 （もっと読む）

【課題】低温における焼結でも高い結晶子径を有して優れた導電性を有する銅−亜鉛からなる銅合金微粒子分散液を提供する。
【解決手段】銅−亜鉛からなる、平均一次粒子径が１μｍ以下の銅合金微粒子が、少なくとも１つのヒドロキシル基を有する有機化合物（Ｓ１）を含有している有機溶媒（Ｓ）中に分散していることを特徴とする、銅合金微粒子分散液。 （もっと読む）

【課題】 スパッタ法により良好にＮａ添加されたＣｕ−Ｇａ膜を成膜可能なスパッタリングターゲット及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】 Ｇａ：２０〜４０ａｔ％を含有し、
さらに、Ｎａ：０．０５〜２ａｔ％およびＳ：０．０２５〜１．０ａｔ％を含有し、残部がＣｕ及び不可避不純物からなる成分組成を有する。また、このスパッタリングターゲットを作製する方法は、Ｎａ_２Ｓ粉末とＣｕ−Ｇａ合金粉末との混合粉末、又はＮａ_２Ｓ粉末とＣｕ−Ｇａ合金粉末と純Ｃｕ粉末との混合粉末を、真空または不活性ガス雰囲気中でホットプレスする工程、または、熱間静水圧法で焼結する工程を有している。 （もっと読む）

【課題】 従来の、台金に固着した構成の焼結摺動部材は、鉛青銅等が多く使われてきたが、鉛が環境に悪影響を与える。ここで鉛を含まないこと、境界潤滑条件下で焼付きせず長寿命であること、良好な接合が得られること、硬度が低くないこと、強度低下がないことを満たす焼結摺動部材が求められている。
【解決手段】 Ｆｅ：２０〜４５％、Ｍｏ：７〜１５％、Ｓ：０．５〜１．５％、Ｃｕ：３５〜６５％、Ｓｎ：３〜８％、および不可避不純物の組成で、気孔率が５〜２０％の合金が、鋼、銅、または銅合金の台金に固着して一体化している焼結摺動部材とする。 （もっと読む）

【課題】耐焼付き性および機械的強度を両立できる摺動材料を提供すること。
【解決手段】銅系焼結合金を基材とし、硫化マンガンを含有する摺動材料であって、前記硫化マンガンの原料粉末には、粒子径が４〜６μｍの範囲にある粒子が重量基準で５０％以上含まれており、前記原料粉末の粒子径の最大径が１２μｍ以下であることを特徴とする摺動材料。 （もっと読む）

【課題】 連続焼結法にて作製されるＣｕ合金層中のＢｉ相の粗大化を抑制し、耐疲労性に優れた銅系摺動材料を提供する。
【解決手段】 Ｃｕ合金層には、Ｂｉを１０〜３０質量％及び無機化合物を０．５〜５質量％含有している。そして、無機化合物の平均粒径を１〜５μｍで、Ｂｉ比重に対して７０〜１３０％の比重とすることにより、Ｃｕ合金粉末表面のＢｉ相に無機化合物が埋収し、液相となったＢｉに無機化合物が凝集することなく分散するため、Ｃｕ合金粉末同士が十分に焼結する温度まで、液相となったＢｉをＣｕ合金粉末内に留めることが可能となる。その結果、Ｂｉの液相が拡がらなくなり、その後、圧延、焼結を繰返すことにより、Ｂｉ相を微細に分散させたＣｕ合金層を得ることができる。 （もっと読む）

【課題】 高温成形時の溶融を抑制することで高密度化を達成できる、太陽電池の光吸収薄膜層を製造するための高強度Ｃｕ−Ｇａ系スパッタリングターゲット材およびその製造方法を提供する。
【解決手段】 原子％で、Ｇａを２９〜４０％含み、残部Ｃｕおよび不可避的不純物からなる粉末冶金ターゲット材において、Ｘ線回折においてＣｕベースのｆｃｃ相の（１１１）面とＣｕ９Ｇａ４相の（３３０）面からのＸ線回折ピーク強度比が、０．０５≦Ｃｕ［Ｉ（１１１）］／Ｃｕ９Ｇａ４［Ｉ（３３０）］≦０．８０、かつＣｕＧａ２相の（１０２）とＣｕ９Ｇａ４相の（３３０）面からのＸ線回折ピーク強度比が、ＣｕＧａ２［Ｉ（１０２）］／Ｃｕ９Ｇａ４［Ｉ（３３０）］≦０．１０であり、さらに相対密度が９５％以上であることを特徴とした高強度Ｃｕ−Ｇａ系ターゲット材、およびその製造方法。 （もっと読む）