【課題】 希土類焼結磁石等のめっき対象物の腐食を防ぎ、めっき膜の密着性や信頼性を高め、しかも短時間でその処理を行うことのできるめっき方法を提供することを目的とする。
【解決手段】 めっきの前処理として、酸洗浄後に、ｐＨ７．７以上のアルカリ性溶液を用いたアルカリ超音波洗浄処理をＲ−Ｔ−Ｂ系焼結磁石に施すことで、Ｒ−Ｔ−Ｂ系焼結磁石の表面を洗浄し、残存酸成分を除去するとともに、表面の活性度を抑える。これにより、めっき膜の密着性を向上させることができるとともに、めっき後にＲ−Ｔ−Ｂ系焼結磁石とめっき膜の界面に錆が生じるのを防止し、めっき膜の信頼性を高める。 （もっと読む）

【課題】 加速管の共振周波数を略一定にでき、安価にかつきれいに製造できる加速管の製造方法を提供する。
【解決手段】 円筒状のスペーサと有孔円板状のディスクを交互に複数個重ね合せて管構造４５とした後、管構造４５の外周に電鋳層を形成し一体化した素管を備えた加速管の製造方法において、管構造４５を無機材料からなる本体無機電鋳液４１に浸漬させ、供試体５５を本体無機電鋳液４１と略同一の液組成を有する供試体無機電鋳液５１に浸漬させた後、管構造４５および供試体５５で同一の電流密度によって電鋳を開始し、供試体５５の電着応力を随時計測し、その計測値と目標電着応力との偏差に応じて電流密度を増減させて電鋳を進行させることを特徴とする。 （もっと読む）

【解決手段】 導電性トラックを備えたプリント回路は、グラビア印刷によって得ることが可能である。グラビア印刷を施すこの技術は、非常に薄肉の導電性トラックを得ることが可能であるが、高い電気抵抗があるといわれていた。このようなトラック（３０）の電気抵抗を減少させるために、この発明は、少なくとも２つの第１電極（９，８）を同トラックの対向する部分（１７，１８）に接続し、一方、前記同トラックの中央（１９）を電解槽（７）に浸漬する。そして、槽は第２電極（２６）に接続し、第２電極（２６）は第１電極に接続している第１電位（１４）と反対の極性を有する第２電位（１５）に接続している。
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【課題】金属性プラスチック等の基質上に、引抜（ｐｕｌｌ−ｔｈｒｏｕｇｈ）装置中で、酸性電解質からの艶のない又は半光沢の銅層を電解析出するための方法及び電解質を提供する。
【解決手段】高速引抜装置中で、少なくとも銅、スルホン酸アルキル、ハロゲン化物イオン、エトキシレート、ナフタレン縮合生成物成分からなる電解液を用い、１０から１００Ａ／dm²の間からなる電流密度で、電解温度２２から６０℃で電解することにより、基質上に艶のない又は半光沢の銅層を電解析出させる。 （もっと読む）

基板表面の改良された金属コーティングまたは金属析出物を提供する方法、このような金属析出物を提供するために使用されるめっき溶液の改良及び金属コーティング済み基板の物品。金属コーティングのはんだ付け性は、金属コーティング中に微量のリンを取り入れて、それに続く加熱の最中の表面酸化物形成を低減し、従って金属コーティングの長期はんだ付け性を向上することによって向上する。リンは好都合に、金属コーティングを基板表面に提供するために使用される溶液中にリンの源を取り入れることによって金属コーティング中に提供され、次に、金属コーティングが溶液から基板表面に提供される。 （もっと読む）

【課題】１００万回以上の繰り返し打鍵試験をクリアできるプッシュスイッチ
の提供。
【解決手段】プッシュスイッチの電気接点部材としてステンレス鋼からなる薄
板状の基板２表面に、ニッケルメッキ層３を形成し、ニッケルメッキ層３上にフ
ラッシュメッキによって０．５μｍ厚以下の銅メッキ層４を形成し、銅メッキ層
４上には銀メッキ層５を形成した金属板を加工した電気接点部材を使用する。 （もっと読む）

【課題】 本発明では、基板の表面に選択的にめっき触媒を付着させることができ、所望パターンで付着しためっき触媒によって所望パターンの配線を形成することができる技術を実現する。
【解決手段】 本発明の方法は、基板の上に選択的に導体をめっきすることによって配線を形成する方法であって、自己組織化単分子膜を基板の表面に形成する成膜工程と、前記自己組織化単分子膜に選択的に光を照射する露光工程と、前記自己組織化単分子膜の露光部を除去する洗浄工程と、前記基板の上にめっき触媒を付与する触媒付与工程と、前記基板の上に導体を無電解めっきする無電解めっき工程とを備えることを特徴とする。 （もっと読む）

【目的】 点欠陥の集合によるボイドがＣｕ配線内に形成しないようにすることを目的とする。
【構成】 基体上に絶縁膜を形成する絶縁膜形成工程（Ｓ１０２〜Ｓ１１０）と、前記絶縁膜に開口部を形成する開口部形成工程（Ｓ１１２）と、前記絶縁膜表面と前記開口部とにシード膜を形成するシード膜形成工程（Ｓ１１６）と、前記シード膜を電極として第１の電流密度となる電流を流し、前記開口部に導電性材料をめっき法により堆積させる第１のめっき工程（Ｓ１１８）と、前記第１のめっき工程後、前記第１の電流密度より小さい第２の電流密度となる電流を流し、前記絶縁膜表面上に前記導電性材料をめっき法により堆積させる第２のめっき工程（Ｓ１２０）と、前記第２のめっき工程後、前記導電性材料が堆積した基体をアニール処理するアニール工程（Ｓ１２４）と、を備えたことを特徴とする。 （もっと読む）

【解決手段】 水溶性銅塩、硫酸、塩素イオン、ブライトナー、キャリアー及びレベラーを含有し、レベラーが下記式（１）で示される４級化物又は下記式（２）で示される４級化物との共重合体


の一方又は両方である電気銅めっき浴並びにこれを用いて基板上に形成されたビアホールをビアフィルめっきする電気銅めっき方法。
【効果】 小径かつ高アスペクト比を有するビアホールを、ボイドを発生させることなく穴埋めすることができ、ビアホール、スルホール混在基板のめっきにも好適である。 （もっと読む）

【課題】 ハブの表面塗装と電気メッキを結合させた方法の提供。
【解決手段】 アルミ合金製のハブ半製品に通常塗装を行ない、その後、電気メッキを行なう部分の塗装樹脂を削り取り、アルミ合金原材を露出させ、更につや出し、底層ニッケルと銅を電気メッキする前の前処理を行ない、底層ニッケルと銅を電気メッキし、銅のつや出しを行ない、多層ニッケル電気メッキ前の前処理を行ない、多層ニッケルを電気メッキし、クロムを電気メッキし、塗装層と電気メッキ層を共に具えたハブを得る。この方法によりえられるハブの電気メッキ層は良好な防護性能を具え、塗装樹脂と金属メッキ層が組み合わされた外表の色は非常に美しい。且つメッキ層金属と塗装樹脂の結合は非常に緊密で極めて良好な防護効果を有する。 （もっと読む）

【課題】 焼成温度を低くして微粒子をセラミックス基材に強固に接合し、該微粒子をめっき触媒核として無電解めっきもしくは電解めっき処理により、基材の表面を粗化することなく、高密着性の金属皮膜を安価に形成可能なセラミックス基材表面への金属皮膜形成方法及び金属化処理セラミックス基材を提供することを目的とするものである。
【解決手段】 セラミックス基材表面に金属皮膜を形成するにあたって、（１）貴金属成分で構成される微粒子と、セラミックスと親和性の高い成分で構成される微粒子を２種類以上混合したものをセラミックス基材表面に付与する工程、（２）２００〜５００℃での加熱処理により前記微粒子を基材表面に強固に固定化する工程、そして（３）固定化された前記微粒子をシード層として、セラミックス基材表面に金属皮膜を析出させる工程、からなる。 （もっと読む）

【課題】
スズめっき層をフュージング処理してもボイドが発生し難く、且つエッチング性が良い銅箔を提供すること。
【解決手段】
未処理銅箔中のＣｌ含有量が３０ｐｐｍ未満である銅箔。電解液としてＣｌ⁻イオン濃度が２．０ｍｇ／ｌ以下、タンパク質濃度が０．５ｍｇ／ｌ以下の硫酸−硫酸銅水溶液を用いて電解する銅箔の製造方法。未処理銅箔中のＣｌ含有量が３０ｐｐｍ未満で、該未処理銅箔の両表面のうち少なくともスズめっき層の形成される表面が、該表面をＸ線回折分析して得られた回折線のうち（２００）面の回折線の相対ピーク強度をＩ（２００）、（１１１）面の回折線の相対ピーク強度をＩ（１１１）としたときに前記Ｉ（２００）を前記Ｉ（１１１）で除して算出される相対強度比Ｉ（２００）／Ｉ（１１１）が０．２０以下である銅箔。 （もっと読む）

【課題】基板上での金属層の電気メッキとこの層のＣＭＰ平坦化の両方を実施するための方法および装置を提供すること。
【解決手段】この装置は、研磨パッド（２０）を支持するテーブル（１０）を含み、これらテーブルおよびパッドは、このパッド上に電気メッキ溶液を分配するためのチャネルを形成する複数の穴部（２１０、２２０）を有する。電気メッキ・アノード（２０１、２０２、２０３）は、チャネル内に配置され、かつ電気メッキ溶液に接触するように配置されている。キャリア（１２）は、パッド（２０）の上面に実質的に平行に基板（１）を保持し、パッドに対して基板に可変の機械的力を加え、したがって基板とパッドとの間隔は、電気エッチング中よりも電気メッキ中に狭めることができる。
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【課題】銅スパッタ膜付きウェハーにネガ型レジストを製版後に電解銅めっきにより配線が形成されるが、銅スパッタ膜とレジストの密着性が悪い為、電解銅めっき中にレジストが崩れてしまい、配線の変形や配線間がショートしてしまうという問題点が発生する。信頼性向上の為にレジストの密着性を改善することが必要である。
【解決手段】本発明は銅スパッタ膜とネガ型レジストの密着性向上の為、レジスト製版後のウェハーに熱処理を加えることにより、電解銅めっきを行ってもレジストが崩れなくなった。 （もっと読む）

【課題】
従来の方法では十分な製造速度が得られなかったり、レジストで作られた細長いマスクの中に空気の泡が残ってしまい、銅ポストの径がφ50μm以下でかつ高さが50μm以上のような細い製品の場合良好な作業が出来ない場合が発生していた。また、その設備は高度な機構を使用しているものが多く、価格的に高価なものが多かった。
【解決手段】
本発明はプラズマによるドライ洗浄により、薬液のヌレ性を確保し、かつ、回転式治具を使用することで泡かみなく銅ポストを製造することができる。
また、一度に銅ポストのレジストマスクを形成するのではなく、数回に分けてレジスト製版及び銅ポスト形成を繰り返すことで、高速でかつ精度の高い銅ポストの製造が可能となった。 （もっと読む）

【課題】 新規なめっき用レベリング剤、並びに該レベリング剤を含む、酸性銅めっき浴用添加剤組成物、および該添加剤組成物を含む酸性銅めっき浴を提供する。
【解決手段】 特定構造のジアリルジアルキルアンモニウムアルキルサルフェイト−二酸化イオウ共重合体からなるめっき用レベリング剤、並びに、（Ａ）前記めっき用レベリング剤、（Ｂ）ポリマー成分および（Ｃ）ブライトナー成分を含む酸性銅めっき浴用添加剤組成物、および（Ｄ）銅イオン５〜７５ｇ／Ｌ、（Ｅ）有機酸および／または無機酸２０〜３００ｇ／Ｌを含む基本浴組成に、前記酸性銅めっき浴用添加剤組成物を配合してなる酸性銅めっき浴である。 （もっと読む）

【課題】 複雑な構造を用いることなく、添加剤、特に埋め込み性に影響を及ぼすアクセラレーターの分解を十分に抑制することができるメッキ装置を得る。
【解決手段】 アクセラレーターが添加されたメッキ液を入れるメッキ槽と、含リン銅からなるアノードと、カソードとなる被メッキ基板を支持する支持部と、アノード近傍のメッキ液を加熱する加熱手段と、アノード近傍からカソード近傍へ流れるメッキ液を冷却する冷却手段とを有する。 （もっと読む）

【課題】
スルーホールを有するプリント配線板のメッキにおいて、メッキ液の簡単な攪拌方法で、高いアスペクト比のスルーホール表面にも、均一で十分な厚みのメッキを精度よく行うことができ、さらには、スルーホール表面のメッキ厚みとプリント配線板表面のメッキ厚みの比を100％に近づけるようなメッキ方法およびメッキ装置を提供すること
【課題を解決するための手段】
スルーホールを有するプリント配線板をメッキ液に浸漬し、該プリント配線板の一方の面に接触するメッキ液と、他方の面に接触するメッキ液の攪拌速度を異なるようにした。メッキ液の攪拌の方法は、攪拌棒を往復運動させる方法で、プリント配線板の一方の面に面する攪拌棒の往復速度と他方の面の往復速度とが異なるように攪拌する。
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本発明は、ナノメートル結晶金属材料、特に、超高強度及び導電率を有するナノ双晶銅材料ならびにその製造方法である。電着法を使用することによって高純度多結晶Ｃｕ材料を製造する。微細構造は、実質的に等軸晶のサブミクロンサイズの粒径３００〜１０００nmのオーダである結晶粒からなる。結晶粒の中には、異なる方位の双晶層の高密度構造が存在し、同じ方位の双晶層が互いに対して平行であり、双晶層の厚さは数ナノメートルから１００nmまでであり、その長さは１００〜５００nmである。関連技術と比較して、本発明は性質が優れている。周囲温度下で加工されると、材料は、９００MPaまでの降伏強さ及び１０８６MPaまでの破断強さを有する。この超高強度は、多くの他の方法では、同じ銅材料によって実現することはできない。同時に、導電率が優れ、従来の粗結晶銅材料の導電率とほぼ同じであり、周囲温度下での抵抗は、９６％ＩＡＣＳに等しい１．７５±０．０２×１０^-8Ω・mである。
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【課題】めっき膜に取り込まれる不純物を低減させて、凹部内の配線における欠陥を減少させることが可能な半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】まず、表面にビアホール１ａ及び配線溝１ｂを有するウェハＷをめっき液に浸漬させ、かつウェハＷとアノード１１との間に電圧を印加して、ウェハＷ上にめっき膜４を形成する。めっき膜４を形成した後に、電圧を印加した状態でウェハＷをめっき液から取り出す。そして、シード膜３及びめっき膜４に熱処理を施し、結晶を成長させて、配線膜５を形成する。最後に、ビアホール１ａ及び配線溝１ｂに埋め込まれた部分以外の配線膜５等を除去し、配線５ａを形成する。 （もっと読む）