【課題】環境負荷が低く、耐薬品性を備えた粗化表面処理銅箔の製造方法を提供する。
【解決手段】銅電解液中に下記の化学構造の化合物を添加する表面処理銅箔の製造方法。


（式中、Ｒ_１は炭素数２以下のアルキル基、Ｒ_２はアミノ基、フェニルアゾ基のいずれかである。） （もっと読む）

【課題】不溶性陽極を用いても安定した効果が得られる、銅めっき用添加剤を提供する。
【解決手段】上記課題を解決するために、ポリアルケンオキシド化合物を含む銅めっき用添加剤であって、前記ポリアルケンオキシド化合物が、その末端のいずれか一方又は両方に官能基又はハロゲン元素を導入した以下に示す構造式を有し、数平均分子量が１００〜２００００００であることを特徴とする銅めっき用添加剤を採用する。


そして、前記構造式におけるｍを１〜８とし、Ｒ_１又はＲ_２を官能基とする場合は、スルホン基、ＮやＳを含む官能基及び不飽和結合をもつ官能基から選択されるいずれかの官能基とする。更に、分子量が１００００〜２００００００の前記ポリアルケンオキシド化合物を含む銅めっき用添加剤を採用すれば、ビス（３−スルフォポロピル）ジスルフィドやヤヌスグリーン等の添加剤を併用する必要も無く、より好ましい銅めっきが出来る。 （もっと読む）

【課題】有機酸塩又は無機酸塩の水溶液からなるめっき液添加剤からナトリウムやカリウム等の不要なカチオン成分を除去可能なめっき液添加剤からカチオンを除去する装置を提供する。
【解決手段】ＲＣＯＯＮａ水溶液貯槽１は流路３により電気透析装置２の脱塩室１３に連通しており、さらに脱塩室１３からＲＣＯＯＨ水溶液貯槽４に連通している。また、電気透析装置２の濃縮室１４には、ナトリウムイオン回収機構５が連通している。そして、電気透析装置２の脱塩室１３にＲＣＯＯＮａ水溶液を供給することで、カチオン交換膜によりナトリウムが選択的に除去される一方、ＲＣＯＯ⁻はバイポーラ膜を透過しないので、ＲＣＯＯＨ水溶液が処理液として得られる。この処理液をめっき浴へのめっき液添加剤として使用する。 （もっと読む）

【課題】結晶粒径を小さくしてストレスマイグレーションを抑制した銅めっき膜を、より簡便に基板上に成膜できるようにする。
【解決手段】シード層で覆われた配線用凹部を表面に形成した基板を用意し、シード層を、硫酸銅及び硫酸由来の硫黄を２．０Ｍ以上含む硫酸銅めっき液に接触させ、シード層をカソードとして、該カソードと硫酸銅めっき液中に浸漬させたアノードとの間に電圧を印加して、シード層の表面に銅めっき膜を成膜する。 （もっと読む）

【課題】空気攪拌によるめっき液の攪拌装置においてめっき液槽へ圧縮空気を送る配管部や気泡吐出部において、めっき液の液体成分の蒸発による結晶の析出を防止する。
【解決手段】めっき液（１２）を収容する液槽（１０）の底部に小孔（１６）を有する気泡吐出部（１４）を設置し、気泡吐出部に圧縮空気を送り込んで、これらの小孔からめっき液の表面に向けて気泡を浮き上がらせてめっき液を攪拌を行う空気攪拌装置において、前記気泡吐出部に加湿した圧縮空気を送り込む加湿機構（３０，６０）を具備することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 微細回路配線を形成する上で重大な問題となっている、銅皮膜表面のザラツキや突起等の問題の無い酸性銅めっき方法を提供する。
【解決手段】 酸性銅めっき方法において、めっき浴中の一価銅濃度を直接的にモニターし、５０ｐｐｍ以下に維持しながらめっきを行う。一価銅濃度を直接モニターするには、発色試薬としてネオクプロイン試薬を添加し、吸光度を測定して定量する。 （もっと読む）

【課題】チップオンフィルム（ＣＯＦ）の折り曲げ実装時に求められる耐屈曲性において、ＭＩＴ耐折性試験（ＪＩＳ Ｃ ５０１６）により２００回以上の折曲げ性が得られ、折曲げに対する耐久性に優れる半導体実装用の銅被覆ポリイミド基板とその製造方法を提供する。
【解決手段】ポリイミドフィルム１の少なくとも片面に、スパッタリング法によってニッケル−クロム系合金層２及び銅層３を形成し、さらにその上に電気めっき法、或いは電気めっき法と無電解めっき法を併用する方法で銅皮膜４を形成してなる銅被覆ポリイミド基板において、前記銅皮膜４中の結晶の平均結晶粒径は、１６０〜７００ｎｍであることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 硫酸銅めっき浴を基本組成としながら、優れた均一電着性を有するめっき浴を得ることのできる手段を提供すること。
【解決手段】 ４０〜１００ｇ／Ｌの硫酸銅および１５０〜２５０ｇ／Ｌの硫酸を含有する硫酸銅めっき基本組成に、下記式（Ｉ）または（II）


【化１】


（式中、Ｒ_１およびＲ_２は、同一または異なって水素原子または炭素数１〜４のアルキル基を、Ｒ_３は、水酸基およびハロゲンを有する炭素数２〜４のアルキル基を示し、Ｘはハロゲン原子を示す）
で表される構造単位を有するポリアミン系化合物を添加してなることを特徴とするプリント基板用硫酸銅めっき液並びにスルーホールを有する銅張プリント基板を、当該硫酸銅めっき液中でめっきすることを特徴とするスルーホールを有するプリント基板のめっき方法。 （もっと読む）

【課題】 酸性銅めっき処理において、ブラインドビアホールやスルーホールの内部やコーナー部のめっき付き回り性およびめっき面のレベリング性などのめっき外観のいずれにおいても優れた特性を与え、かつ下地不良にも対応できる新規なめっき用レベリング剤を提供する。
【解決手段】 ジアリルジアルキルアンモニウムアルキルサルフェイト単位と、（メタ）アクリルアミド類単位と、二酸化イオウ単位とを含むジアリルジアルキルアンモニウムアルキルサルフェイトと（メタ）アクリルアミド類と二酸化イオウとの共重合体からなるめっき用レベリング剤である。 （もっと読む）

金属、または金属の化合物、例は、金属塩を備える液晶相から金属の化合物を電気化学的な手段により堆積するとき、イオン性界(表)面活性剤を普通に用いられる非イオン性界面活性剤の代わりに用いることによって、塩の高濃度を採用しうる。 （もっと読む）

【課題】感光性デバイス上の電気的接触部をめっきする方法、太陽電池上の電気的接触部をめっきする方法を提供する。
【解決手段】太陽電池などの、半導体ウェーハ１０の裏面１１は例えば銀などで金属化し、前面１２はバスバー１４および電流収集線１５からなる金属パターンを銀含有伝導性ペースト上に堆積された銀の層から構成する。金属パターンは前面とオーム性接触をしている。ウェーハ前面は、例えば窒化ケイ素または他の誘電体材料をはじめとする反射防止コーティングでコーティングし、半導体ウェーハを入射光に付させながら、シアン化物非含有めっき浴を用いて、金属層、特に銀層が焼成伝導性ペースト上に堆積される。ウェーハ裏面は電源からめっきセルに電位を適用することによって、ウェーハ前面と裏面に同時に行われる。 （もっと読む）

【課題】非貫通孔を金属で充填するのに好適な新規な電解めっき方法の提供。
【解決手段】界面活性剤、光沢剤、平滑化剤などの添加剤を含むめっき液を用いた電解めっき方法において、被めっき部材の表面および非貫通孔内における添加剤の吸着および離脱を制御するパルスめっき工程と、これに引続いて非貫通孔内を充填する直流めっき工程とからなる、非貫通孔を金属で充填する電解めっき方法。 （もっと読む）

【課題】 表面が黒化された銅金属層を量産性よく製造する方法を提供する。
【解決手段】 めっき用導電性基材上にめっきにより銅金属を析出させ、その表面を黒化処理する表面が黒化処理された銅金属の製造方法において、第１電流密度の下に層状に銅金属を析出させる銅金属層形成工程、及び、第１の電流密度よりも大きい第２の電流密度の下に上記銅金属層の表面に、その表面が黒色になるように銅金属を析出させる黒化処理工程を、一つのピロリン酸銅めっき浴中にて行うことを特徴とする表面が黒化処理された銅金属層の製造方法。めっき用導電性基材は、パターン状のめっき部を有する導電性基材であってもよい。 （もっと読む）

【課題】微細な構造であっても溝や穴に電解銅メッキによって銅を良好に埋め込むことができる電解銅メッキ浴を提供する。
【解決手段】電解銅メッキ浴は、下記一般式（１）で表わされ、数平均分子量が２０００〜５０００であり、エチレンオキサイド基の含有量が１７〜３５質量％であるエチレンオキサイドとプロピレンオキサイドのブロック重合体化合物からなる銅メッキ抑制剤を０．００１〜１質量％；及び下記一般式（２）で表わされる銅メッキ促進剤を０．１〜１００質量ｐｐｍを含有してなる。


（もっと読む）

【課題】非シアンの酸性のめっき浴を用いて、パターンめっきにおけるレジストの溶解がなくかつ密着性の良好な銀めっきを施す方法を提供する。
【解決手段】非シアンの酸性の銀めっき浴（Ａ）を用いて銀めっきを行う銀めっき方法において、当該の銀めっき工程に先立って、非シアンの酸性のストライク浴（Ｂ）を用いてストライクめっきする工程を含む銀めっき方法。 （もっと読む）

サブミクロンサイズの配線フィチャーをともなう半導体集積回路基板上に銅を電解的にメッキするための電解メッキ方法と組成。組成は銅イオン源およびポリエーテルグループからなる抑制剤から構成される。方法はフィチャーの底面からフィチャーの頂部開口への縦方向の銅堆積が側壁への銅堆積より大きい超埋め込み速度で急速な底上げ堆積を含んでいる。 （もっと読む）

【課題】 ２つの工程を含む電解銅めっき方法を提案する。方法は、非常に狭い場所のめっきに特に適する。
【解決手段】 第１工程は、硫黄含有有機化合物、好ましくは、１つ又は複数のアルカンスルホン酸エステル基及び／又はアルカンスルホン酸を含む抗抑制剤を含む前処理溶液を含む。第２工程は、アルカンスルホン酸に基づく電解銅めっき溶液を含む。 （もっと読む）

【課題】 強度、導電率、曲げ加工性に優れた銅条又は銅箔の製造方法を提供する。
【解決手段】 めっき添加剤を含むめっき浴を用いた電解により平均結晶粒径０．３μm以下の電解銅条又は電解銅箔を製造し、電解銅条又は電解銅箔を冷間圧延した後、熱処理を行わないか又は熱処理を行う。 （もっと読む）

【課題】磁石などの導電性素材の表面に、密着性、耐食性および耐熱性に優れた保護膜を形成でき、しかも、繰り返しめっき処理を行った場合でも、密着性が高く、良好な外観を有する保護膜を安定して成膜すること。
【解決手段】銅塩と、有機ホスホン酸化合物と、アミン、α−アミノ酸、アンモニウムイオン、炭酸イオン、カルボン酸イオン、ジカルボン酸イオン、硫酸イオンおよびチオ硫酸イオンから選ばれる少なくとも１種の化合物またはイオンと、を含むめっき液、およびこのめっき液を用いた導電性素材の表面処理方法。 （もっと読む）

抑制剤としてポリ（アルキレン−ビグアニド）塩を含む銅電着のための電解質。ポリ（アルキレン−ビグアニド）塩によって起こされた抑制は、銅表面の促進剤濃度によって条件付けられる。ポリ（アルキレン−ビグアニド）塩の界面活性特性は、カソードと電解質とが接触している間に、電解質／大気界面を電解質／銅界面に即座に変換することを可能にする。本発明による電解質は、平滑で光沢のある電着物を得るため、およびマイクロエレクトロニクスで有用なサブミクロンスケールの凹部を有する表面上に銅を堆積するために適している。 （もっと読む）