【課題】マイクロ構造体用材料として好適に用いることのできる、十分な靱性を備えた高強度合金及びその高強度合金を被覆してなる金属とその高強度合金を用いたマイクロ構造体を提供すること
【解決手段】ＮｉイオンまたはＣｏイオンとＷイオンまたはＭｏイオンの総和が０．１〜０．３モル／Ｌの範囲で、上記金属イオンにおけるＮｉイオンまたはＣｏイオンの含有比率が２０〜４０％の範囲にある組成の電解浴を用いて、４０〜８０℃の浴温で電解析出させて高強度合金を得る。その高強度合金はアモルファス構造または平均結晶粒径が１００ｎｍ以下のナノ結晶構造を有している。 （もっと読む）

本発明は、テトラアルキルアンモニウム、テトラアルキルホスホニウム、１，１−ジアルキルピロリジニウム、１−ヒドロキシアルキル−１−アルキルピロリジニウム、１−ヒドロキシアルキル−３−アルキルイミダゾリウム、またはビス（１−ヒドロキシアルキル）イミダゾリウムカチオンの少なくとも１つを含有し、該アルキル基または１−ヒドロキシアルキル基のアルキレン鎖が、それぞれ互いに独立して炭素原子数１〜１０である、イオン性液体中における、基板上へのタンタルおよび／または銅の電気化学的沈着方法に関する。 （もっと読む）

【課題】 鉛フリーのスズ−銀系合金又はスズ−銅系合金電気メッキ浴において、メッキ処理時のスズ又はスズ合金アノード表面への銀又は銅の置換析出を有効に防止する。
【解決手段】 第一スズ塩と、銀又は銅塩と、各種の酸を含有するスズ−銀系合金又はズ−銅系合金電気メッキ浴において、ＨＬＢが７.３〜１５.２のジスチレン化フェノールポリアルコキシレート、ＨＬＢが７.０〜１０.４のトリスチレン化フェノールポリアルコキシレート、ＨＬＢが８.２〜１５.０のジスチレン化クレゾールポリアルコキシレート、ＨＬＢが７.７〜１３.９のトリスチレン化クレゾールポリアルコキシレートよりなるノニオン系界面活性剤を添加した鉛フリーのスズ−銀系合金又はスズ−銅系合金電気メッキ浴である。所定のＨＬＢを有する特定化学構造種のノニオン系界面活性剤を選択添加するため、アノード表面への銀又は銅の置換析出を防止して浴中の銀又は銅の消耗を抑止し、メッキ浴組成を安定化できる。 （もっと読む）

本発明は、基体のめっき性部分上におけるスズ又はスズ合金の沈着に関連して使用するための溶液に関する。この溶液は、水;基体のめっき性部分上にスズ沈着物を提供するのに十分な量のスズイオン;金属イオンを該溶液に可溶化させるのに十分な量で存在し、5.5より大きく10未満のpHで安定な酸の錯化剤又はその塩;及び該基体の該めっき性部分上へのスズの沈着を容易にするのに十分な量で存在するアルコキシル化ポリアルコールの界面活性剤を含む。 （もっと読む）

【課題】 鉛フリーの酸性スズ−ビスマス系合金電気メッキ浴において、メッキ処理時のスズ又はスズ合金アノード表面へのビスマスの置換析出を防止する。
【解決手段】 ジエチレントリアミンペンタ酢酸、ヒドロキシエチルエチレンジアミントリ酢酸、トリエチレンテトラミンヘキサ酢酸、Ｎ,Ｎ−ジカルボキシメチル−Ｌ−グルタミン酸、Ｎ,Ｎ−ジカルボキシメチル−Ｌ−アスパラギン酸、ヒドロキシエチリデンジホスホン酸、ニトリロトリス（メチレンホスホン酸）、ホスホノブタントリカルボン酸、ヒドロキシエチルアミノジメチレンホスホン酸、ジエチレントリアミンペンタメチレンホスホン酸、Ｎ,Ｎ−ジカルボキシメチル−Ｌ−アラニン、ヒドロキシエチルイミノジ酢酸、１,３−ジアミノ−２−ヒドロキシプロパンテトラ酢酸、メルカプトコハク酸、これらの塩から選ばれた錯化剤を添加した鉛フリーの酸性スズ−ビスマス系合金電気メッキ浴である。特定種のアミノカルボン酸類又はホスホン酸類などを選択添加する。 （もっと読む）

本発明は、銅ビス（ペルフルオロアルカンスルホニル）イミドまたは銅トリス（ペルフルオロアルカンスルホニル）メチドのいずれかを有するメッキ溶液、およびこれらのメッキ溶液を使用して、銅配線に電気化学的または化学的に沈着する方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、ウイスカ成長を効果的に抑制することができる錫めっき皮膜及びそれを備えた電子部品並びにその製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明の錫めっき皮膜は、金属基材上に形成された錫めっき皮膜であって、錫めっき皮膜の結晶配向面が（２２０）面に優先配向し、且つ錫めっき皮膜形成後の皮膜応力が−７．２ＭＰａ以上０ＭＰａ以下であり、その電子部品は、該錫めっき皮膜を有する構成とした。また、本発明の錫めっき皮膜の製造方法は、銅基材上に錫めっき皮膜を形成する錫めっき皮膜の製造方法であって、錫めっき皮膜の結晶配向面を（２２０）面に優先配向させると共に、錫めっき皮膜形成後の皮膜応力を−７．２ＭＰａ以上０ＭＰａ以下とする構成とした。 （もっと読む）

【課題】金属性プラスチック等の基質上に、引抜（ｐｕｌｌ−ｔｈｒｏｕｇｈ）装置中で、酸性電解質からの艶のない又は半光沢の銅層を電解析出するための方法及び電解質を提供する。
【解決手段】高速引抜装置中で、少なくとも銅、スルホン酸アルキル、ハロゲン化物イオン、エトキシレート、ナフタレン縮合生成物成分からなる電解液を用い、１０から１００Ａ／dm²の間からなる電流密度で、電解温度２２から６０℃で電解することにより、基質上に艶のない又は半光沢の銅層を電解析出させる。 （もっと読む）

【課題】 アルカリ性亜鉛系めっき浴を用いて鋳鉄へ亜鉛系めっきを施す。
【解決手段】 めっき浴を亜鉛イオンと水酸化アルカリを含むアルカリ性亜鉛系めっき浴とし、陽極の一部又は全部を不溶性陽極とし、陽極以外から亜鉛イオンの一部又は全部を供給し、並びに連続的又は断続的に、めっき液を流動若しくは振動させ、及び／又は被めっき物を揺動、振動若しくは回転させる鋳鉄への亜鉛系めっき方法。 （もっと読む）

【課題】 鉛フリーのスズ−ビスマス系合金電気メッキ浴において、メッキ処理時のスズ又はスズ合金アノード表面へのビスマスの置換析出を有効に防止する。
【解決手段】 第一スズ塩と、ビスマス塩と、各種の酸とを含有するスズ−ビスマス２元合金電気メッキ浴において、ＨＬＢが７.３〜１５.６のジスチレン化フェノールポリアルコキシレート、ＨＬＢが２.８〜１６.６のcis−9−オクタデセニルアミンポリアルコキシレートなどの所定のＨＬＢを有する特定化学構造種のアルキレンオキシド付加物、或は曇点が１５℃〜３０℃であるエチレンジアミンのポリアルコキシレートよりなるノニオン系界面活性剤を添加した鉛フリーのスズ−ビスマス系合金電気メッキ浴である。所定のＨＬＢ又は曇点を有する特定化学構造種のノニオン系界面活性剤を選択添加するため、アノード表面へのビスマスの置換析出を防止して浴中のビスマスの消耗を抑止し、メッキ浴組成を安定化できる。 （もっと読む）

【課題】 新規なめっき用レベリング剤、並びに該レベリング剤を含む、酸性銅めっき浴用添加剤組成物、および該添加剤組成物を含む酸性銅めっき浴を提供する。
【解決手段】 特定構造のジアリルジアルキルアンモニウムアルキルサルフェイト−二酸化イオウ共重合体からなるめっき用レベリング剤、並びに、（Ａ）前記めっき用レベリング剤、（Ｂ）ポリマー成分および（Ｃ）ブライトナー成分を含む酸性銅めっき浴用添加剤組成物、および（Ｄ）銅イオン５〜７５ｇ／Ｌ、（Ｅ）有機酸および／または無機酸２０〜３００ｇ／Ｌを含む基本浴組成に、前記酸性銅めっき浴用添加剤組成物を配合してなる酸性銅めっき浴である。 （もっと読む）

【課題】平滑化剤化合物
【解決手段】第一拡散係数を有する第一レベリング剤および第二拡散係数を有する第二レベリング剤が含有されているレベリング剤の混合物を含有するメッキ浴が提供される。かかるメッキ浴は、電解質濃度の範囲に亘って実質的に平坦である金属層、特に銅層を堆積する。かかるメッキ浴を使用する金属層の堆積方法も開示される。これらの浴および方法は、電子デバイスをはじめとする小さいアパーチャーを有する基体上に、銅の平坦な層を提供するために有用である。 （もっと読む）

本発明は、電気的接続のための部材上にＳｎリッチ堆積層を有する電子部品であって、Ｓｎリッチ堆積層が、堆積表面に対して平行な方向におけるサイズよりも堆積表面に対して垂直な方向におけるサイズの方が小さい粒子からなる微細粒Ｓｎリッチ堆積層である電子部品に関する。本発明はまた、電気的接続のための部材上にＳｎリッチ堆積層を形成するために電子部品をメッキするプロセスであって、開始添加物及び光輝性添加物が含まれているスズメッキ溶液の組成を調整するステップと、前記スズメッキ溶液中を通して前記電子部品を動かして、電気的接続のための前記部材上に前記Ｓｎリッチ堆積層を形成するステップと、を含むプロセスに関する。従来の技術と比較すると、本発明は、低コストで且つ信頼できる特性をもってウィスカ成長を有効に抑制することができる。
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【課題】これまでに試みられた追加の合金化元素を含む亜鉛−ニッケル合金に関連する所望されない特徴を回避する一方で、輝度、水平度、延性、および強度が高められた亜鉛−ニッケル合金を提供すること。
【解決手段】ａ）亜鉛イオン；ｂ）ニッケルイオン；ならびにｃ）Ｔｅ^＋４、Ｂｉ^＋３およびＳｂ^＋３のイオンから選択される１つ以上のイオン種、およびある実施形態においては、Ｂｉ^＋３、Ｓｂ^＋３、Ａｇ^＋１、Ｃｄ^＋２、Ｃｏ^＋２、Ｃｒ^＋３、Ｃｕ^＋２、Ｆｅ^＋２、Ｉｎ^＋３、Ｍｎ^＋２、Ｍｏ^＋６、Ｐ^＋３、Ｓｎ^＋２、およびＷ^＋６のイオンから選択される１つ以上の追加のイオン種をさらに含む亜鉛−ニッケル三元合金またはより多元の合金を析出するための電気めっき浴、システム、方法、およびこのような合金を析出することから得られる物品。ある実施形態において、該システムは、カソードチャンバー（１１４、２１４、３１４、４１４）中にのみ電気めっき浴を有する状態で、カソードチャンバー（１１４、２１４、３１４、４１４）とアノードチャンバー（１１２、２１２、４１２）を形成する仕切り（１１６、２１６、３１６、４１６）を含む。種々の実施形態において、亜鉛−ニッケル三元合金またはより多元の合金は、該合金がその上に析出された導電性基板に改善された性質を提供し得る。 （もっと読む）

【課題】クラックキングがほとんどまたは全く発生せず、アニーリング状態で付着性の消失をほとんどまたは全く示さない合金析出物を生成し得る鉄−リン電気めっき浴を開発すること。
【解決手段】１つの実施形態においては、本発明は、（Ａ）鉄が電解で析出し得る少なくとも１つの化合物と、（Ｂ）ホスフィン酸イオンと、（Ｃ）スルホアルキル化ポリエチレンイミン、スルホン化サフラニン染料、およびメルカプト脂肪族スルホン酸もしくはそのアルカリ金属塩から選択される硫黄含有化合物とを含む、水性で酸性の鉄リン浴に関する。任意で、本発明の水性で酸性の鉄リン浴は、アルミニウムイオンをさらに含む。本発明の方法によって基板上に析出される合金は、鉄、リンおよび硫黄の存在を特徴とする。 （もっと読む）

微小電子機器製造で基板上にＣｕを電気めっきするための方法と組成物であって、Ｃｕイオン源とレベリングのための置換ピリジル高分子化合物を含む。 （もっと読む）

本発明は、基材、該基材上に被覆された中間金属層及びアルミニウム／マグネシウム合金を含有する、該中間層上に被覆された層を含む被覆された加工製品に関する。本発明は、この被覆された加工製品を製造する方法に関する。 （もっと読む）

本発明は、少なくとも一つの式ＭＡｌＲ₄の有機アルミニウム錯体化合物、又はその混合物、及びアルキルマグネシウム化合物を含有し、ここでＭはＮａ、Ｋ、Ｒｂ又はＣｓを表し、かつＲはＣ₁−Ｃ₁₀アルキル基、好ましくはＣ₁−Ｃ₄アルキル基を表す、アルミニウム−マグネシウム合金の電着用電解質に関する。本発明は、電解質の製造方法、被覆方法、及び電解質にも関する。 （もっと読む）

本発明は、亜鉛イオン；タングステンイオン、モリブデンイオン、コバルトイオン、ニッケルイオン、ジルコニウムイオン、チタンイオン、マンガンイオン、バナジウムイオン、鉄イオン、スズイオン、インジウムイオン、銀イオン、及びこれらの組合せからなる群から選択される金属イオン；並びに任意選択で、カリウムイオン又はナトリウムイオンを含んでいない電解質；を含み、実質的にクロムを含まず、材料へのポリマーの接着を向上させる被膜を基板若しくは材料上に生成する耐変色・接着促進性水性処理組成物を対象とする。本発明はまた、前記処理組成物により被覆された材料、並びに、前記組成物を用いて材料を被覆する方法も対象とする。
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金属又はプラスチック部品の大きな領域上に、高研磨で、装飾的な光沢があり、滑らかで且つ平坦な銅被膜を電解で析出するための酸性水溶液は、ａ）少なくとも一種の酸素含有高分子添加剤と、ｂ）少なくとも一種の水溶性硫黄化合物を含み、その中で、水溶液は、付加的に、ｃ）一般式（Ｉ）を有する少なくとも一つの芳香族ハロゲン誘導体を含み、式中で、ハロゲンとなるＲ_１、Ｒ_２、Ｒ_３、Ｒ_４、Ｒ_５及びＲ_６基の個数は１〜５の範囲であるという条件付きで、Ｒ_１、Ｒ_２、Ｒ_３、Ｒ_４、Ｒ_５及びＲ_６は、それぞれ独立して、水素、アルデヒド、アセチル、ヒドロキシ、炭素数１〜４のヒドロキシアルキル、炭素数１〜４のアルキル及びハロゲンからなるグループから選ばれる基である。
【化１】

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