【課題】より少ないメッキ液の使用量で、被メッキ材に対して均一な膜厚のメッキを形成させることができる電解メッキ装置を実現する。
【解決手段】本発明に係る電解メッキ装置５０は、メッキ処理槽９内のメッキ液４に、カソード電極１５に接続された半導体基板１とアノード電極２とを対向させて浸漬し、アノード電極２とカソード電極１５とを通電させることにより半導体基板１に電解メッキを行う。電解メッキ装置５０は、半導体基板１とアノード電極２との間に、半導体基板１の中央部と対向して設けられた貫通口を有する絶縁体から成り、アノード電極２から半導体基板１の外縁部に印加される電界を遮蔽する遮蔽板３を備えるとともに、アノード電極２と遮蔽板３とを、一体的に揺動させる揺動手段を備えている。 （もっと読む）

【課題】シールパッキンの締め付け作業が容易で且つシールパッキンの外周近傍に均一に締め付け力を作用させることができる半導体ウエハのメッキ治具を提供する。
【解決手段】半導体ウエハのメッキ治具110は第１保持部材111と第２保持部材112と係止部114bを有する固定リング114とを具備する。第１保持部材111と第２保持部材112との間に半導体ウエハ116を着脱可能に保持することができる。第１保持部材111及び第２保持部材112の何れかには、固定リング114の係止部114bに係脱可能に係止することができる被係止部120が設けられている。固定リング114が固定位置にある場合には固定リング114の係止部114bと被係止部120とが係脱可能に係止することにより第１保持部材111及び第２保持部材112が固定される。 （もっと読む）

【課題】表面の粗さが適度に設定された樹脂層を得ることができる樹脂層の形成方法、その樹脂層の形成方法を用いためっき方法及び半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】樹脂より成る基材２と、基材中に分散された混合物４とを含む樹脂層３２を、基板上に形成する工程と、樹脂層の表層部をバイト１２により切削し、基材及び混合物のうちの一方が選択的に除去された切削面を形成する工程とを有している。表面が適度な粗さに設定された樹脂層を得ることができるため、樹脂層上に良好な密着性を有するめっき膜を形成することが可能となる。このため、高い信頼性を確保しつつ、めっき膜より成る配線を狭いピッチで形成することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】 被めっき物とアノードとを隔離するための隔膜を備えためっき装置において、めっき槽内により簡単に隔膜を配置できる技術を提供する。
【解決手段】 被めっき物を配置する開口部と、被めっき物に向けてめっき液を供給する液供給管と、被めっき物と対向するように配置されたアノードと、被めっき物とアノードとを隔離するための隔膜と、を有するめっき槽を備えためっき装置において、めっき槽内壁には、隔膜外周端を固定するための隔膜外周固定部が設けられており、液供給管は、内管及び外管からなる二重管で構成され、内管は、隔膜中央に設けられた貫通孔に貫入される内管部及び該貫通孔を係止する隔膜貫通孔固定部を有し、外管は、前記内管部を受け入れた状態で内管を固定させる係合部を有するとともにめっき槽内に固定される槽固定部を備えているものとした。 （もっと読む）

【課題】銅めっきのシード層を形成後、めっき膜の形成工程までの保管期間中に、シード層の腐食を防止して良質なめっき膜を形成する。
【解決手段】銅からなるシード層２を形成後、シード層２を硫化処理してシード層２の表面に銅の硫化物からなる保護膜３を形成する。この状態でシード層２を保管する。その後、保護膜３を除去してシード層２を露出させ、シード層２を電極としてめっき膜７を形成する。保護膜３が形成されたシード層２は、腐食ガスが混入した雰囲気でも腐食することなく保管することができる。さらに、保護膜３をアルカリ溶液等で除去して表出したシード層２をめっき用電極として利用し、良質のめっき膜７を形成することができる。 （もっと読む）

【課題】半導体ウエハ上の電極または配線などの導電路を構成する金属層例えば銅層の表面に生成された金属酸化物を蟻酸などの有機酸の蒸気により還元するにあたって、金属層のエッチングを抑えること。
【解決手段】ウエハ上の銅層に対して接離自在に第１の電極を設け、前記銅層に対して離れた位置に第２の電極を設け、直流電源の負極側及び正極側に夫々第１、第２の電極を接続し、蟻酸の蒸気により還元処理を行いながら銅層に防食電流を流す。あるいは銅層に対して接離自在に銅よりはイオン化傾向が大きい金属を主成分とする電極を設け、この電極を銅層に接触させて当該電極と銅層とのイオン化傾向の差を利用して両者の間に防食電流を流す。 （もっと読む）

【課題】たとえば半導体装置およびプリント回路基板のような基体の、種々のサイズの開口を、実質的に空隙なく充填することができ、さらに密集した非常に小さい開口の領域と開口のない領域とを、段高さの差が１μｍ未満であるように平坦にメッキできる平滑化剤を提供する。
【解決手段】電解液に加える平滑化剤は、重合単位としてエチレン性不飽和窒素含有ヘテロ環式モノマーを含むポリマー平滑化剤で、さらに重合単位として（メタ）アクリレートモノマーおよびエチレン性不飽和架橋剤を含むことができる。 （もっと読む）

【課題】例えアスペクト比が高く、深さが深いビアホール等の凹部にあっても、銅等の金属材料を、内部にボイドを発生させることなく、凹部内に高速かつ確実に埋込むことができるようにする。
【解決手段】凹部２０２を有し該凹部２０２の内部を含む表面に通電層２０６を形成した基板Ｗを用意し、凹部２０２の内部を除く通電層２０６の表面に電着法で高分子絶縁膜２０８を形成し、高分子絶縁膜２０８を形成した基板Ｗの表面に電解めっきを行って凹部２０２内に金属材料２１０を埋込む。 （もっと読む）

【課題】開口部内のはんだボール電極上に嵩上げ導体層を直流の電解銅めっきにて形成する際、予め電解銅めっきに使用する銅めっき液に銅めっき添加剤（促進剤）を添加することにより、嵩上げ導体層の表面形状を制御するようにしたＢＧＡ型キャリア基板の製造方法及びＢＧＡ型キャリア基板を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明のＢＧＡ型キャリア基板１００は、絶縁基材１１の一方の面にランド２１ａ及び半導体チップを接続するための電極パッド２１ｂと、他方の面にランド２１ａと電気的に接続されたはんだボール形成用の嵩上げ導体層３１とＮｉ／Ａｕめっき層５１とが形成されており、嵩上げ導体層３１を直流の電解銅プラグめっきで形成する際、銅めっき液に予めジスルフィド（二硫化物）系銅めっき添加剤（促進剤）を所定量添加しておく。 （もっと読む）

【課題】電子回路基板をメッキ槽から次工程へ搬送する際に、電子回路基板から垂れ落ちるメッキ液がメッキ槽の給電部へ液垂れすることを防止する装置の提供。
【解決手段】 メッキ装置１は、メッキすべき電子回路基板を保持するメッキ治具３３をメッキ槽９内へ投入及び引き上げるための治具上下動装置２７を備えると共に前記メッキ治具３３をメッキ槽９へ搬送するメッキ治具搬送装置２１と、前記メッキ槽９から引き上げられたメッキ治具３３から垂れ落ちるメッキ液を収容するメッキ液受け皿９５であって、前記メッキ治具３３がメッキ槽９内へ投入及び引き上げられる時にこの位置から外れた位置に待機する待機位置と前記メッキ槽９から引き上げられたメッキ治具３３の下方位置とを移動自在に設け、かつ、前記メッキ治具３３が搬出される時に前記メッキ治具３３の下方位置に位置して追従可能に設けたメッキ液受け皿９５と、を備えている。 （もっと読む）

【課題】気泡の抜けが比較的よいディップ方式を採用し、広い占有面積を占めることなく、バンプ等の突起状電極に適した金属めっき膜を自動的に形成できるようにする。
【解決手段】配線が形成された基板の上に突起状電極を形成するめっき装置であって、基板カセットを置くカセットテーブル１２と、基板に対して濡れ性を良くするためのプリウェット処理を施すプリウェット槽２６と、該プリウェット槽でプリウェット処理を施した基板にめっきを施すめっき槽３４と、めっきされた基板を洗浄する洗浄装置３０ｂと、洗浄された基板を乾燥させる乾燥装置３２と、めっき液の成分を分析し、この分析結果に基づいてめっき液に成分を追加するめっき液管理装置と、基板を搬送する基板搬送装置４０とを備えた。 （もっと読む）

【課題】基板との密着性に優れ、充分な導電性を有し、且つ基板との界面における凹凸が小さい金属膜を、簡便な方法で形成しうる金属膜形成方法、及び、エッチング工程を行うことなく微細な金属パターンの形成が可能であり、且つ、基板との密着性に優れ、充分な導電性を有し、基板との界面における凹凸が小さい金属パターンを簡便な方法で形成しうる金属パターン形成方法を提供することにある。
【解決手段】（ａ１）基板上に、金属イオン又は金属塩と相互作用する官能基を有し該基板と直接化学結合するポリマーからなるポリマー層を設ける工程と、（ａ２）ポリマー層に金属イオン又は金属塩を付与する工程と、（ａ３）金属イオン又は金属塩を還元して、表面抵抗率が１０〜１００ｋΩ／□の導電性層を形成する工程と、（ａ４）電気めっきにより、表面抵抗率が１×１０⁻¹Ω／□以下の導電性層を形成する工程と、を有することを特徴とする金属膜形成方法等である。 （もっと読む）

基板に電気化学エッチングまたは電気めっきを施すことにより多層構造を形成する方法。基板上にシード層を形成し、その上に主電極を形成する。主電極は、基板から複数の電気化学セルを形成するためのパターン層を有する。電圧が印加され、シード層がエッチングされて、またはシード層に材料がめっきされて形成された構造（８）の間に誘電体（９）が堆積される。誘電体層は下層構造を露出するために平坦化され、別の構造層が第１の構造層上に形成される。または、誘電体層は２層の厚さで形成され、下層構造の上端部を選択的に露出するために選択的にエッチングされる。また、複数の構造層を１工程で形成しても良い。 （もっと読む）

【課題】電気めっきおよび／または電解研磨プロセス中にはウェーハを保持し、電荷をウェーハに印加することのできるウェーハチャックの提供。
【解決手段】ウェーハ１６０２の電気めっきおよび／または電解研磨中にウェーハを保持するためのウェーハチャックアセンブリ１６００が、ウェーハ１６０２を受容するためのウェーハチャック１６０４を有している。ウェーハチャックアセンブリ１６００はさらに、第１の位置と第２の位置との間でウェーハチャック１６０４を運動させるためのアクチュエータアセンブリ１８６０をも有している。第１の位置にあるとき、ウェーハチャック１６０４は開かれている。第２の位置にあるとき、ウェーハチャック１６０４は閉じられている。 （もっと読む）

【課題】めっき発生核やめっき粒の微細化を図ることで緻密なめっき膜を形成でき、微細化が進む基板上の配線形成に対応することが可能な電解めっき方法及び電解めっき装置を提供する。
【解決手段】表面に微細凹部が形成された被めっき基板２０をめっき液１０中に浸漬させて金属めっき膜を成膜する電解めっき方法において、めっき処理槽１１内のめっき液１０を、めっき液循環配管３１に循環させながら冷却器３３でその液温が溶媒の凝固点以上１５℃未満になるように冷却し、その状態で金属めっき膜の成膜を行うことで、被めっき基板１０の微細凹部内に緻密でボイドの少ない金属配線材料を埋め込むことができるようにした。 （もっと読む）

【課題】 ウエハにラック方式あるいはデイップ方式と呼ばれるメッキ方法により電解メッキを行なうとき、給電部材に起因するウエハ割れが発生しにくいようにし、且つ、給電が不安定になりにくいようにする。
【解決手段】 シリコーンゴム等からなる円柱形状の弾性支持棒１６の外周面に給電線１７がコイル状に巻き付けられた給電部材１５をウエハ３１の下面周辺部のメッキ用接続端子部３２ａに押し付けると、弾性支持棒１６が弾性変形することにより、給電部材１５に起因するウエハ割れが発生しにくいようにすることができ、また弾性支持棒１６の外周面にコイル状に巻き付けられた給電線１７の巻数分がウエハ３１の下面周辺部のメッキ用接続端子部３２ａに線接触状態で押し付けられることにより、給電が不安定になりにくいようにすることができる。 （もっと読む）

【課題】半導体ウェハとメッキ成膜用電極との導通を確保する。
【解決手段】ウェハ固定用穴１ａの側壁部分１ｂから突出する１点の電極端子部４ａに半導体ウェハ１０を固定する。このとき、電極側スライダ６に半導体ウェハ１０を接触させた状態で半導体ウェハ１０を仮固定し、ウェハ固定用穴１ａの側壁部分１ｂに半導体ウェハ１０の端面が接触しないようにする。その後で、電極側スライダ６を半導体ウェハ１０の端面に接触しないように離間移動させて、半導体ウェハ１０を本固定する。仮固定時に半導体ウェハ１０と電極側スライダ６との間に摩擦が発生して半導体ウェハ１０にしなりが発生しても、本固定時には、電極側スライダ６との摩擦が開放されるため、半導体ウェハ１０のしなりも開放されて、ウェハ押さえ部２のウェハ固定用ボルト２ａを増し締めする。 （もっと読む）

【課題】トレンチやビアホール等の凹部内に選択的にめっきを行って、表面の平坦性が高いめっき膜を形成することができるようにする。
【解決手段】基板Ｗを保持する基板保持部１０と、基板保持部１０で保持した基板Ｗの表面に当接して通電させるカソード１４と、基板保持部１０で保持した基板と対向して設置されるアノード３８及び該アノード３８と基板との間に配置される多孔質体２６を有するアノードヘッド２２と、アノード３８と基板保持部１０で保持した基板Ｗの表面との間にめっき液を供給するめっき液供給部４４と、基板Ｗと多孔質体２６との間に配置され、めっきに際し多孔質体２６を介して基板Ｗの表面に押当てられる表面が平滑な多孔性の接触体５０を有する。 （もっと読む）

【課題】半導体ウエハをカセットに入れず１枚ずつ連続的にメッキ装置内に導入し処理することができると共に、パーティクル汚染や酸化膜の形成を極力減少でき、且つ工程を少なくし装置の据付け面積を小さくすることが可能な基板メッキ装置及び基板メッキ方法を提供すること。
【解決手段】表面に配線溝及び配線穴からなる配線部を形成し、該配線部を含む表面にバリア層を形成した基板に、該配線部を埋め込むメッキ層を形成する基板のメッキ装置１０であって、配線部表面を含むバリア層の上に無電解メッキでメッキ層を形成する第１のメッキ槽１３と、該メッキ層の上に電解メッキにより配線用メッキ層を形成する第２のメッキ槽１３を設けた。 （もっと読む）

【課題】良好な埋め込み性（ビアフィリング性）と優れた均一電着性を同時に併せ持ち、スルホールとブラインドビアホールの両方を含む被めっき物に対しても、電気的に信頼性の高い銅めっき皮膜を形成することが可能な新規な銅めっき液を提供する。
【解決手段】銅イオン、並びに有機酸及び無機酸から選ばれた少なくとも一種の酸成分を必須成分として含有する水溶液を基本めっき浴とする酸性電気銅めっき液であって、
（１）アルキレンジアミン類及びポリアルキレンポリアミン類からなる群から選ばれる少なくとも一種のポリアミン、（２）二塩基性カルボン酸系化合物、並びに（３）アルデヒド類、エピハロヒドリン類、α，γ−ジハロ−β−ヒドリン類、グリシジル化合物及びイソシアネート類からなる群から選ばれる少なくとも一種の架橋性化合物、からなる三成分を反応させて得られる水溶性樹脂を含有することを特徴とする酸性電気銅めっき液。 （もっと読む）