【課題】新規の金属パターンの製造方法及びこれを用いた平板表示素子を提供する。
【解決手段】光触媒化合物、金属触媒化合物及び光増感剤を含む溶液を基板にコーティングして光金属触媒層を形成した後、これを選択的に露光して結晶成長用核の潜在的パターンを得、該潜在的パターンを１種以上の金属でメッキ処理して金属結晶を成長させて１層以上の金属パターンを得る、金属パターンの製造方法及びこれを用いた平板表示素子。 （もっと読む）

【課題】電解メッキ法を用いて金属薄膜を形成する半導体装置の製造方法において、半導体基板にクラックが発生することを抑制する。
【解決手段】給電層２が形成された半導体基板１を支持基板３上に固定し、一端が半導体基板１上の給電層２と接触し、他端が支持基板３上に固定されるように導電性テープ５を貼付する。そして、導電性テープ５の半導体基板１と接触してない部分８にコンタクトピン７を接触させて電解メッキを行い、メッキ１０を形成する。これにより、コンタクトピン７の接触圧に起因する半導体基板１のクラック発生を抑制し、良好な金属薄膜を形成することができる。 （もっと読む）

【課題】添加剤を含むめっき液でめっき処理を行う際に、添加剤の消費を低減する。
【解決手段】めっき処理装置２００は、めっき槽２０１中に配置された被処理基板１００とアノード２２０との間に、中性濾過膜２１０と陽イオン交換膜２０８との積層体２０４を、被処理基板１００側に中性濾過膜２１０が位置するように配置して、積層体２０４によりめっき槽２０１を被処理基板１００および添加剤を含む第１室２０２ａとアノード２２０を含む第２室２０２ｂとに隔離した構成を有する。 （もっと読む）

【課題】非貫通孔を金属で充填するのに好適な新規な電解めっき方法の提供。
【解決手段】界面活性剤、光沢剤、平滑化剤などの添加剤を含むめっき液を用いた電解めっき方法において、被めっき部材の表面および非貫通孔内における添加剤の吸着および離脱を制御するパルスめっき工程と、これに引続いて非貫通孔内を充填する直流めっき工程とからなる、非貫通孔を金属で充填する電解めっき方法。 （もっと読む）

【課題】めっき膜厚の制御を精度よく行う。
【解決手段】半導体基板上に形成された絶縁膜に設けられた複数の凹部をめっき処理により導電性材料で埋め込むめっき工程を含む半導体装置の製造方法において、めっき工程は、複数の凹部のうち所定幅以下の微細な凹部が導電性材料で埋め込まれる際に、所定の第１の基準電流密度を半導体基板全面における各複数の凹部の側壁の面積を含む第１の表面積Ｓ_１と各複数の凹部の側壁の面積を含まない第２の表面積Ｓ_２との表面積比Ｓｒ＝Ｓ_１／Ｓ_２に基づき補正した第１の電流密度でめっき処理を行う工程（Ｓ１０４）を含む。 （もっと読む）

【課題】ウエフアーのめっき膜の厚さを均一にする。
【解決手段】アノード電極３２と、前記アノード電極３２と対向するカソード電極１８を備えたウエフアーホルダー１０と、前記ウエフアーホルダー１０が装着されるカソードホルダー３と、該カソードホルダー３に設けられ、前記ウエフアーホルダー１０に保持されたウエフアーＷの外周部Ｗ１側に位置する第1カソード補助電極５と、を備えた電気めっき装置であって；前記第1カソード補助電極５の外側に間隔をおいて第2カソード補助電極６を設ける。
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【課題】基板に形成されたビアホールに、良好な埋設特性でメッキ法により導電材料を埋設して電子部品を製造する。
【解決手段】基板に形成された複数の貫通穴を塞ぐように設置される導電層を複数の領域に分割し、当該複数の領域の導電層に流れる電流を個別に制御して前記貫通穴に電解メッキ法により導電材料を埋設するメッキ工程と、前記導電材料に接続される導電パターンを形成する導電パターン形成工程と、を有することを特徴とする電子部品の製造方法。 （もっと読む）

【課題】被めっき面への気泡の滞留を確実に防止することができる電解めっき装置および電解めっき方法を提供する。
【解決手段】半導体基板１００を支持する保持体１０４とめっき液１０２とを水平方向に相対的に移動させる。これにより、半導体基板１００の表面に、半導体基板１００の表面に沿った力を作用させることができる。このため、半導体基板１００の被めっき面に存在する気泡を排出することができ、均一なめっき膜を安定して形成することができる。なお、保持体１０４とめっき液１０２との相対的な移動は、例えば、保持体１０４を水平方向に移動させる、あるいは、半導体基板１００の中心以外に位置する軸心周りに保持体１０４を回転させることにより行うことができる。 （もっと読む）

【課題】 ウェハーの被めっき面全面でのめっき膜厚が均一となるウェハーめっき処理技術を提供する。
【解決手段】
めっき槽の開口部にウェハーを配置し、ウェハー外周側とカソード電極とを接触させ、めっき液を供給し、ウェハーに到達しためっき液がウェハーの被めっき表面の外周方向に流動させるようにして、めっき槽内にウェハーと対向させて配置したアノード電極と前記カソード電極とによってめっき電流を供給して、ウェハーにめっき処理を行うウェハーめっき方法において、前記アノード電極は、ウェハーの被めっき面と略同一形状とし、アノード電極の周縁へ複数の周縁電流供給部を設けるとともに、アノード電極の中央へ中央電流供給部を設け、前記周縁電流供給部から供給する周縁めっき電流と、中央電流供給部から供給する中央めっき電流とを調整するものとした。 （もっと読む）

【解決手段】基体上に形成された錫めっき皮膜であって、該錫めっき皮膜が２層以上の多層で構成され、上記多層のうちの１層が、上記基体に接して設けられた厚さ０．１〜２０μｍのバリア層であり、かつ他の１層が、基体から離間する側の表面部に設けられた厚さ０．１〜２０μｍの表面層であり、上記バリア層と基体との界面に形成される金属間化合物の均一性の変動係数ＣＶ値が４０％以下である錫めっき皮膜。
【効果】本発明の錫めっき皮膜は、錫−鉛合金めっきの代替として有用であり、錫皮膜において問題となるウィスカの発生を効果的に抑制したものである。そして、本発明の錫めっき皮膜は、一般的な錫めっき皮膜の作製工程とほとんど差がない簡便な、効率的な錫電気めっきで形成することができる。 （もっと読む）

【課題】装置のイニシャルコスト、ランニングコストを低くでき、広い設置スペースを必要とせず、短い処理時間で銅又は銅合金による回路配線を形成でき、且つクロスコンタミネーションの原因となるエッジ・ベベル部に銅膜が残ることのない半導体基板処理装置を提供する。
【解決手段】回転軸線を中心に回転する回転部材と、回転部材の前記回転軸線を中心とした同一円周方向に沿って配置され該回転部材の回転に伴って公転する保持部材とを有し、保持部材は、該保持部材の軸心を中心に回動するように構成された回転保持装置で保持した半導体基板を洗浄する洗浄ユニットを有する。 （もっと読む）

【課題】複数層のめっきパターンを、作業の煩雑さを伴うことなく、階層間で十分に均質化された組成となるように形成することのできるめっき方法を提供する。
【解決手段】レジストパターン１３の合計面積と、レジストパターン１７の合計面積と、レジストパターン１８の合計面積とを全て等しくしたので、各めっきパターンＡ〜Ｃのめっき処理を行う際のめっき領域Ｒ１３，Ｒ１７，Ｒ１８の面積を常に一定とすることができる。したがって、電流値を変更することなく容易にめっき電流密度を一定に保つことができ、その結果、ほぼ同等の組成を互いに有するめっきパターンＡ〜Ｃを極めて効率的に形成することができる。 （もっと読む）

【課題】銅シード層を設けた半導体ウェハーの、トレンチ・ビアの入り口付近に過剰に付着した銅シード層を溶解し、その後電気銅めっき、無電解銅めっきによるネッキングを防止し、トレンチ・ビア内部の完全な埋め込みが可能となる前処理剤を提供することを目的とする。
【解決手段】アンモニウムイオン濃度が０．１ｇ／Ｌ以上で、ｐＨが１１以上であることを特徴とするシード層を有する半導体ウェハーの前処理剤。該前処理剤は、金属イオンを含有しないことが好ましく、更に界面活性剤を含有することが好ましい。 （もっと読む）

【課題】カップ内で半導体ウェーハに金属皮膜（めっき）を形成後、ウェーハに付着しためっき液を迅速かつ確実にカップ内に戻すことにより効率的に処理しうる自動金属皮膜形成装置及びウェーハへの金属皮膜の形成方法を提供。
【解決手段】ローダー・アンローダー部と、ウェーハアライナー部と、スカラロボットと、めっき処理カップ部と、リンサードライヤー部と、めっき液を供給・循環するポンプとを具備し、これら一連の動作をスカラロボットがウェーハを把持し各部へ搬送しながら処理を行う自動金属皮膜形成装置であって、前記めっき処理カップ部には、めっき処理終了後に、めっき液面から持ち上げられ、可動手段によってカップの上で傾斜させられたウェーハに向かって、洗浄用媒体を噴射して、ウェーハに付着している液をカップ内に戻すための噴射ノズルが設けられていることを特徴とする自動金属皮膜形成装置によって提供。 （もっと読む）

【課題】電気めっきにより円板上にめっき層を形成する方法において、簡便な装置を用いて円板上のめっき膜厚の面内均一性を可能にし、かつ両面８枚同時にめっきする方法を提供する。
【解決手段】円板上の外周部から給電リングにより、給電する給電冶具をカソード電極１とし、その両側に対向させてアノード電極３を配置し、カソード電極１とアノード電極３の両者に平行に円形の孔を持つ電流遮蔽板２を配置し、攪拌ノズル４により、給電冶具上にめっき液を均一な流速に流しながらめっきを行い、かつ給電リングは一部分を開放し、補助カソード機能を兼ね備えた。 （もっと読む）

【課題】積極的に被処理基板表面の電場状態を制御することで、目的とするめっき膜厚の面内分布が得られる電解処理装置及びその電場状態制御方法を提供すること。
【解決手段】陽極３８と被処理基板Ｗ間にめっき液１０を満たし、且つ陽極３８と被処理基板Ｗ間にめっき液１０の電気伝導率よりも低い電気伝導率の高抵抗構造体４を設置する。高抵抗構造体４の厚みの調整や、高抵抗構造体４の平面上での形状の調整等により、被処理基板Ｗ表面の電場を制御する。 （もっと読む）

サブミクロンサイズの配線フィチャーをともなう半導体集積回路基板上に銅を電解的にメッキするための電解メッキ方法と組成。組成は銅イオン源およびポリエーテルグループからなる抑制剤から構成される。方法はフィチャーの底面からフィチャーの頂部開口への縦方向の銅堆積が側壁への銅堆積より大きい超埋め込み速度で急速な底上げ堆積を含んでいる。 （もっと読む）

【課題】めっき膜に生じる異常析出を、単位時間当たりの基板処理枚数に影響を極端に及ぼさない範囲で、効果的に防止・抑制することができるめっき方法及びめっき装置を提供すること。
【解決手段】金属イオンを含んだめっき液Ｑに半導体ウェーハ３とアノード５とを浸漬し、半導体ウェーハ３とアノード５間に電流を流すことで半導体ウェーハ３の被めっき面３ａに金属めっきを行う。半導体ウェーハ３とアノード５間への電流供給をそのめっき膜厚が１〜２０μｍとなるまで連続して行なった後に１秒〜２分間停止する工程を、複数回繰り返し行う。その間、被めっき面３ａ近傍部分のめっき液Ｑをパドル９によって攪拌する。 （もっと読む）

【課題】 半導体又は絶縁体層上に直接、薄膜を電気化学処理プロセスで形成する方法、及び該プロセスを実施する装置を提供すること。
【解決手段】 １２５ｍｍ又はそれより大きい半導体ウェハであって、少なくとも一部が電解質溶液と接触し、第１電極として機能する半導体ウェハを、導電性表面と電気接触する状態で準備するステップと、電解質溶液の中に第２電極を準備するステップであって、第１及び第２電極が電源装置の両端に接続されるステップと、電流が第１及び第２電極にわたって印加されるときに、光源を用いて半導体ウェハの表面を照射するステップと、を含む電気化学プロセスである。本発明はまた、光源と電気化学プロセスを実施する電気化学構成要素とを含む装置も対象とする。 （もっと読む）

【課題】適切な成膜処理が出来るメッキ処理装置を提供する。
【解決手段】基板（７）に浸漬させるメッキ液を貯留するメッキ処理槽（１２）と、基板（１）を水平面内に回転可能に保持する基板保持部（１１）とを具備するメッキ処理装置（１）を構成する。ここで、メッキ処理槽（１２）は、メッキ処理槽内部に構成されたアノード電極（１５）を含むものとする。また、基板保持部（１１）は、基板（７）に接触して電圧を印加するカソード電極を含むものとする。
そのメッキ処理装置（１）は、メッキ処理槽（１２）から、第１排出部を介して排出されるメッキ液を、メッキ処理槽に循環させるメッキ液循環流路（８）と、アノード電極（１５）上を流れ、第２排出部を介して排出されるメッキ液を、メッキ液循環流路（８）に提供する第２流路（１４）と、メッキ液循環流路（８）と第２流路（１４）との間に設けられ、第２流路（１４）からのメッキ液の流量を制御する流量制御バルブ（６）とを具備する。 （もっと読む）