【課題】ＰＲパルス電流を通電して電解銅めっきを行う際に、めっき外観、皮膜物性、フィリング性等を改善することができるＰＲパルス電解法に用いる銅めっき液用の添加剤を提供する。
【解決手段】アルケン類及びアルキン類からなる群から選ばれた少なくとも一種の成分からなる、ＰＲパルス電解法に用いる銅めっき液用添加剤、
銅イオン、並びに有機酸及び無機酸から選ばれた少なくとも一種の酸成分を含有する水溶液を基本めっき浴として、上記添加剤を含有することを特徴とする、ＰＲパルス電解法によるめっき用銅めっき液、
該銅めっき液中で、被めっき物をカソードとして、ＰＲパルス電流を通電して電解銅めっきを行うことを特徴とするＰＲパルス電解法による銅めっき方法。 （もっと読む）

【課題】良好なめっき皮膜性能を実現するめっき浴及びそれを用いためっき方法を提供する。
【解決手段】本発明に係るめっき浴は、実質的にシアン化合物を含有せず、
（Ａ）化学式（１）
Ｘ¹Ｘ²ＮＣ(＝Ｓ) ＮＸ³Ｘ⁴ （１）
［（１）におけるＸ¹、Ｘ²、Ｘ³及びＸ⁴は、水素、アルキル、アリル又は下記化学式（２）
−（ＣＨＺ¹−ＣＨ₂−Ｓ）_n−Ｙ （２）
のいずれかで表される基である。（２）におけるＺ¹は、水素又はメチル基であり、ｎは０〜１０の整数を表し、Ｙは、下記化学式（３）
−ＣＨＺ²−ＣＨ₂−Ｄ （３）
で表される基である。（３）におけるＺ²は、水素又はメチル基であり、Ｄは、ＳＨ、ＯＨ、ＮＸ⁵Ｘ⁶又はＣＯＯＨである。前記Ｘ⁵及びＸ⁶は、互いに同一又は異なっていてよい。また、前記Ｘ¹、Ｘ²、Ｘ³及びＸ⁴のうち、少なくとも一つは（２）で表される基である。］
で表されるチオ尿素系化合物、
（Ｂ）めっき金属として第４〜６周期の第８〜１１族、水銀を除く第１２族、第１３族、第１４族、及び、第１５族から選ばれた金属の水溶性塩又は水溶性錯体の一種又は二種以上、
を含有する。 （もっと読む）

シリコン基板内のビア内に高純度の銅を電着し、スルーシリコンビア（ＴＳＶ）を形成するプロセスである。本プロセスは、電解銅めっきシステム内の電解槽内にシリコン基板を浸漬するステップと、高純度の銅を電着してＴＳＶを形成するのに十分な時間の間、電圧を印加するステップとを含み、電解槽が酸、銅イオンの発生源、第一鉄イオン及び／又は第二鉄イオンの発生源、及び析出した銅の物理−機械的特性を制御するための少なくとも１つの添加剤とを含み、銅金属の発生源からの銅イオンを溶解することによって電着されることになる付加的な銅イオンを提供するために、前記槽内でＦｅ^２＋／Ｆｅ^３＋レドックス系が、確立される。 （もっと読む）

耐用年数を改善し、生産コストを低減し、プロセス性能を高めた信頼性およびコスト効率の高い電池または電気化学キャパシタ電極構造を形成するための方法および装置を提示する。一実施形態では、電池または電気化学セル用の三次元多孔質電極を形成するための方法が提供される。この方法は、拡散律速蒸着プロセスによって第１の電流密度で基板の上に柱状金属層を蒸着することと、第１の電流密度より大きな第２の電流密度で柱状金属層の上に三次元金属多孔質樹枝状構造を蒸着することとを含む。
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【課題】亜鉛含有金属又はマグネシウム含有金属素材に対して、安定して密着性の良いストライク銅めっき皮膜を形成できる銅めっき液であって、さらに人体や環境に対する悪影響が少ない銅めっき液を提供する。
【解決手段】
下記（１）及び（２）に示す成分を含有し、ｐＨが１０．５〜１３の範囲内にあることを特徴とする、亜鉛含有金属又はマグネシウム含有金属用のストライク銅めっき液：
（１）酸化銅、水酸化銅、炭酸銅、蟻酸銅及び酢酸銅からなる群から選ばれた少なくとも一種の２価の銅化合物
（２）下記式：


［式中、Ｍ^１及びＭ^２は同一又は異なって、それぞれ水素又はアルカリ金属である。］で表される基を２個以上有する有機ホスホン酸類。 （もっと読む）

【課題】酸性銅めっき浴組成物を用いて、樹脂フィルム面に銅厚付けめっきを施し、平滑で光沢外観を有し、耐剥離性に優れる２層フレキシブル銅張積層基材（２層ＦＣＣＬ）及びこのような２層ＦＣＣＬを、酸性銅めっき浴組成物を用い、かつ電気めっき工程が１工程の湿式めっき法による製造方法を提供することである。
【解決手段】酸性銅めっき浴組成物とシード層なる導電性金属被覆樹脂フィルムとを用いて、湿式めっき法による２層ＦＣＣＬの製造方法であって、親水化表面改質を施した樹脂フィルム面に、無電解ニッケルめっきシード層を形成させる工程と、この酸性銅めっき浴組成物中で、１次銅めっきを介さずに湿式電気めっきを施し、シード層上に銅導電層を厚付けめっきさせる工程とを含む２層フレキシブル銅張積層基材の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】導電体基板の表面に直接めっき法によって凸状金属構造体を形成できるめっき液およびめっきされた導電体基板を提供する。
【解決手段】導電体基板の表面に二次元的に成長した凸状金属構造体１０６を形成するためのめっき液であって、Ｃｕ，Ｎｉなどの金属イオンを含む金属塩，炭化水素からなる疎水基と該疎水基の末端に親水基を有する界面活性剤，前記金属塩と界面活性剤を溶解した水溶液とを含むめっき液、および、該めっき液を用いて凸状金属構造体１０６を形成した導電体基板。 （もっと読む）

金属イオン源、及び
一般式Ｎ（Ｒ¹−ＯＨ）₃（Ｉａ）の少なくとも１種のトリアルカノールアミン、及び／又は一般式Ｒ²−Ｎ（Ｒ¹−ＯＨ）₂（Ｉｂ）の少なくとも１種のジアルカノールアミンを縮合して、ポリアルカノールアミン（ＩＩ）、
（但し、
−Ｒ¹基が、それぞれ独立して、２〜６個の炭素原子を有する、２価の、直鎖状、又は枝分かれした脂肪族の炭化水素基から選ばれ、及び
−Ｒ²基が、それぞれ、水素、及び１〜３０個の炭素原子を有する、直鎖状、又は枝分かれした脂肪族、脂環式、及び芳香族の炭化水素基である）
又は前記ポリアルカノールアミン（ＩＩ）のアルコキシル化、置換、又はアルコキシル化と置換によって得ることができる誘導体を得ることにより得ることができる少なくとも１種の平滑化剤を含む組成物。 （もっと読む）

【課題】銅源としての酸化銅（II）を補給することによって発生した電解銅めっき液中の溶存酸素濃度の急増を抑制困難な従来の不溶性陽極を用いた電解銅めっき方法の課題を解消する。
【解決手段】
硫酸銅が添加された電解銅めっき液に浸漬しためっき対象に、不溶性陽極を用いて電解銅めっきを施す際に、前記電解銅めっき液に対して銅源として酸化銅を補給し、その際に、前記酸化銅の補給によって電解銅めっき液中に増加する溶存酸素濃度を抑制すべく、前記電解銅めっき液に硫酸鉄(II)を前記電解銅めっき液に添加する。 （もっと読む）

【課題】各種の素材に対して適用可能であって、しかも特殊な装置を用いることなく、安価に実施可能な方法によって、均質で良好な多孔質皮膜を形成できる方法を提供する。
【解決手段】疎水性基を有する水溶性第４級アンモニウム化合物からなる多孔質めっき皮膜形成用の電気めっき浴用添加剤、及び
該添加剤を含む電気めっき浴中において、電気めっき処理を行うことを特徴とする多孔質めっき皮膜の形成方法。 （もっと読む）

【課題】高精度の電解メッキが可能であり、電解メッキ後の電解メッキ液から銅イオンを回収して再利用し生産コストを低減する。
【解決手段】硫酸銅水溶液製造装置２０と、添加剤供給装置３０と、電解メッキ装置４０と、電解メッキ装置４０から排出される電解メッキ液から銅イオンを回収する銅イオン回収装置１０と、を備え、銅イオン回収装置１０は、イオン発生槽１１と、イオン発生槽１１を陽極室１２と中間室１３とに区画し水素イオン及び銅イオンを透過可能な第１隔膜１４と、イオン発生槽１１を中間室１３と陰極室１５とに区画し水素イオンを透過可能な第２隔膜１６と、少なくとも陽極室１２に設けられる陽極１８ａと、陰極室１５に設けられる陰極１７と、を有し、送出路１３ａが、少なくとも硫酸銅水溶液製造装置２０、添加剤供給装置３０又は電解メッキ装置４０のいずれか１つ以上に銅イオンを送出するよう構成されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】半導体上のバックグラウンドめっきを抑制する方法を提供する。
【解決手段】方法は、高い光透過性を有する相変換レジストを誘電体上に選択的に堆積させてパターンを形成すること、そのレジストで覆われていない誘電体の部分をエッチング除去すること、並びにその誘電体のエッチングされた部分上に金属シード層を堆積させることを含む。次いで、光誘導めっきによって、その金属シード層上に金属層が堆積させられる。 （もっと読む）

【課題】圧延銅箔と同等またはそれ以上の柔軟性・屈曲性を有する電解銅箔を提供する。
【解決手段】電解銅箔に式１に示すＬＭＰ値が９０００以上となる加熱処理を施した後の結晶構造がＥＢＳＰの分析で面に対する赤系・青系のいずれかの色調が８０％以上を占める電解銅箔。式１：ＬＭＰ＝（Ｔ＋２７３）＊（２０＋Ｌｏｇｔ）ここで、２０は銅の材料定数、Ｔは温度（℃）、ｔは時間（Ｈｒ）。また、該加熱処理を施した後のＸ線回析における（１１１）面の強度に対し、（３３１）面の相対強度が１５以上である電解銅箔。 （もっと読む）

【課題】配線板の製造工程における熱履歴、特にポリイミドフィルムと接着する際にかかる熱履歴と同程度の熱履歴が施された後に、圧延銅箔と同等またはそれ以上の柔軟性と屈曲性を発現する電解銅皮膜を提供すること。
【解決手段】電解析出で製造した電解銅皮膜において、式１に示すＬＭＰ値が９０００以上となる加熱処理を施すと、加熱処理後の結晶粒の最大長さが１０μｍ以上となる結晶粒子が７０％以上存在する結晶分布となる電解銅皮膜とその製造方法。
式１：ＬＭＰ＝（Ｔ＋２７３）＊（２０＋Ｌｏｇｔ）
ここで、２０は銅の材料定数、Ｔは温度（℃）、ｔは時間（hr）である。 （もっと読む）

【解決手段】基板表面に銅層のガルバニック堆積のための無シアン化物電解質組成物およびこのような層の堆積のための方法である。電解質組成物は少なくとも銅（ＩＩ）イオン、ヒダントインおよび／あるいはヒダントイン誘導体、ジ−および／あるいはトリカルボン酸あるいはこれらの塩、およびモリブデン、タングステン、バナジウムおよび／あるいはセリウム化合物からなる群の元素の金属酸塩を含む。 （もっと読む）

【解決手段】基板表面に金属あるいは合金のつや消し層の堆積のための電解質組成物であって次ぎを含む：
次ぎの金属あるいは合金を堆積するためのＶ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ａｇ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｓｂ、Ｔｅ、Ｒｅ、Ｐｔ、Ａｕ、Ｔｌ、Ｂｉ、およびこれらの組み合わせからなる群から選ばれる堆積金属イオン；
ナトリウム、カリウム、アルミニウム、マグネシウム、あるいはホウ素からなる群の元素の少なくとも１つのハロゲン化物、硫酸塩、あるいはスルホン酸塩；および
非置換ポリアルキレンオキシド、置換ポリアルキレンオキシド、置換あるいは非置換ポリアルキレンオキシドの誘導体、フッ素化湿潤剤、パーフッ素化湿潤剤、第４級アミン、あるいはポリアルキレンオキシドで置換された第４級アミンからなる群から選ばれる１つあるいはそれ以上の分散形成剤。 （もっと読む）

本発明は、薄膜太陽電池に有用な基質に、１１（ＩＢ）族金属／２成分もしくは３成分系１１（ＩＢ）族−１３（ＩＩＩＡ）族／３成分、４成分もしくは５成分系１１（ＩＢ）族−１３（ＩＩＩＡ）族−１６（ＶＩＡ）族合金を堆積するための電気メッキ用添加物に関する。添加物は一般式（Ａ）を有する。


式中、Ｘ_１およびＸ_２は同一もしくは異なっていてもよく、アリーレンおよびヘテロアリーレンよりなる群から選ばれる。ＦＧ_１とＦＧ_２は同一もしくは異なっていてもよく、−Ｓ（Ｏ）_２ＯＨ、−Ｓ（Ｏ）ＯＨ、−ＣＯＯＨ、−Ｐ（Ｏ）_２ＯＨ、第１級、第２級、第３級アミノ基およびそれらの塩およびエステルよりなる群から選ばれる。Ｒはアルキレン、アリーレンまたはヘテロアリーレンよりなる群から選ばれる、ｍおよびｎは１〜５の整数である。 （もっと読む）

【課題】電着組成物、及び、該組成物を用いた半導体基板のコーティング方法の提供。
【解決手段】本発明は、電着組成物、特に、集積回路内の配線を形成するために、「貫通ビア」型構造の形成用の半導体基板を銅でコーティングするための電着組成物に関する。本発明によれば、該溶液は、１４〜１２０ｍＭの濃度の銅イオンと、エチレンジアミンとを含み、エチレンジアミンと銅とのモル比は１．８０〜２．０３であり、該電着溶液のｐＨは６．６〜７．５である。本発明はまた、銅シード層を堆積させるための上記電着溶液の使用、及び、本発明に係る電着溶液を用いた銅シード層の堆積方法に関する。 （もっと読む）

特に、ブラインドマイクロビア（ＢＭＶ）およびトレンチにおいて非常に均一な銅析出を生成させるために、銅を電解析出するための水性酸浴が提供され、前記浴は、少なくとも１種の銅イオン源、少なくとも１種の酸イオン源、少なくとも１種の光沢剤化合物および少なくとも１種のレベラー化合物を含み、少なくとも１種のレベラー化合物は、合成によって製造される非官能基化ペプチドおよび合成によって製造される官能基化ペプチドおよび合成によって製造される官能基化アミノ酸を含む群から選択される。
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【課題】銅配線層を電解メッキ法で形成する際に電極となるシード層の溶解に起因する銅メッキ層の欠陥の発生を抑制する電解メッキ液及び該メッキ液を用いた電解メッキ方法を提供する。
【解決手段】電解メッキ液として、極性溶媒と、前記極性溶媒中に溶解した硫酸銅を含み、さらに添加剤として、硫黄化合物よりなるアクセラレータと、前記アクセラレータよりも小さい分子量を有する還元剤とを添加した電解メッキ液を使う。 （もっと読む）