めっき対象面全面に、より均一な膜厚のめっきを施すことができるカップ式めっき装置を提供する。めっき槽の開口端に設けられためっき対象物の載置部と、めっき槽内にめっき液を供給する手段と、めっき槽に形成されためっき液の流出口とを備えていると共に、当該流出口から流出しためっき液が流入する空洞部と、空洞部内のめっき液の放出口と、当該放出口から排出されためっき液の回収槽とを備えており、めっき槽内にめっき液を供給しながらめっき対象物にめっき処理を行うカップ式のめっき装置において、放出口の形状および／または開口面積を変更可能にした。空洞部の下流側に形成される放出口の形状および／または開口面積を調節できれば、これを調節することで、めっき対象面におけるめっきムラやめっきのバラツキの発生を抑制できる。
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【課題】めっき膜に取り込まれる不純物を低減させて、凹部内の配線における欠陥を減少させることが可能な半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】まず、表面にビアホール１ａ及び配線溝１ｂを有するウェハＷをめっき液に浸漬させ、かつウェハＷとアノード１１との間に電圧を印加して、ウェハＷ上にめっき膜４を形成する。めっき膜４を形成した後に、電圧を印加した状態でウェハＷをめっき液から取り出す。そして、シード膜３及びめっき膜４に熱処理を施し、結晶を成長させて、配線膜５を形成する。最後に、ビアホール１ａ及び配線溝１ｂに埋め込まれた部分以外の配線膜５等を除去し、配線５ａを形成する。 （もっと読む）

基板に金属層をめっきするための装置及び方法が提供される。陰極液容積は、めっきのために基板を受容するように位置決めされる。１つ以上の陽極セグメントがその中に位置決めされた陽極液容積は、陰極液容積からイオン的に分離される。補助電極がその中に位置決めされた補助容積は、陽極液容積から電気的に隔離されるように設けられ、陰極液容積とイオンで連通している。めっき法は、１つの陽極セグメントと補助電極と逆の電気極性にある２つの電源から電流パルスを供給することにより基板の中心とエッジ近くで一様に薄い金属シードをめっきする第１段階を含んでいる。その後、第２電流パルスを全ての陽極セグメントに印加することによって特徴部の間隙充填とバルク金属めっきが行われる。 （もっと読む）

【課題】 従来の噴射供給タイプのめっき装置におけるエアーの滞留や、流速ムラにより生じるバンプ形状およびめっき厚の不均一性を解消するめっき処理技術を提供するものである。
【解決手段】 めっき槽と、めっき槽上部開口に形成されたウェハー支持部と、ウェハー支持部の下側位置に形成された液流出路と、ウェハー支持部に載置されたウェハーの被めっき面中央に向けてめっき液を噴射供給する液供給管とを備えためっき装置において、液供給管は、めっき槽内に突出した状態で設置されている液吐出管部と液流入管部とからなるとともに、液吐出管部下方に液吸入口が形成されており、当該液流入管部内壁に液流調整機構が形成されているものとした。 （もっと読む）

【課題】 高アスペスト比の微細配線であっても、シード層を確実に補強して、ボイドのない健全な配線を形成できるようにする。
【解決手段】 配線用の微細窪みを形成した基板の表面にシード層を形成し、シード層を第１のめっき液による無電解めっきによって補強し、しかる後、第２のめっき液によるパルスまたはＰＲパルスを用いた電解めっきによってシード層を更に補強し、第３のめっき液を用いて前記微細窪みの内部に電解めっきにより導電体を埋め込む。 （もっと読む）

【課題】本発明は、ウイスカの発生を抑制できるとともに、錫めっき皮膜で被覆されていない被めっき基材表面が酸化され変色するのを防止でき、生産性に優れる簡便な操作で、ウイスカ発生防止と被めっき基材の変色防止を両立できる錫めっき皮膜の製造方法及び錫めっき皮膜を提供することを目的とする。
【解決手段】銅又は銅合金基材に形成された錫めっき皮膜の一部を剥離する剥離工程と、前記錫めっき皮膜が剥離された前記銅又は銅合金基材に変色防止処理を行う変色防止処理工程と、前記変色防止処理がされた前記銅又は銅合金基材の前記錫めっき皮膜に熱エネルギーを与える熱処理工程と、を備える。 （もっと読む）

【課題】 ウェハーのように極めて厳密なめっき厚みの均一性を要求される電解めっき処理においても、均一な厚みのめっき処理が容易に行える技術を提供する。
【解決手段】 ウェハーの周縁部に接触するカソード電極を配置された開口部を有するカップ状のめっき槽と、該開口部に載置したウェハーと対向するようにめっき槽内部に配置されたアノード電極とを備え、めっき槽内にめっき液を供給してウェハーとめっき液とを接触させるとともに、ウェハーにめっき電流を供給することでウェハー表面にめっき処理を行う電解めっき装置において、前記アノード電極は、チタニウム製の電極基材上に、中間層として白金被膜と、その中間層表面に酸化イリジウム被膜とが設けられたものとした。 （もっと読む）

【課題】シリコンウエハの大きさや、シリコンウエハに形成される給電層の厚さに関わらず、シリコンウエハに対して均等に電解めっきを施すことが可能なウエハめっき用治具を提供する。
【解決手段】めっき給電層が形成されたウエハＷに給電手段１６により給電して電解めっきを施す際に用いられるウエハめっき用治具１０であって、電源と導通する本体部１２と、本体部１２と電気的に接続され、ウエハＷに給電する給電手段１６と、ウエハＷを保持するウエハ保持手段とを有し、給電手段１６は、ウエハＷのめっき給電層が形成された面内に散点的に当接することを特徴とするウエハめっき用治具１０である。 （もっと読む）

【課題】ウェーハ表面の電気メッキにおいて、局所メッキを可能にし、総メッキ電流を低減し、堆積の均一性を改善する方法を提供する。
【解決手段】電気メッキ装置は、ウェーハの表面上方又は下方に配置可能で、陽極として荷電させることが可能なメッキヘッドを含む。メッキヘッドは、ウェーハ及びメッキヘッドが荷電されている時、ウェーハの表面とメッキヘッドとの間での金属メッキを可能にできる。メッキヘッドは、更に、メッキヘッドとウェーハの表面との間に存在する電圧を感知可能な電圧センサ対と、電圧センサ対からデータを受領可能なコントローラとを備える。電圧センサ対から受領されたデータは、メッキヘッドがウェーハの表面上方の位置に置かれた時に、陽極により印加されるべき実質的に一定の電圧を維持するために、コントローラによって使用される。 （もっと読む）

【課題】ダマシン配線に含まれる不純物の濃度を低下させて、配線中の欠陥を低減させる事が可能な半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】ウェハＷ上の層間絶縁膜１に幅が０．３μｍ以下の細幅配線溝１ａ及び幅が０．３μｍを超える太幅配線溝１ｂを形成する。層間絶縁膜１上にバリアメタル膜２及びシード膜３を形成する。その後、細幅配線溝１ａ全体に埋め込まれ、かつ太幅配線溝１ｂの一部に埋め込まれるように膜４を電解めっき法により形成する。太幅配線溝１ｂの他の部分に埋め込まれるように膜４よりも不純物濃度が低い膜５をスパッタ法により形成する。熱処理により膜４中の不純物を膜５中に拡散して、配線膜６を形成する。最後に層間絶縁膜１上の不要なバリアメタル膜２及び配線膜６を除去し、細幅配線と太幅配線を形成する。 （もっと読む）

【目的】炭化ケイ素基板に対して、メッキ法によりニッケル−炭化ケイ素基板間に汚染物質の少ないニッケル電極形成方法および装置を提供することにある。
【構成】炭化ケイ素基板にメッキによりニッケル電極を形成する前に、炭化ケイ素のバンドギャップよりも大きなエネルギーを有する波長領域の光を照射しつつ、陽極側に電圧を印加することでエッチングを行う。このとき電解液の温度を６０℃以上に上昇させることで、エッチングが効果的に行える。エッチング後、炭化ケイ素基板に陰極側の電圧を印加することでニッケルのメッキを行う。これにより、ニッケル−炭化ケイ素界面に汚染物質の少ないニッケル電極を形成することができる。さらに、本発明の電極形成方法を半導体素子の製造工程において、ニッケルショットキー電極の形成、ニッケルオーミック電極の形成に適用することにより、良質の半導体素子を効率的に製造することができる。 （もっと読む）

【課題】多数の電極を有する半導体ウェーハ全体に均一な電流分布でメッキする装置と方法の提供。
【解決手段】 第一及び第二の電極１０７Ａ，１０７Ｂは、ウェーハ支持部１０３の外周に近接し互いにほぼ反対側の位置にそれぞれ配置される。これらの電極は、ウェーハ支持部１０３に保持されたウェーハ１０１との電気的接触及び断絶のためにそれぞれ移動させることができる。陽極１０９は、ウェーハ１０１との間にメッキ液のメニスカス１１１が維持されるように、ウェーハ１０１の上方に近接して配置される。陽極１０９が第一の位置から第二の位置へウェーハ１０１上を移動する際に、電流はメニスカス１１１を介して陽極１０９とウェーハ１０１との間に流れる。また、陽極１０９をウェーハ１０１上で移動させる際に、第一及び第二の電極１０７Ａ，１０７Ｂは、ウェーハ１０１と接続され、同時に、陽極１０９は接続された電極上を通過しないように制御される。 （もっと読む）

【課題】メッキ膜厚のウェハ面内均一性を向上させる。
【解決手段】本発明の例に関わる半導体装置は、メタル配線を用いた多層配線構造を有する半導体集積回路が形成され、各々が独立したチップになる複数のチップ領域１１と、メタル配線を用いた多層配線構造を有し、複数のチップ領域の各々を取り囲む複数のチップリング１２とを備え、複数のチップリング１２は、互いに電気的に接続される。 （もっと読む）

【課題】ウェーハ全体に均一な電流分布を与え、均一なメッキ厚を与える電気メッキヘッド及びその操作方法を提供する。
【解決手段】 ウェーハ３０７の上方に電気メッキメッド１００を配置する。ヘッドはメインチャンバ１０５、陽極チャンバ１０５Ａ、１０５Ｂおよび陽極チャンバに配置された陽極１１５Ａ、１１５Ｂ、流体入口１１１、流体出口１１２および流体出口に配置された多孔性抵抗材料１１９を備える。メインチャンバは陽極チャンバから、陽イオンを透過する膜１０９Ａ、１０９Ｂによって分離されている。 （もっと読む）

【課題】めっき槽内で締結具等の小部品が脱落・落下した場合に、これら小部品のめっき槽外への流出を確実に防止し、小部品を容易に回収する。
【解決手段】めっき槽１は、めっき時の陽極となるアノード電極３が、めっき時の陰極となるカソード電極４と対向して設けられるめっき槽である。めっき槽１は、アノード電極３およびカソード電極４が設けられる内部空間２３を区画する側壁１１、１２ａを有し、側壁１２ａのめっき槽１の底板２４との隣接部または内部空間２３の下方の底板２４に、めっき液Ｓを排出させ、内部空間２３内にある所定形状の小部品が通過できない大きさの複数の出口開口１８ａが設けられている。 （もっと読む）

【課題】 微細化、狭ピッチ化が進んでいるコンタクトプローブとして使用可能なニッケルバンプを、湿式めっきプロセスを用いて形成する方法を提供すること。
【解決手段】 微小開口部を有するフォトレジストで被めっき基板を被覆し、次いで当該被めっき基板を、添加剤として次の式（Ｉ）、
【化１】


（式中、Ｒ_１は水素原子または水酸基を示し、Ｒ_２は水素原子またはビニル基を示す）
で表されるピリジニウムプロピルスルホネートまたはその誘導体を含有するニッケルめっき浴により電気めっきし、前記微小開口部部分にニッケルめっき皮膜を析出させることを特徴とするマイクロバンプの形成方法。 （もっと読む）

銅のシード層を用いずに、直接銅メッキを可能にするバリア層表面処理の方法の実施形態が記載されている。一実施形態において、上部に第VIII族金属層を備えた基板上に銅をメッキする方法は、第VIII族金属表面酸化層及び／又は表面汚染物を取り除くことにより基板表面を前処理し、前処理された第VIII族金属表面上に銅をメッキすることとを含む。基板を前処理することは、水素含有ガス環境及び／又は第VIII族と反応しないガスを伴う環境内で基板をアニール処理することにより、酸含有槽内の陰極処理により又は酸含有槽内に基板を浸すことにより、実行可能である。

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本発明は金属メッキ装置と金属メッキ方法とを提供する。特に自己触媒（すなわち無電解）メッキに適しており、メッキ対象基板を収容し、メッキ液を循環させる加圧密閉容器を利用する。密閉容器内の温度と圧力は厳密に制御される。
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微小電子機器製造で基板上にＣｕを電気めっきするための方法と組成物であって、Ｃｕイオン源とレベリングのための置換ピリジル高分子化合物を含む。 （もっと読む）

【課題】微小フィーチャ工作物を電気化学的に処理するチャンバ、システム及び方法をここに開示する。
【解決手段】一実施形態では、電気化学堆積チャンバは、微小フィーチャ工作物に第１の処理流動体の流れを運ぶように構成された第１のフローシステムを有している処理部を含む。チャンバは、電極と、電極に少なくとも隣接して第２の処理流動体の流れを運ぶように構成された第２のフローシステムとを有している電極部を更に含む。チャンバは、第１及び第２の処理流動体を分離するために処理部と電極部との間に無孔仕切りを更に含む。無孔仕切りは、陽イオン又は陰イオンが第１及び第２の処理流動体間の仕切りを通って流されるように構成されている。 （もっと読む）