【課題】 ボイド(void)およびシーム(seam)の発生を防止することができる自己組織化単分子膜形成方法、ならびに半導体素子の銅配線およびその形成方法を提供する。
【解決手段】 半導体素子の銅配線形成方法は、半導体基板の上に配線形成領域を有する層間絶縁膜を形成する工程と、前記配線形成領域表面を含む層間絶縁膜上に自己組織化単分子膜(Self Assembled Monolayer)を形成する工程と、前記自己組織化単分子膜の表面に触媒粒子を吸着させる工程と、前記触媒粒子が吸着された自己組織化単分子膜上に無電解メッキ法で銅シード膜を形成する工程と、前記銅シード膜上に前記配線形成領域を埋め立てるように銅膜を形成する工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】 基板への装填に際してリードフレームの曲げ加工が必須の半導体ＩＣにおいて、基板に対する接合強度を高める。
【解決手段】 半導体ＩＣのリードフレームにスズ皮膜をメッキで形成し、リードフレームを曲げ加工し、当該スズ皮膜を介してＩＣを回路基板に装着するＩＣの装填方法において、リードフレームにアニール処理を施さず、且つ、スズ皮膜に代えて、スズと、ビスマス、銀、インジウムよりなる成長抑制金属とのスズ合金皮膜をリードフレームにメッキ形成するＩＣの装填方法である。アニールの省略でＣｕ₃Ｓｎ層の形成を回避して曲げ加工時のクラックの発生を防止し、また、所定の添加金属の作用でアニールなしでも室温放置でメッキ皮膜への銅の拡散によるボイドを発生させず、接合強度を高く保持できる。 （もっと読む）

【課題】一つの半導体基板に形成された複数品種の半導体素子に対し、それぞれの品種に対応したメッキ処理を施すこと。
【解決手段】複数の品種に対応して複数の半導体素子形成領域が画定された半導体基板上に、前記複数の半導体素子形成領域に対応し且つ相互に独立したメッキ処理治具を当接し、前記複数の半導体素子形成領域のそれぞれに対して独立にメッキ処理を施す。 （もっと読む）

【課題】半導体ウェーハの堆積および平坦化に関し、特に、局所堆積を使用して薄膜をより効果的に堆積させると共に、局所平坦化を可能にする装置および手法を提供する。
【解決手段】ウェーハ１０４の表面に金属層１０８を堆積させる電気メッキ装置１００が提供される。一例においては、陽極として帯電可能な近接ヘッド１０２を、ウェーハ１０４の表面に極めて近接して配置する。メッキ流体１１６を、前記ウェーハ１０４と前記近接ヘッド１０２との間に提供し、局所金属メッキ１０８を形成する。 （もっと読む）

銅イオン源と、式Ｉの化合物から選ばれる少なくとも一種の抑制剤とを含む、空隙サイズが３０ナノメーター以下であるサブミクロンサイズの窪みを充填するための組成物。
【化１】


［式中、
−Ｒ¹基は、それぞれ独立して、エチレンオキシドと少なくとも一種の他のＣ３〜Ｃ４アルキレンオキシドのコポリマーであって、ランダムコポリマーであるものから選ばれ、−Ｒ²基は、それぞれ独立して、Ｒ¹またはアルキルから選ばれ、−ＸとＹは独立して、また各繰返単位のＸが独立して、Ｃ１〜Ｃ６アルキレン及びＺ−（Ｏ−Ｚ）_m（但し、Ｚ基はそれぞれ独立してＣ２〜Ｃ６アルキレンから選ばれる。）から選ばれるスペーサー基であり、−ｎは０以上の整数であり、−ｍは１以上の整数である。］ （もっと読む）

【課題】半導体ウェーハの堆積および平坦化に関し、特に、局所堆積を使用して薄膜をより効果的に堆積させると共に、局所平坦化を可能にする装置および手法を提供する。
【解決手段】陽極として帯電可能な近接ヘッド１０２を、ウェーハ１０４の表面に極めて近接して配置する。メッキ流体を、前記ウェーハと前記近接ヘッドとの間に提供し、局所金属メッキを形成する。近接ヘッドが方向１２０でウェーハ全体を進む際に、シード層１０６上に堆積層１０８が形成される。堆積層は、近接ヘッドとシード層との間に定められたメニスカス１１６に含有される電解質１１０によって促進される電気化学反応を介して形成される。 （もっと読む）

【解決課題】 集積回路用のサブミクロン相互接続構造を製作する方法を提供する。
【解決手段】 添加剤を含み、平坦で光沢があり延性があり低応力のＣｕ金属を付着させるのに通常用いられる浴からＣｕを電気めっきすることによって、ボイドのないシームレスな導体が得られる。ボイドまたはシームを残すことなくフィーチャを超充填できるこの方法の能力は独特であり、他の付着方法より優れている。この方法で電気めっきされたＣｕを利用する構造のエレクトロマイグレーションの抵抗は、ＡｌＣｕ構造または電気めっき以外の方法で付着されたＣｕを用いて製作された構造のエレクトロマイグレーションの抵抗より優れている。 （もっと読む）

【課題】めっき液の管理が容易であって、かつＳｎ合金のめっき液へのＳｎ成分の補給を簡便な方法により低コストで行う。
【解決手段】めっき槽１内に貯留したＳｎ合金のめっき液に被処理基板Ｓを接触させた状態とし、被処理基板Ｓと電極１４との間に通電して被処理基板ＳにＳｎ合金のめっき膜を形成するめっき装置において、めっき槽１との間で循環されるめっき液を貯留するタンク２３と、タンク２３内のめっき液をポンプ２５で圧送しながらめっき槽１に供給するめっき液供給手段４とを有するとともに、めっき液供給手段４のポンプ２５よりも下流位置に、流通するめっき液内に酸化第一錫の粉末を供給する補給手段６を設けた。 （もっと読む）

【課題】金属凸部を有するポリマー材料の製造方法を提供する
【解決手段】ポリマー基板上に１個又は２個以上の金属凸部を有するポリマー材料の製造方法であって、下記工程（１）〜（５）：
（１）ポリマー基板上の紫外線硬化型組成物により形成されたアクリル樹脂層表面をプラズマ処理する工程、
（２）プラズマ処理を行った該アクリル樹脂層表面に、無電解めっき法により金属皮膜を形成する工程、
（３）リソグラフィ処理により、１個又は２個以上の開口部を金属皮膜上に有するめっき用レジスト皮膜を形成する工程、
（４）電解めっき処理により、めっき用レジスト皮膜の開口部の金属皮膜上に金属を析出させる工程、及び
（５）めっき用レジスト皮膜を除去する工程
を含むポリマー材料の製造方法 （もっと読む）

【課題】純水等の前処理液を微生物の発生防止のために頻繁に交換することなく、前処理液中の微生物発生を抑制して、めっき欠けやめっき未着等のない良好なめっきを行うことができるようにする。
【解決手段】被めっき物の表面に前処理液による前処理を行った後、めっきを行うめっき装置であって、前処理液中の溶存気体を脱気する脱気装置２８ａと、前処理液中の微生物の発生を抑える微生物処理装置３０ａとを有する。 （もっと読む）

【課題】アノードの全体に均一に通電することができ、アノードを均一に溶解させることができ、アノードを安定して保持することができるアノードホルダ用通電部材およびアノードホルダを提供する。
【解決手段】めっき槽内に基板とアノードを対向させて縦型に配置するめっき装置に用いられ、アノード５に給電するためのアノードホルダ用通電部材１において、アノード５の裏面の略全面に接触可能な円板状の導電性材料からなる接触部材２と、接触部材２とめっき装置の給電部とを接続する導電性材料からなる接続部材３とを備え、接続部材３は、接触部材２がアノード５と接触する面の裏面の中心部から延びている。 （もっと読む）

シリコン基板内のビア内に高純度の銅を電着し、スルーシリコンビア（ＴＳＶ）を形成するプロセスである。本プロセスは、電解銅めっきシステム内の電解槽内にシリコン基板を浸漬するステップと、高純度の銅を電着してＴＳＶを形成するのに十分な時間の間、電圧を印加するステップとを含み、電解槽が酸、銅イオンの発生源、第一鉄イオン及び／又は第二鉄イオンの発生源、及び析出した銅の物理−機械的特性を制御するための少なくとも１つの添加剤とを含み、銅金属の発生源からの銅イオンを溶解することによって電着されることになる付加的な銅イオンを提供するために、前記槽内でＦｅ^２＋／Ｆｅ^３＋レドックス系が、確立される。 （もっと読む）

【課題】半導体基板の一方の面側にめっき処理をおこなう際に、めっき液の汚染を防ぎ、他方の面側に不均一なめっき層が析出するのを防ぎながら、一方の面側に低いコストで安定しためっき層を形成する。
【解決手段】半導体基板に上の一方の面に電極を形成し、他方の面に電極を形成し、他方の面の電極上に硬化型樹脂を塗布し、硬化型樹脂上にフィルムを貼り付けて硬化型樹脂を硬化させる。そのあと一方の面の電極上にめっき処理行い、めっき処理後、フィルムを硬化型樹脂とともに剥離する。 （もっと読む）

【課題】鉛を含まないスズ合金電気めっき組成物および方法を提供する。
【解決手段】基体上にスズ合金を堆積するための電解質組成物が開示される。電解質組成物はスズイオン、一種以上の合金形成金属のイオン、フラボン化合物およびジヒドロキシビス−スルフィドを含む。電解質組成物は鉛およびシアン化物を含まない。基体上にスズ合金を堆積する方法および半導体素子上に相互接続バンプを形成する方法も開示される。 （もっと読む）

【課題】装置内のコンタクト領域の汚染を抑制することを目的として、方法、装置、および、装置のさまざまな構成要素、例えば、ベースプレート、端縁シール、およびコンタクトリングアセンブリを提供する。
【解決手段】汚染が発生し得る状況として、電気メッキプロセス後に装置から半導体ウェハを取り出す時が挙げられる。特定の実施形態によると、疎水性コーティング、例えばポリアミドイミド（ＰＡＩ）コーティング、および、時にポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）コーティング７１２が設けられるベースプレートを用いる。また、コンタクトリングアセンブリのコンタクト端部は、端縁シールのシール端縁からの距離を大きくして配置されるとしてよい。特定の実施形態によると、コンタクトリングアセンブリの一部および／または端縁シールにも同様に、疎水性コーティングを設ける。 （もっと読む）

【課題】めっき膜の膜厚によらず、めっき膜の膜厚分布の均一性を向上する。
【解決手段】半導体装置製造装置は、基板保持部８と、給電部３と、アノード６と、複数の誘電体１３とを具備する。基板保持部８は、カソード５有する基板２０を保持可能である。給電部３は、カソード５の周辺部に電力を供給する。アノード６は、カソード５と対向する位置に設けられている。複数の誘電体１３は、カソード５とアノード６との間に設けられている。複数の誘電体１３は、カソード５表面に平行な平面に複数の誘電体１３を射影したとき、射影のパターンが平面内で略均一であり、射影の面積が可変であるように構成されている。 （もっと読む）

【課題】めっき時の基体の反りを抑制し基体の汚れを有効に除去するめっき装置およびめっき方法を提供する。
【解決手段】本発明のめっき装置は、めっき層を形成すべき基体を保持する保持板１２と、前記基体１０にめっき液２２を供給するめっき液供給部５０と、前記基体１０のめっきを行う第１の面３６に対向する第２の面３８を、前記めっき液２２よりも高い温度に加熱する加熱手段１８とを具備し、前記基体の表面にめっき層を形成する。 （もっと読む）

【課題】コンタクトピンと電極板との間の通電不良を防ぐことができるめっき装置を提供する。
【解決手段】めっき装置は、通電可能な凹状電極板２００と、上下可動に支持され、凹状電極板２００と通電するコンタクトピン１９０と、コンタクトピン１９０が下に移動して挿通する上面開口を有し、凹状電極板２００の上に形成された、液体を溜める凹部とを備える。 （もっと読む）

【課題】半導体集積回路デバイス基板におけるビア構造をメタライズするための方法を提供する。
【解決手段】半導体集積回路デバイス基板は、前面、背面、ビア構造を備え、ビア構造は、基板の前面に開口部、基板の前面を内向きに伸びる側壁部、および底部を備え、前記方法は以下からなる：
半導体集積回路デバイス基板に、（ａ）銅イオン源、および（ｂ）レベラー化合物からなる電解銅沈積組成物を接触させて、前記レベラー化合物はジピリジル化合物およびアルキル化剤の反応生成物からなり；
電流を電解銅沈積組成物に供給し銅金属をビア構造の底部および側壁部に沈積し、これによって銅充填ビア構造を得る。 （もっと読む）

【課題】めっき膜における膜厚の均一性を向上させることができるめっき装置およびめっき方法、ならびに配線不良を低減することができる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の一の態様によれば、基板Ｗの被めっき面Ｗ１が上向きとなるように基板Ｗを保持しつつ基板Ｗを回転させるホルダ３と、ホルダ３で保持された基板Ｗの周縁部Ｗ２に接触するカソード４と、ホルダ３で保持された基板Ｗの中央部Ｗ３に向けてめっき液Ｌを吐出し、かつアノードとしても機能するノズル６とを具備することを特徴とする、めっき装置１が提供される。 （もっと読む）