本発明はポリビニルアンモニウム化合物、前記化合物の製造方法、銅めっきを電気分解的に析出するために少なくとも前記ポリビニルアンモニウム化合物を含む酸性水溶液、並びに、前記酸性水溶液を用いて銅めっきを電気分解的に析出する方法に関しており、前記ポリビニルアンモニウム化合物は一般化学式（Ｉ）に相当し、並びに、一般化学式（Ｉ）のポリビニルアンモニウム化合物において、添え字I及びｍを有するモノマー単位の一つが、又は両方が中性の状態で存在する。
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【課題】
本発明の目的は、微細な溝や孔などのパターンの部位にメソポーラス金属膜を、制御された状態で、定常的に、均一に形成する方法を提供することである。
【課題を解決する手段】
リオトロピック液晶を形成する界面活性剤に、純水に溶解した金属イオン源を加えた溶液を作成し、その溶液を水溶性の揮発性有機溶媒で希釈し、その希釈した溶液を基板に塗布して、前記溶媒を揮発させ、リオトロピック液晶を形成させ、形成されたリオトロピック液晶の周囲に存在下において金属を析出させてから、前記リオトロピック液晶を除去することを特徴とするメソポーラス金属膜の製造方法である。 （もっと読む）

陰極ドラムを用いた電解銅箔製造における粗面側（光沢面の反対側）の表面粗さの小さいロープロファイル電解銅箔を得ること、特にファインパターン化が可能であり、さらに常温及び高温におる伸びと抗張力に優れた電解銅箔を得る。ジアルキルアミノ基を有するアクリル系化合物を単独重合又は他の不飽和結合を有する化合物と共重合することにより得られるジアルキルアミノ基含有重合体と有機硫黄化合物を添加剤として含む銅電解液及び該電解液を用いて製造される電解銅箔である。
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高アスペクト比のホールを備えて成る加工品を電気めっきするために、加工品及び少なくとも一つの陽極と金属めっき電解液とが接触する工程と、加工品と陽極間に電圧を印加することで、その結果、電流の流れが加工品に生じる工程とを備えて成る方法を明らかにする。電流の流れは、多くとも約６Ｈｚの周波数を有するパルス逆電流の流れである。周波数に従って、それぞれの周期時間は少なくとも一つの順電流パルスと少なくとも一つの逆電流パルスを備えて成る。
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【課題】 密着性に優れた保護膜が成膜され、耐食性および耐熱性に優れ、しかも、繰り返しめっき処理を行った場合でも、めっきの初期段階に使用する銅めっき液の劣化を有効に防止することができ、密着性の高い保護膜を安定して形成可能な磁石の製造方法を提供すること。
【解決手段】 銅塩、リン酸塩、脂肪族ホスホン酸化合物、金属水酸化物を少なくとも含む第１めっき液と、銅塩、リン酸塩、脂肪族ホスホン酸化合物、金属水酸化物を少なくとも含み、前記第１めっき液とは別の第２めっき液と、を準備する工程と、希土類を含む磁石の表面に、前記第１めっき液を用いて電解めっきを行い、第１保護膜を成膜する工程と、前記第１保護膜が形成された前記磁石の表面に、前記第２めっき液を用いて電解めっきを行い、前記第１保護膜とは別の第２保護膜を成膜する工程とを有することを特徴とする磁石の製造方法。 （もっと読む）

【目的】PPE樹脂含浸基材を代表とする高周波基板に対して強い引き剥がし強さを得ることができ、粗面粗度を超低粗度にする事でエッチングによる回路パターン形成後の回路ボトムラインの直線性を高め伝送損失の低減が可能な高周波プリント配線板用銅箔及びその製造方法を提供する。
【構成】銅箔の少なくとも一方の面に直径が0.05〜1.0μmである球状の微細な粗化粒子からなる粗化処理層を施し、更に該粗化処理層上にモリブデン、ニケッル、タングステン、リン、コバルト、ゲルマニウムの内の少なくとも一種類以上からなる耐熱・防錆層を施し、更に該耐熱・防錆層上にクロメート皮膜層を施し、更に該クロメート皮膜層上にシランカップリング剤層を施す事を特徴とする高周波プリント配線板用銅箔及びその製造方法に関するものである。 （もっと読む）

【課題】 レジスト膜によるマスクなしに、少ない工程で、特定のパターンの金属膜を形成できるようにする。
【解決手段】 基板上に金属膜を有する金属構造体の製造方法において、金属膜を形成する部分を、凹凸形状を有する導電体で形成する工程と、電気めっきによって前記導電体上の凹凸形状を有する部分に優先的に金属膜を形成する工程と、を含むことを特徴とする。めっき液中には、シアニン色素のように、めっき反応を抑制し、めっき反応の進行と同時にめっき反応抑制効果を失う化合物を添加することが望ましい。凹凸形状を有する部分に電気めっきによって優先的に金属膜を形成することができる。 （もっと読む）

【課題】 レジスト膜によるマスクなしに、形状の制御された高密度の配線を有する配線板を製造する。
【解決手段】 絶縁基板上に銅配線を有する配線板の製造方法において、絶縁基板上の配線やバンプを形成する部分に凹凸形状を有する下地金属膜を形成する工程と、電気めっきによって下地金属膜の凹凸を有する部分に銅または銅合金のめっき膜を形成する工程とを含み、めっき液中にめっき反応を抑制する物質を加えることで、前記絶縁基板の表面とめっき膜側面との角度を９０度以下とする。 （もっと読む）

【課題】 界面活性剤を有し、多孔質膜に直接接触しても、多孔質膜の内部に浸入することがないようにした湿式処理液を提供する。
【解決手段】 界面活性剤が添加され、多孔性膜表面の湿式処理に使用される湿式処理液であって、界面活性剤として、溶液として前記多孔質膜に対する接触角が９０°より大きく、１８０°以下となるものを使用した。 （もっと読む）

【課題】 酸性電気銅メッキ浴において、先ず、均一電着性に優れ、次いで、高いビアフィリング能力を発揮する。
【解決手段】 可溶性銅塩及びベース酸を含有する電気銅メッキ浴において、ベース酸がグリコール酸、乳酸、クエン酸、リンゴ酸、グルコン酸、グルコヘプトン酸よりなる群から選ばれたオキシカルボン酸又はその塩の少なくとも一種である電気銅メッキ浴である。また、これらの特定オキシカルボン酸と有機スルホン酸の混合酸、或は、イセチオン酸などの特定の有機スルホン酸をベース酸としても良い。特定の有機酸をベース酸にする銅メッキ浴であるため、従来の硫酸銅浴などに比して素地表面への均一電着性に優れる。さらには、高いビアフィリング能力も有するため、ビアホールとスルーホールの混在する基板にも良好に適用できる。 （もっと読む）

【課題】 フェースダウン方式の噴流めっき装置において、操作性を損なうことなく、ブラックフィルム等に起因する微小な固形異物による、めっき品質の低下を防止する。
【解決手段】 フェースダウン方式のめっき装置において、半導体ウェハ１と陽極電極５との間に、隔壁７が設けられており、陽極電極５と半導体ウェハ１とが隔壁７により隔離され、めっき処理槽１００が被めっき基板室と陽極電極室とに区分されている。 （もっと読む）

本発明は、テトラアルキルアンモニウム、テトラアルキルホスホニウム、１，１−ジアルキルピロリジニウム、１−ヒドロキシアルキル−１−アルキルピロリジニウム、１−ヒドロキシアルキル−３−アルキルイミダゾリウム、またはビス（１−ヒドロキシアルキル）イミダゾリウムカチオンの少なくとも１つを含有し、該アルキル基または１−ヒドロキシアルキル基のアルキレン鎖が、それぞれ互いに独立して炭素原子数１〜１０である、イオン性液体中における、基板上へのタンタルおよび／または銅の電気化学的沈着方法に関する。 （もっと読む）

【課題】 粗面の平滑性及び耐折り曲げ性に優れた電解銅箔及びその好適な製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】上記目的を達成した銅箔は、１８０℃×１時間加熱後の引張り強さが５０ｋｇｆ／ｍｍ^２以上、１８０℃×１時間加熱後の伸び率３．０％以上、粗面の表面粗さ（Ｒｚ）が２μｍ以下、であることを特徴とする電解銅箔等を採用する。また、このような電解銅箔を得るため、硫酸銅系電解液中のゼラチン又は膠濃度が０．６７ｐｐｍ〜１６．７ｐｐｍであり、塩素イオン濃度が０．２ｐｐｍ〜０．５ｐｐｍ、ゼラチン又は膠濃度と塩素イオン濃度の重量比が１：０．０３〜０．３であり、かつゼラチン又は膠の数平均分子量が１０００〜４００００であることを特徴とする電解銅箔の製造方法等を採用する。 （もっと読む）

サブミクロン径の内部配線凹凸を有する半導体集積回路基板上をＣｕを電気メッキするための組成物と電気メッキする方法が提供される。この組成物はＣｕイオンとポリエーテル基を含む抑制剤からなる。この方法は、超充填速度で迅速なボトムアップ沈積をする超充填方法に関し、これにより垂直な方向での凹凸の底から凹凸の上部開口までＣｕ沈積が側面のＣｕ沈積よりも実質的に大となる。 （もっと読む）

【課題】Ｃｕ又はＣｕ合金からなる母材表面に表面多層めっき層を形成した材料について、高温雰囲気下で長時間経過後も低接触抵抗を維持することができる接続部品用導電材料を得る。
【解決手段】 Ｃｕ又はＣｕ合金からなる母材表面に、Ｎｉ層、Ｃｕ−Ｓｎ合金層及びＳｎ層からなる表面めっき層がこの順に形成され、かつ前記Ｎｉ層の厚さが０．１〜１．０μｍ、前記Ｃｕ−Ｓｎ合金層の厚さが０．１〜１．０μｍ、そのＣｕ濃度が３５〜７５ａｔ％、前記Ｓｎ層の厚さが２．０μｍ以下で、かつ０．００１〜０．１質量％のカーボンを含有する。Ｓｎ層の厚さが０．５μｍ以下の場合、多極の嵌合型端子用として用いたときに挿入力が低く、Ｓｎ層の厚さが０．５μｍを越える場合、リフローソルダリング等の加熱処理を受けた後でもはんだ濡れ性が確保されＪＢのような非嵌合型接続部品用として適する。 （もっと読む）

陰極ドラムを用いた電解銅箔製造における粗面側（光沢面の反対側）の表面粗さの小さいロープロファイル電解銅箔を得ること、特にファインパターン化が可能であり、さらに常温及び高温における伸びと抗張力に優れた電解銅箔を得る。 ジアルキルアミノ基を有するアクリル系化合物の窒素を四級化した化合物を単独重合又は他の不飽和結合を有する化合物と共重合することにより得られる四級アミン化合物重合体と有機硫黄化合物を添加剤として含む銅電解液及び該電解液を用いて製造される電解銅箔である。
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【課題】 機械的手段により攪拌を行ないながら、皮膜物性の低下や、フィリング性の低下あるいはボイドを生じる等の問題のない酸性銅めっき手段を提供すること。
【解決手段】 機械的手段により攪拌を行う酸性銅めっき方法において、めっき液中の溶存酸素濃度を５ｐｐｍ以上に維持しながらめっきを行うことを特徴とする酸性銅電気めっき方法およびこの方法の実施に使用する酸性銅用めっき装置。 （もっと読む）

とりわけ均一で光沢があり、即ち、平滑で延性もある著しく光沢のある銅皮膜を再現可能に製造するため、添加物としてフェナジニウム化合物オリゴマーの混合物を含有する銅めっき浴が用いられる。当該混合物は、請求の範囲及び明細書に述べられた一般化学式［化１］及び［化２］を有する２つの単量体ユニットを含有する化合物と３つの単量体ユニットを含有する化合物並びに別のフェナジニウム化合物オリゴマーから成る群から選択された少なくとも一種のフェナジニウム化合物を含む。
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【課題】適用する電流のプロフィールを変えることにより、銅の電解メッキの硬度の制御が容易な電解メッキ方法を提供する。
【解決手段】酸性の銅の電解メッキ浴を用いた物品への電解メッキ方法であって、下記工程（ａ）および（ｂ）を含む電解メッキ方法である。
（ａ）酸性の銅の電解メッキ浴中に、物品を懸架する工程
（ｂ）物品の表面に、所定厚さの銅メッキをするために、逆電流パルスのプロフィールを有する電流を所定時間流して、電解メッキする工程であって、（ｉ）カソードのパルス電流の印加時間、（ｉｉ）アノードのパルス電流の印加時間、（ｉｉｉ）カソードのパルス電流密度、（ｉＶ）アノードのパルス電流密度からなる群から選択される少なくとも一つの要因を変えることにより、銅メッキの硬度を調整または変更する電解メッキする工程 （もっと読む）

本発明は、銅ビス（ペルフルオロアルカンスルホニル）イミドまたは銅トリス（ペルフルオロアルカンスルホニル）メチドのいずれかを有するメッキ溶液、およびこれらのメッキ溶液を使用して、銅配線に電気化学的または化学的に沈着する方法を提供する。 （もっと読む）