【課題】不均一な膜厚のパッシベーション膜に起因して生じる金めっきの段差を抑制して平坦な金皮膜の金バンプ又は金配線を形成できる金バンプ又は金配線の形成方法を提供する。
【解決手段】非シアン系電解金めっき浴又はシアン系電解金めっき浴を用いてパターンニングされたウエハ上に電解金めっきを行う金バンプ又は金配線の形成方法であって、ウエハ上への電解金めっきが、０．１Ａ／ｄｍ²以下の電流密度で電解金めっきを少なくとも１回行う工程１と、０．３〜１．２Ａ／ｄｍ²の電流密度で電解金めっきを少なくとも１回行う工程２とからなり、工程１の合計めっき厚が０．１〜５μｍで、工程１と工程２の合計めっき厚が所望のめっき厚となるようにウエハ上に金めっきを行う。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、微細な構造であっても溝や穴に電解銅メッキによって銅を良好に埋め込むことができる電解銅メッキ用添加剤、該添加剤を必須の有効成分として含有する電解銅メッキ浴、及び該電解銅メッキ浴を用いた電解銅メッキ方法を提供することにある。
【解決手段】本発明の電解銅メッキ用添加剤は、下記一般式（１）で表わされる化合物からなることを特徴とする：


（式中、Ｒ^１及びＲ^２は、炭素数１〜１８のアルキル基を表し、ｎは、２０〜３００を表す） （もっと読む）

【課題】 マスク材開口部のめっき時の拡がりを抑制し、設計寸法と大差ない寸法のバンプや配線を形成できる非シアン系電解金めっき浴を提供する。
【解決手段】 金源としての亜硫酸金アルカリ塩または亜硫酸金アンモニウムと、スタビライザとしての水溶性アミンと、結晶調整剤と、伝導塩としての亜硫酸塩および硫酸塩と、緩衝剤と、ポリアルキレングリコール及び／または両性界面活性剤とを含有するバンプ形成用非シアン系電解金めっき浴。ポリアルキレングリコールの配合量は0.1mg〜10g/Lが好ましく、両性界面活性剤の配合量は0.1mg〜1g/Lとすることが好ましい。両性界面活性剤としては、カルボキシベタイン系を好ましく使用できる。 （もっと読む）

【課題】絶縁層に形成された高アスペクト比の溝やビア孔に電気銅メッキを行うとき、メッキ層中でのボイド（空孔）発生が抑制された配線層やビアの形成を可能とする。
【解決手段】溝やビア孔の底面部に、電気メッキを促進する添加剤を含む膜を選択的に形成してから、電気銅メッキを行う。この底面部のメッキ促進添加剤含有膜は、メッキ促進添加剤を含む溶液に、メッキ形成用の開口基板を浸漬しつつ脱気して開口部内の気泡を除去した後、スピン・リンス法と乾燥処理を行って形成する。 （もっと読む）

【課題】化学的機械的研磨（ＣＭＰ）を用いずに半導体ウエーハ表面を電気研磨する装置および方法、および電気めっきする装置、方法を提供する。
【解決手段】電気研磨の場合、ａ）ウェーハ上の金属薄膜の所望の厚さを決定すること、ｂ）ウェーハ上の金属薄膜の一部分を除去すること、ｃ）金属薄膜の厚さを反射率によって測定すること、ｄ）金属薄膜の厚さが所望の厚さよりも大きい場合に、所望の厚さが測定されるまで、ｂ）、ｃ）、ｄ）を繰り返す。 （もっと読む）

【課題】本発明は、特に集積回路の配線の製造において銅拡散防止層をコーティングするための、電気めっき用組成物に関する。
【解決手段】
本発明によれば、本組成物は、溶媒中の溶液に、０．４〜４０ｍＭの濃度の銅イオン源と；１級脂肪族アミン、２級脂肪族アミン、３級脂肪族アミン、芳香族アミン、窒素複素環化合物およびオキシムからなる群から選択される少なくとも１種の銅錯化剤とを含み；
銅／錯化剤のモル比は０．１〜２．５、好ましくは０．３〜１．３であり；かつ、
上記組成物のｐＨが７未満、好ましくは３．５〜６．５であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】電気めっきによって基材表面を金属でコーティングする方法の提供。
【解決手段】電気めっき法によって基材表面を銅でコーティングする方法であって、コーティング対象の前記表面に電気的なバイアスをかけることなく、この表面を電気めっき用浴に接触させる工程；前記表面にバイアスをかけている間に、被膜を形成する工程；前記表面に電気的なバイアスをかけながら、前記表面を電気めっき用浴と分離する工程を含み、前記電気めっき用浴は、溶媒中の溶液に、０．４〜４０ｍＭの濃度の銅イオン源；ならびに少なくとも１種の銅錯化剤を含むことを特徴とする方法。 （もっと読む）

【課題】特に大面積で、表面に薄く電気抵抗が大きな導電層が形成された基板であっても、この表面に、膜厚の面内均一性の高いめっき膜を形成できるようにする。
【解決手段】基板Ｗを保持する基板保持部と、基板Ｗと接触して基板の表面に通電させる第１の電極８８と、基板保持部で保持した基板Ｗの表面に対面する位置に配置される第２の電極９８と、基板保持部で保持した基板Ｗと第２の電極９８との間に配置される圧力損失が５００ｋＰａ以上または見掛気孔率が１９％以下の多孔質構造体１１０と、基板保持部で保持した基板Ｗと第２の電極９８との間に電解液を注入する電解液注入部１０４と、第１の電極８８と第２の電極９８との間に電圧を印加する電源１１４を有する。 （もっと読む）

【課題】金属堆積物に対する腐食及びはんだ付け性の問題を解決することを試みる方法があるが、腐食を抑制し、はんだ付け性を改善するための改善された方法が依然として必要とされている。
【解決手段】方法及び物品が開示される。方法は、基体上にニッケルデュプレックス層を堆積させ、基体の腐食を抑制し、且つはんだ付け性を改善するためにことを対象とする。該基体は金または金合金仕上げを有する。 （もっと読む）

【課題】高温に曝される状況下であっても、下地めっき層に含まれる成分（たとえばニッケル）が、表面めっき層に拡散するのを効果的に抑制し、表面めっき層と導電性接続材との接続安定性および信頼性を向上させ、またリペア性を向上させる
【解決手段】絶縁部材３０に形成された配線層３１，３２の所定部分に、下地めっき層３５，３６および表面めっき層３７，３８が積層形成された配線付き絶縁部材３において、下地めっき層３５，３６における表面めっき層３７，３８と接する表層部の全体３５Ｂ，３６Ｂを、ニッケルと、コバルトおよび鉄のうちの少なくとも一方とを含んだ固溶体を有するものとした。 （もっと読む）

【課題】 開口部が垂直な構造で、かつ膜厚が10μm以上となっても、再配線、引出導体のカバレッジ性および信頼性を向上させるとともに、垂直な開口を形成することによって開口部分のパターンの精度を向上させる。
【解決手段】 回路素子か形成された半導体基板上に絶縁層を介してインダクタを形成し、半導体基板内の回路素子とインダクタを接続する導体パターンを形成する複合電子部品の製造方法において、絶縁層の一部に凹部を形成して回路素子に接続された導体パターンを引き出し、その凹部に薄膜導体による下地電極層を形成し、その下地電極層上に電解めっきによって厚膜導体を形成してインダクタと接続する。 （もっと読む）

【課題】めっき液の使用量を極力少なく抑えつつ、めっき液の各成分の濃度を長時間に亘って一定に保って、基板の表面により均一な膜厚のめっき膜を安定して形成できるようにする。
【解決手段】カソードとした基板Ｗの表面と不溶解性アノード９８との間にめっき液を満たして該表面に電解めっきを行うめっきセル１２と、めっき液をめっきセル１２に供給し回収して循環させるめっき液循環系１３６と、めっき液に含まれる成分をめっき液よりも高い濃度で含む補給液を、めっき液循環系１３６内を循環するめっき液に補給してめっき液の成分の濃度を一定範囲内に維持するめっき液成分補給系１３８を有する。 （もっと読む）

【課題】 めっき法にてバンプ電極（突起電極）を形成する際に、バンプ電極の表面に望ましくない凸部が形成されてしまうことを防ぐ。
【解決手段】 めっき処理開始時からの所定時間は、所定電流値の交流電流を印加することにより、下地の金属膜を所定量エッチングし、下地の金属膜の表面の凸部を除去する。続いて、その交流電流の電流波形のうち、バンプ電極となる金属膜を成長させる極性成分のみが所定量上昇した波形を有する交流電流を所定時間印加することによって金属膜を成長させ、バンプ電極を形成する。 （もっと読む）

【課題】半導体ウェーハなどに金属フィルムをメッキする場合、メッキ電流の拡散や、流体分布の不均一によって、不均一な電着を生じる問題を解決するために、電界分布や流体フローを制御する方法および装置を提供する。
【解決手段】ワークピースを保持するワークピースホルダの隣に、不均一な振動をしながらワークピースの表面に対して平行に移動し、流体を攪拌する部材２０４’を設置する。さらに、ワークピースの表面に向かう電界の一部を遮断する非導電材料からなるプレートを配置する。 （もっと読む）

【課題】浴の均一電着性に著しい影響を及ぼさず、平坦な銅堆積物を提供する、レベリング剤の提供。
【解決手段】窒素、硫黄および窒素と硫黄の混合から選択されるヘテロ原子を含む化合物の、エーテル結合を含有するポリエポキシド化合物との反応生成物であるレベリング剤を含有する銅メッキ浴であって、電子デバイスの表面上およびかかる基体上の開口部中に銅を堆積させる銅メッキ浴が提供される。かかるメッキ浴は、電解質濃度の範囲全体にわたって実質的に平面的な基体表面上に銅層を堆積させる。このような銅メッキ浴を用いて銅層を堆積させる方法も開示される。 （もっと読む）

【課題】 本発明の目的は、リソグラフィー技術の限界を破ることのできる、微細な細線構造を備えた集積回路装置、特に集積記憶装置の製造方法を提供することにある。
【解決手段】 基板上に、絶縁体で分離された複数の素子を、第一の方向において５０ｎｍ以下のピッチで配置し、第二の方向では前記ピッチの１．２倍以上かつ２倍以下のピッチで配置し、前記複数の素子が接続する下配線を用いて複数の素子に電位を付与して、素子表面に電解メッキ法により金属ドットを成長させて、第二の方向に並ぶ複数の素子に接続する金属配線を形成する工程を備えることを特徴とする集積回路装置の製造方法。 （もっと読む）

【課題】半導体ウエハにめっきを施す装置、特に、半導体ウエハの被めっき基板にバンプを形成するためのめっき装置に関し、めっき液が効率良く排出され、逆流を防ぐことによって、めっきの均一性を向上させる半導体ウエハのめっき装置を提供する。
【解決手段】上部にウエハ搭載部を有するめっきカップと、前記ウエハ搭載部の上部に設けたウエハ押さえと、前記ウエハ押さえと対向な位置にあり前記ウエハ押さえ側にノズルが突き出して配置されたノズル板と、めっき液を貯留するめっきタンクと、前記めっきカップと前記めっきタンクとの間に設けためっき液循環手段と、前記ウエハ搭載部と前記ノズル板との間に配置された多孔質吸水材とを具備し、前記めっき液は、多孔質吸水材を通過して排出される構造とした。 （もっと読む）

【課題】Ｃｕ配線形成時のボイドの発生を抑制し、バリアメタル層とＣｕ層の密着性低下を抑制できる半導体装置の製造方法とこの方法で製造された半導体装置を提供する。
【解決手段】基板１０に配線を形成する半導体装置の製造方法であって、まず、基板１０にＴａ系バリアメタル材料とＣｕ及び／またはＡｇとの合金からなるバリアメタル層１６を形成する。次に、バリアメタル層１６の上層にバリアメタル層１６を電極とする電解メッキによりＣｕを含む金属層１７を形成し、バリアメタル層１６及び金属層１７を配線パターンに加工する。 （もっと読む）

【課題】ＣＭＰプロセスのやりやすいめっき膜を形成して、次工程のＣＭＰプロセスでの負担を軽減できるようにしためっき装置及びめっき方法を提供する。
【解決手段】基板Ｗを保持する基板保持部３６と、基板保持部３６で保持した基板Ｗと接触して通電させるカソード電極８８を備えたカソード部と、基板Ｗの表面に対向する位置に配置されるアノード９８と、基板保持部３６で保持した基板Ｗとアノード９８と間に基板Ｗと接離する方向に移動自在に配置され、該移動方向に沿って直線状に貫通して延びる貫通孔１１２ａを有する接触材１１２を有する。 （もっと読む）

被加工物の電気処理のためのコンタクト・アセンブリおよびコンタクト・アセンブリを備える装置が、本明細書において開示される。コンタクト・アセンブリは、支持部材および支持部材に組み合わせられたコンタクト部材を含んでいる。支持部材が、被加工物を受け入れるように構成された開口を定める内壁を備えている。コンタクト部材が、支持部材に接続される取り付け部、および取り付け部から突き出している複数のコンタクトを備えている。個々のコンタクトが、被加工物の心出しのために内向きかつ下方に突き出している片持ちセグメント、および心出しされた被加工物との電気的接触をもたらすために内向きかつ上方に突き出している先端セグメントを備えている。 （もっと読む）