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Fターム[4K023AA19]の内容

Fターム[4K023AA19]に分類される特許

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【課題】電気めっきによって基材表面を金属でコーティングする方法の提供。
【解決手段】電気めっき法によって基材表面を銅でコーティングする方法であって、コーティング対象の前記表面に電気的なバイアスをかけることなく、この表面を電気めっき用浴に接触させる工程;前記表面にバイアスをかけている間に、被膜を形成する工程;前記表面に電気的なバイアスをかけながら、前記表面を電気めっき用浴と分離する工程を含み、前記電気めっき用浴は、溶媒中の溶液に、0.4〜40mMの濃度の銅イオン源;ならびに少なくとも1種の銅錯化剤を含むことを特徴とする方法。 (もっと読む)


【課題】本発明は、特に集積回路の配線の製造において銅拡散防止層をコーティングするための、電気めっき用組成物に関する。
【解決手段】
本発明によれば、本組成物は、溶媒中の溶液に、0.4〜40mMの濃度の銅イオン源と;1級脂肪族アミン、2級脂肪族アミン、3級脂肪族アミン、芳香族アミン、窒素複素環化合物およびオキシムからなる群から選択される少なくとも1種の銅錯化剤とを含み;
銅/錯化剤のモル比は0.1〜2.5、好ましくは0.3〜1.3であり;かつ、
上記組成物のpHが7未満、好ましくは3.5〜6.5であることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】めっき液の使用量を極力少なく抑えつつ、めっき液の各成分の濃度を長時間に亘って一定に保って、基板の表面により均一な膜厚のめっき膜を安定して形成できるようにする。
【解決手段】カソードとした基板Wの表面と不溶解性アノード98との間にめっき液を満たして該表面に電解めっきを行うめっきセル12と、めっき液をめっきセル12に供給し回収して循環させるめっき液循環系136と、めっき液に含まれる成分をめっき液よりも高い濃度で含む補給液を、めっき液循環系136内を循環するめっき液に補給してめっき液の成分の濃度を一定範囲内に維持するめっき液成分補給系138を有する。 (もっと読む)


【課題】 基板に対する銅箔の接着強度を高めることができ、かつ処理コストを抑えることができ、しかも銅粉落ちやエッチング後の銅残留が起こらない銅箔の表面処理方法を提供する。
【解決手段】 銅めっき液3中で銅箔4を陰極としてめっき処理を行うことによって、銅箔4の表面に銅電着物からなる粗化層を形成する銅箔の表面処理方法であって、銅めっき液3は、分子量200〜500000のポリエチレングリコールを含む。 (もっと読む)


【課題】本発明は、電気化学的表面処理において金属廃液の削減と、付き周りが良くピンホールの無い高品位な金属皮膜を、容易に実現させる。
【解決手段】金属塩を含む水溶液と疎水性溶媒の共存下に被対象物に表面処理を行うことを特徴とし、ここで表面処理とは電解めっき、化学めっき、電鋳、陽極酸化、電解研磨、電解加工、電気泳動塗装、電解精錬および化成処理からなる群から選択される、表面処理方法。 (もっと読む)


【課題】 希土類系永久磁石の表面に密着性に優れた銅めっき被膜を形成することができる電気銅めっき処理用めっき液を使用した、銅めっき被膜を表面に有する希土類系永久磁石の製造方法を提供する。
【解決手段】 銅めっき被膜を表面に有する希土類系永久磁石の製造方法は、pHが9.0〜11.5に調整され、(1)Cu2+イオン、(2)Cu2+イオンとのキレート安定度定数が10.0以上のキレート剤、(3)Fe3+イオンとのキレート安定度定数が16.0以上のキレート剤の少なくとも3成分を含有するめっき液(前記のキレート安定度定数はpHが9.0〜11.5の時という条件付のものである)を使用して、電気銅めっき処理により、希土類系永久磁石の表面に銅めっき被膜を形成することを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】浴の均一電着性に著しい影響を及ぼさず、平坦な銅堆積物を提供する、レベリング剤の提供。
【解決手段】窒素、硫黄および窒素と硫黄の混合から選択されるヘテロ原子を含む化合物の、エーテル結合を含有するポリエポキシド化合物との反応生成物であるレベリング剤を含有する銅メッキ浴であって、電子デバイスの表面上およびかかる基体上の開口部中に銅を堆積させる銅メッキ浴が提供される。かかるメッキ浴は、電解質濃度の範囲全体にわたって実質的に平面的な基体表面上に銅層を堆積させる。このような銅メッキ浴を用いて銅層を堆積させる方法も開示される。 (もっと読む)


【課題】建浴後の経時的な劣化が殆どなく、且つより微細な構造であっても溝や穴に電解銅メッキによって銅を良好に埋め込むことを可能にする、電解銅メッキ用添加剤、該添加剤を必須の有効成分として含有する電解銅メッキ浴、及びこの銅メッキ浴を用いた電解銅メッキ方法の提供。
【解決手段】以下の一般式(1)で表される化合物からなる電解銅メッキ用添加剤:


(式中、R〜Rは、水素原子、炭素数1〜6のアルキル基または炭素数1〜3の置換基を有していてもよい炭素数5〜9のシクロアルキル基であり、R〜Rの全てが同時に水素原子であることは無く、Mは、アルカリ金属、アンモニウムまたは1価の有機アンモニウムを表す) (もっと読む)


【課題】建浴後の劣化が殆どなく、微細な溝や穴に対して銅の埋め込み性の良い電解銅メッキ用添加剤、それを用いた電解銅メッキ浴、及び電解銅メッキ方法の提供。
【解決手段】一般式(1)で表される化合物の使用:


(式中、R及びRは水素又は一般式(2)


で表される芳香族基、Mはアルカリ金属、アンモニウムまたは1価の有機アンモニウム、Aはベンゼン環又はナフタレン環、Rはアルキル基、ハロゲン基、アルコキシ基を表す) (もっと読む)


【課題】表面抵抗の高いフィルムに対しても、めっきを均一に付けることができ、生産性の高いめっき処理方法を提供すること。
【解決手段】表面抵抗が1〜1000Ω/□のフィルム表面を連続で電解めっきするめっき処理方法であって、めっきするべきフィルム16を、銅濃度が硫酸銅五水塩の重量換算で150g/L以上300g/L以下であり、その他硫黄化合物、窒素化合物あるいはポリマー成分を有するめっき液15からなるめっき浴11にて連続的にめっきすることを特徴とするめっき処理方法。 (もっと読む)


【課題】 絶縁基板上への金属薄膜形成の際に生じるピンホールを効果的に穴埋めできる硫酸銅メッキ浴及びそれを使用したメッキ方法を提供する。
【解決手段】 硫酸銅メッキ浴における組成物の内、硫酸/硫酸銅5水和物の重量比率が0.1以下で、そのメッキ液のPHが4.5以下であることを特徴としており、また、その硫酸銅メッキ浴を使用して、絶縁基板上に形成された厚さ1μm以下の金属薄膜上又はその金属薄膜上に、感光性樹脂により形成されたパターン状に銅メッキを行うことで前記金属薄膜上に生じるピンホールを効果的に潰す、つまり、穴埋めすることができるメッキ方法である。 (もっと読む)


【課題】たとえ添加量の低濃度の場合でも添加剤の効果の変動を抑制し、特にグラビア版の機械彫刻に適した銅めっき皮膜を安定的に製造するために、銅めっき浴中に添加するハードナーの添加濃度を管理する新規の銅めっき浴の管理方法の提供にある。
【解決手段】添加剤としてのハードナーを含むめっき浴から析出した銅めっき皮膜の引張試験物性と、前記銅めっき皮膜を加温したものの引張試験物性から添加剤濃度を定量し、管理する銅めっき浴の管理方法としたもので、前記何れの引張試験物性も、公称歪み量、引張強さ、破断強さの少なくとも一つである管理方法及びその管理方法で管理されためっき浴を用いてめっきする銅めっき皮膜の製造方法である。 (もっと読む)


【課題】溶接時におけるアーク安定性に優れた銅メッキマグ溶接用ソリッドワイヤを提供する。
【解決手段】マグ溶接用ソリッドワイヤを、銅メッキ液内に浸漬させてメッキ層の厚さを0.2〜1.0μmの範囲になるようにし、メッキ層内にFe、アルカリ金属(Na)、及びアルカリ土類金属(Mg, Ca)含量の総和が100〜1000ppmの範囲内であり、アルカリ金属(Na)及びアルカリ土類金属(Mg, Ca)含量の総和は10〜500ppmの範囲を満たすように、高速銅メッキしてなる。本発明によれば、溶接時において優れた送給特性とアーク安定性を同時に満たす、マグ溶接用銅メッキソリッドワイヤを、高速銅メッキにもかかわらず得ることができる。 (もっと読む)


【課題】添加剤の効果の変動を抑制し、特にグラビア版の製造工程における機械彫刻に適した銅めっき皮膜を安定的に製造するために、銅めっき浴中に添加するハードナーの添加濃度を管理する銅めっき浴の管理方法の提供にある。
【解決手段】従来のビッカース硬さ等押し込み硬さによる管理に代え、添加剤としてのハードナーを含むめっき浴から析出した銅めっき皮膜の引張試験物性から添加剤濃度を定量し、管理する銅めっき浴の管理方法としたもので、前記引張試験物性は、公称歪み量、引張強さ、破断強さの少なくとも一つである銅めっき浴の管理方法及びその管理方法で管理されためっき浴を用いてめっきする銅めっき皮膜の製造方法である。 (もっと読む)


【課題】アノード、カソード及び電解液を含む酸性電気めっき槽において、アノードで発生する気体によって添加剤が酸化することを防止する電極、および電気めっき方法を提供する。
【解決手段】電気めっきに使用するアノード1は、キャリヤ4とコーティング層5からなる陽極基材2、および、薄い織物6と格子または網7からなるスクリーン3等から構成される2相または3相以上とすること、また、電解液は70 mg/lを超える塩化物、及び陰イオン、酸素酸からなるポリアニオン、酸無水物の陽イオンまたはヘテロポリアニオンである、モリブデン、バナジウム、ジルコニウム、タンタル、タングステン、ハフニウムまたはチタンからなる群から選択された少なくとも一つの元素を5〜5000 mg/l、好ましくは200〜1200 mg/lの濃度で含む。 (もっと読む)


【課題】 安定してアスペクト比が1以上の平面コイルを製造可能な製造方法を提供すること。
【解決手段】 この製造方法は、渦巻状にパターン形成されている下地導体層を少なくとも一方の面に有する絶縁基板を準備する準備工程(S01〜S07)と、絶縁基板をめっき液に浸漬させ、下地導体層に電解めっきを施してコイル導体を形成する形成工程(S08)と、を備え、めっき液は、ポリマー及びブライトナーを含む硫酸銅系めっき液であり、形成工程において、めっき液におけるブライトナーの濃度が4〜25ml/lとなるように管理する。 (もっと読む)


【解決手段】 マイクロビアやスルーホールをめっきする方法であって、少なくともコンディショニング工程と電気めっき工程を有し、前記コンディショニング工程では、基材を浸漬すべき、少なくとも1種の光沢剤成分、および塩化物および/または臭化物を含有する溶液が用いられ、前記電気めっき工程での電解液は、少なくとも1種のキャリアーおよび/またはレベラーを含有する。
【効果】 (1)ブラインドマイクロビアの充填、(2)スルーホールの充填、(3)スルーホールめっきに関する驚異的な改善が認められた。 (もっと読む)


【課題】添加剤として含まれる含硫黄有機化合物の建浴初期における異常消耗を抑制でき、通常の電気めっきの際にも含硫黄有機化合物の電解消耗量が少なく、しかも形成される銅めっき皮膜の皮膜特性に対する悪影響がない新規な酸性電気銅めっき液、及び含硫黄有機化合物の電解消耗量が少ない電気銅めっき方法を提供する
【解決手段】含硫黄有機化合物を含有する酸性電気銅めっき液において、2価のマンガン化合物が含まれていることを特徴とする酸性電気銅めっき液、及び
該酸性電気銅めっき液中で電気めっきを行うことを特徴とする、含硫黄有機化合物の電解消耗量の少ない電気銅めっき方法。 (もっと読む)


【課題】 酸性電気銅メッキ浴において、先ず、均一電着性に優れ、次いで、高いビアフィリング能力を発揮させる。
【解決手段】 可溶性銅塩とベース酸を含有し、ベース酸が有機酸であり、錯化剤に特定の脂肪族チオアミノカルボン酸又はその塩(メチオニンなど)、脂肪族メルカプトカルボン酸又はその塩(メルカプトコハク酸など)、スルフィド類(3,6−ジチアオクタン−1,8−ジオールなど)、アミノカルボン酸類(ジエチレントリアミンベンタ酢酸など)、或はチオ尿素類を選択した電気銅メッキ浴である。また、ベース酸の種類を問わず、上記錯化剤に準じた種類の錯化剤を含むメッキ浴も有効である。特定の錯化剤を含む有機酸又は無機酸の銅浴であるため、従来の硫酸銅浴などに比して素地表面への均一電着性に優れる。さらには、高いビアフィリング能力も有する。 (もっと読む)


【課題】凹部を有する被めっき物に対して、煩雑なめっき液の調整を行うことなく、凹部に対する良好な埋込性を発揮できる新規な電気めっき液を提供する。
【解決手段】銅イオン、並びに有機酸及び無機酸から選ばれた少なくとも一種の酸成分を必須成分として含有する酸性電気銅めっき液であって、塩化物イオン濃度が、2〜15mg/Lの範囲内であることを特徴とする、凹部に対する埋込性に優れた酸性電気銅めっき液。 (もっと読む)


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