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Fターム[4K023AA19]の内容

Fターム[4K023AA19]に分類される特許

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【課題】経時安定性が良好で、光沢範囲が広く、めっき外観が均一で、効率的に意図する皮膜組成を得ることができるシアン化物非含有の電気又は無電解めっき液及びそれを用いて形成された金属皮膜を有する電子部品を提供する。
【解決手段】


で表される化合物と、第4周期から第6周期の第VIII、IB、IIB、IIIA、IVA、VA族から選ばれた金属の水可溶性塩の1種以上とを含有するするめっき液。特にこの金属の水可溶性塩がスズ、銀、金、白金、パラジウム又は銅の水可溶性塩であるめっき液。 (もっと読む)


【課題】基体上に良好な物理−機械的特性を有する均一で光沢性の高い金属層を提供する。
【解決手段】以下の式を有する添加剤消費抑制有機化合物をめっき液に添加する:


式中、R、R1、R2およびR3は独立して、水素;ハロゲン;(C1−C20)直鎖、分枝、または環状アルキル;(C2−C20)直鎖、分枝、または環状アルケニル;(C2−C20)直鎖、または分枝アルキニル;−CN;SCN;−C=NS;−SH;−NO2;SO2H;−SO3M;−PO3M;(C1−C20)アルキル−O(C2−C3O)xR6,(C1−C12)アルキルフェニル−O(C2−C3O)xR6,−フェニル−O(C2−C3O)xR6,式中xは1から500の整数であり、R6は水素、(C1−C4)アルキルまたはフェニルである。 (もっと読む)


【課題】
ビアランドパッドや回路配線の上部稜線部の丸みをなくし、上面を平坦に形成しながら、均一なめっき回路基板を作製することのできる技術を開発すること。
【解決手段】
少なくとも銅イオン、有機酸あるいは無機酸、塩素イオンを含有する酸性銅めっき基本組成に、銅めっき析出抑制剤および光沢化剤を添加した酸性電解銅めっき液であって、更に還元剤を添加した酸性電解銅めっき液および当該酸性電解銅めっき液を用い、電気めっきにより被めっき物上のレジストで形作られた配線回路部分に銅を充填する微細配線回路の作製方法。 (もっと読む)


【課題】基体上に良好な物理−機械的特性を有する、均一で光沢性の高い金属層を堆積させるためのメッキ浴および方法を提供する。
【解決手段】以下の式を有する、メッキ浴添加剤の分解を防止する複素原子含有有機化合物をメッキ浴中に組み入れる:R1−X−R2(Xは、−S(O)n−S(O)p−S(O)q−S(O)u−S(O)v−S(O)w−、−(S(O)z)m−(CH2)y−(S(O)z’)m’−、または−SO2−S−(CH2)y−S−SO2−、n,p,q,u,v,w,zおよびz’はそれぞれ独立して0から2の整数、mおよびm’は独立して1から6の整数、yは2から4の整数である、またはS,O,Nから選択されたヘテロ原子、または(C1−C6)アルキルもしくはトシル基で置換されたNであり、R1およびR2はそれらが結合している原子と一緒になって5から18員の複素環を形成することができる)。 (もっと読む)


【課題】極めて微細な孔又は溝内に銅を埋め込むことができる、新たな銅配線の製造方法を提供する。
【解決手段】1価の銅イオンと錯体を形成し、1価の銅イオンとの錯化定数が1×103より高い値を示し、且つ使用環境下において1価の銅イオンと形成する錯体の溶解度が0.5g/L以上の銅錯化剤、若しくは、1価の銅イオンと錯体を形成し、1価の銅イオンとの錯化定数が1×103より高い値を示し、且つ2価の銅イオンとの錯化定数が1×1020以下の値を示す銅錯化剤を1wt%以上と、水を1wt%以上と、銅成分とを含む電解液を強制攪拌しながら、被めっき体における配線接続孔又は配線溝内に銅を電気めっきする工程を備えた銅配線の製造方法によれば、攪拌の程度を調整することにより、微細孔への銅の埋め込み率を調整することができ、微細孔への銅の埋め込み率をより一層高めることができる。 (もっと読む)


【課題】孔又は溝を備えた基板を被めっき体として銅を電気めっきすることによって得られる新たな銅めっき体及びその製造方法の提供。
【解決手段】1価の銅イオンと錯体を形成し、1価の銅イオンとの錯化定数が1×103より高い値を示し、且つ使用環境下において1価の銅イオンと形成する錯体の溶解度が0.5g/L以上の銅錯化剤、若しくは、1価の銅イオンと錯体を形成し、1価の銅イオンとの錯化定数が1×103より高い値を示し、且つ2価の銅イオンとの錯化定数が1×1020以下の値を示す銅錯化剤と、水と、銅成分とを含む電解液を用いて、孔又は溝を備えた基板を被めっき体として銅を電気めっきすることによって、孔又は溝の底部に空洞部を残しつつその空洞部の上側に銅を電着させることを特徴とする銅めっき体の製造方法。 (もっと読む)


【解決課題】集積回路用のサブミクロン相互接続構造を製作する方法を提供する。
【解決手段】添加剤を含み、平坦で光沢があり延性があり低応力のCu金属を付着させるのに通常用いられる浴からCuを電気めっきすることによって、ボイドのないシームレスな導体が得られる。ボイドまたはシームを残すことなくフィーチャを超充填できるこの方法の能力は独特であり、他の付着方法より優れている。この方法で電気めっきされたCuを利用する構造のエレクトロマイグレーションの抵抗は、AlCu構造または電気めっき以外の方法で付着されたCuを用いて製作された構造のエレクトロマイグレーションの抵抗より優れている。 (もっと読む)


【課題】電気めっきによって、基板上に配線又は層間接続ビアを形成するとき、不要な金属層を除去する作業を軽減化する。
【解決手段】電気めっきで使用するめっき液に、添加剤を添加する。添加剤は、めっき反応を抑制する機能を有するが、めっき反応の進行と共に、めっき反応を抑制する機能が減少する特性を有する。添加剤は、金属の析出過電圧を大きくする機能を有するが、反応の進行と共に、金属の析出過電圧を小さくする特性を有する。それによって、基板に形成した溝及び凹部に選択的に金属を析出させることができる。基板上に配線又は層間接続ビアを形成するとき、所定の表面粗さを有する溝及び凹部を基板に形成する。 (もっと読む)


【課題】比較的薄い銅めっき皮膜を形成した場合でも、均一かつ平滑な、良好な外観を有する銅めっき皮膜を析出する銅めっき液組成物を提供する。
【解決手段】銅めっき液組成物に塩化物イオンと臭化物イオンとを特定の量で含有する銅めっき液組成物。 (もっと読む)


【課題】改良されたレベリングおよび均一電解性を与える金属メッキ組成物および方法を提供する。
【解決手段】銅、錫、ニッケル、金、銀、パラジウム、白金、インジウム、これらの合金のイオン源、および下記式(I)を有する1以上の化合物を含む金属メッキ組成物を用いてメッキを行う。H−A’p−Q−[C(O)−CH2O−((R1CH)t−O)Z−CH2−C(O)−NH−A]u−H(I)(式中、A’は、−(NH−(CH2)x’)y’;−NH(CH2)x’−(O−(CHR1)r’)w’−O−(CH2)x’−;または−NH−((R1CH)r’−O)w’−C2H4−、Aは、−((CH2)x−NH)y−;−(CH2)x−(O−(CHR1)r)w−O−(CH2)x−NH−;または−((R1CH)r−O)w−C2H4−NH−、R1は、−Hまたは−CH3、Qは、p=1のとき−NH−、またはp=0のとき、−O−。) (もっと読む)


【解決手段】有機添加剤を含む硫酸銅めっき浴を収容しためっき槽中で、可溶性又は不溶性アノードを用い、被めっき物をカソードとし、めっき槽からめっき浴をオーバーフロー槽に流出させつつオーバーフロー槽中のめっき浴をめっき槽に返送すると共に、酸化分解槽を設け、酸化分解槽からオーバーフロー槽を介してめっき槽にめっき浴を返送してめっき槽と酸化分解槽との間でめっき浴を循環させ、酸化分解槽中のめっき浴に金属銅を浸漬して金属銅にエアバブリングを施すことにより電気銅めっきの際に生成した分解/変性有機生成物を酸化分解させる処理を施し、被めっき物に銅を連続的に電気めっきする。
【効果】硫酸銅めっき浴中の有機添加剤が分解又は変性して生成した分解/変性有機生成物を効率的に酸化分解させて、分解/変性有機生成物の問題を回避し、めっき成分を効果的に補充しながらめっき皮膜の特性を維持して連続的に硫酸銅電気めっきすることができる。 (もっと読む)


本発明は、金属層の厚さを増すために、イオン液体を電解質として使用して基材上に金属を電気めっきまたは電解研磨する方法での非晶質シリカ、黒鉛粉末およびそれらの混合物からなる群から選択される添加剤の使用に関する。さらに、イオン液体が、電解質として使用され、前記イオン液体に加えられる金属塩または金属アノードが金属源として使用され、前記イオン液体が前記添加剤を含む、金属基材上に金属を電気めっきまたは電解研磨する方法に関する。 (もっと読む)


半導体集積回路デバイス基板のシリコン貫通ビアフィーチャー(through silicon via feature)を金属被膜する方法であって、ここで前記半導体集積回路デバイス基板を銅イオン源、有機スルホン酸あるいは無機酸、あるいは分極剤および/あるいは減極剤から選ばれる1つあるいはそれ以上の有機化合物、および塩素イオンからなる電解銅堆積組成物に浸漬することからなる。 (もっと読む)


【課題】ガラス、セラミックス等の非導電性材料表面に対しても適用可能なめっき皮膜の形成方法であって、簡単な処理工程によって優れた密着性を有する金属皮膜を形成でき、しかも、厚膜化が容易な方法を提供する。
【解決手段】下記(1)〜(4)の工程を含む電気銅めっき方法:
(1)亜鉛イオン、硝酸イオン及びアミンボラン化合物を含み、亜鉛イオン濃度が0.03〜0.2モル/Lであって、硝酸イオンのモル濃度が亜鉛イオンのモル濃度の1〜3倍の範囲内にある水溶液からなる酸化亜鉛膜形成用組成物を被処理物に接触させて、酸化亜鉛膜を形成する工程、
(2)触媒金属を含有するpH3.5以上の水溶液からなる触媒付与液に接触させて触媒を付与する工程、
(3)無電解めっき皮膜を形成する工程、
(4)酢酸銅、導電性塩及び塩化物イオンを含有する水溶液からなる電気銅めっき液を用いて電気銅めっき皮膜を形成する工程。 (もっと読む)


【課題】 高温において使用される、改良された添加剤系を含有する酸性銅電気めっき水性組成物を提案する。
【解決手段】 前記改良された添加剤系は、(a)少なくとも1種の高分子量ポリマーを含む抑制剤;(b)少なくとも1種の2価の硫黄化合物を含む光沢剤;及び(c)複素環式窒素化合物を含むレベリング剤とを含む。前記改良された電気めっき組成物は、プリント回路基板のスルーホールをめっきするのに使用可能である。 (もっと読む)


【課題】溝配線等をめっき成膜する際の配線内のボトムアップ量やめっき膜に含まれる不純物量を一定に保持するめっき成膜装置、成膜方法を提供する
【解決手段】めっき成膜装置10は、被成膜基板の表面にCu膜を成膜するためのめっき槽12と、一定量のめっき液を滞留させるめっき液タンク16と、めっき槽12とめっき液タンク16との間でめっき液を循環させるためのめっき液循環ライン18と、めっき液循環ライン18を流れるめっき液に水素を供給する水素供給ライン20を備える。めっき液を循環させながらめっき液に水素を供給して、被成膜基板の表面にCu膜をめっき成膜する (もっと読む)


【課題】 パルス銅めっきでありながら、光沢のある銅皮膜を得ることのできる技術を開発すること。
【解決手段】 ポリエーテルポリオールもしくはポリアルキレングリコールから選ばれるポリオールに、エピハロヒドリンを反応させてエポキシ化し、次いでアミンを反応させて得られる第3級アミン化合物またはこれを更に第4級化して得られる第4級アンモニウム化合物を有効成分として含有するパルス銅めっき浴用添加剤。 (もっと読む)


【課題】金属又は非金属の表面に、銅、ニッケル、金などの金属やこれらの複合金属の薄い被膜を施す電解メッキ、無電解メッキに用いる安定性に優れ、均一な金属被膜を形成できる部分メッキ等に好適なゲル状メッキ組成物を提供する。
【解決手段】少なくともメッキ液と、ゲル化剤と、硬さ調整剤と、メッキ表面調整剤とを含有すると共に、pHが2.0〜7.5であり、かつ、温度20〜80℃においてゲル強度が100〜900g/cmであることを特徴とするゲル状メッキ組成物。 (もっと読む)


【課題】改善されたレベリング性能および改善された均一電着性を有する金属メッキ組成物が必要とされている。
【解決手段】基体上に金属をメッキするための金属メッキ組成物が開示される。金属メッキ組成物は、金属メッキ組成物のレベリングおよび均一電着性に影響を及ぼす化合物を含む。基体上に金属を堆積させる方法も開示される。 (もっと読む)


【課題】特に酸性に優れた耐食性を持つアンチモンもしくはその合金の電気めっきを安定して、効率的に行うための電気めっき方法を提供する。
【解決手段】本発明のアンチモンもしくはその合金の電気めっき浴は、アンチモン化合物、該アンチモン化合物を溶解する溶解剤、および溶解したアンチモン化合物をアンチモンに還元する還元剤を含有するが、アンチモン以外の金属イオンを含有していてもよい。溶解剤としては有機酸もしくはその塩が用いられ、特に好適には有機酸としてカルボン酸が用いられる。電気めっきは上記電気めっき浴を用いて、好適には陽極として非粒状アンチモン電極を用いて行なう。 (もっと読む)


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