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Fターム[4K023AA19]の内容

Fターム[4K023AA19]に分類される特許

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【課題】ボイドを形成せず、盛り上がりをはじめとするオーバープレーティングの減少を示し、種々のフィーチャーサイズの上の滑らかで平坦な堆積物を提供し、および種々の電解質濃度を使用する、半導体製造において使用するためのレベリング剤を提供する。
【解決手段】特定のアミン類とポリエポキシドと化合物の反応生成物を電解銅メッキ浴のレベリング剤として使用する。 (もっと読む)


【課題】長時間保管後も高強度を維持し、加熱後も高強度で、かつ電気伝導性に優れた電解銅箔を提供する。
【解決手段】(A)ジチオカルバミン酸誘導体又はその塩、(B)チオ尿素、(C)メルカプト基を有する水溶性イオウ化合物又はその誘導体又はそれらの塩、(D)ポリアルキレングリコール及び(E)塩素イオンを添加剤として含有する硫酸酸性銅めっき液を電気分解することにより電解銅箔を製造する。 (もっと読む)


【課題】プリント回路基板のスルーホールの角及び壁面に充分に均一な銅の析出ができる電気めっき方法及び、該電気めっき方法は高スローイングパワーを有する銅析出を提供する。
【解決手段】a)1以上の銅イオン供給源、5−100ppbの3−メルカプトプロパンスルホン酸、その塩又はそれらの混合物、1以上の追加の光沢剤、及び1以上のレベリング剤を含有する電気めっき組成物を提供し、b)基板を該電気めっき組成物中に浸漬し、基板は複数のスルーホールを有し、該複数のスルーホールのひざ及び壁面は第一の銅層で被覆され、そしてc)複数のスルーホールのひざと壁面の第一の銅層の上に充分に均一な第二の銅層を電気めっきする。 (もっと読む)


【課題】電気メッキ法を採用することにより、従来の無電解メッキ法のみにより得られる高分子電解質の表面や内部に形成した金属層(メッキ層)と比較して、表面抵抗の抑制や、高分子電解質に対する密着性の向上、短時間で金属層の膜厚(メッキ厚)の確保、工程数の簡略化、メッキ厚や電極形状を容易に調整でき、更に、異種金属を容易に積層できる高分子電解質複合体の製造方法、及び、前記製造方法により得られる高分子電解質複合体を提供する。
【解決手段】高分子電解質の少なくとも表面より内部に、電気メッキ法により、金属層を形成する工程を含むことを特徴とする高分子電解質複合体の製造方法。 (もっと読む)


【課題】特に半導体集積回路(IC)デバイス製造の分野において、約100nmより小さい、好適には約70nmより小さい、更に好適には約50nmより小さい、より好適には約35nmより小さい幅を有するトレンチ、バイアなどの開口部を充填する電着方法を提供する。
【解決手段】0.5mmol・l−1と50mmol・l−1との間に含まれる銅イオン濃度と、電着浴の体積あたり0.05%と10%との間に含まれる酸濃度とを有する電着浴中に基板を浸責し、銅の堆積物を電着する。 (もっと読む)


【解決手段】(A)硫黄化合物、(B)エーテル結合を4個以上含有するポリアルキレングリコール化合物、(C)アゾ化合物、(D)硫酸銅五水和物、(E)硫酸、及び(F)塩化物イオンを含有することを特徴とする電気銅めっき浴。
【効果】本発明の電気銅めっき浴を用いれば、めっき時にボイドやシームが発生しにくく、小径のスルーホールに対しても電気銅めっき方法によって銅を充填することができる。また、従来法と比べて、工程数が減らせるため、コストダウンにも繋がり、逆電流を用いることがなく、直流電流でスルーホールへの銅の充填が可能となるため、工程の簡略化にも繋がる。更に、従来のペースト剤等の充填に比べ、めっきによって銅皮膜を充填した場合は、放熱性が優れる。 (もっと読む)


【課題】生理活性化作用のある光を発生する発光装置を提案すること。
【解決手段】天然に存する薬石の抽出液が触媒として添加されたメッキ液を用いて加工したメッキ製品を懐中電灯などの発光装置の給電回路部品として用いる。発光装置の光源ランプからは薬石特有の波動振動を有する光が発生し、この光を生体に当てると、その波動が生体の細胞の活性化等の効果をもたらす。メッキ液用添加剤は、ミネラル鉱石、多元素共存特殊天然鉱石、トルマリン等の薬石に含まれているミネラル成分を含み、ミネラル成分には、少なくともカルシウム、ナトリウム、カリウム、マグネシウム、ケイ素、塩素イオン、および、硫酸イオンが含まれている。ミネラル成分は、薬石を粉砕し、粉末状になるまで細かくすりつぶした後、この粉末を水と混合して攪拌し、濾過することにより得られたものである。 (もっと読む)


【課題】導電層の表面上に銅を堆積させる銅めっき浴を提供する。
【解決手段】めっき浴は、特定のベンゾイミダゾールと特定のエポキシド含有化合物との反応生成物である平滑化剤を含み、ある範囲の電解質濃度にわたって、基体表面上に実質的に平坦な銅層を堆積させる。 (もっと読む)


【課題】スライム等のパーティクルの発生およびこれに起因するめっき不良を低減することができる電気めっき用高純度銅アノード、その製造方法、これを用いた電気銅めっき方法を提供する。
【解決手段】電気めっき用高純度銅に加工を施して加工歪みを与えた後、再結晶化熱処理を行うことにより、アノード表面の銅結晶粒の結晶粒界の単位全粒界長さLと、特殊粒界の単位全特殊粒界長さLσとの特殊粒界長比率Lσ/Lが、0.35以上となる結晶粒界組織を有せしめ、電気銅めっき浴中のアノード側で発生するスライム等のパーティクルの発生を抑制することでめっき不良の低減を図る。 (もっと読む)


【課題】PCBの製造に使用される銅電気めっき浴において、浴の均一電着性に影響を及ぼさずに、すなわち、浴が効果的にブラインドバイアおよびスルーホールを充填しつつ、平滑な銅堆積物を可能とする銅電気めっき浴を提供する。
【解決手段】平滑化剤として、1種以上の特定の窒素含有化合物および1種以上の特定のエポキシド含有化合物との反応生成物を含み、銅イオン源、電解質を含む、導電層の表面上に銅を堆積させる銅電気めっき浴。 (もっと読む)


【課題】 ITO膜、太陽電池パネルの銅電極テンプレートのような比抵抗が大きい被メッキ物にも高い密着性で銅皮膜を良好に成膜する。
【解決手段】 比抵抗の大きい被メッキ物上にメッキ皮膜を形成する方法において、上記メッキ皮膜が電気銅メッキ浴を用いて形成した銅の電着皮膜であり、上記電気銅メッキ浴が、(a)可溶性銅塩と、(b)ポリアミン類、アミノカルボン酸類などより選ばれた錯化剤と、(c)アルカリ金属、アルカリ土類金属、アンモニウムのハロゲン化物、硫酸塩より選ばれた導電性塩とを含有し、且つ、浴のpHが3〜11である電気銅メッキ方法である。銅メッキ浴に特定の錯化剤と特定の導電性塩を複合添加するため、ITO膜などの比抵抗の大きな被メッキ物にも充分な密着性で銅皮膜を良好に成膜できる。 (もっと読む)


【課題】プリント回路板のような基体上に平滑な表面を有する、銅イオン源、電解質および平滑化剤を含む銅電気めっき浴およびめっき方法を提供する。
【解決手段】特定のイミダゾール化合物と特定のエポキシド含有化合物との反応生成物である平滑化剤を含む、銅めっき浴である。金属電気めっき浴に使用される平滑化剤の量は、0.25〜5000ppm、である。該銅電気めっき浴中の銅と、めっきされる基体とを接触させ;並びに、基体上に銅層を堆積させるのに充分な時間にわたって電流密度を適用する:ことを含む、基体上に銅を堆積する。 (もっと読む)



【課題】圧延銅箔において粗化箔の表面粗度を低下させても、ピール強度の低下を抑えた粗化箔を提供する。
【解決手段】圧延銅箔と粗化銅めっき層との間に、表面が平坦になるように0.1μm以上0.4μm以下の下地銅めっき層を形成し非常に効率良く圧延銅箔の凹部を埋めることで、粗化箔の表面粗度を低下させても粗化粒子を均一に析出させ、ピール強度の低下を抑えた粗化箔を形成する。 (もっと読む)


【課題】アンモニアガス等の劇物を処理する為の複雑な装置を必要とすることなく、たとえ基板表面に形成した下地金属膜の表面に自然酸化膜が形成されていても、液体中に溶解させた金属錯体に含まれる金属からなる金属膜を下地金属膜の表面に十分な密着力をもって形成できるようにする。
【解決手段】表面に下地金属膜を形成した基板を用意し、金属錯体と還元性物質とを溶媒に溶解させた液体中に前記基板を浸漬させながら、前記下地金属膜を陰極、別の金属を陽極とした電気めっきを行って、前記金属錯体に含まれる金属からなる金属膜を前記下地金属膜の表面に形成する。 (もっと読む)


【課題】ビアホールやトレンチ内等に銅金属を埋めこむ時に使用する銅鍍金液のフィルド性の評価を簡便・低コストで短時間に行うことができる銅鍍金液のフィルド性評価方法を提供する。
【解決手段】第二電極と、表面に少なくとも1つの有底構造を有する第一電極と、それらの電位の少なくとも一部を同極性または異極性で供給する第三電極とに銅鍍金液を接触させ、第二電極に対して第一電極の電圧が負の方向へ時間変化する電圧を印加し、該第一電極及び第二電極間に流れる電流の変化が観測される電圧範囲において、特定の電圧値における電流値(A)、又は特定の該電圧範囲における積分値(B)に基づいて前記銅鍍金液のフィルド性を評価することを特徴とする銅鍍金液のフィルド性評価方法である。 (もっと読む)


金属イオン供給源、及び式I
【化1】


によって表される、少なくとも1種のポリアミノアミド、又は完全な、又は部分的なプロトン化、N−四級化、又はアシル化によって得ることができる、式Iのポリアミノアミドの誘導体を含む、少なくとも1種の添加剤を含む組成物。 (もっと読む)


【解決手段】硫酸銅、硫酸及び塩化物イオンを含み、更に、有機添加剤として、硫黄含有有機化合物及び窒素含有有機化合物を含む電気銅めっき浴であって、上記窒素含有有機化合物として、モルホリン1モルに対し、エピクロロヒドリン2モルを酸性水溶液中で反応させて反応生成物を得、更に、該反応生成物に、上記モルホリン1モルに対して1〜2モルのイミダゾールを反応させる2段階反応により得た高分子化合物を含む電気銅めっき浴。
【効果】本発明の電気銅めっき浴は、有機添加剤として用いたレベラーとしての高分子化合物が、めっき温度を高温化しても変質せず、また、高温条件下でも、めっき浴に含まれる有機添加剤による促進剤効果と抑制剤効果のバランスを良好に保つことができることから、スルーホール及びビアホールのスローイングパワー、並びにめっき皮膜の物性を、めっき温度を高温化しても維持できる。 (もっと読む)


【課題】ゲル状態のめっき用組成物2Aを用いたパターニングされた金属膜3の容易な作製方法を提供する。
【解決手段】 ゲル化剤と、電気化学反応を行うための導電性イオンと、溶媒と、を有し、ゾル状態で基板20の上に吐出されゲル状態の所定のパターン形状となっためっき用組成物2Aを用いてゲル化剤と、電気めっき反応を行うための金属イオンと、溶媒としての水と、を有するめっき組成物2をゾル状態とするゾル化工程と、ゾル状態のめっき組成物2を基板20上で所定のパターン形状とするパターン形成工程と、所定のパターン形状のめっき組成物2Aをゲル状態とするゲル化工程と、ゲル状態のめっき組成物2Aを用いて電気めっき反応を行う電気めっき工程と、を具備する。 (もっと読む)


【課題】スルーホールとビアホールが混在した基板に対して、スルーホールへの付きまわり性が良好で、かつビアホールへの穴埋め性が良好な電気銅めっき浴及びその電気銅めっき浴を用いた電気めっき方法を提供する。
【解決手段】水溶性銅塩、硫酸、及び塩化物イオンを主構成成分とし、ジエチレントリアミン、アジピン酸及びε−カプロラクタムからなる重縮合物のエピクロロヒドリン変性物を加熱処理することによって生成したポリアミドポリアミンをレベラーとして含有させる。 (もっと読む)


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