【課題】 表面粗さを抑えながら絶縁基板との密着性を維持し、高周波特性、ファインパターン化に最適な表面処理銅箔を提供し、並びに該表面処理銅箔を用い、高周波特性、ファインパターン化に優れた回路基板を提供する。
【解決手段】本発明は、未処理銅箔の少なくとも片面に粗化粒子を付着させ、表面の粗さＲｚが0.６〜２．０μｍ、明度値が３５以下とした、粗化処理面を有する表面処理銅箔であり、該表面処理銅箔を使用した回路基板である。 （もっと読む）

金属層は、触媒により活性化された下地材料の表面領域上に、めっきプロセスによって形成されうる。この触媒はＣＶＤ、ＰＶＤまたはＡＬＤによって堆積されるかまたは下地材料を堆積する際に少なくとも部分的に取り込まれる。このようにして、メタライゼーション構造の高アスペクト比のビアに優れた金属シード層を形成することができる。
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【課題】 極細線製造用の銅線或いは銅合金線であって、線材表面に傷、ひび割れ、銅粉のスタンプ等の表面欠陥がなく、極細線の伸線加工時に断線等が生じることがない、２０μｍ以下の極細線を製造するための銅線或いは銅合金線の表面性状改質方法を提供することにある。
【解決手段】 極細線を製造するための銅線或いは銅合金線であって、前記銅線或いは銅合金線の表面欠陥を溶解除去した後、ついで銅めっき処理または銅合金めっき処理を行う極細線製造用の銅線或いは銅合金線の表面性状改質方法とすることによって、解決される。 （もっと読む）

とりわけ均一で光沢があり、即ち、平滑で延性もある著しく光沢のある銅皮膜を再現可能に製造するため、添加物としてフェナジニウム化合物オリゴマーの混合物を含有する銅めっき浴が用いられる。当該混合物は、請求の範囲及び明細書に述べられた一般化学式［化１］及び［化２］を有する２つの単量体ユニットを含有する化合物と３つの単量体ユニットを含有する化合物並びに別のフェナジニウム化合物オリゴマーから成る群から選択された少なくとも一種のフェナジニウム化合物を含む。
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【課題】 無電解Ｃｕメッキ膜の厚さバラツキを低減することにより、歩留まり向上ならびに製品間の電気特性の均一化を図ることができる配線基板の製造方法を提供する。
【解決手段】 無電解Ｃｕメッキ液ＥＰＬを収容したメッキ槽５３の中に、配線基板ワーク１００を、無電解Ｃｕメッキ液ＥＰＬが流通可能な隙間を介して鉛直に複数枚立てて並べる一方、それら複数枚の配線基板ワーク１００の設置面積を包含する広さの気泡発生器５７を、メッキ槽５３の底と配線基板ワーク１００との間に配置し、一つ一つの配線基板ワーク１００の両面を伝って気泡が立ち昇っていくように、気泡発生器５７から気泡を噴出させながら、各配線基板ワーク１００に無電解Ｃｕメッキ膜４０を形成する。 （もっと読む）

【課題】適用する電流のプロフィールを変えることにより、銅の電解メッキの硬度の制御が容易な電解メッキ方法を提供する。
【解決手段】酸性の銅の電解メッキ浴を用いた物品への電解メッキ方法であって、下記工程（ａ）および（ｂ）を含む電解メッキ方法である。
（ａ）酸性の銅の電解メッキ浴中に、物品を懸架する工程
（ｂ）物品の表面に、所定厚さの銅メッキをするために、逆電流パルスのプロフィールを有する電流を所定時間流して、電解メッキする工程であって、（ｉ）カソードのパルス電流の印加時間、（ｉｉ）アノードのパルス電流の印加時間、（ｉｉｉ）カソードのパルス電流密度、（ｉＶ）アノードのパルス電流密度からなる群から選択される少なくとも一つの要因を変えることにより、銅メッキの硬度を調整または変更する電解メッキする工程 （もっと読む）

【課題】
ウエハーに部分めっきをおこなう際に、陽極と陰極の間に、被めっき物と同極でかつ電流比率をコントロールできる本補助陰極を被めっき物の陽極側全面に格子状あるいは網目状に配置し、めっきエリアの偏在を軽減し、その結果、厚みばらつきの少ないめっきを行なう方法。
めっきエリアの偏在した品物をめっきする場合、めっき厚ばらつきが大きくなる。
ばらつきの大きいことは生産性、コスト、品質に悪影響を及ぼす。
【解決手段】
被めっき物の前に格子状の本補助陰極を配置し、被めっき物と本補助陰極トータルでのめっきエリアの偏在をおさえる。また、被めっき物と本補助陰極に流れる電流を個別に管理することにより、本補助陰極に流す電流を必要最小限に抑える。また、前面に配置した本補助陰極が被めっき物の特定の部分に影響を与えないよう、相対位置をめっき作業中に変化させる。 （もっと読む）

【課題】 「セミアディティブ法」を用いて回路パターンの微細化を図ったプリント配線板において、繰返し屈曲されたときの回路パターンの抵抗上昇率が十分に低く抑えられたプリント配線板及びこのようなプリント配線板の製造方法を提供する。
【解決手段】 絶縁基材１上に導電材料からなる回路パターン２がメッキによって形成されたプリント配線板において、回路パターン２は、第１のメッキ電流密度により形成された第１の層２ａ及び第２のメッキ電流密度により形成された第２の層２ｂの少なくとも２層が積層されて構成されている。第１のメッキ電流密度は、第２のメッキ電流密度より低く、この第１のメッキ電流密度により形成された第１の層２ａは、第２のメッキ電流密度により形成された第２の層２ｂよりも緻密となっている。 （もっと読む）

外観が銀白色の金属とその製造方法を提供する。本金属は、金属コアと、第１の層と、第２の層とを含む複合材であり、該第１の層は該金属コアの外側表面を覆い、銅イオンを含む第１めっき浴から銅または銅合金を電気めっきすることで生成される。該第２の層は該第１の層を覆い、銅イオンとスズイオンを含む第２めっき浴から白色青銅を電気めっきすることで生成される。あるいは、本複合材は、金属コアと白色青銅の第１の層とだけを含んでもよい。製造される複合材は、銀白色の外観を持ち、ニッケルが露出していないのでニッケルにアレルギーのある人に影響をあたえない。標準処理方法により、本複合材を硬貨、トークン、メダル、鍵、非入れ子式物品等の完成品に成形できる。
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本発明の実施形態は、一般に、単一のメッキプロセスに対して複数の化学物質を与えるように構成された電気化学的処理システムを提供する。これらの複数の化学物質は、一般に、処理システムに位置決めされた個々のメッキセルへ配送される。個々の化学物質は、一般に、バリア層への直接的なメッキ、合金メッキ、薄いシード層へのメッキ、最適な特徴部充填及びバルク充填メッキ、最小限の欠陥を伴うメッキ、及び／又は複数の化学物質を使用して各化学物質の希望の特性の利点を取り入れられる他のメッキプロセス、を遂行するのに使用できる。
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【課題】薄膜基板を通常の厚い基板と同様に取り扱うことができる薄膜基板の保持方法及び半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】保持材４と薄膜ウェハＷ_２とを薄膜ウェハＷ_２の外周に沿うように設けられた接着層３を介在させて接着し、薄膜ウェハＷ_２を保持材４に固定する。保持材４には、薄膜ウェハＷ_２と保持材４との間の空間に連通した開口４ａが形成されている。 （もっと読む）

【課題】リフロー処理に耐える耐熱性と接合強度を保証する高温はんだ代替品で、有害性を排除した鉛フリーろう付け構造およびろう付け方法を提供する。
【解決手段】金属外環１１にリード１２をガラスで封着した気密端子のベース１５は、リード１２上のろう材１３を介して水晶片２１の回路素子２０と接合し、金属外環１１上のろう材１４を介して回路素子２０を収容するキャップ２５と接合され、ろう材１３、１４がそれぞれ第1および第２金属の積層めっき層からなり、金属相互間の拡散によって接合強度を強力化し耐熱性を保証する鉛フリーろう付け構造を提供する。 （もっと読む）

【課題】 コネクタの低背化筐体に適し、長期間在庫放置を経てもウィスカー発生懸念の無い電気電子部品ケースまたはシールドケースの材料を提供する。
【解決手段】 金属基材１上の一部に樹脂皮膜２を有すると共に、樹脂皮膜以外の金属基材上の少なくとも一部に再溶融凝固させたＳｎまたはＳｎ合金めっき層３を有する電気電子部品ケースまたはシールドケースの材料、前記金属基材上に金属層を少なくとも１層有し、前記樹脂皮膜が前記金属基材上に、直接または前記金属層の少なくとも１層を介して設けられている電気電子部品ケースまたはシールドケースの材料、前記金属基材または前記金属層が下地処理されている電気電子部品ケースまたはシールドケースの材料、前記金属基材表面から樹脂皮膜表面までの高さが６０μｍ以下である電気電子部品用金属材料、及び前記金属材料を用いた電気電子部品ケースまたはシールドケースの部品を提供する。 （もっと読む）

【課題】メッキ液中に添加剤を均一に分散または溶解させることが可能な電解メッキ装置およびこれを用いた電解メッキ方法を提供する。
【解決手段】メッキ液を満たした状態で、基板Ｗの被処理面に電解メッキ処理を行う電解メッキ槽１１と、電解メッキ槽１１にメッキ液Ｍを供給するメッキ液供給管２２と、メッキ液供給管２２に接続されるとともに、メッキ液供給管２２にメッキ液Ｍの主成分となる電解質溶液を供給する電解質溶液供給部２３と、メッキ液供給管２２の電解メッキ槽１１と電解質溶液供給部２３との間の位置に接続されるとともに、メッキ液供給管２２に添加剤を供給する添加剤供給部２４とを備え、メッキ液供給管２２には、添加剤供給部２４と接続される位置またはこの位置よりも電解メッキ槽１１側に、電解質溶液Ｅと添加剤Ａ、Ｂ、Ｃとを混合してメッキ液Ｍを調製する混合機構３１が設けられている電解メッキ装置およびこれを用いた電解メッキ方法である。 （もっと読む）

【課題】 半導体ウエハの貫通孔部分のメッキ加工等の加工を容易にかつ良好に行うことができ、生産効率良く良好な半導体装置を製造することができる半導体ウエハ支持板及び半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】 半導体ウエハ支持板１は、紫外線が透過可能なガラス若しくは樹脂から略円板状に形成され、その外径は、支持する半導体ウエハ１０の外径より大きく設定されている。半導体ウエハ支持板１には、半導体ウエハ１０に形成されている複数の貫通孔１１に対応して、複数の開口２が形成されている。これらの開口２は、貫通孔１１の開口面積よりも開口面積が広く、すなわち、開口径が大きく設定されている。 （もっと読む）

【課題】 摩擦係数が低く（低挿入力）、高温長時間保持後も接触抵抗が低く維持できる嵌合型端子用導電材料を得る。
【解決手段】 Ｃｕ合金板条からなる母材の表面に、Ｃｕ_６Ｓｎ_５相を主体とするＣｕ−Ｓｎ合金被覆層と、Ｓｎ被覆層がこの順に形成された導電材料。前記Ｃｕ−Ｓｎ合金被覆層の材料表面露出面積率が３〜７５％、平均の厚さが０．１〜３．０μｍ、かつＣｕ含有量が２０〜７０ａｔ％、Ｓｎ被覆層の平均の厚さが０．２〜５．０μｍである。この導電材料は、母材表面を、少なくとも一方向の算術平均粗さＲａが０．１５μｍ以上かつ全ての方向の算術平均粗さＲａが４．０μｍ以下の表面粗さに粗面化し、該母材表面に、平均の厚さが０．１〜１．５μｍのＣｕめっき層及び平均の厚さが０．３〜８．０μｍのＳｎめっき層をこの順に形成した後、リフロー処理を行うことにより製造する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、水素気体分離用パラジウム合金複合膜の製造方法に関する。（ａ）多孔性支持体の上部に電解メッキ法により第1金属コーティング層を形成する段階；（ｂ）前記第1金属コーティング層の上部に乾式メッキ法でパラジウムコーティング層を形成する段階；（ｃ）パラジウムコーティング層を熱処理してパラジウムと第1金属コーティング層の合金層を形成する段階とを包含する水素気体分離用パラジウム合金複合膜の製造方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】１００万回以上の繰り返し打鍵試験をクリアできる電気接点部材の提
供。
【解決手段】基板２表面に、ニッケルメッキ層３を形成し、ニッケルメッキ層
３上にフラッシュメッキによって０．５μｍ厚以下の銅メッキ層４を形成し、銅
メッキ層４上には銀メッキ層５を形成したステンレス鋼からなる金属板を加工し
て形成する。 （もっと読む）

【課題】 めっき対象物である希土類焼結磁石等からめっき液に溶出した成分の再析出を防止し、めっき膜の密着性や信頼性の低下を抑制することのできるめっき方法、めっき装置を提供することを目的とする。
【解決手段】 Ｒ−Ｔ−Ｂ系焼結磁石をめっきするに際し、用いるめっき液Ｌ中に酸化性ガスを供給し、めっきの際にめっき液Ｌ中に溶出したＲ−Ｔ−Ｂ系焼結磁石の成分、例えばＮｄやＦｅを酸化させ、沈殿させるようにした。このとき、めっき液Ｌ中に酸化性ガスを泡状に供給し、めっき液Ｌ中の溶出成分との接触効率を高めるのが好ましい。そして、沈殿した溶出成分の酸化物を回収するため、濾過器１６を備えるのが好ましい。 （もっと読む）

【課題】 樹脂素材のめっきにおいて、樹脂とめっき金属層との密着強度を向上させるとともに、めっき処理に要するコスト削減を達成する。
【解決手段】 樹脂素材に対してめっき皮膜を樹脂めっき方法において、樹脂素材をオゾン溶液で処理する工程と、銀、コバルト、ニッケル、ルテニウム、セリウム、鉄、マンガン、ロジウム触媒から選択される金属触媒の１種以上を吸着させる工程とを含むことを特徴とする樹脂めっき方法。 （もっと読む）