【課題】メッシュ状の導電層上に均一な膜厚でメッキ層を形成して、電磁波シールド性光透過窓材を製造する方法及びそのために有利な簡易なメッキ装置を提供する。
【解決手段】メッキ液が満たされるメッキ槽、該メッキ槽内に配置された陽極電極、及び該陽極電極に陽極電圧が印加されると同時に陰極電圧が印加される被メッキ材料を、該陽極電極に対向して配置するための固定手段、さらに陽極電極と被メッキ材料との間に且つこれらと略並行となるように配置された遮蔽板を備え、該被メッキ材料に電気メッキを施すことにより電磁波シールド性光透過窓材を製造するためのメッキ装置であって、前記被メッキ材料が透明基板及び該透明基板上に設けられたメッシュ状の導電層からなり、そして遮蔽板が貫通孔部を有し且つ遮蔽板の貫通孔部を除いた面積が遮蔽板の中央より外側の方が大きいことを特徴とするメッキ装置。 （もっと読む）

【課題】メッシュ状の導電層上に均一な膜厚でメッキ層を形成して、電磁波シールド性光透過窓材を製造する方法及びそのために有利な簡易なメッキ装置を提供する。
【解決手段】メッキ液が満たされるメッキ槽、該メッキ槽内に配置された陽極電極、及び該陽極電極に陽極電圧が印加されると同時に陰極電圧が印加される被メッキ材料を、該陽極電極に対向して配置するための固定手段を備え、該被メッキ材料に電気メッキを施すことにより電磁波シールド性光透過窓材を製造するためのメッキ装置であって、前記被メッキ材料が透明基板及び該透明基板上に設けられたメッシュ状の導電層からなり、そして前記陽極電極が、中央領域と該中央領域の外側に配置された複数の板状の外側領域とが連結された形状を有し、且つ該中央領域の容積が、外側領域の容積より大きいことを特徴とするメッキ装置。 （もっと読む）

【課題】被処理基板内の半導体チップを無駄にすることなく、被処理基板の面内において均一なメッキ層を形成することができる電解メッキ装置および電解メッキ方法を提供する。
【解決手段】電解メッキ装置は、被処理基板１０の被メッキ面を浸すメッキ液５を収容する収容槽６と、被処理基板１０に含まれる複数の単位素子を区画するスクライブラインに接触するカソード電極４ａを備える給電手段４と、カソード電極４ａとの間で電圧が印加されるアノード電極７とを有する。 （もっと読む）

【課題】低コストで、かつタングステン製放電加工用電極線とほぼ同様の加工性能を備えた放電加工用電極線を提供する。
【解決手段】芯材の組成を、炭素含有量０．５０〜１．２０重量％の鋼材を焼入れ、焼戻しして得られる焼戻しマルテンサイト組織とすることにより、高温時での電極線の引張り強度を、タングステン製放電加工用電極線の引張り強度とほぼ同じ程度にすることができ、その結果、高張力下での放電加工の可能な放電加工用電極線を得ることが可能となる。また、芯材が鋼材であるので、タングステンに較べて素材コストおよび製造コストが安価なため、黄銅被覆鋼線とほぼ同様な製品コストの放電加工用電極線を得ることができる。
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直径の小さなビアと直径の大きなトレンチ２０５を含む誘電層に金属をメッキする新しい方法で、例えば誘電層２０３の少なくとも非パターン領域におけるメッキ槽においてレベラーの量を低減することによって表面粗度が生成され、後続の化学機械研磨（ＣＭＰ）における材料除去の均一性を向上させる。
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【課題】 基板に形成された微細な配線用の溝等の微細窪みに銅または銅合金等を隙間なく均一にめっきするプロセスにおける、ボトムアップ成膜（トレンチやビア底からの優先成長）の弊害である、めっき膜の異常盛り上がり現象（オーバープレート）を抑える基板のめっき方法および装置を提供する。
【解決手段】 基板Ｗ上の微細窪みに金属を充填する基板のめっき方法であって、めっき促進剤を添加しためっき液中で第一のめっき処理を行った後、被めっき表面に付着しためっき促進剤を除去または低減させる除去剤を被めっき表面に接触させるめっき促進剤除去処理を行い、さらに第二のめっき処理を行う。 （もっと読む）

【課題】 液晶ポリマー（ＬＣＰ）を基材に用いた高精細且つ高周波用途に適した配線基板用フィルム基材の作製方法を提供すること。
【解決手段】 液晶ポリマー（ＬＣＰ）からなる樹脂フィルム１１表面をカーボファンクショナルシランを用いて活性化されたＣＦシラン被膜１１１を形成し、次いで、樹脂フィルム１１上に無電解メッキ処理により金属膜１２を形成し、続いて、温度２００℃で３０分間程度の加熱処理を行い、樹脂フィルム１１と金属膜１２との密着性を高めた配線基板用フィルム基材１０を作製する。
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【課題】 プリント基板の製造プロセスを簡略化およびその製造コストの低減を可能とする技術を提供すること。
【解決手段】 プラスチックの基板６１１の上に、めっきシードとしての触媒金属を含有する有機または無機金属化合物を含む溶剤を塗布・乾燥させて金属化合物膜６１２を形成し、その所望領域に電子線などのエネルギ線６１３を照射して触媒金属を析出させる。当該照射領域への局所的なエネルギ線照射によりその照射領域のみで金属触媒析出の化学反応が生じ、触媒金属が局所的に析出してパターニングされた金属触媒膜６１４を得ることができる。また、エネルギ照射された基板６１１は、表面の溶融により触媒金属を極浅領域に取り込んだり、表面のアブレーションにより触媒金属と基板表面の接触面積が実効的に広くなったり、あるいは化学的改質により基板と触媒金属との結合状態が強固なものとなるので、固着程度が高まり金属触媒膜の剥離が生じ難くなる。 （もっと読む）

サブミクロン径の内部配線凹凸を有する半導体集積回路基板上をＣｕを電気メッキするための組成物と電気メッキする方法が提供される。この組成物はＣｕイオンとポリエーテル基を含む抑制剤からなる。この方法は、超充填速度で迅速なボトムアップ沈積をする超充填方法に関し、これにより垂直な方向での凹凸の底から凹凸の上部開口までＣｕ沈積が側面のＣｕ沈積よりも実質的に大となる。 （もっと読む）

本発明は、光沢度測定による絶縁性基体のエッチング工程のコントロールに関する。本方法により、引き続いて行われるメタライゼーション工程において堆積金属層の良好な接着を結果する表面粗度を得ることができる。本方法は特にプリント基板の製造に好適である。 （もっと読む）

本発明は、Ｈｖ値が６０以上の合金層又は単体金属層を下層とし、Ｈｖ値が４０以下の合金層又は単体金属層を上層とすることを特徴とし、鉛を実質的に含有しないめっき皮膜である。このめっき皮膜は人体及び環境に無害で、摺動特性に優れている。
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【課題】Ｃｕ又はＣｕ合金からなる母材表面に表面多層めっき層を形成した材料について、高温雰囲気下で長時間経過後も低接触抵抗を維持することができる接続部品用導電材料を得る。
【解決手段】 Ｃｕ又はＣｕ合金からなる母材表面に、Ｎｉ層、Ｃｕ−Ｓｎ合金層及びＳｎ層からなる表面めっき層がこの順に形成され、かつ前記Ｎｉ層の厚さが０．１〜１．０μｍ、前記Ｃｕ−Ｓｎ合金層の厚さが０．１〜１．０μｍ、そのＣｕ濃度が３５〜７５ａｔ％、前記Ｓｎ層の厚さが２．０μｍ以下で、かつ０．００１〜０．１質量％のカーボンを含有する。Ｓｎ層の厚さが０．５μｍ以下の場合、多極の嵌合型端子用として用いたときに挿入力が低く、Ｓｎ層の厚さが０．５μｍを越える場合、リフローソルダリング等の加熱処理を受けた後でもはんだ濡れ性が確保されＪＢのような非嵌合型接続部品用として適する。 （もっと読む）

【課題】 例えデザインルールが厳しくなっても、十分な密着性を有する配線材料を電解めっきによって基板の全面に均一に形成して、信頼性の高い埋込み配線を形成できるようにする。
【解決手段】 絶縁膜内に配線用凹部を形成した基板表面に、配線材料成膜用の電解めっき液に対して不溶性の導電膜を形成し、前記導電膜をシード膜として、電解めっき法により該導電膜の表面に配線材料を前記配線用凹部内に埋込みつつ成膜し、前記導電膜の表面に成膜した余剰の配線材料を除去して前記配線用凹部内に埋込んだ配線材料で配線を形成する。 （もっと読む）

【課題】 大口径の半導体基板に対して、シードＣｕ膜が薄くても面内の膜厚均一性良く電解めっき成長を行うことができるめっき装置、めっき方法を提供する。
【解決手段】 めっき槽１１０内にはアノード電極１０４が、基板保持機構１０７には第１のカソード電極１０９と第２のカソード電極が設けられている。Ｃｕシード層（図示せず）とアノード電極１０４間に電流を流してめっき成長を行う際に、半導体基板の中心付近に接する第２のカソード電極からも電流を流す。これによって、Ｃｕシード層が６０ｎｍ以下の非常に薄膜になった場合においても、半導体基板の中心付近で得られるめっきＣｕ膜厚が薄くなることを防止できる。 （もっと読む）

本発明は、封じ込め装置の製造方法であって、
ａ．（質量％）でＣ ０．０５％〜０．４％、Ｓｉ ２．０％以下、Ｍｎ ２．０％以下、Ｐ ０．１％以下、Ｎ ２００ｐｐｍ以下、残部鉄および不可避不純物からなる化学組成を有する鋼スラブを用意する工程、ｂ．該スラブを再加熱した後、または該スラブを高温装入することにより、鋳造熱を利用して、もしくは鋳造後に直接圧延することにより、該スラブをストリップに熱間圧延し、続いて該ストリップをコイル巻き温度に冷却し、続いてコイル巻きする工程、ｃ．該ストリップを厚さ減少率４０〜９５％で冷間圧延し、冷間圧延されたストリップを形成する工程、ｄ．Ａｃ１を超える温度に再加熱し、少なくとも５秒間均質化させ、続いて急冷することにより、連続焼きなましする工程、ｅ．封じ込め装置を製造する工程を含んでなり、該封じ込め装置中の該鋼が、少なくとも１０体積％の、マルテンサイトおよびベイナイトからなる相群から選択された少なくとも一つの相を含んでなり、該封じ込め装置の特性異方性が低い、方法に関する。本発明はさらに、該方法により製造された封じ込め装置、ならびに該封じ込め装置を製造するための、高温および／または高圧密封用途向けの絶縁バリヤー材料の製造方法にも関する。 （もっと読む）

【課題】ころの付着異物を効率的に除去し、ころ転走面や軌道輪の軌道面の摩耗を低減すること。
【解決手段】本ころ軸受用軌道輪は、ころ１６が転動接触する軌道面１２ａ，１４ａを有し該軌道面１２ａ，１４ａが凹凸加工され、かつ、全体に軟質金属１８の鍍金が施された後の研磨により凹部１２ｃ，１４ｃ内に軟質金属１８が埋没されている。 （もっと読む）

本発明は、めっき膜中でのＡｇ濃度を調整したＳｎ−Ａｇ系はんだ合金めっき膜をリフローすることにより得られるボイドの発生が抑制された鉛フリーバンプおよびその形成方法に関する。本発明の鉛フィリーバンプは、Ｓｎ−Ａｇの共晶形成濃度より低いＡｇ含量のＳｎ−Ａｇ系合金膜をめっきにより形成し、当該合金めっき膜をリフローすることにより得られる。
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【課題】メッキする非導電性基板の処理方法を提供する。
【解決手段】本提案方法は、デスミア後、中和／犠牲被膜混合溶液に基板を接触させ、次いで炭素分散溶液で処理する工程を含む。この中和／犠牲被膜混合溶液によって、デスミア工程で発生した残留過マンガン酸が中和され、基板の金属面に犠牲被膜が塗工される。この犠牲被膜により、電気メッキ前に、金属表面から望ましくない炭素残留物を簡易且つ信頼性高く除去することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】高品質処理を確実に行うことができる平板形状物の表面処理装置を提供する。
【解決手段】前置干満槽１０ＮＦと後置干満槽１０ＮＢとを処理槽１０Ｎの前後に配設し、前置干満槽１０ＮＦに関する導入側ゲート開閉手段，前置側液供給手段および前置側液排出手段と、処理槽１０Ｎに関する搬入側ゲート開閉手段および搬出側ゲート開閉手段と、後置干満槽１０ＮＢに関する後置側液供給手段，後置側液排出手段および導出側ゲート開閉手段とを設け、これら手段を所定の手順に従って駆動制御する駆動制御手段を設け、平板形状物２００を大気中搬送により前置干満槽１０ＮＦに導入し、満液状態の前置干満槽１０ＮＦから液中搬送により処理槽１０Ｎに搬入しかつ表面処理後の平板形状物２００を満液状態の後置干満槽１０ＮＢへ液中搬送により搬出させ、その後に後置干満槽１０ＮＢから大気中を導出させかつ後方側に排搬送できるように形成されている。 （もっと読む）

【課題】携帯電話やコードレス電話の充電部のコネクタ接続端子において、耐腐食性を向上させ、金属腐食による電気接続部における通電不良の発生をなくし、コネクタ接続端子の信頼性を高める。
【解決手段】銅系基材１１の表面にニッケル層１２を形成し、このニッケル層を下地としてさらにロジウム層１３を順次形成する。このことにより、充電時の腐食作用にも耐えられる耐腐食性の極めて優れたコネクタ接続端子が得られ、また、めっき工数の低減による製造工程の簡略化に伴い低コスト化を実現でき、特に携帯電話の電池パック、充電パットや狭ピッチコネクタのコネクタ接続端子として有効に使用できる。 （もっと読む）