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Fターム[4K024AA09]の内容

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第1および第2の陽極を浴内に入れた電気めっき溶液の浴を有する電気めっきシステムを提供することによって、ディスクドライブサスペンション構成要素の両側における露出した導体領域を同時に電気めっきするための方法。サスペンション構成要素は、電気めっき溶液の浴中で第1および第2の陽極間に位置決めされる。第1の電気めっき電流が、第1の陽極と構成要素の第1の表面における露出した導体領域との間に生成される。第2の電気めっき電流が、第2の陽極と第2の表面における露出した導体領域との間に生成される。それによって、導電性材料の層が、構成要素の両側における露出した導体領域にめっきされる。時間および大きさなどの、第1および第2のめっき電流のパラメータを制御することによって、導体の対向する側面に、同じかまたは異なる厚みに導電性材料の層をめっきすることができる。
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【課題】 界面活性剤を有し、多孔質膜に直接接触しても、多孔質膜の内部に浸入することがないようにした湿式処理液を提供する。
【解決手段】 界面活性剤が添加され、多孔性膜表面の湿式処理に使用される湿式処理液であって、界面活性剤として、溶液として前記多孔質膜に対する接触角が90°より大きく、180°以下となるものを使用した。 (もっと読む)


【課題】 電気メッキ工程でニッケル/非磁性層構造の多層金属テープを製造、既存の工程に比べて磁気ヒステリシス損失が極めて抑制され、二軸配向性に優れた低磁気ヒステリシス損失の二軸配向性多層金属テープ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 本発明の製造方法は、単結晶又はそれに近い配向性を有する負極と、高純度ニッケル板より構成された正極とよりなる電気メッキ浴槽で負極を回転させて、表面に二軸集合組織を有するニッケル金属層を形成させる段階と、前記負極の表面に形成されたニッケル金属層を水洗槽で洗浄する段階と、前記洗浄されたニッケル金属層を非磁性金属メッキ浴よりなるメッキ槽で負極を回転させて、その表面に非磁性金属層を形成させ、ニッケル/非磁性金属層を製造する段階と、前記ニッケル/非磁性金属層よりなる金属テープを剥離して巻き取る段階とで構成される。 (もっと読む)


【課題】 フェースダウン方式の噴流めっき装置において、操作性を損なうことなく、ブラックフィルム等に起因する微小な固形異物による、めっき品質の低下を防止する。
【解決手段】 フェースダウン方式のめっき装置において、半導体ウェハ1と陽極電極5との間に、隔壁7が設けられており、陽極電極5と半導体ウェハ1とが隔壁7により隔離され、めっき処理槽100が被めっき基板室と陽極電極室とに区分されている。 (もっと読む)


【課題】 微細貫通孔のサイズ、形状、位置、深さ、及び微細貫通孔の単位面積あたりの個数等のパラメータを目的に合わせて設計可能な孔開き電解金属箔の提供を目的とする。
【解決手段】 上記課題を達成するため、当該孔開き電解金属箔の一面側を基準面とし、その基準面に対し略垂直となるよう、他面側に貫通した複数個の微細貫通孔7を備えることを特徴とする孔開き電解金属箔1等を採用する。また、厚さ方向に複数の微細貫通孔を備えた孔開き電解金属箔のハンドリング性を向上させるためキャリア基材と孔開き電解金属箔とが張り合わせられた状態にあることを特徴とするキャリア基材付孔開き電解金属箔を採用する。そして、これらの製造のため、キャリア基材の表面に絶縁性突起部を形成し、前記キャリア基材の絶縁性突起部を形成した面に対し金属メッキを行い、キャリア基材表面に孔開き電解金属箔を形成することを特徴とする製造方法等を採用する。 (もっと読む)


【課題】 基板の熱伝導性を高めながらメッキ工程を最小化した内部ビアホールの充填メッキ構造及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 内部ビアホールの充填メッキ構造は、内部ビアホールを備えた銅張積層板にメッキされた無電解メッキ層63と、前記銅張積層板の表面の無電解メッキ層及びビアホールの内壁にベリー(belly)状にメッキされた第1次電解銅メッキ層64と、前記銅張積層板の表面の第1次電解銅メッキ層及びビアホールの内壁の第1次電解メッキ層の上・下部にメッキされてビアホールを埋めた第2次電解銅メッキ層65とを含んでなる。 (もっと読む)


【課題】伝導性金属めっきポリイミド基板及びその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の伝導性金属めっきポリイミド基板の製造方法は、ポリイミド膜の表面をKOH、エチレングリコール及びKOHの混合溶液、または無水クロム酸及び硫酸の混合溶液によりエッチングする段階と、前記エッチングされたポリイミド膜の表面をカップリング剤によりカップリングする段階と、前記ポリイミド膜に触媒を吸着させる段階と、前記触媒が吸着されたポリイミド膜に電流を付加することなく、第1の伝導性金属膜を形成する第1のめっき段階と、前記第1のめっきされたポリイミド膜に電流を付加して第2の伝導性金属膜を形成する第2のめっき段階と、を含む。 (もっと読む)


本発明は、優れた高圧縮弾性を有するプラスチックコアビーズと、厚さ0.1〜10μmの金属めっき層と、厚さ1〜100μmの有鉛または無鉛のはんだ層との順に電気めっきした、外径2.5μm〜1mmのプラスチック導電性微粒子及びその製造方法に関する。本発明のプラスチック導電性微粒子の製造方法によれば、優れた熱的特性及び高圧縮弾性を有するプラスチックコアビーズを製造し、前記プラスチックコアビーズの表面をエッチング処理し、その後、無電解めっきして金属めっき層を形成して前記ビーズ表面及び金属めっき層間の密着力を改善した、1mm以下のプラスチック導電性微粒子を提供するために、密閉式6角バレルを電気めっき液に含浸させ、360°に回転するメッシュバレルを6〜10rpmで回転させて電気めっきを行うか、または、従来の密閉式6角バレルの一面を開放し、左右200°に回転するメッシュバレルを1〜5rpmで回転させて電気めっきを行うことによりはんだ層を形成する。本発明のプラスチック導電性微粒子は、パッケージギャップを保持できるので、ICパッケージ、LCDパッケージ及びその他導電材に有用に用いられる。
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【課題】 1GHzを超える高周波数下での使用が可能であり、低製造コストの高周波回路用圧延銅箔を得る。
【解決手段】 圧延銅箔の再結晶焼鈍後の圧延面でのX線回折で求めた(200)面の積分強度(I(200))が、微粉末銅のX線回折で求めた(200)面の積分強度(Io(200))に対し、I(200)/Io(200)>40であり、該圧延面に電解めっきによる粗化処理を行った後の粗化処理面の算術平均粗さ(以下、Raとする)が0.02μm〜0.2μm、十点平均粗さ(以下、Rzとする)が0.1μm〜1.5μmであることを特徴とする高周波回路用粗化処理圧延銅箔。 (もっと読む)


【課題】 実際のR−T−B系永久磁石の製造に対して適用が容易であるとともに、硬度の確保にも有効なめっき膜を備えたR−T−B系永久磁石の提供を目的とする。
【解決手段】 本発明は、R214B化合物(ただし、RはYを含む希土類元素の1種又は2種以上、TはFe又はFe及びCoを必須とする1種又は2種以上の遷移金属元素)からなる主相結晶粒と、主相結晶粒よりRを多く含む粒界相とを少なくとも含む焼結体からなる磁石素体2と、磁石素体2表面を被覆する、C含有量をCc(wt%)としたとき、0.005<Cc≦0.2wt%であるめっき膜3とを備えるR−T−B系永久磁石1により、上記課題を解決する。本発明において、めっき膜3のC含有量は0.007≦Cc≦0.18wt%であることが望ましい。また、めっき膜3としては、電解Niめっき膜を含むことができる。 (もっと読む)


【課題】 実際のR−T−B系永久磁石の製造に対して適用が容易であるとともに、硬度の確保にも有効なめっき膜を備えたR−T−B系永久磁石の提供を目的とする。
【解決手段】 R214B化合物(ただし、RはYを含む希土類元素の1種又は2種以上、TはFe又はFe及びCoを必須とする1種又は2種以上の遷移金属元素)からなる主相結晶粒と、主相結晶粒よりRを多く含む粒界相とを少なくとも含む焼結体からなる磁石素体2と、磁石素体2表面を被覆する、C含有量をCc(wt%)としたとき、0.005<Cc≦0.2wt%であるめっき膜3と、を備え、めっき膜3は、磁石素体2表面側に配置される第1めっき層3aと、第1めっき層3a上に配置される第2めっき層3bを含み、第1めっき層3aと第2めっき層3bのC含有量の差が0.1wt%以下であるR−T−B系永久磁石1により上記課題を解決する。 (もっと読む)


【課題】 本発明の目的は、ウィスカーの発生が抑制されたCu−Zn系合金のリフローSnめっき条を提供することにある。
【解決手段】 平均濃度で20〜40質量%のZnを含有する銅合金を母材とするSnめっき条であり、表面から母材にかけて、Sn相、Sn−Cu合金相、Cu相の各層でめっき皮膜が構成され、該Sn相の最表層のZn濃度が3〜35質量%であることを特徴とする、ウィスカー発生が抑制されたCu−Zn系合金のSnめっき条。 (もっと読む)


【課題】 アスペクト比の大きいスルーホール内にメッキ法で導体部材を埋め込際に生じるボイドの発生を防止するものである。
【解決手段】 本発明は、基板を貫通する貫通孔(以下、スルーホールと称す)を有する第1の基板と基板表面に第1の基板に形成した貫通孔を、第2の基板表面に形成されたシード膜上に第1の基板を載置し、第2の電極をシード膜と対向するように配置しメッキ液中でメッキすることでスルーホール内に金属が埋め込むものである。 (もっと読む)


【課題】 マグネシウム合金上に亜鉛/銅/ニッケル/アルミニウム4層構造めっき膜を形成した場合、被めっき物の形状が複雑化した際に、ニッケルめっき膜の内部応力により、アルミニウムめっき後に被膜全体の密着性が低下する。
【解決手段】 マグネシウム合金上にマグネシウム合金側から順にニッケル/銅/アルミニウムの3層構造を有する被膜をめっき法により形成し、更に表面のアルミニウム層の一部を陽極酸化する。ニッケルめっき膜とアルミニウムめっき膜との間に応力緩和層として銅めっき膜を形成することで、ニッケルめっき膜及びアルミニウムめっき膜に発生する内部応力が緩和されるので、被膜全体の密着性は向上する。 (もっと読む)


【課題】嵌合型接続端子における端子の挿入時の圧力に起因する嵌合ウイスカの発生を防止できる、嵌合型接続端子に適した錫系めっき付き電子材料を製造する。
【解決手段】銅または銅合金からなる導電性基体に、下地のニッケルめっきと次に厚みが0.05〜0.5μmのフラッシュ銅めっきを順に施し、次いで錫もしくは錫合金めっきを行う。得られた錫系めっき付き電子材料は、経時中、または210℃以上の温度でのリフロー中に、フラッシュ銅めっき層が下地のニッケルめっき層と相互拡散して、銅−ニッケル合金層からなるバリア層に変化して、錫もしくは錫合金めっき皮膜中に金属間化合物による針状もしくは柱状晶が成長するのを防止する。固溶体であると考えられるこの合金層により、嵌合ウィスカの発生が効果的に抑制される。 (もっと読む)


【課題】経済的でしかも環境にやさしい銅箔の製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明は、銅箔の製造方法に関し、特に、網板拡張器を使用し、銅板1に単一方向の衝圧を施し、切り痕をつけるが切断に至らない状態2で、銅板1を前記の衝圧と垂直する方向に引っ張り、拡張して銅拡張網板3を得た後、この銅拡張網板3を電解液を有する溶解槽に入れ、銅拡張網板3を溶解させ、酸化させて銅イオンを生成し、更に電気化学反応により銅箔金属を製造する方法である。本発明の製造方法は、銅板1を拡張して銅拡張網板3にすることにより、銅と電解液との接触面を増大させ、更に溶解速度と生産効果を高めることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】 優れた耐食性、耐摩耗性および耐衝撃性を兼ね備えた、自動車用IPM型モータに使用される永久磁石の製造方法を提供すること。
【解決手段】 R−Fe−B系永久磁石の表面に、第1層目として膜厚が3〜15μmのNi被膜を電気めっき法により成膜した後、第2層目として膜厚が3〜15μmのCuまたはSn被膜を電気めっき法により成膜し、第3層目として第2層目のCuまたはSn電気めっき被膜のビッカース硬度を1とした場合に2.5〜4.5のビッカース硬度を有する膜厚が4〜7μmのNi−P合金被膜を無電解めっき法により成膜することを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】 初期の表面状態やめっきの進行等によって分極曲線が変わっても、常に一定の膜質のめっき膜を安定して形成することができるようにする。
【解決手段】 アノード134と、基板の表面に形成されめっきの際にカソードとなる導電層との間で三電極系を構成する参照電極140と、導電層のカソード電位を参照電極140の電位を基準として制御するポテンショスタット144を有する。 (もっと読む)


【課題】高周波用箔として、表面に銅又は/及び銀のごとく抵抗の小さい層を設け、高周波での伝送ロスを低減せしめ、樹脂基板との接着強度に優れた高周波伝送回路用銅箔、並びにその製造方法を提供するものである。
【解決手段】本発明は、銅合金圧延箔の少なくとも片方の表面に銅又は/及び銀の平滑層を設けたことを特徴とする銅合金複合箔である。
該銅箔における銅又は/及び銀の平滑層の厚みは少なくとも0.01μm以上であり、平滑層の表面粗さが、Rzで、0.3〜5.0μmであり、Raで0.02〜0.5μmであることが望ましく、平滑層上に、粗化処理、防錆処理のいずれか又は両者を施すことが好ましい。 (もっと読む)


【課題】液冷式発電機において、漏れを補修および防止するための改善された方法を提供すること。
【解決手段】ステータバー16の端部に接合されたステータバークリップ30の内部を電気めっきすることによって、ステータバー16とクリップの間のろう付け接合部を金属バリアコーティングで覆い、接合部とその周りに実質的に液体を通さない封止部を画定する。 (もっと読む)


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