【課題】
ウエハーに部分めっきをおこなう際に、陽極と陰極の間に、被めっき物と同極でかつ電流比率をコントロールできる本補助陰極を被めっき物の陽極側全面に格子状あるいは網目状に配置し、めっきエリアの偏在を軽減し、その結果、厚みばらつきの少ないめっきを行なう方法。
めっきエリアの偏在した品物をめっきする場合、めっき厚ばらつきが大きくなる。
ばらつきの大きいことは生産性、コスト、品質に悪影響を及ぼす。
【解決手段】
被めっき物の前に格子状の本補助陰極を配置し、被めっき物と本補助陰極トータルでのめっきエリアの偏在をおさえる。また、被めっき物と本補助陰極に流れる電流を個別に管理することにより、本補助陰極に流す電流を必要最小限に抑える。また、前面に配置した本補助陰極が被めっき物の特定の部分に影響を与えないよう、相対位置をめっき作業中に変化させる。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、基板中心の成膜レートを上げての膜厚の均一性を確保することができる電解メッキ装置を提供することを課題とする。
【解決手段】 本発明の電解メッキ装置は、メッキ槽１の上方及び下方に上下一対の環状磁石６，７を設け、半導体基板４上下軸及び半導体基４中心軸対象のカスプ磁界を印加する磁場印加手段を備えたものである。 （もっと読む）

本発明の実施形態は、一般に、単一のメッキプロセスに対して複数の化学物質を与えるように構成された電気化学的処理システムを提供する。これらの複数の化学物質は、一般に、処理システムに位置決めされた個々のメッキセルへ配送される。個々の化学物質は、一般に、バリア層への直接的なメッキ、合金メッキ、薄いシード層へのメッキ、最適な特徴部充填及びバルク充填メッキ、最小限の欠陥を伴うメッキ、及び／又は複数の化学物質を使用して各化学物質の希望の特性の利点を取り入れられる他のメッキプロセス、を遂行するのに使用できる。
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【課題】薄膜基板を通常の厚い基板と同様に取り扱うことができる薄膜基板の保持方法及び半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】保持材４と薄膜ウェハＷ_２とを薄膜ウェハＷ_２の外周に沿うように設けられた接着層３を介在させて接着し、薄膜ウェハＷ_２を保持材４に固定する。保持材４には、薄膜ウェハＷ_２と保持材４との間の空間に連通した開口４ａが形成されている。 （もっと読む）

【課題】メッキ液中に添加剤を均一に分散または溶解させることが可能な電解メッキ装置およびこれを用いた電解メッキ方法を提供する。
【解決手段】メッキ液を満たした状態で、基板Ｗの被処理面に電解メッキ処理を行う電解メッキ槽１１と、電解メッキ槽１１にメッキ液Ｍを供給するメッキ液供給管２２と、メッキ液供給管２２に接続されるとともに、メッキ液供給管２２にメッキ液Ｍの主成分となる電解質溶液を供給する電解質溶液供給部２３と、メッキ液供給管２２の電解メッキ槽１１と電解質溶液供給部２３との間の位置に接続されるとともに、メッキ液供給管２２に添加剤を供給する添加剤供給部２４とを備え、メッキ液供給管２２には、添加剤供給部２４と接続される位置またはこの位置よりも電解メッキ槽１１側に、電解質溶液Ｅと添加剤Ａ、Ｂ、Ｃとを混合してメッキ液Ｍを調製する混合機構３１が設けられている電解メッキ装置およびこれを用いた電解メッキ方法である。 （もっと読む）

【課題】 半導体ウエハの貫通孔部分のメッキ加工等の加工を容易にかつ良好に行うことができ、生産効率良く良好な半導体装置を製造することができる半導体ウエハ支持板及び半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】 半導体ウエハ支持板１は、紫外線が透過可能なガラス若しくは樹脂から略円板状に形成され、その外径は、支持する半導体ウエハ１０の外径より大きく設定されている。半導体ウエハ支持板１には、半導体ウエハ１０に形成されている複数の貫通孔１１に対応して、複数の開口２が形成されている。これらの開口２は、貫通孔１１の開口面積よりも開口面積が広く、すなわち、開口径が大きく設定されている。 （もっと読む）

【課題】ホウ酸を含まなくとも電子部品の電気特性を損なうことがなく、かつはんだ濡れ性の低下を招くことのないニッケルめっき浴を実現する。
【解決手段】ニッケルめっき浴が、硫酸ニッケル、塩化ニッケル、及びスルファミン酸ニッケルの中から選択された少なくとも１種のニッケル化合物と、ホウ酸の代替物質としてグルコン酸等のオキシモノカルボン酸、リンゴ酸等のオキシジカルボン酸、グルコヘプトノラクトン等のラクトン化合物、及びこれらの塩の中から選択された少なくとも１種を含有し、水素イオン指数ｐＨが２〜７に調製されている。
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【課題】ウエハ上の汚染の低減，及び処理費用の削減を測りつつ，その表面への流の供給,除去を効率良く行う装置並びに方法を提供する。
【解決手段】 多数の実施形態の１つとして、基板を処理するための方法と該方法に使用する近接型プロキシミティプロセスヘッドが開示される。該方法は、第１の流体メニスカスと、該第１の流体メニスカスを少なくとも部分的に取り囲む第２の流体メニスカスと、を生成する工程を含み、第１の流体メニスカスおよび第２の流体メニスカスは、基板の表面上に生成される。 （もっと読む）

高度に制御された電着工程中に基板への電流配分を最良化させるよう、その形状が可変である動的形状アノードが開示されている。工程の改善された制御は基板全体にさらに均一な厚みの堆積物を提供し、サブミクロン特徴部のメッキ加工を改善する。そのようなアノードはサブミクロン構造部のメッキに特に有用である。アノードは金属イオン源を利用でき、カソードの近くに設置されて基板の汚染を最低限に抑える。アノード形状は堆積処理中に変更可能である。アノードは複数の同心領域を有することができ、それぞれは独立した電圧と電流で利用できる。
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【目的】 点欠陥の集合によるボイドがＣｕ配線内に形成しないようにすることを目的とする。
【構成】 基体上に絶縁膜を形成する絶縁膜形成工程（Ｓ１０２〜Ｓ１１０）と、前記絶縁膜に開口部を形成する開口部形成工程（Ｓ１１２）と、前記絶縁膜表面と前記開口部とにシード膜を形成するシード膜形成工程（Ｓ１１６）と、前記シード膜を電極として第１の電流密度となる電流を流し、前記開口部に導電性材料をめっき法により堆積させる第１のめっき工程（Ｓ１１８）と、前記第１のめっき工程後、前記第１の電流密度より小さい第２の電流密度となる電流を流し、前記絶縁膜表面上に前記導電性材料をめっき法により堆積させる第２のめっき工程（Ｓ１２０）と、前記第２のめっき工程後、前記導電性材料が堆積した基体をアニール処理するアニール工程（Ｓ１２４）と、を備えたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 本発明では、基板の表面に選択的にめっき触媒を付着させることができ、所望パターンで付着しためっき触媒によって所望パターンの配線を形成することができる技術を実現する。
【解決手段】 本発明の方法は、基板の上に選択的に導体をめっきすることによって配線を形成する方法であって、自己組織化単分子膜を基板の表面に形成する成膜工程と、前記自己組織化単分子膜に選択的に光を照射する露光工程と、前記自己組織化単分子膜の露光部を除去する洗浄工程と、前記基板の上にめっき触媒を付与する触媒付与工程と、前記基板の上に導体を無電解めっきする無電解めっき工程とを備えることを特徴とする。 （もっと読む）

【解決手段】 水溶性銅塩、硫酸、塩素イオン、ブライトナー、キャリアー及びレベラーを含有し、レベラーが下記式（１）で示される４級化物又は下記式（２）で示される４級化物との共重合体


の一方又は両方である電気銅めっき浴並びにこれを用いて基板上に形成されたビアホールをビアフィルめっきする電気銅めっき方法。
【効果】 小径かつ高アスペクト比を有するビアホールを、ボイドを発生させることなく穴埋めすることができ、ビアホール、スルホール混在基板のめっきにも好適である。 （もっと読む）

【課題】 カソード電極体及びその周辺部機構を改善することにより、被めっき物の品種切換毎に要するカソード電極体の交換部材の最小化、交換作業の簡素化を図る。
【解決手段】 めっき液の噴流を発生させる噴流めっき槽１０の開口側に、被めっき物としての基板１の導体部を下向きとして配置し、前記導体部にめっき液を噴流させながら前記導体部に接続したカソード電極体３０とアノード電極５間に電流を流してめっきする噴流めっき装置であり、カソード電極体３０は固定カソード電極部３１と給電電極部４０とに分割されている。固定カソード電極部３１はカソード固定支持部１５に支持され、給電電極部４０は昇降給電部４５で昇降自在に支持され、固定カソード電極部３１の基板１の導体部に接触する部分が少なくとも交換自在であり、昇降給電部４５の下降時に給電電極部４０が固定カソード電極部３１に接触して給電する。 （もっと読む）

【課題】基板上での金属層の電気メッキとこの層のＣＭＰ平坦化の両方を実施するための方法および装置を提供すること。
【解決手段】この装置は、研磨パッド（２０）を支持するテーブル（１０）を含み、これらテーブルおよびパッドは、このパッド上に電気メッキ溶液を分配するためのチャネルを形成する複数の穴部（２１０、２２０）を有する。電気メッキ・アノード（２０１、２０２、２０３）は、チャネル内に配置され、かつ電気メッキ溶液に接触するように配置されている。キャリア（１２）は、パッド（２０）の上面に実質的に平行に基板（１）を保持し、パッドに対して基板に可変の機械的力を加え、したがって基板とパッドとの間隔は、電気エッチング中よりも電気メッキ中に狭めることができる。
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【課題】均一なめっき膜を形成することができる電気めっき試験器を提供する。
【解決手段】めっき液が注入されるめっき水槽１１と、めっき水槽１１内に設置される陽極８と、めっき水槽１１内に陽極８に平行に設置される被めっき物である陰極１と、陽極８と陰極１との間に電圧を印加させる直流電源とを備え、めっき水槽１１の底面に設けられためっき液の排出口１３と、被めっき物の表面近傍を攪拌するめっき水槽１１の底面に設けられためっき液の噴出孔と、排出口１３からめっき液を吸い込み噴出孔からめっき液を噴出するように接続されためっき液の循環ポンプとを有する電気めっき試験器１を構成した。 （もっと読む）

【課題】銅スパッタ膜付きウェハーにネガ型レジストを製版後に電解銅めっきにより配線が形成されるが、銅スパッタ膜とレジストの密着性が悪い為、電解銅めっき中にレジストが崩れてしまい、配線の変形や配線間がショートしてしまうという問題点が発生する。信頼性向上の為にレジストの密着性を改善することが必要である。
【解決手段】本発明は銅スパッタ膜とネガ型レジストの密着性向上の為、レジスト製版後のウェハーに熱処理を加えることにより、電解銅めっきを行ってもレジストが崩れなくなった。 （もっと読む）

【課題】
従来の方法では十分な製造速度が得られなかったり、レジストで作られた細長いマスクの中に空気の泡が残ってしまい、銅ポストの径がφ50μm以下でかつ高さが50μm以上のような細い製品の場合良好な作業が出来ない場合が発生していた。また、その設備は高度な機構を使用しているものが多く、価格的に高価なものが多かった。
【解決手段】
本発明はプラズマによるドライ洗浄により、薬液のヌレ性を確保し、かつ、回転式治具を使用することで泡かみなく銅ポストを製造することができる。
また、一度に銅ポストのレジストマスクを形成するのではなく、数回に分けてレジスト製版及び銅ポスト形成を繰り返すことで、高速でかつ精度の高い銅ポストの製造が可能となった。 （もっと読む）

【課題】平滑化剤化合物
【解決手段】第一拡散係数を有する第一レベリング剤および第二拡散係数を有する第二レベリング剤が含有されているレベリング剤の混合物を含有するメッキ浴が提供される。かかるメッキ浴は、電解質濃度の範囲に亘って実質的に平坦である金属層、特に銅層を堆積する。かかるメッキ浴を使用する金属層の堆積方法も開示される。これらの浴および方法は、電子デバイスをはじめとする小さいアパーチャーを有する基体上に、銅の平坦な層を提供するために有用である。 （もっと読む）

めっき対象面全面に、より均一な膜厚のめっきを施すことができるカップ式めっき装置を提供する。めっき槽の開口端に設けられためっき対象物の載置部と、めっき槽内にめっき液を供給する手段と、めっき槽に形成されためっき液の流出口とを備えていると共に、当該流出口から流出しためっき液が流入する空洞部と、空洞部内のめっき液の放出口と、当該放出口から排出されためっき液の回収槽とを備えており、めっき槽内にめっき液を供給しながらめっき対象物にめっき処理を行うカップ式のめっき装置において、放出口の形状および／または開口面積を変更可能にした。空洞部の下流側に形成される放出口の形状および／または開口面積を調節できれば、これを調節することで、めっき対象面におけるめっきムラやめっきのバラツキの発生を抑制できる。
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【課題】めっき膜に取り込まれる不純物を低減させて、凹部内の配線における欠陥を減少させることが可能な半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】まず、表面にビアホール１ａ及び配線溝１ｂを有するウェハＷをめっき液に浸漬させ、かつウェハＷとアノード１１との間に電圧を印加して、ウェハＷ上にめっき膜４を形成する。めっき膜４を形成した後に、電圧を印加した状態でウェハＷをめっき液から取り出す。そして、シード膜３及びめっき膜４に熱処理を施し、結晶を成長させて、配線膜５を形成する。最後に、ビアホール１ａ及び配線溝１ｂに埋め込まれた部分以外の配線膜５等を除去し、配線５ａを形成する。 （もっと読む）