【課題】ＣＭＰ工程後のめっき膜の欠陥数の低減された、信頼性の高い半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】微細パターンに形成された凹部と微細パターンと比較して幅広に形成された凹部とを含む基板上に、シード膜を形成する工程と、促進剤と抑制剤とを含むめっき液を用いて、凹部を埋設する電解めっき工程とを含む製造方法において、電解めっき工程が、第一の電流密度で微細パターンに形成された凹部を埋設する第一の電解めっき工程と、電解めっき工程と異なる極性の電流を第二の電流密度で通電する第一の逆バイアス工程と、第一の電流密度より大きい第三の電流密度で第二の電解めっきを行う工程と、第四の電流密度で通電する第二の逆バイアス工程と、第一の電流密度より大きい第五の電流密度で第三の電解めっきを行う工程とを含み、第二の逆バイアス工程における積算電流量の絶対値が第一の逆バイアス工程における積算電流量の絶対値よりも大きい。 （もっと読む）

【課題】 半導体ウェハ外周部近傍にめっき膜を形成せず、かつ、パーティクルやシール不良などの不具合の発生を防止することができる半導体装置の製造方法を実現する。
【解決手段】 ＳＯＩ基板１０の素子形成基板１０ａの表面に、フォトレジストにより、素子形成領域１０ｆを囲む遮断部材１３を突出形成する。これにより、めっき液Ｌの素子形成基板１０ａの面方向への移動を遮断し、遮断部材１３に囲まれた領域にのみめっき液Ｌを接触させて電気めっきを行うことができるため、素子形成領域１０ｆにのみＣｕめっき膜Ｍを形成することができる。遮断部材１３は、素子形成基板１０ａ上に形成されているため、めっき装置２０からＳＯＩ基板１０を取り外すときに、遮断部材１３に付着したＣｕめっき膜Ｍがめっき槽２１に落下するおそれがない。 （もっと読む）

【課題】ＣＭＰ工程後のめっき膜の欠陥数の低減された、信頼性の高い半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】微細パターンが形成された凹部と微細パターンと比較して幅広に形成された凹部とを含む基板上において、シード膜を形成する工程と、シード膜をカソードとして、促進剤と抑制剤とを含むめっき液を用いて、凹部を埋設する電解めっき工程とを含む半導体装置の製造方法において、電解めっき工程が、第一の電流密度で微細パターンに形成された凹部を電解めっきにより埋設する第一の電解めっき工程と、第一の電解めっき工程で用いた電流と異なる極性の電流を第二の電流密度で通電する第一の逆バイアス工程と、第一の電流密度よりも大きい第三の電流密度で電解めっきを行う第二の電解めっき工程と、第四の電流密度で通電する第二の逆バイアス工程と、第一の電流密度よりも大きい第五の電流密度で電解めっきを行う第三の電解めっき工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】ウィスカの主発生原因となるスズ系めっき粒子間へ成長する金属間化合物によるめっき粒子の圧迫、すなわち圧縮応力を吸収することができるめっき皮膜を提供することを目的とする。
【解決手段】素地１上に形成されたスズ系めっきのめっき被膜２において、めっき粒子３内に微小な空孔部４を多数有するものとする。また、素地上にスズ系めっきを形成するスズ系めっきの製造方法において、メタンスルホン酸スズ（ＩＩ）、メタンスルホン酸、硫黄系有機添加剤、アミン−アルデヒド系光沢剤、ノニオン系界面活性剤からなる浴組成中に素地１を浸漬して電着する。 （もっと読む）

【課題】鉛フリーの材料からなるめっき層を有するめっき部材において、従来知られていなかった新たな手法によりウィスカが発生するのを抑制できるようにしためっき部材及びそのようなめっき部材を製造する方法を提供する。
【解決手段】基材１の表面に鉛フリーの材料からなるめっき層２を有するめっき部材３において、めっき層における（３２１）面の配向指数を２．５以上４．０以下とする。他の態様では、めっき層における（２２０）面と（３２１）面との配向指数の比（２２０）／（３２１）が０．５以上１．５以下とする。基材１とめっき層２との間に（２２０）の配向面を持つ下地層を形成してもよい。 （もっと読む）

【課題】コンタクト用ロジウム構造を製造するプロセスを提供する。
【解決手段】その上に誘電体層、ただし内部に前記コンタクト用ロジウムが付着されるキャビティを有する誘電体層を有する基板を得るステップと、前記キャビティ内および前記誘電体層上にシード層を付着させるステップと、ロジウム塩、酸および応力低減剤を含む浴液から電気メッキによって前記ロジウムを付着させるステップと、任意で次に前記構造をアニールするステップと、を含むプロセスを提供する。 （もっと読む）

【課題】密着性の高い正電極及び負電極を具備した窒化物系半導体発光素子を得る。
【解決手段】少なくともｎ型窒化物系半導体層、窒化物系半導体発光層、ｐ型窒化物系半導体層、金属反射層、メッキ層がこの順序で積層されてなる構造の窒化物系半導体発光素子であって、金属反射層とメッキ層の間にメッキ密着層が形成されており、かつ、該メッキ密着層がメッキ層を構成する金属の主成分と同一の成分を５０質量％以上有する合金層で構成する。 （もっと読む）

【課題】回路形状の微小溝や微孔の中に選択的に銅めっきを析出させる方法を提供する。
【解決手段】導電体層上に金属めっきを行って微小溝および／または微孔１０５中に金属を充填する電気めっき方法において、平滑度の高い硬質接触面と、めっき液１０６が通過できかつ単位面積当たりの個数が１ｃｍ^２あたり１０^５〜１０^９個である微細貫通穴を有する接触体１１０を導電体層に接触させつつ金属めっきを行うことを特徴とするめっき方法。また、めっき液を保持するめっき槽、陽極、導電体層が形成され微小溝および／または微孔を有する基板を保持しながら陰極電位を与えるための保持手段および電源を有するめっき装置であって、陽極と基板の間に、基板上の導電体層に接触しつつめっき液を供給することのできる前記硬質接触面と前記微細貫通穴１１１とを有する接触体を配置したことを特徴とするめっき装置。 （もっと読む）

【課題】電子部品に均一にめっきを施すことができ、電子部品に傷が付くのを防止することが可能なめっき装置を提供する。
【解決手段】めっき槽内でめっき治具１２を保持し且つ電極を有する保持体１３と、保持体１３の下方から上向きにめっき液４５の噴流４６を形成する噴流形成装置とが備えられ、保持体１３が噴流形成装置に対して左右方向Ａへ揺動自在である。めっき治具１２は、上下一対の外板体２６，２７と、外板体２６，２７の対向面側に設けられた一対の導電性メッシュ２８，２９と、一対の導電性メッシュ２８，２９間に形成された複数の収納空間３０と、隣接する収納空間３０を仕切る仕切板３１とを有し、下部の外板体２７に形成された複数の噴流流入孔３４から下部の導電性メッシュ２９を通って各収納空間３０に達する噴流流路が形成されている。 （もっと読む）

【課題】ウエハ毎に表面積が異なる場合であっても、製品毎の成膜処理を簡便化し、レシピ管理等の管理負荷を軽減する。実効的な表面積に応じて適当な成膜条件を決定し、精度良く成膜を行う。
【解決手段】半導体装置の製造方法が、凹部の設けられた半導体基板表面の反射率を成膜前に測定する工程と、測定された前記反射率に対応する成膜条件を表す成膜パラメータを決定する工程と、前記成膜パラメータに対応する条件下で前記半導体基板に成膜する工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】基板とアノードとの間に抵抗体を設置したFace Down方式のめっき装置であっても、基板の被めっき面に気泡が入り込むことなく被めっき面全体を確実にめっき液に接触させて均一なめっきが行えるめっき方法及びめっき装置を提供すること。
【解決手段】下向きにした基板Ｗの被めっき面Ｗ１と、基板Ｗの下方に設置したアノード２０との間にめっき液Ｑを介在した状態で基板Ｗとアノード２０間に電圧を印加することで、被めっき面Ｗ１にめっきを行う。アノード２０の上部に抵抗体３０を設置して抵抗体３０の上までめっき液Ｑを満たし、抵抗体３０の上面に沿って抵抗体３０の外周から中心の方向へ向かってめっき液Ｑを流すことにより抵抗体３０上面の中央にめっき液Ｑの盛り上がりを作り、この状態で下向きにした基板Ｗを降下させることによりめっき液Ｑに浸漬させて、被めっき面Ｗ１と抵抗体３０上面の間の隙間をめっき液で満たす。 （もっと読む）

導電ビアを形成する方法について説明され、そして該方法は、シード層を半導体基板（１０３）の第１面（１２５）に形成する工程であって、該半導体基板が該第１面を第２面（１２７）の反対側に含む、前記シード層を形成する工程と、ビアホール（３２９）を、該半導体基板の該第２面側の半導体基板中に形成する工程であって、該ビアホールが該シード層を露出させる、前記ビアホールを形成する工程と、そして電気メッキ法で導電ビア材料（６０１，６０３）を該ビアホールに、該材料が該シード層上に堆積するように充填する工程と、を含む。一つの実施形態では、連続導電層（１１６）を該シード層の上に形成し、かつ該シード層に電気的に接続する。該連続導電層は、電気メッキ法で導電ビア材料を充填する際の電流供給源として機能することができる。
（もっと読む）

【課題】レジストの硬化やヒビ割れ、開口幅の拡大および下地酸化の少なくとも一つを抑制しつつ、微細パターンのメッキやウエットエッチングを実現する新規な技術を提供する。
【解決手段】下地上にレジスト膜を形成し、その上から選択的に露光および現像を行い、その後メッキ処理またはウエットエッチング処理することを含んでなるパターン形成方法において、メッキ処理またはウエットエッチング処理前に、下地表面を水溶性ポリマーおよび水を少なくとも含んでなる表面処理剤を用いて処理する。 （もっと読む）

【課題】電気めっきにより金属層を形成し、化学的機械研摩（ＣＭＰ）法で研摩して金属膜パターンを形成する際に、金属膜パターンの組成分布、膜厚分布を小さくしてに電子デバイスの高性能化に対応し、かつ、めっき液、めっき装置への負荷を小さくして生産性を高める金属膜パターンの形成方法を提供する。
【解決手段】めっきする被めっき体１０となる基板の表面に形成される金属膜パターン２０Ｂを形成するために、基板表面をめっきするめっき工程と、そのめっき工程の後に、めっきにより形成された金属層２０Ａの膜厚を薄く平坦化するために研摩する研摩工程とを有する金属膜パターンの形成方法であって、めっき工程でめっきする部分に形成される金属層２０Ａが、被めっき体１０表面全体に対してできるだけ小さくする。 （もっと読む）

【課題】結晶粒径を小さくしてストレスマイグレーションを抑制した銅めっき膜を、より簡便に基板上に成膜できるようにする。
【解決手段】シード層で覆われた配線用凹部を表面に形成した基板を用意し、シード層を、硫酸銅及び硫酸由来の硫黄を２．０Ｍ以上含む硫酸銅めっき液に接触させ、シード層をカソードとして、該カソードと硫酸銅めっき液中に浸漬させたアノードとの間に電圧を印加して、シード層の表面に銅めっき膜を成膜する。 （もっと読む）

【課題】 半導体ウエハ下に電解メッキにより形成される柱状電極の高さのばらつきを軽減する。
【解決手段】 カップ状のめっき槽１の周壁上部の等間隔で離間する４領域には第１〜第４のめっき液流出ノズル９ａ〜９ｄが設けられている。そして、めっき槽１内の下部中央部に設けられためっき液噴出ノズル６からめっき液４をめっき槽１内に噴出させるとともに、第１〜第４のめっき液流出ノズル９ａ〜９ｄから順次めっき液４を水平に流出させる。これにより、半導体ウエハ１８の下面に対するめっき液４の主な流れ方向が順次変化し、半導体ウエハ１８の下面全体に対するめっき液４の流れが均一化され、めっきの均一性を向上させることができる。 （もっと読む）

【課題】抵抗が小さく信頼性の高いＣｕ配線またはＣｕプラグを備えた半導体装置を提供することにある。
【解決手段】基板上に形成された層間絶縁膜４に溝部１０を形成した後、溝部１０の内壁を含む層間絶縁膜３上にバリアシード膜６を形成し、バリアシード膜６を電極として、電解メッキ法により溝部１０内に銅７を埋め込む。バリアシード膜６は、絶縁体または半導体の特性を有する高融点金属の酸化物または窒化物からなる単層の膜であって、該膜に銅以外の低抵抗金属が含有されている。 （もっと読む）

【課題】Ｎｉアノード表面の不動態化を抑制して、電流効率および成膜レートの低下を防止する。安定したＮｉめっき膜を供給することで品質向上に寄与し、また、安定した生産能力を維持できる電解Ｎｉめっき装置を提供する。
【解決手段】平均グレインサイズが１０μｍ以下であるニッケル（Ｎｉ）アノードを備えることを特徴とする電解Ｎｉめっき装置。 （もっと読む）

【課題】電子デバイスの熱界面材料として熱発生デバイスに結合して用いられるインジウム金属およびその合金の電気化学的な析出のための改善されたインジウム組成物及びインジウム組成物で製造した物品の提供。
【解決手段】イミダゾールなどの窒素含有化合物を共重合化合物とするエピハロヒドリンコポリマーを水素抑制剤化合物として含む１以上のインジウムイオン源からなる組成物、および該組成物から基体上にインジウム金属を電気化学的に析出させて製造した物品。 （もっと読む）

【課題】電気銅めっきを行う際に、めっき液中のアノード側で発生するスラッジ等のパーティクルの発生を抑え、半導体ウエハへのパーティクルの付着を防止する電気銅めっき用含リン銅アノード、該含リン銅アノードを使用する電気銅めっき方法、これらを用いてめっきされたパーティクル付着の少ない半導体ウエハ及び電気銅めっき用含リン銅アノードの製造方法を提供する。
【解決手段】電気銅めっきを行うアノードであって、アノードとして含リン銅を使用し、該含リン銅アノードのマイクロビッカース硬度が４０以上であることを特徴とする電気銅めっき用含リン銅アノード４及び該含リン銅アノードを使用する電気銅めっき方法並びにこれらを用いてめっきされたパーティクル付着の少ない半導体ウエハ３。 （もっと読む）