【課題】 フェースダウン方式の噴流めっき装置において、操作性を損なうことなく、ブラックフィルム等に起因する微小な固形異物による、めっき品質の低下を防止する。
【解決手段】 フェースダウン方式のめっき装置において、半導体ウェハ１と陽極電極５との間に、隔壁７が設けられており、陽極電極５と半導体ウェハ１とが隔壁７により隔離され、めっき処理槽１００が被めっき基板室と陽極電極室とに区分されている。 （もっと読む）

【課題】外部端子のメッキ層でのウイスカの生成を効果的に抑制でき、またコスト低減などの経済性及び量産性がある半導体チップのパッケージ装置及びその方法を提供する。
【解決手段】半導体チップパッケージ１１０の外部端子に導電性メッキ層を形成するためのメッキユニット１３０と、メッキ層を溶融させるためのものであり、メッキユニットと一列に配置されたリフローユニット１６０と、を備える半導体チップのパッケージ装置１００。 （もっと読む）

【課題】 従来の噴流式めっき装置において、めっき対象物の被めっき面と載置部内周面とで形成される微小角部におけるめっき液流動の滞留を解消するめっき処理装置を提供するものである。
【解決手段】 めっき槽の上部開口縁に、めっき槽内壁面より内側に突出するように設けられた環状載置台及び該環状載置台上部に配置されたシールパッキンを有する載置部と、めっき槽の底部に設けられた液供給管と、載置部の下方位置に設けられた液流出口とを備え、液供給管から上昇流で供給されるめっき液に、液流出口からめっき槽の外部へ流出させる流動を形成させ、めっき対象物の被めっき面全面にめっき液を接触させてめっき処理を行うめっき装置において、載置部には、めっき対象物の被めっき面と載置部内周面とで形成される微小角部に滞留するめっき液を外部に排出するための液排出孔が設けられているものであるめっき装置とした。 （もっと読む）

【課題】本発明は、部分めっき装置におけるスパージャー位置合わせ方法に関するものであり、上側スパージャーユニットと下側スパージャーユニットの位置合わせを簡単にできるようにした部分めっき装置を提供することを目的とするものである。
【解決手段】本発明は、上側スパージャーユニットと下側スパージャーユニットに取り外し可能な位置決めピン２２を設けることにより、上側スパージャー１と下側スパージャー２の位置合わせを簡単にしている。 （もっと読む）

【課題】 アスペクト比の大きいスルーホール内にメッキ法で導体部材を埋め込際に生じるボイドの発生を防止するものである。
【解決手段】 本発明は、基板を貫通する貫通孔（以下、スルーホールと称す）を有する第１の基板と基板表面に第１の基板に形成した貫通孔を、第２の基板表面に形成されたシード膜上に第１の基板を載置し、第２の電極をシード膜と対向するように配置しメッキ液中でメッキすることでスルーホール内に金属が埋め込むものである。 （もっと読む）

【課題】 初期の表面状態やめっきの進行等によって分極曲線が変わっても、常に一定の膜質のめっき膜を安定して形成することができるようにする。
【解決手段】 アノード１３４と、基板の表面に形成されめっきの際にカソードとなる導電層との間で三電極系を構成する参照電極１４０と、導電層のカソード電位を参照電極１４０の電位を基準として制御するポテンショスタット１４４を有する。 （もっと読む）

【課題】
本発明の目的は、深い穴や深い溝又はアスペクト比の高い穴や溝を有する被めっき物表面に新しいめっき液を供給し易くし、高速でめっきができるめっき装置及びその方法を提供することにある。
【解決手段】
本発明は、めっき槽と、該めっき槽に配設した陽極板と、該陽極板に対向して配設する被めっき物を保持する保持手段とを有するめっき装置において、前記めっき槽はめっき液を一方向に流すめっき液流路を形成する流路壁を有し、該流路壁は前記被めっき物のめっきしたい被めっき物表面に対応した開口部を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 比較的簡単な構成で、例えアスペクト比が高く、深さが深いビアホール等にあっても、内部にボイドを発生させることなく、金属膜を確実に埋込むことができるようにする。
【解決手段】 めっき液１８８を保持するめっき槽１８６と、基板Ｗを保持して該基板に通電し、基板の被めっき面をめっき槽内のめっき液に接触させるホルダ１６０と、めっき槽内のめっき液に浸漬させて配置されるアノード２１４と、アノードとホルダで保持した基板との間に配置され、めっき槽内のめっき液を攪拌するめっき液攪拌部２２０，２２４と、基板とアノードとの間に電圧を周期的に印加するめっき電源２３０を有し、基板とアノードとの間に電圧が印加されていない時にめっき液攪拌部によるめっき液の攪拌を行い、基板とアノードとの間に電圧が印加されている時にめっき液攪拌部によるめっき液の攪拌を停止する。 （もっと読む）

【課題】被処理基板内の半導体チップを無駄にすることなく、被処理基板の面内において均一なメッキ層を形成することができる電解メッキ装置および電解メッキ方法を提供する。
【解決手段】電解メッキ装置は、被処理基板１０の被メッキ面を浸すメッキ液５を収容する収容槽６と、被処理基板１０に含まれる複数の単位素子を区画するスクライブラインに接触するカソード電極４ａを備える給電手段４と、カソード電極４ａとの間で電圧が印加されるアノード電極７とを有する。 （もっと読む）

【課題】 低毒性で、シアン系金メッキ液に匹敵する性能を持つ、ヨウ化金錯イオン及び非水溶媒を含有する金メッキ液を用いて、バンプ面内の高さのバラツキや、ウエハ面内のバンプ高さのバラツキ、並びにバンプ表面ラフネスを共に減少させて接続信頼性が高く、かつ、レジストクラックによる電極間ショートの発生もない金バンプ形成を実現する。
【解決手段】 ヨウ化金錯イオン及び非水溶媒を含有する金メッキ液を用い、正電流のみ或いは正負電流のパルス波のメッキ電流を適切なパルス電流波形で印加してフォトレジスト６に形成された開口部６ａに金メッキを施すことで金バンプを形成する。 （もっと読む）

【課題】 基板に形成された微細な配線用の溝等の微細窪みに銅または銅合金等を隙間なく均一にめっきするプロセスにおける、ボトムアップ成膜（トレンチやビア底からの優先成長）の弊害である、めっき膜の異常盛り上がり現象（オーバープレート）を抑える基板のめっき方法および装置を提供する。
【解決手段】 基板Ｗ上の微細窪みに金属を充填する基板のめっき方法であって、めっき促進剤を添加しためっき液中で第一のめっき処理を行った後、被めっき表面に付着しためっき促進剤を除去または低減させる除去剤を被めっき表面に接触させるめっき促進剤除去処理を行い、さらに第二のめっき処理を行う。 （もっと読む）

直径の小さなビアと直径の大きなトレンチ２０５を含む誘電層に金属をメッキする新しい方法で、例えば誘電層２０３の少なくとも非パターン領域におけるメッキ槽においてレベラーの量を低減することによって表面粗度が生成され、後続の化学機械研磨（ＣＭＰ）における材料除去の均一性を向上させる。
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【課題】 プリント基板の製造プロセスを簡略化およびその製造コストの低減を可能とする技術を提供すること。
【解決手段】 プラスチックの基板６１１の上に、めっきシードとしての触媒金属を含有する有機または無機金属化合物を含む溶剤を塗布・乾燥させて金属化合物膜６１２を形成し、その所望領域に電子線などのエネルギ線６１３を照射して触媒金属を析出させる。当該照射領域への局所的なエネルギ線照射によりその照射領域のみで金属触媒析出の化学反応が生じ、触媒金属が局所的に析出してパターニングされた金属触媒膜６１４を得ることができる。また、エネルギ照射された基板６１１は、表面の溶融により触媒金属を極浅領域に取り込んだり、表面のアブレーションにより触媒金属と基板表面の接触面積が実効的に広くなったり、あるいは化学的改質により基板と触媒金属との結合状態が強固なものとなるので、固着程度が高まり金属触媒膜の剥離が生じ難くなる。 （もっと読む）

サブミクロン径の内部配線凹凸を有する半導体集積回路基板上をＣｕを電気メッキするための組成物と電気メッキする方法が提供される。この組成物はＣｕイオンとポリエーテル基を含む抑制剤からなる。この方法は、超充填速度で迅速なボトムアップ沈積をする超充填方法に関し、これにより垂直な方向での凹凸の底から凹凸の上部開口までＣｕ沈積が側面のＣｕ沈積よりも実質的に大となる。 （もっと読む）

【課題】 例えデザインルールが厳しくなっても、十分な密着性を有する配線材料を電解めっきによって基板の全面に均一に形成して、信頼性の高い埋込み配線を形成できるようにする。
【解決手段】 絶縁膜内に配線用凹部を形成した基板表面に、配線材料成膜用の電解めっき液に対して不溶性の導電膜を形成し、前記導電膜をシード膜として、電解めっき法により該導電膜の表面に配線材料を前記配線用凹部内に埋込みつつ成膜し、前記導電膜の表面に成膜した余剰の配線材料を除去して前記配線用凹部内に埋込んだ配線材料で配線を形成する。 （もっと読む）

【課題】 大口径の半導体基板に対して、シードＣｕ膜が薄くても面内の膜厚均一性良く電解めっき成長を行うことができるめっき装置、めっき方法を提供する。
【解決手段】 めっき槽１１０内にはアノード電極１０４が、基板保持機構１０７には第１のカソード電極１０９と第２のカソード電極が設けられている。Ｃｕシード層（図示せず）とアノード電極１０４間に電流を流してめっき成長を行う際に、半導体基板の中心付近に接する第２のカソード電極からも電流を流す。これによって、Ｃｕシード層が６０ｎｍ以下の非常に薄膜になった場合においても、半導体基板の中心付近で得られるめっきＣｕ膜厚が薄くなることを防止できる。 （もっと読む）

【課題】貫通孔へのメッキ埋め込み方法及びメッキ装置において、メッキ埋め込み工程の前後に別プロセスを必要とせずに直接貫通孔に金属を埋め込み、また、埋め込み金属中にボイドの発生のない信頼性の高い貫通電極をより高速に形成することを可能とする。
【解決手段】貫通孔３を有する絶縁材料からなる基板１又は表面が絶縁された基板１にメッキを施して貫通孔３の内部に金属４を埋め込むメッキ埋め込み方法であって、第１工程では基板１の表面に金属薄膜２を形成し、第２工程では基板１の面Ａ側の電流密度と面Ｂ側の電流密度を異ならせて金属薄膜２にメッキを施し電流密度の高い側の面Ａの貫通孔３の開口部をメッキ金属４で塞ぎ、第３工程ではメッキ抑制剤及び又はメッキ促進剤を含むメッキ液を用いるとともに基板１の面Ａ側の電流密度と面Ｂ側の電流密度の高低を第２工程とは逆に設定してメッキを施し貫通孔３にメッキ金属４を埋め込む。 （もっと読む）

本発明は、めっき膜中でのＡｇ濃度を調整したＳｎ−Ａｇ系はんだ合金めっき膜をリフローすることにより得られるボイドの発生が抑制された鉛フリーバンプおよびその形成方法に関する。本発明の鉛フィリーバンプは、Ｓｎ−Ａｇの共晶形成濃度より低いＡｇ含量のＳｎ−Ａｇ系合金膜をめっきにより形成し、当該合金めっき膜をリフローすることにより得られる。
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金属層は、触媒により活性化された下地材料の表面領域上に、めっきプロセスによって形成されうる。この触媒はＣＶＤ、ＰＶＤまたはＡＬＤによって堆積されるかまたは下地材料を堆積する際に少なくとも部分的に取り込まれる。このようにして、メタライゼーション構造の高アスペクト比のビアに優れた金属シード層を形成することができる。
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とりわけ均一で光沢があり、即ち、平滑で延性もある著しく光沢のある銅皮膜を再現可能に製造するため、添加物としてフェナジニウム化合物オリゴマーの混合物を含有する銅めっき浴が用いられる。当該混合物は、請求の範囲及び明細書に述べられた一般化学式［化１］及び［化２］を有する２つの単量体ユニットを含有する化合物と３つの単量体ユニットを含有する化合物並びに別のフェナジニウム化合物オリゴマーから成る群から選択された少なくとも一種のフェナジニウム化合物を含む。
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