【課題】本発明は、印刷シリンダー上に銅層を形成するための改良された銅めっき浴、及びその使用方法に関する。
【解決手段】銅めっき浴は、ａ）銅イオン源、ｂ）メタンスルホネートイオン源、ｃ）塩化物イオン源、ｄ）式：Ｒ‐Ｓ‐Ｒ’‐ＳＯ_３‐Ｘ^＋、又はＸ^＋‐Ｏ_３Ｓ‐Ｒ’‐Ｓ‐Ｒ‐Ｓ‐Ｒ’‐ＳＯ_３‐Ｘ^＋を有する有機硫黄化合物（式中、Ｒはアルキル、ヒドロキシアルキル、又はアルキルエーテル、Ｒ’はＣ_２‐Ｃ_４アルキル基、及びＸ^＋はカチオンである）、及びｅ）ポリエーテル化合物を含む。銅めっき浴は、安定した硬度を有し、及び高速めっき中に自己アニーリングしないめっき被覆物を作製する。 （もっと読む）

【課題】基板のキャビティ、ブラインドホール、微小ブラインドホール及びスルーホールを電気分解により金属で充填する方法を提供する。
【解決手段】工作物のキャビティ、スルーホール、ブラインドホール又は微小ブラインドホールを金属で電気めっきして充填する方法を開示する。該方法によれば、キャビティ、スルーホール、ブラインドホール又は微小ブラインドホールを含む工作物を金属析出電解液に接触させ、そして工作物に電流が流れるように工作物と少なくとも一つの陰極間に電圧を掛ける。本発明の方法の特徴は、電解液がレドックス系を含むことにある。 （もっと読む）

【課題】めっき方法に関し、電解めっきを実施するに際し、めっきシード膜の溶解を抑止し、且つ、めっきレートの向上を簡単な手段で実現できるようにする。
【解決手段】少なくともアノード及び電源を備えた電解めっき装置内にめっき対象物を設置する工程と、次いで、前記めっき対象物にゲル化されためっき液を載置する工程と、次いで、ゲル化されているめっき液を溶液化し且つ電源をオンにしてめっきを行う工程とが含まれてなることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】従来の硫酸系光沢銅電解液と比べ、同等の光沢を有していながら均一な電析銅皮膜を安定して得ることの出来る硫酸系銅電解液を提供する。
【解決手段】上記課題を解決するために、ビス（３−スルホプロピル）ジスルフィド成分を含むことを特徴とする硫酸系銅電解液であり、当該ビス（３−スルホプロピル）ジスルフィド成分はビス（３−スルホプロピル）ジスルフィド銅水和物を用いて添加されたことを特徴とする硫酸系銅電解液を用いる。そして、ビス（３−スルホプロピル）ジスルフィド銅水和物は３−メルカプト−１−プロパンスルホン酸ナトリウム水溶液に塩化第二銅を加えた混合溶液から有機溶剤を用いて晶析させるプロセスにより製造する。 （もっと読む）

【課題】銅箔と低融点金属を含む導電性ペーストとの界面に生成する低融点金属の拡散層を抑え、銅箔と導電性ペーストとの界面にボイドや亀裂が発生しない銅箔、および該銅箔の製造方法を提供する。
【解決手段】元箔表面に、結晶方位が、Ｘ線回折法により測定した１１１面がもっとも多く、１１１面と２００面との結晶方位の積分強度比率（１１１面／２００面）が３以上である突起物群を設けた銅箔である。前記銅箔は、元箔表面に、過硫酸塩を０．１ｇ／Ｌ以上２０ｇ／Ｌ以下の比率で添加した硫酸銅めっき液を用いて、電気めっき法にて析出させて製造する。
【選択面】なし （もっと読む）

【課題】従来市場に供給されてきた低プロファイル電解銅箔と比べて、更に低プロファイルで光沢のある電解銅箔を提供する。
【解決手段】上記課題を解決するために、電解銅箔は厚さによらずに析出面側の表面粗さ（Ｒｚｊｉｓ）は１．０μｍ未満の超低プロファイルであり、且つ、当該析出面の光沢度［Ｇｓ（６０°）］は４００以上である電解銅箔とする。そしてこの電解銅箔は３−メルカプト−１−プロパンスルホン酸及び／又はビス（３−スルホプロピル）ジスルフィドと環状構造を持つ４級アンモニウム塩重合体と塩素とを添加して得られた硫酸系銅電解液を用い電解して得る。 （もっと読む）

【課題】半導体デバイスの製造において直接銅めっきし、かつ充填して相互配線を形成するための方法及び組成物の提供。
【解決手段】本発明は、半導体デバイスの製造において直接銅めっきし、かつ充填して相互配線を形成するための方法及び組成物を目的としている。本発明によれば、上記方法とは、銅イオン源を４５〜２００ｍＭ、好ましくは４５〜１００ｍＭの濃度で、及び２〜４つのアミン官能基を有する脂肪族ポリアミンである少なくとも１種の銅錯化剤を３０〜２００ｍＭ、好ましくは６０〜２００ｍＭの濃度で溶媒中の溶液に含有し；かつ上記銅／錯化剤のモル比が０．２〜２、好ましくは０．３〜１．５である銅電解槽を調製し、基板の銅拡散バリア層を上記銅電解槽に接触させ、上記基板に、銅が電気めっきされる厚みに従い調整された時間中、電気的バイアスを印加し、上記基板を上記銅電解槽から取り出す方法である。 （もっと読む）

【課題】従来市場で使用されていた銅電解液ではなしえなかった光沢を有する電析銅皮膜の形成可能な硫酸系銅電解液を提供する。
【解決手段】上記課題を解決するために、、３−メルカプト−１−プロパンスルホン酸及び／又はビス（３−スルホプロピル）ジスルフィドと環状構造を持つ４級アンモニウム塩重合体と塩素とを添加して得られた硫酸系銅電解液を用いる。この銅電解液を用いて電析銅皮膜を形成することにより、その析出面側の表面粗さ（Ｒｚｊｉｓ）が１．０μｍ未満の低プロファイルであり、且つ、当該析出面の光沢度［Ｇｓ（６０°）］が４００以上であることを特徴とする電析銅皮膜が得られる。 （もっと読む）

【課題】安価で高い生産性を維持し、線幅の増大を低減し、経時後の色味変化が少なく、めっき密着性の良好な、高速めっき処理を可能にするめっき処理方法を提示すること。さらにその方法を用いて優れた導電特性を有する導電性膜および優れた電磁波遮蔽効果を有する透光性電磁波シールド膜をを提供すること。
【解決手段】表面抵抗が１〜１０００Ω/□のフィルム表面に連続して電解めっき処理を施すめっき処理方法であって、該めっき処理がめっき反応抑制性有機化合物、めっき促進性有機化合物及びめっき平坦化性有機化合物の少なくとも一つを含有する銅めっき液を用いる第１段階と、該第１段階の銅めっき液中の前記少なくとも一つの化合物を第１段階のめっき液中の濃度の０〜７０％の濃度で含む液による第２段階のめっき処理から構成されることを特徴とするめっき処理方法。 （もっと読む）

【課題】電気めっき法による金属薄体の製造方法において、金属薄体の（１１１）面の相対積分強度を６５％以上に高めることができる製造方法を提供する。
【解決手段】５ｖｏｌ％以上のアセトニトリルと水を含む電解液（めっき液）、特に１０ｖｏｌ％以上のアセトニトリルと水を含む電解液（めっき液）を用いて電気めっきすることにより、（１１１）面の相対積分強度６５％以上に高めることができる。 （もっと読む）

本発明は基板上に乳濁液および／あるいは分散液形成物あるいは湿潤剤で構成される電解液から基板上に艶消し金属層を堆積する電解液及び工程に関する。本発明に従えば、異なった艶消しの程度を持つ多くの金属がポリアルキレン酸化物あるいはその誘導体、フッ化あるいはペルフッ化の疎水性鎖を持つ湿潤剤、あるいはポリアルキレン酸化物により置換された第４級アンモニウム化合物の添加の方法により電解液内の乳濁液および／あるいは分散液の形成によって製造される。さらに、テトラフルオロエチレン粒子は堆積された艶消し金属の表面の性質を変えるため電解質に添加される。 （もっと読む）

【課題】不溶性陽極を用いる電解銅めっき方法において、被めっき物中の非貫通孔、例えば、ビルドアッププリント配線板用の基板材料のブラインドビアホール内部を長期間安定して充填できる方法を提供する。
【解決手段】不溶性陽極を用いる電解銅めっき方法において、電解銅めっき液中の溶存酸素量を３０ｍｇ／Ｌ以下に維持することを特徴とする電解銅めっき方法。 （もっと読む）

【課題】開口部内のはんだボール電極上に嵩上げ導体層を直流の電解銅めっきにて形成する際、予め電解銅めっきに使用する銅めっき液に銅めっき添加剤（促進剤）を添加することにより、嵩上げ導体層の表面形状を制御するようにしたＢＧＡ型キャリア基板の製造方法及びＢＧＡ型キャリア基板を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明のＢＧＡ型キャリア基板１００は、絶縁基材１１の一方の面にランド２１ａ及び半導体チップを接続するための電極パッド２１ｂと、他方の面にランド２１ａと電気的に接続されたはんだボール形成用の嵩上げ導体層３１とＮｉ／Ａｕめっき層５１とが形成されており、嵩上げ導体層３１を直流の電解銅プラグめっきで形成する際、銅めっき液に予めジスルフィド（二硫化物）系銅めっき添加剤（促進剤）を所定量添加しておく。 （もっと読む）

【課題】たとえば半導体装置およびプリント回路基板のような基体の、種々のサイズの開口を、実質的に空隙なく充填することができ、さらに密集した非常に小さい開口の領域と開口のない領域とを、段高さの差が１μｍ未満であるように平坦にメッキできる平滑化剤を提供する。
【解決手段】電解液に加える平滑化剤は、重合単位としてエチレン性不飽和窒素含有ヘテロ環式モノマーを含むポリマー平滑化剤で、さらに重合単位として（メタ）アクリレートモノマーおよびエチレン性不飽和架橋剤を含むことができる。 （もっと読む）

【解決手段】基板上に形成された未貫通穴を銅で充填するために用いる電気銅めっき浴であって、水溶性銅塩、硫酸、塩化物イオン及び添加剤としてブライトナー、キャリアー及びレベラーを含有し、上記レベラーが、溶液中でカチオン化する４級窒素、３級窒素又はそれら両方を含有する水溶性ポリマーを１種以上含む電気銅めっき浴。
【効果】基板上に形成された未貫通穴を銅めっきにより充填するための電気銅めっき浴の銅めっき充填性を、レベラーである水溶性ポリマーの４級窒素と３級窒素との比率を変更するだけで、未貫通穴のサイズに合わせて簡便に調整でき、様々なサイズの未貫通穴に合わせて電気銅めっきすることができる。 （もっと読む）

【課題】基板との密着性に優れ、充分な導電性を有し、且つ基板との界面における凹凸が小さい金属膜を、簡便な方法で形成しうる金属膜形成方法、及び、エッチング工程を行うことなく微細な金属パターンの形成が可能であり、且つ、基板との密着性に優れ、充分な導電性を有し、基板との界面における凹凸が小さい金属パターンを簡便な方法で形成しうる金属パターン形成方法を提供することにある。
【解決手段】（ａ１）基板上に、金属イオン又は金属塩と相互作用する官能基を有し該基板と直接化学結合するポリマーからなるポリマー層を設ける工程と、（ａ２）ポリマー層に金属イオン又は金属塩を付与する工程と、（ａ３）金属イオン又は金属塩を還元して、表面抵抗率が１０〜１００ｋΩ／□の導電性層を形成する工程と、（ａ４）電気めっきにより、表面抵抗率が１×１０⁻¹Ω／□以下の導電性層を形成する工程と、を有することを特徴とする金属膜形成方法等である。 （もっと読む）

【課題】良好な埋め込み性（ビアフィリング性）と優れた均一電着性を同時に併せ持ち、スルホールとブラインドビアホールの両方を含む被めっき物に対しても、電気的に信頼性の高い銅めっき皮膜を形成することが可能な新規な銅めっき液を提供する。
【解決手段】銅イオン、並びに有機酸及び無機酸から選ばれた少なくとも一種の酸成分を必須成分として含有する水溶液を基本めっき浴とする酸性電気銅めっき液であって、
（１）アルキレンジアミン類及びポリアルキレンポリアミン類からなる群から選ばれる少なくとも一種のポリアミン、（２）二塩基性カルボン酸系化合物、並びに（３）アルデヒド類、エピハロヒドリン類、α，γ−ジハロ−β−ヒドリン類、グリシジル化合物及びイソシアネート類からなる群から選ばれる少なくとも一種の架橋性化合物、からなる三成分を反応させて得られる水溶性樹脂を含有することを特徴とする酸性電気銅めっき液。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、微細な構造であっても溝や穴に電解銅メッキによって銅を良好に埋め込むことができる電解銅メッキ用添加剤、該添加剤を必須の有効成分として含有する電解銅メッキ浴、及び該電解銅メッキ浴を用いた電解銅メッキ方法を提供することにある。
【解決手段】本発明の電解銅メッキ用添加剤は、下記一般式（１）で表わされる化合物からなることを特徴とする：


（式中、Ｒ^１及びＲ^２は、炭素数１〜１８のアルキル基を表し、ｎは、２０〜３００を表す） （もっと読む）

【課題】表面抵抗の高いフィルムに対しても、メッキを均一に付けることができ、生産性の高いメッキ処理方法を提供すること。
【解決手段】表面抵抗が１〜１０００Ω/□のフィルム表面を、ｐＨ３以下の酸性銅メッキ液１５でメッキ処理する酸性メッキ処理工程と、前記酸性メッキ処理工程後に、ｐＨ８〜１３のアルカリ性銅メッキ液１９でメッキ処理するアルカリ性メッキ処理工程とを有することを特徴とするメッキ処理方法、該方法により製造された導電性膜および透光性電磁波シールド膜。 （もっと読む）

【課題】 膜強度を悪化させず、膜がウエット状態のときでも耐傷性に優れ、高速めっき処理を可能にして高い生産性を実現するめっき処理方法を提供すること。該方法により得られる導電性膜、透光性電磁波シールド膜および光学フィルターを提供すること。
【解決手段】 フィルム表面を電解銅めっきするめっき処理方法であって、めっき液のｐＨが１以上４以下であることを特徴とするめっき処理方法、該方法により得られる導電性膜、透光性電磁波シールド膜および光学フィルター。 （もっと読む）