【課題】ゲルマニウムをチャネル材料とする金属／ゲルマニウムからなるソース／ドレイン構造を有する半導体素子を提供する。
【解決手段】半導体と金属とが接合してソース／ドレイン構造を形成する半導体素子において、ゲルマニウム（Ｇｅ）を３価元素（又は５価元素）でドーピングしたｐ型ゲルマニウム（又はｎ型ゲルマニウム）をチャネル２の材料とし、当該ｐ型ゲルマニウム（又はｎ型ゲルマニウム）の任意の結晶面における原子配置と同一の原子配置である結晶面を有する金属３を、前記同一の原子配置である結晶面で接合して界面を形成し、当該形成された界面を用いたソース／ドレイン構造を有する。 （もっと読む）

【課題】 自動車部品のような使用環境が苛酷な用途においても優れた耐食性を発揮する、ＭｇまたはＭｇ合金からなる基材に対する表面処理方法を提供すること。
【解決手段】 以下の工程を少なくとも含んでなることを特徴とする。
工程１：ＭｇまたはＭｇ合金からなる基材の表面に陽極酸化被膜を形成する工程
工程２：工程１において形成した陽極酸化被膜を２５０℃以上で加熱処理する工程
工程３：工程２において加熱処理した陽極酸化被膜の表面に膜厚が２０μｍ以上のＡｌ蒸着被膜を０．１μｍ／分〜０．５μｍ／分の成膜速度で形成する工程
工程４：工程３において形成したＡｌ蒸着被膜の表面に陽極酸化被膜を形成してからその表面を熱水処理する工程 （もっと読む）

【課題】スプラッシュ現象の発生を抑制し、高いガスバリア性を付与したガスバリア性蒸着フィルムを提供する。
【解決手段】高分子フィルム基材１上に、金属珪素と、二酸化珪素と、金属ビスマスもしくは酸化ビスマス粉末とを含有し、珪素とビスマスの合計の原子数と、酸素の原子数の比{Ｏ／（Ｓｉ＋Ｂｉ）}が１．０〜１．８であり、ビスマスと珪素の原子数の比（Ｂｉ／Ｓｉ）が０．０２〜０．１０である蒸着用材料を加熱方式で蒸発させて蒸着し、蒸着膜の珪素とビスマスの合計の原子数と、酸素の原子数の比{Ｏ／（Ｓｉ＋Ｂｉ）}が１．６〜１．９であり、ビスマスと珪素の原子数の比（Ｂｉ／Ｓｉ）が０．０２〜０．１０である無機酸化物膜２を形成した。 （もっと読む）

【課題】従来の成膜装置において、マスクに対するクリーニングは、長時間にわたり行われていた。
【解決手段】成膜室を有し、成膜室は、プラズマを発生させる手段を有し、プラズマを発生させる手段は、成膜室に配置されるマスクを電極として有することができ、マスクに高周波電界を印加して、成膜室に導入されたガスを励起してプラズマを発生することができる。Ａｒ、Ｈ、Ｆ、ＮＦ_３、またはＯから選ばれた一種または複数種を有するガスを用いてプラズマを発生させる。 （もっと読む）

【課題】真空中における薄膜堆積中に、チャンバー内壁堆積物の内部まで確実かつ効率的に酸化処理し、大気解放後の反応を抑制すること。
【解決手段】チャンバー１、真空ポンプ２、巻き出しロール３、搬送ロール４、巻き取りロール５、蒸着ロール６、蒸発源７、電子銃８、シャッター９（閉じた状態）、マスク１０、紫外光源ユニット１１、ガス供給配管１２、基板フィルム１３を含む真空蒸着装置１００において、シャッター９を開いて基板フィルム１３を、巻出しロール３と巻き取りロール５の間を往復させて繰り返し蒸着する途中において、シャッター９を閉じ、ガス供給配管１２から酸素あるいはオゾンガスを供給し、紫外光源ユニット１１から紫外線をマスク１０に照射することによって、マスク１０に付着した堆積物を酸化処理することができる。 （もっと読む）

【課題】基板の大型化に伴って蒸着マスクを同等に大型化せず基板より小形の蒸着マスクでも、基板を離間状態で相対移動させることで広範囲に蒸着マスクによる成膜パターンの蒸着膜を蒸着でき、また成膜パターンの重なりを防止すると共に、蒸発源からの輻射熱の入射を抑制し、高精度で高レートな蒸着が行える蒸着装置並びに蒸着方法を提供すること。
【解決手段】蒸発源１と基板４との間に、制限用開口部５を設けた飛散制限部を有するマスクホルダー６を配設し、このマスクホルダー６に前記蒸着マスク２を付設し、前記基板４を、前記蒸着マスク２を付設した前記マスクホルダー６及び前記蒸発源１に対して、前記蒸着マスク２との離間状態を保持したまま相対移動自在に構成し、前記蒸発源１は、線膨張係数がステンレス鋼より小さい材料で形成した蒸着装置。 （もっと読む）

【課題】一定の組成及び膜厚を有する蒸着重合膜が膜状基材上に積層形成された積層構造体を安定的に製造することができる装置を提供する。
【解決手段】真空チャンバ２４内に設置された回転ドラム３５の外周面上に膜状基材１５を供給する膜状基材供給手段４６を設ける一方、真空チャンバ２４内で回転ドラム３５の外周面に向かって開口する吹出口６６を有すると共に、成膜室を内部に備えた複数の吹出口部材６４を、真空チャンバ２４内の回転ドラム３５の周囲に、その周方向に並べて配置し、更に、それら複数の吹出口部材６４の成膜室内に、複数種類のモノマー蒸気を供給して、それら複数種類のモノマー蒸気を各吹出口部材６４の吹出口６６から吹き出させるモノマー蒸気供給手段８４ａ，８４ｂを少なくとも一つ設けて、構成した。 （もっと読む）

【課題】高精度な蒸着ができ、長時間の連続稼動も可能な蒸着装置並びに蒸着方法の提供。
【解決手段】成膜室30において、蒸発源１から蒸発した成膜材料を、蒸着マスク２のマスク開口部を介して基板４上に堆積して、この蒸着マスク２により定められた成膜パターンの蒸着膜が基板４上に形成されるように構成した蒸着装置であって、前記蒸発源１から蒸発した蒸発粒子の飛散方向を制限する制限用開口部５を設けた飛散制限部を有し、前記蒸着マスク２が付設されたマスクホルダー６を備え、この蒸着マスク２が付設された前記マスクホルダー６が前記成膜室30と往来できるロードロック室32、前記マスクホルダー６が前記ロードロック室32と往来できる待機室33及び装置外部に前記マスクホルダー６を取り出し可能な取出し室34を有する交換室31を備えたことを特徴とする蒸着装置。 （もっと読む）

【課題】基板の大型化に伴って蒸着マスクを同等に大型化せず基板より小形の蒸着マスクでも、基板を離間状態で相対移動させることで広範囲に蒸着マスクによる成膜パターンの蒸着膜を蒸着でき、また成膜パターンの重なりを防止すると共に、蒸発源からの輻射熱の入射を抑制し、高精度で高レートな蒸着が行える蒸着装置並びに蒸着方法を提供すること。
【解決手段】蒸発源１と基板４との間に、制限用開口部５を設けた飛散制限部を有するマスクホルダー６を配設し、このマスクホルダー６に前記蒸着マスク２を接合させて付設し、前記基板４を、前記蒸着マスク２を付設した前記マスクホルダー６及び前記蒸発源１に対して、前記蒸着マスク２との離間状態を保持したまま相対移動自在に構成し、前記蒸発源１の蒸発口部８は、前記基板４の相対移動方向に長くこれと直交する横方向に幅狭いスリット状としたことを特徴とする蒸着装置。 （もっと読む）

【課題】薄膜材料の利用効率が高く、かつ大面積の基板に均一な厚みの薄膜を成膜できる真空蒸着装置及び薄膜の形成方法を提供する。
【解決手段】
薄膜材料の蒸気を生成する蒸発源３１〜３６と、成膜対象物５１が配置される真空槽１１と、真空槽１１内を真空排気する真空排気装置１２と、蒸発源３１〜３６から蒸気が供給され、真空槽１１内に蒸気を放出させる放出装置２１とを有し、放出装置２１を移動させながら成膜対象物５１に蒸気を到達させ、成膜対象物５１の表面に薄膜を形成する真空蒸着装置１０ａであって、蒸発源３１〜３６を放出装置２１と一緒に移動させる移動装置１５を有する真空蒸着装置１０ａである。 （もっと読む）

【課題】密着層とガスバリア層とをインライン成膜で形成することで、従来よりも密着性に優れたガスバリアフィルムを高い生産効率で提供する。
【解決手段】基材であるプラスチックフィルム１上にプラズマ化学的気相成長法により形成された酸化珪素からなる密着層２とガスバリア層３とを形成する際、基材１が走行する金属ロール電極と、対向電極として、面内に、Ｓ・Ｎ極一対以上の磁石を設置した円弧状の接地電極とを備え、前記電極間に、例えばヘキサメチルジシロキサンおよび酸素を導入して、処理空間内の圧力を０．５Ｐａ以上２０Ｐａ以下として、１０ｋＨｚ以上３０ＭＨｚ以下の高周波を印加し、基材１表面に、密着層２を形成し、さらにその上に酸化珪素ガスバリア層３を形成する。 （もっと読む）

【課題】材料ワイヤが空中で溶解して発生する飛沫を排除でき、しかも材料蒸発領域が縮小しない蒸着用ボートを提供することを目的とする。
【解決手段】プール２の一端３ａの近傍の材料供給部９ａがこの材料供給部の他端３ｂの側に接続された材料蒸発部１０よりも低温になるように、プール２の材料蒸発部１０の裏面に、断面積が均一な平坦部１４と、平坦部１４と材料供給部９ａとを接続する勾配部１５ａを設け、勾配部１５ａを、一端３ａから他端３ｂに向かう方向に断面積が大きくなるよう形成して温度分布を形成している。 （もっと読む）

【課題】ターゲット表面における磁力線の傾きを、垂直となるように又はカソード表面の外周から中心側（内側）に向かう方向となるように制御されたアーク式蒸発源を提供する。
【解決手段】本発明のアーク式蒸発源１は、ターゲット２の外周を取り囲んでいて磁化方向がターゲット２の前面と平行となる方向に沿うように配置されたリング状の外周磁石３と、磁化方向がターゲット２の前面と直交する方向に沿うようにターゲットの背面側に配置された背面磁石４と、を備え、リング状の外周磁石３の径内側の磁極と背面磁石４のターゲット２側の磁極とが互いに同じ極性であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】蒸着と同一巻取り系でプラズマ処理を用い、生産性よく基材と蒸着薄膜との密着性向上したガスバリア性フィルムとその製造方法を提供する。
【解決手段】ガスバリアフィルムの製造工程であって、基材１１であるプラスチック材料の一方の面に、カソード側に設置した基材にイオンを衝突させるプラズマイオンエッチング処理であり、不活性ガスを用い、１〜５０Ｐａの範囲の圧力下で、１０ｋＨｚ〜１ＭＨｚの範囲の交流電圧を印加して発生する低温プラズマによりプラズマ処理を施す工程と、前記プラズマ処理を施した面に無機材料を蒸着する工程と、前記蒸着薄膜１３上に保護層１４を塗布する工程を有する。 （もっと読む）

【課題】簡単な構成で蒸着物質の収率を向上できる蒸着装置を提供すること。
【解決手段】
プラスチックレンズ上に蒸着物質を蒸着する蒸着装置であって、上面に開口した凹部９１２を備える筐体と、凹部９１２に設けられた蒸着源９２と、筐体の上面９１１Ａ，９１３Ａに接触するとともに、スライド可能に取り付けられ、かつ蒸着源９２を覆う補正板９３とを、備え、筐体は、蒸着源９２とともに補正板９３を加熱するハロゲンランプ９４を内部に設けられたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 高い反射防止性を維持しながら完全反射条件下での白曇り現象を改善できる光学用部材及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 基材上に、中間層と、表面に酸化アルミニウムの結晶による凸凹構造を有する酸化アルミニウム層がこの順序で積層された光学用部材において、前記中間層は基材表面に対して傾斜している複数の柱状構造体で形成され、かつ前記複数の柱状構造体の間隙に空孔を有する光学用部材。基材表面に斜方蒸着により複数の柱状構造体からなる中間層を形成する工程と、前記中間層の上に少なくともアルミニウム化合物を含有する溶液を塗布して皮膜を形成し、前記皮膜を温水処理して前記皮膜の表面に酸化アルミニウムの結晶による凸凹構造を有する酸化アルミニウム層を形成する工程を有する光学用部材の製造方法。 （もっと読む）

【課題】坩堝の輻射熱を遮熱し、且つノズルに詰まりを生じない蒸発源および蒸着装置を提供する。
【解決手段】蒸着源１は、蒸着材料Ｍを加熱して蒸発させる坩堝５から突出するようにして設けられ、蒸発した蒸着材料Ｍを基板に向けて噴射するノズル１２と、並列に配置した複数の金属板１５を有し、これら複数の金属板１５のうち最も基板に近い金属板１５をノズル１２のノズル先端面１３よりも基板に近い位置に設けたリフレクタと、リフレクタを構成する複数の金属板１５のうち一部と一体的に構成され、ノズル１２とリフレクタとの間を閉塞するカバー部材８と、を備える。 （もっと読む）

【課題】被成膜材料の有無を検出する検出機能を確保することができる成膜装置を提供する。
【解決手段】成膜装置１は、ワークＷに成膜材料を成膜する成膜装置であって、ワークＷを収納し成膜処理を行う成膜室２と、成膜室２の内部に設けられ、ワークＷを搬送する搬送装置７と、成膜室２を画成する壁３ａに設けられ、光を透過する防着ガラス２７を有し、成膜室２の外部から内部への投光を可能とするビューポート１３と、成膜室２の外部に設けられ、ビューポート１３の防着ガラス２７を透過させてセンサー光を投光し成膜室２の内部のワークＷの有無を検出する走行センサ１１と、防着ガラス２７への成膜材料の堆積を抑制するためのヒータ３１と、を備えている。 （もっと読む）

【課題】生鮮食品、加工食品、医療品、医療機器、電子部品などの包装用フィルムとして、低コストで高度なガスバリア性と透明性に優れた、蒸着膜のクラックが発生しにくく、蒸着フィルムを供することを目的とする。
【解決手段】高分子フィルムから成る基材と、この基材の少なくとも片面に電子ビーム式真空蒸着法によりＳｉＯｘを成膜された無機化合物層とを備える蒸着フィルムにおいて、蒸着膜厚が１５〜３５ｎｍである前記蒸着フィルムを５枚重ねて測定した黄色度（ＹＩ）が３０以下であり、かつ、前記蒸着膜のクラック発生開始歪量［％］が２．５％以上であることを特徴とする蒸着フィルムである。 （もっと読む）

【課題】単一金属酸化物半導体材料をチャネル層として使用時に極性をｐ型伝導又はｎ型伝導に変更できる同時両極性電界効果型トランジスタを実現し、さらに、該同時両極性ＴＦＴを用いたＣＭＯＳ構造のトランジスタを提供する。
【解決手段】基板上に設けたチャネル層と、前記チャネル層上又は下にゲート絶縁膜を介して設けられて前記チャネル層のキャリア濃度を制御するゲート電極を有する電界効果型トランジスタにおいて、前記チャネル層材料は、酸化第一スズ（ＳｎＯ）薄膜であり、前記チャネル層とゲート絶縁膜との界面の欠陥準位密度が５×１０^１４ｃｍ^−２ｅＶ^−１以下であり、前記チャネル層は、電子（ｎ型）及び正孔（ｐ型）伝導性の両方の動作が可能な同時両極性を有することを特徴とする同時両極性電界効果型トランジスタ。 （もっと読む）