本発明は、すべり軸受におけるＣｕＦｅ_２Ｐの使用、またはすべり軸受材料としてのＣｕＦｅ_２Ｐの使用に関する。本発明はさらに、支持層と、ＣｕＦｅ_２Ｐをベースとする軸受金属層（３）と、を含む、すべり軸受複合材料（１）に関する。
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【課題】 平面表示装置等の配線膜のプロセス温度域で、低抵抗化が可能であるとともに、ガラス基板やＳｉ層への密着性が良好で、かつＳｉ拡散バリア性を有するＣｕ系配線膜を形成するために使用されるスパッタリングターゲットを提供する。
【解決手段】 Ｃｕと添加元素と酸素の総和を１００原子％とした時に、添加元素としてＢを０．１〜１．０原子％、さらにＢと化合物を発現する元素の少なくとも１種類以上を０．１〜２．０原子％含むとともに、酸素を３．０〜１０原子％含有し、残部がＣｕと不可避的不純物からなるスパッタリングターゲットである。 （もっと読む）

【課題】耐熱性非酸化物と金属材料との複合材料からなり緻密性に優れた接点部材を生産性良く、かつ少ないエネルギーで製造できる接点部材連結体およびその製造方法と、前記特性に優れた接点部材と、前記接点部材を用いた遮断器とを提供する。
【解決手段】接点部材連結体１は、前記複合材料によって、複数個の接点部材２と１個の末端部材４とを連結部３を介して列をなすように連結した形状に一体に形成し、接点部材２は、連結部３を破断することにより、複数の側面のうち少なくとも１つの側面において破断面が露呈させる。連結部３を有する連結体を一体にプレス成形し、次いで前記列の先端側から末端側へ向けて順次、昇温、降温して末端部材内に気孔を寄せ集める製法により、個々の接点部材２の密度を９７％以上とする。 （もっと読む）

少なくとも１つの支持層（２）および焼結された軸受メタル層（１０）を備えたすべり軸受用複合材（１）を説明する。焼結された軸受メタル層（１０）は、少なくとも層の一区域で勾配層として形成されている。
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【課題】耐摩耗性に優れると共に高い焼結強度を示し得る焼結金属軸受を提供する。
【解決手段】本発明に係る焼結金属軸受は、Ｃｕ粉末とＳＵＳ粉末、および純Ｆｅ粉末とを少なくとも含む原料粉末を圧縮成形し、然る後、この圧縮成形体を所定の温度で焼結することにより得られる。 （もっと読む）

第１の材料の一部分と第２の材料の少なくとも一部分とを有する粉体製品の製造方法において、製造方法が、以下の工程、すなわち、第２の材料粉末と、一つの選択された部分又は複数の選択された部分内のガス化可能材料とを備えた少なくとも第１の本体であって、第２の材料粉末がガス化材料で保持されている少なくとも第１の本体を製品の形状を規定するカプセル内に配置する工程と、第１の材料粉末をカプセル内に満たす工程と、ガス化材料を除去する工程と、カプセルをシールする工程と、第１の材料粉末及び第２の材料粉末を緻密化して成形体にする高温まで高圧下でカプセルを加熱する工程と、を備える。
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多相構造の、即ち自己集合により特性長が１０μｍ以下である第一の相の粒子が第二の相中に均一に分散している熱電材料の製造方法において、少なくとも二相熱電材料が、その少なくとも二相熱電材料の成分でない金属または該金属のカルコゲニドとともに溶融され、混合後に、冷却または反応性粉砕により結合させられる。 （もっと読む）

【課題】低熱膨張率で高電気伝導度の電子機器用通電部材用Cr−Cu合金を提供する。
【解決手段】偏平したCr相を有するCr−Cu合金において、Crを30質量％超え80質量％以下で含有すると共に、不可避的不純物であるＯ，Ｎ，Ｃ，Al，Siの混入をそれぞれ、Ｏ：0.08質量％以下、Ｎ：0.03質量％以下、Ｃ：0.03量％以下、Al：0.05量％以下、Si：0.10質量％以下に抑制した組成とし、また該偏平したCr相のアスペクト比が10超えで、かつ該Cr相の厚さ方向の個数密度が10個／mm以上 1000個／mm以下の層状の組織とし、さらに電気伝導度のばらつきを±10％以内に抑制する。 （もっと読む）

【課題】Ｂｉ含有はんだ箔の製造方法及びＢｉ含有はんだ箔を提供すること。また、耐熱性が高く緻密に接合された接合体、及びパワー半導体モジュールを提供すること。
【解決手段】本発明のＢｉ含有はんだ箔の製造方法では、ビスマス（Ｂｉ）を含むはんだ材料の粉末を粉末圧延法によりシート化する。前記はんだ材料の粉末における長辺と短辺の比は、１．２以上３．０以下が好適であり、該粉末の平均粒径は５μｍ以上２００μｍ以下が好適である。前記粉末圧延法による圧延は、−２０℃以上２６９℃以下で行なわれることが好ましい。また、本発明の接合体およびパワー半導体モジュールでは、接合部に前記Ｂｉ含有はんだ箔が用いられる。 （もっと読む）

【課題】低熱膨張率と高熱伝導率を両立し、なおかつ安価な放熱材料、およびその製造方法を提供する。
【解決手段】ＣｒとＣｕに加えてＷおよび／またはＭｏを含有し、Ｗ含有量および／またはＭｏ含有量とＣｒ含有量との合計が３０質量％超え９０質量％以下であり、残部が不可避的不純物からなる組成を有し、かつ粒子状Ｃｒ相に加えて、粒子状Ｗ相および／または粒子状Ｍｏ相がＣｕ相基地中に分散した組織を有する放熱材料である。その製造方法の一例として、ＣｒとＣｕに加えてＷおよび／またはＭｏの粉末を混合した後、焼結して３０℃／分以下の冷却速度で冷却し、得られた焼結体を５００〜７５０℃の温度範囲で時効熱処理する。 （もっと読む）

軸受材料と軸受材料のライニングを有する軸受を製造する方法とが記載されており、この場合この軸受材料は、質量％で：錫４〜１２；ニッケル０．１〜２；ビスマス１〜６；アルミナ０．０１以上０．１０未満；残分 付随する不純物は除き銅を含有する。
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【課題】異なる種類の複数の金属材料からなり、加工性の悪化や強度低下等の不具合を招くことなく形成できる焼結軸受を提供する。
【解決手段】分離合金粉１０を焼結材料として使用することにより、異なる種類の金属材料（例えばＳＵＳ鋼１１とＣｕ１２）の特性を活かすことができる。また、異なる金属からなる各領域の界面の少なくとも一部が合金化されているため、各領域間の結合強度が高められ、焼結軸受の強度が高められる。 （もっと読む）

【課題】焼結時の雰囲気ガスを設定することにより、部分ごとに種類の異なる金属材料で構成された高品質の複合焼結体を効率よく製造可能な複合焼結体の製造方法、かかる焼結体の製造方法により製造された機械的特性および寸法精度の高い複合焼結体、およびかかる複合焼結体で構成された部品を備えた燃料噴射弁を提供すること。
【解決手段】第１の金属粉末とバインダとを含む第１の混練物２１と、第１の金属粉末とは組成および結晶構造が異なる第２の金属粉末とバインダとを含む第２の混練物２２とを用い、各混練物２１、２２のうち、第１の混練物２１の一次成形体３をインサートワークとして、第２の混練物２２をインサート成形してなる二次成形体４を作製する成形工程と、二次成形体４を焼成し、複合焼結体を得る焼成工程とを有し、第２の金属粉末の結晶構造が第１の金属粉末と同じ構造に転移するように焼成工程における雰囲気ガスを設定する。 （もっと読む）

【課題】圧力を伴わない簡単な方法で接点と通電棒と外部操作部や配線に連結するためにネジ部とを一体化し且つ各部の部品寸法を容易に確保できる真空バルブの接触子構造及びその製造方法を提供する。
【解決手段】無酸素銅のブロックの通電棒用母材２７を内装したオーステナイト系ステンレスの底部２５付き筒状体２６の開口部に銅−クロム焼結体の成形体２８を載置し、その上に無酸素銅のブロックの溶浸材２９を載置する。この組立品３０を水素雰囲気にて１２００℃で加熱して通電棒用母材２７及び溶浸材２９を溶融させる。溶浸材２９は成形体２８の多孔性の孔部分を充填し、剰余は筒状体２６内に滴下して通電棒用母材２７と一体となって筒状体２６内を満たし、冷却により凝固し、仕上げ前の接点３２、筒状体２６、通電棒用母材２７それぞれの界面が強固に結合される。ｋの後、筒状体２６の下部外周にオネジ部が形成される。 （もっと読む）

【課題】 超微粒のニッケル−銅合金粉末と、このような超微粒の合金粉末を大量に生産するための製法を提供することを目的とするものであり、また、こうして得られた超微粒のニッケル−銅合金粉末を導体ペーストに用いて、絶縁体の表面に薄層の導体膜を有し、デラミネーション等の発生を抑制できる電子部品を提供する。
【解決手段】 ニッケルと銅とを含む合金粉末であって、平均粒径が５〜３０ｎｍであり、Ｘ線回折パターンにおいて、前記ニッケルと前記銅とからなり六方最密構造（ｈｃｐ）を有する合金の主ピーク、前記ニッケルの酸化物の主ピークおよび前記銅の酸化物の主ピークのうちの強い方の回折強度が、前記ニッケルと前記銅とからなり立方最密構造（ｃｃｐ）を有する合金の主ピークの回折強度の１０％以下である合金粉末を得、次いで、この合金粉末から導体ペーストを調製し、絶縁体の表面に前記導体ペーストを印刷して焼結体とする電子部品を作製する。 （もっと読む）

【課題】 ガラス基板やＳｉ系下地膜との密着性やバリア性に優れた配線膜を形成するための酸素を含有したＣｕ合金ターゲットに関して、ターゲット中に存在する酸素を均一に分散させたスパッタリングターゲットの製造方法およびその製造方法で作製されるスパッタリングターゲットを提供する。
【解決手段】 酸素含有雰囲気中で加熱処理して酸素導入したＣｕ粉末と、Ｃｕよりも酸化物形成自由エネルギーが小さい元素から選ばれる少なくとも1種類以上の添加元素粉末とを混合した後に加圧焼結し、Ｃｕと添加元素と酸素の総和を１００原子％とした時に、添加元素を０．０５〜１０原子％含有するとともに、酸素を５．０原子％以上かつＣｕと添加元素が形成する酸化物の化学量論量以下含有するスパッタリングターゲット素材を得るスパッタリングターゲットの製造方法である。 （もっと読む）

【課題】垂直磁気記録媒体のＲｕ中間膜の配向性を高め記録媒体のノイズを減らすこと。
【解決手段】
非磁性基板上に軟磁性裏打ち層を製膜し、その上に組成がＣｕ−Ｇｅからなるスパッタリングターゲットを用いてＣｕとＧｅからなる組成のシード膜を製膜する。Ｇｅが２〜１０ａｔ％の範囲で上記スパッタリングターゲットは（１０．１）面の回折強度と（００．２）面の回折強度との強度比Ｉ（１０．１）／Ｉ（００．２）が１より小さい擬ｈｃｐ結晶構造となり、スパッタ製膜されたシード膜も擬ｈｃｐ構造となる。該Ｃｕ−Ｇｅシード膜の上にＲｕ中間層を製膜することでＲｕ中間膜の配向性を向上させることが可能であり、ひいては記録媒体のノイズを減少できる。Ｃｕ−Ｇｅターゲットは上記強度比を１以下にするためにＣｕ、Ｇｅ以外の不純物元素混入量を２ａｔ％以下に抑える必要があり、そのため粉末焼結法で作成される。 （もっと読む）

【課題】耐アーク成分として適正な耐火性金属を用い、Ｃｕマトリックスとの界面の制御により、溶着引離し力を低減するための低強度と、通電・遮断性能を確保するための高密度とを両立し、開閉器等の大幅な小型化を可能にする電気接点を提供する。
【解決手段】耐火性金属であるＣ，Ｍｏ，またはＷのうちの一種の粉末と、高導電性金属Ｃｕの粉末とを混合後、加圧して相対密度６５％以上の成形体とし、この成形体をＣｕの融点以下の温度に加熱して焼結することにより、耐火性金属の含有量Ｖ（体積％）が、その原子量をＭとするとき、式（１）及び（２）から求められる範囲にあり、かつ、任意断面における前記耐火性金属と高導電性金属の界面は、その長さの７０％以上が物理的に乖離している電気接点を得る。
Ｖ＝Ｍ×ｃ／９５．９４ ・・・・・・（１）
８≦ｃ≦３２ ・・・・・・・・・・・（２） （もっと読む）

【課題】
【解決手段】本発明は、次の化学式で表される新規な化合物半導体を提供する（Ｂｉ_1-x-yＬｎ_xＭ_yＣｕＯＴｅ）。化学式において、Ｌｎはランタン族元素であってＬａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｐｍ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ及びＬｕからなる群より選択されたいずれか１つまたはそのうちの２種以上の元素であり、ＭはＢａ、Ｓｒ、Ｃａ、Ｍｇ、Ｃｄ、Ｈｇ、Ｓｎ、Ｐｂ、Ｍｎ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｔｌ、Ａｓ及びＳｂからなる群より選択されたいずれか１つまたはそのうちの２種以上の元素であり、０＜ｘ＜１、０≦ｙ＜１及び０＜ｘ＋ｙ＜１である。前記化合物半導体は従来の化合物半導体に代替するかまたは従来の化合物半導体に加え、熱電変換素子などの用途に用いられ得る。 （もっと読む）

【課題】許容面圧を超える高面圧が作用する用途においても、疲労耐久性、耐荷重特性及び摩擦摩耗特性に優れた複層焼結摺動部材を提供すること。
【解決手段】
複層焼結摺動部材は、Ｓｎ成分３〜１０重量％と、Ｎｉ成分１０〜３０重量％と、Ｐ成分０．５〜４重量％と、Ｆｅ成分３０〜５０重量％と、高速度工具鋼成分１〜１０重量％と、黒鉛成分１〜５重量％と、銅成分２０〜５５重量％とを含む多孔質焼結層が裏金に一体に拡散接合されてなる。 （もっと読む）