【課題】半導体の誘電性欠陥においてバックグラウンドめっきを抑制する方法を提供する。
【解決手段】導電母線および集電ラインのための導電パターンと、半導体の前面上の導電パターンの間のスペースを覆う誘電層とを有し、当該誘電層が１以上の欠陥を含有する半導体において、少なくとも誘電層を１種以上の酸化剤と接触させ、並びに、導電パターン上に金属層を選択的に堆積させる。 （もっと読む）

【課題】配線のエレクトロマイグレーション耐性を向上させる。
【解決手段】めっき法を用いてＣｕ配線２０を形成する際、まず第１の電流密度の条件で第１の平均粒径を有する第１の金属膜を形成し、次いで、第１の電流密度よりも高い第２の電流密度の条件で第１の平均粒径よりも大きい第２の平均粒径を有する第２の金属膜を形成する。その後、第１，第２の金属膜の上部に所定元素を導入し、導入後、第１，第２の金属膜上にキャップ膜を形成する。
【選択図】図５
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【課題】小径でアスペクト比の大きいビアホールであっても、ボイドの発生しない緻密な導電体を形成可能な電気めっき装置を提供する。
【解決手段】めっき液７を蓄えためっき槽８と、このめっき槽８中に浸漬され、主表面に被めっき体１を固定するとともに前記被めっき体１に形成した配線２と電気的に接続する給電リング１８を備えたカソード電極９と、このカソード電極９と対向して設けられ、めっき液７に通電するためのアノード電極１２と、貫通孔１７を有し前記アノード電極１２およびカソード電極９間に設けられた電流遮蔽板１１と、めっき槽８からの余剰なめっき液７を蓄えるためのリザーブ槽１５と、このリザーブ槽１５のめっき液７を底部から供給することで、めっき槽８中のめっき液７を対流させる対流ノズル１３を備えた電気めっき装置６であって、電流遮蔽板１１とカソード電極９間に、対流させためっき液７をさらに撹拌させる撹拌手段１０を設けた。 （もっと読む）

【課題】遮蔽板による電流遮蔽構造を簡易に調整・変更でき、めっき厚の均一化が図れる電解めっき装置及び電解めっき方法を提供する。
【解決手段】めっき液（１３）が充填されるめっき処理槽（１２）内に少なくとも一個以上のアノード（１４）が垂直に設けられ、電解めっき処理される導体部（１５）を有するテープ状製品（３）が、その面を垂直にして前記アノード（１４）に対向しつつ前記アノード（１４）に沿って搬送され、前記アノード（１４）と前記テープ状製品（３）との間に、開口を有する絶縁性の遮蔽板（２０）を設けた電解めっき装置において、前記遮蔽板（２０）は、主遮蔽板（１８）と、当該主遮蔽板（１８）の開口（１８ａ）を調整する従遮蔽板（１９）とを重ね合わせて構成されている。 （もっと読む）

【課題】本発明は、将来の設計および隙間を埋める必要性に対応するために拡張可能である、柔軟な構造で設計された電気化学堆積システムを供給し、および他の処理システムの要求に見合うための、十分な処理量を供給する。
【解決手段】電気化学堆積システムは、通常、メインフレーム・ウェーハ移送ロボットを有するメインフレームと、前記メインフレームに接するように配置されたローディング・ステーションと、前記メインフレームと接するように配置された一つ以上の処理セルと、および前記一つ以上の電気処理セルに流体で接続された電解液供給とを具備する。 （もっと読む）

【課題】ボイドの発生を抑止しつつ均一なめっき膜を形成するめっき装置及びめっき方法を提供する。
【解決手段】本発明による電気めっき装置は、ホルダ２０、めっき槽１０、電源７０、スイッチ回路２３とを具備する。ホルダ２０は、被めっき体４０を有する半導体ウエハ３０を保持する。めっき槽１０アノード電極５０を含むめっき液１００を保持する。電源７０は、被めっき体４０とアノード電極との間に定電圧を供給する。スイッチ回路２３は、電源７０に対して、被めっき体４０と並列に接続される。ホルダ２０は、スイッチ回路２３を介して電源７０に接続されるダミーカソード電極２２とを備える。ダミーカソード電極２２は、ホルダ２０がめっき液１００内に浸漬される際、被めっき体４０より先にめっき液１００に接触する位置に露出して設けられる。スイッチ回路２３は、ダミーカソード電極２２がめっき液１００に接した後に、電源７０とダミーカソード電極２２との接続を遮断する。 （もっと読む）

【課題】めっき膜の平坦性を保ちつつ、太幅配線におけるめっき膜の膜質を良好に保つ。
【解決手段】細幅凹部と太幅凹部とをめっき膜で埋設する際に、細幅配線をめっき膜で埋設する第１のめっき膜成長ステップ（Ｓ１０２）および太幅配線をめっき膜で埋設する第２のめっき膜成長ステップ（Ｓ１０８）を含み、Ｓ１０２の後、平坦化を促進するために逆バイアスステップで添加剤を除去する処理（Ｓ１０４）を行う場合、逆バイアスステップの後第２のめっき膜成長ステップの前に、第１のめっき膜成長ステップと同じ方向に、第２のめっき膜成長ステップよりも低い電流量で電流を流して、細幅凹部と太幅凹部上にめっき膜を成長させるスローステップ（Ｓ１０６）を挿入する。 （もっと読む）

【課題】絶縁体によるシリコンウエハの挟持力が大きくても、シリコンウエハが破損する虞のない電気めっき用陰極カートリッジを提供する。
【解決手段】一対の絶縁体２,３でシリコンウエハＷを挟持してめっき液に浸し、シリコンウエハＷの絶縁体開口４から露出する部分にめっきを形成する電気めっき用陰極カートリッジ１において、絶縁体３の合わせ面に絶縁体開口４を取り囲むようにしてリング状の凹部５を形成するとともに、凹部５内にリング部材６をその内外周にシール部材７を隣接させて収容配置し、リング部材６にピン部材１０を周方向に等間隔で複数個植設してある。ピン部材１０は、リング部材６の孔３４,３５に挿入されるハウジングと、ハウジングから先端を突出させてハウジング内に移動自在に収容されたピン本体と、ハウジング内に収容されてピン本体を付勢するスプリングとを備えている。 （もっと読む）

【課題】電着組成物、及び、該組成物を用いた半導体基板のコーティング方法の提供。
【解決手段】本発明は、電着組成物、特に、集積回路内の配線を形成するために、「貫通ビア」型構造の形成用の半導体基板を銅でコーティングするための電着組成物に関する。本発明によれば、該溶液は、１４〜１２０ｍＭの濃度の銅イオンと、エチレンジアミンとを含み、エチレンジアミンと銅とのモル比は１．８０〜２．０３であり、該電着溶液のｐＨは６．６〜７．５である。本発明はまた、銅シード層を堆積させるための上記電着溶液の使用、及び、本発明に係る電着溶液を用いた銅シード層の堆積方法に関する。 （もっと読む）

【課題】微細な凹凸パターンを有する被処理基板を電解メッキにより金属層で充填する電解メッキプロセスを含む半導体装置の製造方法の提供。
【解決手段】被処理基板を、銅塩を含む電解メッキ液に浸漬し、被処理基板上に銅層を成膜する第１の成膜工程と、電解メッキ液中にて、さらに銅層を成膜する第２の成膜工程と、を含み、第１の成膜工程は、被処理基板が前記電解メッキ液に浸漬されてから１０秒間以内の期間実行され、被処理基板は、ミリメートル（ｍｍ）で表した基板直径Ｄにｒｐｍで表した回転数Ｎを使ってＤ×Ｎ×πで定義した周速が６０００×πｍｍ／分以下となるような第１の回転数Ｎで回転され、被処理基板にメッキ電流が１０ｍＡ／ｃｍ²以下の第１の電流密度で供給され、第２の成膜工程では被処理基板は、第１の回転数よりも大きな第２の回転数で回転され、被処理基板にメッキ電流が第１の電流密度よりも大きな第２の電流密度で供給される。 （もっと読む）

【課題】簡単な手法の追加でウィスカの発生を抑制できるめっき基材の製造方法を得る。
【解決手段】母材１の表面にＰｂフリーのＳｎめっき層２を有するめっき基材３を製造するに際し、母材１の表面にＰｂフリーのＳｎめっき層２を形成した後、形成しためっき層２に冷間圧延処理を施す。冷間圧延によりめっき面での配向指数の偏りが平準化され、ウィスカの発生が抑制される。 （もっと読む）

【課題】基板表面へのめっき液の供給を増加できて高電流密度に対応でき、短時間で厚く均一なめっき膜厚が得られる電解めっき装置及び電解めっき方法を提供すること。
【解決手段】吸着プレート１０及びめっき槽本体５０からなるめっき槽と、めっき液中に浸漬されるアノード３０と、めっき液中に浸漬されアノード３０の面に対向した位置に設置される半導体基板Ｗと、半導体基板Ｗとアノード３０間に電流を供給する電源装置８０と、めっき槽にめっき液を供給するめっき配管６１−１，２，７３−１〜６とを具備する。半導体基板Ｗとアノード３０との間に半導体基板Ｗ側のめっき液とアノード３０側のめっき液とを分離する隔壁７０を設ける。めっき配管７３−１〜６によって隔壁７０と半導体基板Ｗとの間に半導体基板Ｗの表面と略平行方向のめっき液を通過させる。隔壁７０の半導体基板Ｗに対向する面に凹凸形状（Ｖ溝７１）を形成する。 （もっと読む）

【課題】めっき膜の膜特性を良好にする。
【解決手段】めっき方法は、カソードとアノードとの間に直流電流を流してカソード上にめっき膜を形成する工程（Ｓ１０）と、直流電流とともに、カソードとアノードとの間に交流成分を重畳させて、カソードとアノードとの間に流れる変位電流を検出する工程（Ｓ１２〜Ｓ１６）と、変位電流に基づき、めっき膜の表面積の変化を算出する工程（Ｓ１８およびＳ２０）と、めっき膜の表面積の変化に基づき、当該表面積に対する局所電流密度が変化しないように、直流電流の値を制御する工程（Ｓ２２およびＳ２４）とを含む。 （もっと読む）

【課題】膜欠陥の発生を抑制することができるめっき装置、めっき方法、および電子デバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】軸方向の一端に開口１０を有するめっき槽２と、めっき槽２の開口１０側に設けられ、被処理物Ｗを保持する保持手段４と、保持手段４と対向してめっき槽２内に設けられたアノード電極３と、めっき槽２内を、めっき液が貯められるとともに保持手段４により被処理物Ｗが保持される第１の領域１２ａと、第１の領域１２ａの周囲に同軸状に設けられ液体が貯められる第２の領域１２ｂと、に分離する分離体１２と、第２の領域１２ｂに貯められた液体と、前記分離体１２と、を介して第１の領域１２ａ内のめっき液に超音波振動を加える超音波振動手段９と、を備えたことを特徴とするめっき装置，該めっき装置を用いるめっき方法及び電子デバイスの製造方法。 （もっと読む）

【課題】半導体装置におけるナノスケールの微細構造物を用いた配線部分に金属をボイドなく埋め込み、電気的な不良を抑制して半導体装置の歩留りを向上させる。
【解決手段】半導体基板上に形成された絶縁膜に設けられたヴィアホール又はトレンチに金属めっき膜を埋め込む工程において、まず、最初のめっき液の容積、補充しためっき液量、処理したウェーハ枚数、流した電流値及び排出しためっき液量の各データを収集する。次いで、取得した電流値に基づいてめっき処理の累積電荷量を算出する。また、全めっき液の容積を算出する。そして、取得した、全めっき液の容積、排出しためっき液量および累積電荷量に基づいて、めっき液に含まれる抑制剤の分解物量を算出する。分解物量が予め設定された閾値以下である場合にのみ半導体基板のめっき処理を実施する。 （もっと読む）

【課題】ＬＣＤドライバ等の半導体製品では高さ約１５〜２０μｍの電極形成のための金ＢＵＭＰメッキ工程がある。ＬＣＤドライバの金ＢＵＭＰ表面形状は実装時のコンタクト性向上のため平坦性が要求されている。一方、実装時の位置決めを画像認識で行なっている関係上、ＢＵＭＰ表面外観は光の反射が少ない無光沢性が要求されている。ＢＵＭＰ表面を無光沢にするには、光をあらゆる方向へ拡散させるために、ミクロ的に、ある程度の表面の粗さを保つことが重要であるが、マクロ的にはＢＵＭＰの断面形状は平坦にしなければならないという一見、矛盾する問題がある。
【解決手段】本願発明は２段メッキの２段目（初期低電流密度メッキ後の高電流密度メッキ・ステップ）の終了部を低電流密度にするものである。 （もっと読む）

【課題】めっき工程に過マンガン酸を含む酸性のエッチング液で処理する工程がある場合であっても、めっき処理中のめっき皮膜とプラスチック表面の良好な密着性や生産性が得られるプラスチック表面への金属めっき方法を提供すること。
【解決手段】プラスチック表面を過マンガン酸を含む酸性のエッチング液でエッチング処理し、次いで、プラスチック表面に触媒付与処理および触媒活性化処理し、最終的に電気金属めっきを行うプラスチック表面への金属めっき方法であって、何れかの処理の後にプラスチック表面を温水溶液で処理することを特徴とするプラスチック表面への金属めっき方法。 （もっと読む）

【課題】銅配線層を電解メッキ法で形成する際に電極となるシード層の溶解に起因する銅メッキ層の欠陥の発生を抑制する電解メッキ液及び該メッキ液を用いた電解メッキ方法を提供する。
【解決手段】電解メッキ液として、極性溶媒と、前記極性溶媒中に溶解した硫酸銅を含み、さらに添加剤として、硫黄化合物よりなるアクセラレータと、前記アクセラレータよりも小さい分子量を有する還元剤とを添加した電解メッキ液を使う。 （もっと読む）

【課題】限界電流を増加させ金属イオンの析出速度を向上させることができ、特に被めっき基板の表面に形成された深い穴や溝に対して、入り口の閉塞により内部に空隙が生じさせないで、内部を金属めっき膜で埋めるのに好適なめっき方法及びめっき装置を提供する。
【解決手段】めっき液２０に、被めっき基板１７とアノード１８を接触させ且つ対向させて配置し、めっき電源２１から電圧を印加し、該被めっき基板１７の表面に形成された該溝及び／又は穴を埋め込むめっき方法において、溝及び／又は穴の深さを代表長とした場合の、穴の内部におけるめっき液のレイリー数が、溝及び／又は穴の深さをＬ、幅Ｄとしたときに、そのアスペクト比をＡ（Ｌ／Ｄ）として９６．８×Ａ⁴以上、８．６４×１０⁵未満の値をとるように該めっき液に該被めっき基板の基板表面から基板裏面方向にかかる加速度を制御する。 （もっと読む）

【課題】貫通孔を有するシリコンウエハの貫通孔にオーバーハング形状や内部ボイドがなくめっきを充填する方法を提供すること。
【解決手段】シリコンウエハ内の貫通孔開口部と同位置に開口部を有するプレートを一定の距離をおいてシリコンウエハの貫通孔開口部にプレート開口部を合わせて、めっき電極側に向けて配置してめっきを行う。プレート開口径は貫通孔開口径より少し小さくする。プレート開口径と貫通孔開口径Ｒの差を２ｘとしたとき、ｘ／Ｒを0.1〜0.3、シリコンウエハとプレートの距離を0.05ｍｍ〜1.0ｍｍとしたときに、前記課題を実現できる。プレートは、多孔質セラミックのような絶縁体でかつ多孔質材料が望ましく、シリコンウエハ表面のめっき成長も抑制できる。 （もっと読む）