被加工物の電気処理のためのコンタクト・アセンブリおよびコンタクト・アセンブリを備える装置が、本明細書において開示される。コンタクト・アセンブリは、支持部材および支持部材に組み合わせられたコンタクト部材を含んでいる。支持部材が、被加工物を受け入れるように構成された開口を定める内壁を備えている。コンタクト部材が、支持部材に接続される取り付け部、および取り付け部から突き出している複数のコンタクトを備えている。個々のコンタクトが、被加工物の心出しのために内向きかつ下方に突き出している片持ちセグメント、および心出しされた被加工物との電気的接触をもたらすために内向きかつ上方に突き出している先端セグメントを備えている。 （もっと読む）

電気化学的方法で使用する水溶液が開示され、該水溶液は、スルホン酸を含み、低濃度の低原子価または還元されやすい高原子価の硫黄化合物を有し、電着、電池、導電性ポリマーおよびスケール除去方法への使用を目的とする。 （もっと読む）

硫酸銅又は塩化銅を主成分とし、ホルムアルデヒド、２価のコバルトイオン及びグリオキシル酸のうちから選ばれる１種以上の還元剤を含有するとともに、分子量６０以上１０００以下の例えば下記一般式（１）又は一般式（２）で表されるイオウ系有機化合物及び分子量２００以上２００００以下のオキシアルキレングリコールを含むことを特徴とする無電解銅めっき液である。アスペクト比の高い微細な溝及び孔の中に空隙を生じることなくめっき膜を堆積させることができる。Ｘ^１−Ｌ^１−（Ｓ）ｎ−Ｌ^２−Ｘ^２ （１）Ｘ^１−Ｌ^１−（Ｓ）ｎ−Ｈ （２）［式中、ｎは整数、Ｘ^１及びＸ^２はそれぞれ独立に水素原子、ＳＯ_３Ｍ基またはＰＯ_３Ｍ基（Ｍは水素原子、アルカリ金属原子またはアミノ基を示す）、Ｌ^１及びＬ^２はそれぞれ独立に低級アルキル基又は低級アルコキシ基を示す。］
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【課題】多品種、少量生産、生産台数の変動が大きく、製品寿命が短いものを製造する小規模で且つフレキシブルに機能の変更、或いは装置の更新ができる製造ラインに好適な半導体基板製造装置を提供すること。
【解決手段】ロード／アンロード部１２０と、めっき膜成膜ユニット１１３等の複数の処理ユニット、半導体基板をユニット間で搬送する搬送機構（ロボット１３１〜１３４）を備えた半導体基板製造装置において、各ユニットの搭載部分にはガイドを有し、各ユニットはガイドに沿って移動することにより、半導体製造装置へ搭載又は半導体製造装置から取り外し、他のユニットと交換することができるようになっており、半導体製造工程で必要なユニットを自在に組み合わせて半導体製造装置を構成し、また半導体製造装置内の異なる処理を行うユニットどうしの交換をできるようにした。 （もっと読む）

【課題】フィルドビア以外の絶縁層表面に形成された銅からなる導体層のめっき厚を調整して、フィルドビアの欠陥発生がなく、精度の良い配線層が形成可能な配線基板の製造方法及び配線基板を提供することを目的とする。
【解決手段】絶縁基材１１の両面に導体層２１が形成された両面銅張り積層版にビア用孔１２を形成し、ビア用孔１２を導電化処理した後電気銅めっきによりビア用孔１２をフィリングしてフィルドビア２３を、絶縁基材１１上の導体層２１上に銅からなる導体層２２を形成した後、引き続き、導体層２２を同じ電気銅めっき液からなる硫酸酸性液でＰＲ（パルスリバース）電解エッチングを行って導体層表面研磨を行い、配線層２４ａ及び２１ａを形成し、配線層２４ａと配線層２１ａがフィルドビア２３にて電気的に接続された配線基板１０を作製するというものである。 （もっと読む）

【課題】半導体ウェハ上の導電層を取り除く従来の方法は、化学的機械研磨（ＣＭＰ）を含むが、ＣＭＰは半導体構造に対して有害な作用を与える可能性がある。これに対し電気研磨および／または電気めっきプロセスを使用して金属層を取り除きまたは溶着する装置および方法を提供する。
【解決手段】１つの例示的な装置が、ウェーハの斜面部分すなわち縁部部分上の金属残留物を取り除くための縁部クリーニングアセンブリを有するクリーニングモジュールを含む。この縁部クリーニング装置は、ウェーハの主表面に液体と気体を供給するように構成されているノズルヘッドを含み、および、ウェーハ上に形成されている金属薄膜に対して液体が半径方向内方に流れる可能性を低減させるように、液体が供給される位置の半径方向内方に気体を供給する。 （もっと読む）

【課題】めっき槽内のめっき液を完全にドレーン排出できるようにするとともに、ウエハの全面を有効利用する。又、常に新鮮なめっき液をウエハ表面に供給できるようにする。
【解決手段】めっき液Ｍを収納するめっき槽１１と、該めっき槽の底部１１ｂの貫通穴に装着された、環状の陰極補助電極ホルダ１２と、該陰極補助電極ホルダに着脱自在に挿着され、その上面に被めっき物の載置部１３ｃを有する被めっき物ホルダ１３と、該被めっき物ホルダの上面側に設けられ、前記載置部上の被めっき物Ｗの下面に当接する陰極１５と、該被めっき物ホルダの位置決め手段１２ｄ、１３ｄと、ウエハ上を往復動するパドル２３と、陰極と間隔をおいて対向する陽極とを備えている。ウエハの上面と陰極補助電極、陰極補助電極ホルダ、底部の各上面１７c、１２c、１１cは同一平面を形成し、めっき終了後めっき槽底部からめっき液を排出すると、めっき液は完全にドレーン排出される。 （もっと読む）

【課題】 めっき膜を安定的に成長させる。
【解決手段】 ウェーハ１０９の被成膜面をカソード電極１０７に接続し、被成膜面をめっき液１０３の液面に対して傾斜させるとともに、カソード電極１０７とめっき液１０３中に配置されたアノード電極１０５との間に第一の電流を供給しながら、ウェーハ１０９をめっき液１０３中に浸漬するステップ１０１、および被成膜面がめっき液１０３中に浸漬した後、カソード電極１０７とＣｕアノード電極１０５との間に第二の電流を供給して、電解めっき法により被成膜面上に金属膜を成長させるステップ１０３とを順次行う。ステップ１０１において、液面と被成膜面との傾斜角に基づいて第一の電流を制御する。 （もっと読む）

【課題】電気研磨および／または電気めっきプロセスにおいて、ウェーハを移動させるロボットアセンブリにおいて、エンドエフェクタ真空カップ内の粒子を取除き、真空通路に酸などが入るのを防止する装置および方法を提供する。
【解決手段】エンドエフェクタ３０６は、真空弁３２２を介して真空源と、窒素弁３２０を介して加圧窒素源と連結されている。真空弁３２２がオンされると、ウェーハをエンドエフェクタ３０６に押し付けて保持するように、真空カップ３０２内の圧力を低下させる。真空弁３２２がオフされ、かつ、窒素弁３２０がオンされると、エンドエフェクタ３０６は、真空カップ３０２内の圧力が増大されウェーハを開放する。ウェーハが保持されていない時、または移動されていない時は窒素弁３２０をオン状態のままにして、真空カップ３０２内において周囲環境圧力に近いか、またはこの周囲環境圧力よりも高い圧力を維持する。 （もっと読む）

【課題】 フェースダウン方式の噴流めっき装置において、操作性を損なうことなく、ブラックフィルム等に起因する微小な固形異物による、めっき品質の低下を防止する。
【解決手段】 内部に陽極電極５が設けられためっき処理槽１００を備え、めっき処理槽１００内にめっき液及び電解液を流入し、半導体ウェハ１の被めっき面ｗに下方側からめっき液の噴流を当接させる一方、陽極電極５へ電解液を流入させながら、陽極電極５と半導体ウェハ１との間を通電することでめっきを行うめっき装置であって、めっき処理槽１００には、半導体ウェハ１と陽極電極５との間に、隔壁７が設けられており、半導体ウェハ１と陽極電極５とが隔壁７により隔離され、めっき処理槽１００が被めっき基板室と陽極電極室とに区分されている。 （もっと読む）

集積回路メタライゼーションまたはパッケージングビアの比較的大きな開口あるいはフィーチャ（１０２）が、順に２つのめっきあるいは電着処理によって埋め込まれる。第１の電着処理は、大きな、高アスペクト比のフィーチャ（１０２）を第１の層（１０４）でコンフォーマルに覆い、内部キャビティ（１１６）を画定する。第２の層（１１８）を形成する第２の電着処理は、異なる溶液を使用して、第１の電着処理によって残された内部キャビティ（１１６）をボトムアップ式で埋め込む。コンフォーマル性が第１の電着処理においてレベラーの使用によって典型的に引き起こされるのに対して、促進剤及び抑制剤が第２の電着処理においてボトムアップ埋め込みを促進するために使用されうる。但し、いずれの処理も３つの添加剤のうちの何かを使用することができる。 （もっと読む）

本発明は、脱ガスされた電気化学的析出溶液、脱ガスされた電気化学的研磨溶液、脱ガスされた無電解析出溶液、脱ガスされた洗浄液などの脱ガスされた処理溶液を用いることによって、導体層を湿式処理するための方法及び装置を提供する。この技術は、処理装置に脱ガスされた処理溶液を送る前に処理溶液を脱ガスすること又は処理装置においてイン−サイチュ（ｉｎ−ｓｉｔｕ）で処理溶液を脱ガスすることを含んでいる。 （もっと読む）

【課題】配線溝等の凹部が形成された基板に電解めっき銅膜を形成した後、熱処理による銅の再結晶や歪みの緩和等の効果が大きく、歪により、銅、下地のバリア膜、Ｌｏｗ−ｋ材等の絶縁材の相互間に剥離が生じないめっき膜形成方法を提供すること。
【解決手段】配線溝等の凹部が形成された基板にめっき工程によりめっき膜を形成するめっき膜形成方法であって、前記めっき工程に先んじて、前記基板の最表面をめっき抑制剤で覆うめっき抑制剤付着工程を行うことを特徴とする。このように基板の最表面をめっき抑制剤で覆う処理をめっきの前処理として基板に対して行なうことによって、基板に形成された配線用溝（トレンチ）やビアホール等の凹部内面に選択的にめっきが行なわれるため、適切な時点でめっきを終了した場合には基板全体に渡って平坦性を得ることができる。 （もっと読む）

【課題】同一のサイズ及び形状の複数枚のウェーハに電解めっきを施す際には、再使用可能であり、他方、ウェーハのサイズ等が変更されても容易に対応でき、且つウェーハの電解めっきを施す一面側の電流密度を可及的に均一とし得る電解めっき用治具を提案する。
【解決手段】電解めっき用治具が、基板１２ａ，１２ｂ，１２ｃが積層されて形成された、両面が金属層から成る多層基板１２であって、多層基板１２に形成されたウェーハ収容孔１４には、ウェーハを収容したとき、前記ウェーハの電解めっき用バスラインが周縁に形成された一面側と当接して前記ウェーハを支承するように、前記ウェーハ収容孔１４の内壁面に沿って内方に突出する鍔部１６が形成され、且つ鍔部１６の一面側に形成された、前記電解めっき用バスラインと当接する複数のパッド１８，１８・・の各々が、多層基板１２の両面を形成する金属層に電気的に接続されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 必要なめっき膜と隣接する厚いダミーめっき膜であっても、短時間に確実に除去可能な電子部品の製造方法を提供する。
【解決手段】 前記ダミーめっき用電極パターンの電極２２として低融点金属膜を用い、めっきをした後に前記低融点金属膜の融点以上に加熱した状態で、加圧した窒素を吹き付けたり、全体を振動させる等の物理的な刺激を与え、ダミーめっき用電極パターン上に形成されたダミーめっき膜４５を除去し、残留している低融点金属膜及び不要なめっき用電極パターン２０をエッチング、イオンミリング等の手法で除去する。 （もっと読む）

【課題】 表面保護膜の段差部分がその上に形成されるバンプ表面に出てしまうことを防止する。
【解決手段】 バンプを形成する亜硫酸系金めっき液中のタリウム濃度を３０ｍｇ／ｌ程度の高濃度に設定することで、金めっきの結晶の粒子が従来のものより大きな粒子になり、この大きな金めっき結晶でバンプ７を形成する。例えば金めっき液温度を６０〜６５度、金めっき電流密度を０．４〜０．８Ａ／ｄｍ^２の条件で金めっきを行うことで、バンプ表面状態が下地であるポリイミド膜の段差に関係なく表面段差の無いバンプの形成が可能になる。 （もっと読む）

【課題】 めっき液の特性の微小な変化に左右されないめっき成膜を可能とする半導体装置の製造装置及び製造方法を得る。
【解決手段】 被処理体にめっき処理を施すためのめっき液を収容するめっき浴槽と、この電解めっき浴槽内に配置されたアノードと、このアノードと対をなすカソードを有しかつ被処理体をカソードと導通可能に保持する移動及び回転可能な保持体とを含み、第１めっき条件で被処理体をめっき処理した後に、第２めっき条件に切り替えてめっき処理する半導体装置の製造装置において、被処理体の処理直前にめっき液の特性を測定する測定部と、測定部による測定結果に基づいて、被処理体ごとに、第１めっき条件によるめっき処理の時間を調整する制御部とを更に含む。 （もっと読む）

【課題】 厚みの均一性がよく異常突起や凹み欠陥の少ないめっき被膜付きフィルムを得ること。
【解決手段】導電面を有するフィルムを搬送しながら、フィルム導電面５を液膜を介して陰極ロール１に接触させ、その前段または／および後段に配置されためっき浴６にてフィルム導電面５にめっき被膜を形成するめっき被膜付きフィルムの製造方法であって、陰極ロール１面に陰極ロール１とフィルム導電面５との隙間の間隔を規定する突起部材を複数設け、フィルム導電面５と陰極ロール１の間の隙間に導電性液体を供給するようにした被膜付きフィルムの製造方法とその装置。 （もっと読む）

【課題】 半導体基板に形成された溝内部の良好なメッキ埋め込み性を得ることが可能な半導体製造方法及び半導体製造装置を提供する。
【解決手段】 溝パターンと、少なくとも前記溝パターン内部に第1の電極となる電極層が形成された絶縁膜を備えた半導体基板を、第２の電極が設置されるメッキ液中に導入する工程と、前記第１、第２の電極間に、直流電界に周波数１００Ｈｚ以上の交流電界を重畳して印加し、前記金属層上に金属膜を形成する工程を備える。 （もっと読む）

【課題】ニッケルを含む金属膜と、この金属膜表面に形成する他の金属膜との密着性が優れることとなり、接続信頼性が向上した半導体装置が得られる半導体装置の製造方法、さらにそのための半導体基板のめっき装置を提供する。
【解決手段】本発明に係る半導体装置の製造方法は、半導体基板上にニッケルを含む金属膜をめっき法により形成する工程と、前記金属膜を塩酸または硫酸で洗浄する工程と、を含むことを特徴とする。 （もっと読む）