【課題】 少なくとも１つの窪みを有する第１領域と、前記少なくとも１つの窪みのアスペクト比とは異なるアスペクト比を有する窪みが複数個並んだ第２領域とを有する半導体構造に、低コストで銅の配線層を形成する方法を提供すること。
【解決手段】 本方法は、線幅の異なる２以上の溝を有する半導体構造に、第１の硫酸濃度を有するめっき液で銅の導電層を形成する第１工程と、前記第１の硫酸濃度より薄い第２の硫酸濃度を有するめっき液で、前記導電層上に更に導電層を積層する第２工程と、前記半導体構造上に成膜された銅の導電層を研磨する研磨工程とを有する。これにより、線幅の異なる２以上の溝を有する半導体構造に、低コストで銅の配線層を形成することができる。 （もっと読む）

【課題】 環境保護を図ることができ、良好で立体的な外観を得ることができ、複数色で装飾された時計部品の製造方法、時計部品、時計を提供すること。
【解決手段】光劣化型のレジスト被膜を用いて電鋳塗膜部のパターンに対応したレジストを形成する。電鋳工程において電鋳部を形成し、電着塗装工程において、電鋳部上に塗膜を形成する。前段の電着塗装工程で形成された塗膜に紫外線を照射して硬化させるとともに、レジスト被膜を光で劣化させて次のパターンのレジストを形成する。電着塗装によって塗膜または電着塗装部を形成するので、多量の有機溶剤が不要となり、環境保護を図ることができる。また電鋳工程によって電鋳部が肉盛り状に形成されるため、より立体的な外観を得ることができる。 （もっと読む）

めっき対象面全面に、より均一な膜厚のめっきを施すことができるカップ式めっき装置を提供する。めっき槽の開口端に設けられためっき対象物の載置部と、めっき槽内にめっき液を供給する手段と、めっき槽に形成されためっき液の流出口とを備えていると共に、当該流出口から流出しためっき液が流入する空洞部と、空洞部内のめっき液の放出口と、当該放出口から排出されためっき液の回収槽とを備えており、めっき槽内にめっき液を供給しながらめっき対象物にめっき処理を行うカップ式のめっき装置において、放出口の形状および／または開口面積を変更可能にした。空洞部の下流側に形成される放出口の形状および／または開口面積を調節できれば、これを調節することで、めっき対象面におけるめっきムラやめっきのバラツキの発生を抑制できる。
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【課題】 複雑な構造を用いることなく、添加剤、特に埋め込み性に影響を及ぼすアクセラレーターの分解を十分に抑制することができるメッキ装置を得る。
【解決手段】 アクセラレーターが添加されたメッキ液を入れるメッキ槽と、含リン銅からなるアノードと、カソードとなる被メッキ基板を支持する支持部と、アノード近傍のメッキ液を加熱する加熱手段と、アノード近傍からカソード近傍へ流れるメッキ液を冷却する冷却手段とを有する。 （もっと読む）

【課題】ビアフィリングめっきにおいて、ビアホール底面に金属めっきを優先的に成長させることで、回路形成導体部の厚みを厚くすることなく、ビア頂部（ビア表面）の平坦性を向上させること。
【解決手段】絶縁層１１の片面に銅箔１２を有するプリント配線板用基材の絶縁層１１に、底部に銅箔１２が露呈するようにあけられたビアホール１３を電解めっきによって穴埋めするビアフィリングめっき方法において、銅箔１２をめっき給電用陰極とし、ビアホール１３内に位置する針状の突出電極部５１を含む電極部材５０をめっき給電用陽極として電解めっきを行う。 （もっと読む）

【課題】 高いメッキ密着力を効率良く得るための、液晶性ポリマー成形品のメッキ前処理方法を提供する。
【解決手段】 シリカを20〜60重量％（組成物中）含有する液晶性ポリマー組成物より得られる成形品を、アルカリ性水溶液で処理し、次いでフッ化物水溶液で処理する液晶性ポリマー成形品のメッキ前処理方法。
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ワークピース上にマイクロ又はナノスケールのパターンを堆積又はエッチングする方法が開示され、その方法は（ａ）ワークピースを電気化学反応器内に、パターン付けされたツールに近接して配置するステップと、（ｂ）ワークピースを、エッチングする場合にはアノードとなり、又は堆積する場合にはカソードとなるように、及び、パターン付けされたツールは対極になるように接続するステップと、（ｃ）２つの電極間に形成されるセルの電解動作に必要な電解液をポンプ注入するステップと、（ｄ）ワークピースをエッチング又は堆積するために、電極の両端に電流を印加するステップとを含む。
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【課題】 高アスペスト比の微細配線であっても、シード層を確実に補強して、ボイドのない健全な配線を形成できるようにする。
【解決手段】 配線用の微細窪みを形成した基板の表面にシード層を形成し、シード層を第１のめっき液による無電解めっきによって補強し、しかる後、第２のめっき液によるパルスまたはＰＲパルスを用いた電解めっきによってシード層を更に補強し、第３のめっき液を用いて前記微細窪みの内部に電解めっきにより導電体を埋め込む。 （もっと読む）

基板に金属層をめっきするための装置及び方法が提供される。陰極液容積は、めっきのために基板を受容するように位置決めされる。１つ以上の陽極セグメントがその中に位置決めされた陽極液容積は、陰極液容積からイオン的に分離される。補助電極がその中に位置決めされた補助容積は、陽極液容積から電気的に隔離されるように設けられ、陰極液容積とイオンで連通している。めっき法は、１つの陽極セグメントと補助電極と逆の電気極性にある２つの電源から電流パルスを供給することにより基板の中心とエッジ近くで一様に薄い金属シードをめっきする第１段階を含んでいる。その後、第２電流パルスを全ての陽極セグメントに印加することによって特徴部の間隙充填とバルク金属めっきが行われる。 （もっと読む）

【課題】ダイレクトメタライゼーション法を用いた２層フレキシブル銅張積層板であって、形成する回路の良好な加熱後引き剥がし強さ及び耐薬品性能を維持でき、且つ、銅エッチング液でのエッチングが容易な製品を提供する。
【解決手段】ポリイミド樹脂フィルム基材の片面にシード層を形成し、そのシード層上に銅層を形成するダイレクトメタライゼーション法で得られる２層フレキシブル銅張積層板において、前記シード層は、ポリイミド樹脂フィルム基材と接するコバルト層とニッケル−コバルト膜とが積層状態にあることを特徴とした片面２層フレキシブル銅張積層板等を採用する。 （もっと読む）

【課題】酸性銅水溶液のパルス逆電解法を、印刷用シリンダ、特にグラビア印刷用シリンダに銅を堆積させるために使用する。
【解決手段】メッキ組成物は、概して、銅イオン、対イオン、塩化物イオン、ポリアルキレングリコール、及び浴可溶性二価の硫黄化合物を含む。この利点は被メッキ物上へ電着された銅膜厚分布の向上、金属廃棄物の低減、メッキ処理時間の短縮、生産能力の向上等である。 （もっと読む）

【課題】 高温でキャスティングまたは熱圧着して製造する銅張積層板から、キャリア箔を容易に剥離できるキャリア付き極薄銅箔を提供すること。
【解決手段】 本発明は、拡散防止層と、剥離層と、電気銅めっきにより形成された極薄銅箔をこの順序に積層してなるキャリア付き極薄銅箔、及び極薄銅箔の表面が粗化処理されているキャリア付き極薄銅箔である。本発明はまた、キャリア付き極薄銅箔が、樹脂基材に積層されている銅張積層板、前記銅張積層板の極薄銅箔上に、配線パターンが形成されたプリント配線板、並びにプリント配線板を複数積層して形成される多層プリント配線板である。 （もっと読む）

【課題】めっき中に被めっき微粒子が凝集することなく、また、めっき剥がれが生じることがなく、粒径の小さい被めっき微粒子に対して均一なめっき層を形成することができる導電性微粒子の製造装置、導電性微粒子の製造方法、及び導電性微粒子を提供する。
【解決手段】表面に電気めっき層が形成された導電性微粒子の製造装置であって、めっき槽とめっき槽内に浸漬した状態で回転可能なバレル（５）と陰極と陽極とを備え、陰極（９）はバレルの内壁に配設され、バレルは容量が１０〜３００ｍｌであり、めっき液のみが通過可能なように被めっき微粒子の粒径未満の孔径のフィルター（７）を有し、バレル内にめっき液を強制的に供給しながら又はバレル内からめっき液を強制的に抜き出しながら電気めっきを行い得る手段を有する導電性微粒子の製造装置、好ましくは陰極（９）はバレルの回転軸（２０）と平行に設けられたバレル側面の内壁に配設される製造装置。 （もっと読む）

【課題】ダマシン配線に含まれる不純物の濃度を低下させて、配線中の欠陥を低減させる事が可能な半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】ウェハＷ上の層間絶縁膜１に幅が０．３μｍ以下の細幅配線溝１ａ及び幅が０．３μｍを超える太幅配線溝１ｂを形成する。層間絶縁膜１上にバリアメタル膜２及びシード膜３を形成する。その後、細幅配線溝１ａ全体に埋め込まれ、かつ太幅配線溝１ｂの一部に埋め込まれるように膜４を電解めっき法により形成する。太幅配線溝１ｂの他の部分に埋め込まれるように膜４よりも不純物濃度が低い膜５をスパッタ法により形成する。熱処理により膜４中の不純物を膜５中に拡散して、配線膜６を形成する。最後に層間絶縁膜１上の不要なバリアメタル膜２及び配線膜６を除去し、細幅配線と太幅配線を形成する。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、表面が平滑でかつ耐熱性を有する銅合金箔にＮｉめっきを施したプリント配線基板用金属材料を提供することにある。
【解決手段】３００℃で１時間加熱しても軟化しない圧延銅合金箔の少なくとも一方の面を光沢面に仕上げ、その面に０．３μm以上のＮｉもしくはＮｉ合金めっきを施すことを特徴とするプリント配線基板用材料である。また、耐熱性銅合金箔としてＳｎ入り銅箔やＣｒおよびＺｒ入り銅箔が好ましく、光沢面に施したＮｉめっきは６０度鏡面光沢度が４０％以上の表面を有し、光沢Ｎｉめっきが好ましい。 （もっと読む）

【課題】
メッキ高さが高く多段段差形状を有するメッキ形成物の形成を可能にする。
【解決手段】
ネガ型ホトレジスト組成物を、（ａ）アルカリ可溶性樹脂、（ｂ）酸発生剤、（ｃ）その他の成分を含有するネガ型ホトレジスト組成物とし、
（Ａ）ネガ型ホトレジスト組成物の層を形成し、加熱後、露光する。
（Ｂ）前記工程（Ａ）を２回以上繰り返してネガ型ホトレジスト層を積み重ねた後、全ての層を同時に現像することで多層レジストパターンを形成する。
（Ｃ）多層レジストパターンにメッキ処理を行うことによりメッキ形成物を形成する。 （もっと読む）

【課題】多数の電極を有する半導体ウェーハ全体に均一な電流分布でメッキする装置と方法の提供。
【解決手段】 第一及び第二の電極１０７Ａ，１０７Ｂは、ウェーハ支持部１０３の外周に近接し互いにほぼ反対側の位置にそれぞれ配置される。これらの電極は、ウェーハ支持部１０３に保持されたウェーハ１０１との電気的接触及び断絶のためにそれぞれ移動させることができる。陽極１０９は、ウェーハ１０１との間にメッキ液のメニスカス１１１が維持されるように、ウェーハ１０１の上方に近接して配置される。陽極１０９が第一の位置から第二の位置へウェーハ１０１上を移動する際に、電流はメニスカス１１１を介して陽極１０９とウェーハ１０１との間に流れる。また、陽極１０９をウェーハ１０１上で移動させる際に、第一及び第二の電極１０７Ａ，１０７Ｂは、ウェーハ１０１と接続され、同時に、陽極１０９は接続された電極上を通過しないように制御される。 （もっと読む）

化学的及び電解的に加工物（１）を処理する装置及び方法は、一方の面でのブリッジ（短絡）又は他方の面でのプリント回路基盤の開路だけでなく、微細導電性構造、パッド及びランドの不規則な外形の回避を図って提案される。装置は、加工物処理用の処理タンク（２）とその運搬用のコンベア装置を有する。コンベア装置は、少なくとも１つの運搬キャリッジ（１８）、少なくとも１つの保持要素（１４、２５）及び運搬キャリッジと保持要素との間の少なくとも１つの接続手段（１２、１３、３５）を有する。処理タンクはクリーンルームゾーン（３）と隣接している。加工物は、コンベヤ装置を使用してクリーンルームゾーンを通って運ばれる。
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【課題】鉛を含有しないスズめっき皮膜又はスズ合金めっき皮膜が形成された製品であって、ウィスカーの発生が長期間抑制され、しかも煩雑な工程を経ること無く比較的容易に製造可能な製品を提供する。
【解決手段】コバルト、銅、ビスマス、銀及びインジウムからなる群から選択される少なくとも一種の金属５重量％以下及びスズ９５重量％以上からなるスズめっき皮膜又はスズ合金めっき皮膜によって形成された下層と、コバルト、銅、ビスマス、銀及びインジウムからなる群から選択される少なくとも一種の金属５重量％以下及びスズ９５重量％以上からなるスズめっき皮膜又はスズ合金めっき皮膜によって形成された上層からなる二層構造のめっき皮膜からなる、ウィスカー成長が抑制されたスズ系めっき皮膜。 （もっと読む）

【課題】メッキ膜厚のウェハ面内均一性を向上させる。
【解決手段】本発明の例に関わる半導体装置は、メタル配線を用いた多層配線構造を有する半導体集積回路が形成され、各々が独立したチップになる複数のチップ領域１１と、メタル配線を用いた多層配線構造を有し、複数のチップ領域の各々を取り囲む複数のチップリング１２とを備え、複数のチップリング１２は、互いに電気的に接続される。 （もっと読む）