【課題】めっき液の溶存酸素濃度を調整できるとともに、フィルター交換に起因するコストを削減できる電気めっき装置及び電気めっき方法を提供する。
【解決手段】電気めっき装置１１は、めっき液が貯留されるめっき槽１３と、このめっき槽１３とは別体の槽であって前記めっき槽１３との間で前記めっき液が循環する別槽１５と、を備えている。別槽１５は、その内部に第１空間１７とこの第１空間１７よりも下流側に位置する第２空間１９とを有している。第１空間１７内のめっき液のうち所定高さを超えた分が第１空間１７から第２空間１９に流れ込み、この第２空間１９において空気中を流下する。 （もっと読む）

【課題】 非貫通孔内、貫通孔内へのめっき充填と同時に被めっき面にめっき膜を薄く形成できる電解めっき方法を提供する。
【解決手段】 絶縁体２０Ａ、２０Ｂが接触した部分では、電解めっき膜３６の成長が遅くなる。即ち、絶縁体２０Ａ、２０Ｂにより鉄イオンがめっき界面に強制的に供給され、３価の鉄イオンが２価の鉄イオンに成る還元反応が起こり、銅の析出を抑える。絶縁体２０Ａ、２０Ｂが接触しない貫通孔３１ａ内では、めっき界面に３価の鉄イオンが濃度勾配により拡散するのみで強制的には供給されず、３価の鉄イオンの還元反応が低く、電解めっき膜３６が成長し、スルーホール導体４２を充填しながら、コア基板表面の電解めっき膜３６を薄く形成することができる。 （もっと読む）

キャリア銅箔層と、キャリア銅箔層の一表面に形成されたバリヤー層と、バリヤー層の表面に形成されたシード層と、からなり、バリヤー層は、ニッケルまたはニッケル合金層であり、シード層は、銅層であり、シード層の表面の平均粗度は、Ｒｚ：１．５μｍ未満、Ｒｍａｘ：２．５μｍ未満であるエンベデッドパターン用銅箔を提供する。 （もっと読む）

【課題】 電解金属めっきにおいて、金属めっき後の防錆性が良好であり、かつ容易に除去できる金属めっき液添加剤を含有する金属めっき液を提供することを目的とする。
【解決手段】 脂肪族ジカルボン酸またはその塩（Ａ）、または脂肪族ジカルボン酸のハーフアミド（Ｂ）を必須成分として含有することを特徴とする金属めっき液添加剤に金属塩、無機酸、界面活性剤に添加した電解金属めっき液である。 （もっと読む）

本発明に従えば、少なくとも１種の金属イオンの供給源、及び少なくとも１種の添加剤を含む組成物であって、
前記少なくとも１種の添加剤は、
ａ）縮合により、式（Ｉ）
Ｘ（ＯＨ）_ｎ （Ｉ）
の少なくとも１種のポリアルコールから誘導される多価アルコール縮合化合物と、
ｂ）少なくとも１種のアルキレンオキシドと、
を反応させ、ポリオキシアルキレン側鎖を含む多価アルコール縮合物を形成することによって得ることができ、ここで、
ｎは、３〜６の整数であり、及びＸは、ｎ−価の直鎖状、又は枝分かれした、２〜１０個の炭素原子を有し、及び置換されていても良く、又は置換されていなくても良い脂肪族、又は脂環式の基であることを特徴とする組成物が提供される。 （もっと読む）

少なくとも一種の金属イオン源と、少なくとも５個のヒドロキシル官能基をもつ多価アルコールを、第一のアルキレンオキシドと第二のアルキレンオキシドの混合物からの少なくとも第一のアルキレンオキシドと第二のアルキレンオキシドと、または第三のアルキレンオキシドと第二のアルキレンオキシドと第一のアルキレンオキシドとその順番で反応させて得られる少なくとも一種の添加物とからなる組成物であって、第三のアルキレンオキシドは、第二のアルキレンオキシドより長いアルキル鎖を有し、第二のアルキレンオキシドが第一のアルキレンオキシドより長いアルキル鎖をもつ組成物。 （もっと読む）

【課題】優先配向面が（２００）面となる皮膜物性に優れためっき皮膜を得ることのできる銅めっき方法を提供すること。
【解決手段】硫酸銅を主成分とするめっき浴液に、少なくとも、ジアリルジアルキルアンモニウムアルキルサルフェイトとアクリルアミド類と二酸化イオウとの共重合体からなる添加剤と、その他の必要な添加剤とを添加し、高電流密度による電解めっきと低電流密度による電解めっきを交互に、あるいはＰＲパルス（極性反転パルス）による電解めっきを交互に、あるいは電解銅めっきと置換めっきを交互に、あるいは電解銅めっきとマイクロエッチングを交互に、あるいは上記いずれかのめっき方法の２つ以上を組み合わせることにより、電解めっきを行う。 （もっと読む）

【課題】超ファインピッチの配線としても幅方向の断面（横断面）の表面が平坦となる配線をセミアディティブ法で製造できるセミアディティブ用硫酸系銅めっき液及びこれを用いたプリント配線基板の製造方法を提供する。
【解決手段】セミアディティブ用硫酸系銅めっき液であって、３−メルカプト−１−プロパンスルホン酸又はビス（３−スルホプロピル）ジスルフィドから選択された少なくとも一種と環状構造を持つ４級アンモニウム塩重合体と塩素とを含み、銅濃度が２３〜５５ｇ／Ｌであり、硫酸濃度が５０〜２５０ｇ／Ｌである。 （もっと読む）

【課題】貫通シリコンビア形成時におけるビア内側壁の銅シード層のカバレッジが良好で均一な銅配線層を有するめっき物を提供することを目的とする。
【解決手段】基材上にバリア層として形成された、タングステン及びタングステンと合金化した際に銅に対するバリア性を有する金属（Ａ）との合金薄膜、その上に無電解置換銅めっきにより銅シード層、さらに前記無電解置換銅めっきを実施したのと同一のめっき液を用いた電気銅めっきにより銅配線層がこの順番で形成されてなる、貫通シリコンビアを有するめっき物。 （もっと読む）

【課題】基板上に存在する、アスペクト比（深さ／開口径）が５以上の導電処理した非貫通穴に短時間で銅を良好に充填する方法を提供する。
【解決手段】基板上に存在する、アスペクト比（深さ／開口径）が5以上の導電処理した非貫通穴に銅を充填する方法であって、酸性銅めっき浴として、水溶性銅塩、硫酸、塩素イオン、ブライトナー及びジアリルアミン類と二酸化硫黄との共重合体を含む酸性銅めっき浴を用いて、周期的電流反転銅めっきして非貫通穴に銅を充填することを特徴とする銅充填方法。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、微細な構造であっても溝や穴に電解銅めっきによって銅を良好に埋め込むことのできる抑制剤と、促進剤および平滑剤を必須の有効成分として含有する電解銅めっき浴、およびこの電解銅めっき浴を用いた電解銅めっき方法を提供することにある。
【解決手段】本発明は、特定のブロック重合体化合物からなる抑制剤を０．００１〜５質量％；特定の促進剤を０．０１〜１００質量ｐｐｍ；およびジアリルアミンと硫酸化合物との塩・マレイン酸共重合体、ビニルピロリドン・Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノエチルメタクリル酸共重合体と硫酸化合物との塩、塩化メチルビニルイミダゾリウム・ビニルピロリドン共重合体、Ｎ−アシル−Ｎ’−カルボキシエチル−Ｎ’−ヒドロキシエチルエチレンジアミンまたはそのアルカリ金属塩（ここで、アシルは、炭素数８〜２０の脂肪族アシル基を示す）から選ばれる少なくとも１種の平滑剤を０．０１〜２５０質量ｐｐｍを含有してなることを特徴とする電解銅めっき浴に係る。 （もっと読む）

【課題】 添加剤の種類が少ない銅めっき浴を用いて、導電処理した基板上の非貫通穴へ銅を良好に充填する方法を提供する。
【解決手段】 導電処理した基板上にある非貫通穴へ銅を充填する方法であって、水溶性銅塩、硫酸、及びブライトナーとレベラーとの両方の作用を有する重合体からなるフィリング添加剤とを含有するむ酸性銅めっき浴で前記基板をめっき処理することを特徴とする銅充填方法。 （もっと読む）

【課題】電解銅箔と液晶ポリマー等の高耐熱性及び高周波特性に優れる樹脂基材との密着性を向上させ、且つ、安定化した銅張積層板製造に使用可能なロープロファイル銅箔の提供を目的とする。
【解決手段】この目的を達成するため、銅箔の表面に微細銅粒子が析出形成した粗化処理面を備える粗化処理銅箔において、当該粗化処理面は、頭頂部角度θが８５°以下の突起形状の微細銅粒子２を含むものであることを特徴とする粗化処理銅箔を採用する。また、この銅箔を製造するために、硫酸銅系銅電解液を用いる電解法で、銅箔の表面に微細銅粒子が析出形成した粗化処理面を形成し粗化処理銅箔とする際に、当該硫酸銅系銅電解液として、ホルムアミジンジスルフィド濃度又はチオ尿素のいずれかを含む所定の組成の銅電解液を用いることが好ましい。 （もっと読む）

金属イオンの供給源、及び
ａ）活性アミノ官能基を含むアミン化合物と、
ｂ）エチレンオキシド、及びＣ３及びＣ４アルキレンオキシドから選ばれる、少なくとも１種の化合物の混合物、
を反応させることによって得ることができる、少なくとも１種の抑制剤を含み、該抑制剤は、分子量Ｍ_wが６０００ｇ／モル以上であることを特徴とする組成物。 （もっと読む）

【課題】比較的簡単な手段でめっき促進剤の濃度を確実に管理でき、均一なめっきを施すことができる湿式めっき方法及び湿式めっき装置を提供する。
【解決手段】めっき促進剤の濃度を変えた各めっき液を用いて交流インピーダンスを測定して、めっき促進剤の各濃度における位相差−周波数特性図（ボード線図）を作成し、この位相差−周波数特性図から位相差のめっき促進剤の濃度に対する依存性の大きい周波数領域を求め、この周波数領域から特定周波数を選択すると共に、該特定周波数でのめっき促進剤の濃度と位相差との関係を求めておき、使用するめっき液の前記特定周波数での交流インピーダンスを測定してその位相差を求め、該位相差が位相差許容範囲に保持されるように、めっき促進剤の補給量を制御する。 （もっと読む）

金属イオン源と、
ａ）少なくとも３個の活性アミノ官能基をもつアミン化合物を
ｂ）エチレンオキシドとＣ３およびＣ４アルキレンオキシドとから選ばれる少なくとも一種の化合物との混合物と反応させて得られる少なくとも一種の抑制剤
とからなる組成物。 （もっと読む）

銅イオン源と、式Ｉの化合物から選ばれる少なくとも一種の抑制剤とを含む、空隙サイズが３０ナノメーター以下であるサブミクロンサイズの窪みを充填するための組成物。
【化１】


［式中、
−Ｒ¹基は、それぞれ独立して、エチレンオキシドと少なくとも一種の他のＣ３〜Ｃ４アルキレンオキシドのコポリマーであって、ランダムコポリマーであるものから選ばれ、−Ｒ²基は、それぞれ独立して、Ｒ¹またはアルキルから選ばれ、−ＸとＹは独立して、また各繰返単位のＸが独立して、Ｃ１〜Ｃ６アルキレン及びＺ−（Ｏ−Ｚ）_m（但し、Ｚ基はそれぞれ独立してＣ２〜Ｃ６アルキレンから選ばれる。）から選ばれるスペーサー基であり、−ｎは０以上の整数であり、−ｍは１以上の整数である。］ （もっと読む）

【課題】銅めっき皮膜のエッチングファクターを向上させることにより、ファインピッチの微細回路を形成することが可能な銅張り積層板と銅張り積層板に成膜する銅めっき皮膜の成膜方法を提供する
【解決手段】１槽の銅めっき槽２８または複数の銅めっき槽１２、１３、１４中の銅めっき液に、ＰＥＧとＳＰＳとＪＧＢおよびクエン酸塩等のように、めっきされる銅に炭素および酸素を共析させる添加剤を添加し、該銅めっき液に樹脂フィルム１浸漬させることにより、樹脂フィルム１の少なくとも表面に、上流側の上記銅めっき層から下流側の上記めっき層に向けて、段階的または漸次、上記炭素および酸素の共析量が多くなる１層の銅めっき層８または複数層の銅めっき層４、５、６を形成する。 （もっと読む）

【課題】３００℃を超える温度が負荷されても、容易にキャリア箔の引き剥がしが可能なピーラブルタイプのキャリア箔付電解銅箔の供給を目的とする。
【解決手段】この目的達成のため、キャリア箔２／接合界面層３／耐熱金属層５／電解銅箔層４の層構成を備えるキャリア箔付電解銅箔において、ＧＤＳ分析装置を用いて、当該キャリア箔付電解銅箔の電解銅箔層側からキャリア箔側に向けて、当該耐熱金属成分の深さ方向プロファイルを測定したときの常態のピークの半価幅をＷ１、当該キャリア箔付電解銅箔を３００℃の大気雰囲気で１２０分間加熱した後の深さ方向プロファイルを測定したときの同ピークの半価幅をＷ２としたとき、（［Ｗ２］−［Ｗ１］）／［Ｗ１］≦０．３の関係を満たすことを特徴としたキャリア箔付電解銅箔を採用する。 （もっと読む）

【解決課題】 集積回路用のサブミクロン相互接続構造を製作する方法を提供する。
【解決手段】 添加剤を含み、平坦で光沢があり延性があり低応力のＣｕ金属を付着させるのに通常用いられる浴からＣｕを電気めっきすることによって、ボイドのないシームレスな導体が得られる。ボイドまたはシームを残すことなくフィーチャを超充填できるこの方法の能力は独特であり、他の付着方法より優れている。この方法で電気めっきされたＣｕを利用する構造のエレクトロマイグレーションの抵抗は、ＡｌＣｕ構造または電気めっき以外の方法で付着されたＣｕを用いて製作された構造のエレクトロマイグレーションの抵抗より優れている。 （もっと読む）