説明

Fターム[4K029CA13]の内容

物理蒸着 (93,067) | 被覆処理方法 (12,489) | 基体にバイアス電位を設定をするもの (996)

Fターム[4K029CA13]に分類される特許

281 - 300 / 996


【課題】従来の方法に比べて低電流で蒸着することができ、低エネルギー化を図ることが可能であり、成膜ダメージを低減し、かつ基材への輻射熱の低減が可能な、プラズマ蒸着方法及び該方法により形成された蒸着膜を提供する。
【解決手段】蒸着材を用いてプラズマ蒸着法により基材上に蒸着膜を成膜するためのプラズマ蒸着方法において、プラズマ放電電流を1〜30アンペア/分の範囲内の一定勾配αで40〜120アンペアの範囲内のA値まで増加させることにより蒸着材の昇華を開始させ、続いてA値よりも低い電流値である10〜80アンペアの範囲内のB値まで低下させて基材への蒸着膜の成膜を継続することを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】材料の蒸発速度とプラズマ密度を自由に設定し、成膜速度に対するガスバリア性を自由に設定出来、酸素バリア性および水蒸気バリア性に優れたガスバリア性積層体を生産する成膜装置を提供する
【解決手段】フィルム基材をロール・ツー・ロールで搬送する搬送手段と、フィルム基材へ蒸着材料を蒸着させる蒸着手段とを具備する成膜装置であって、蒸着手段が、蒸着材料を蒸発させる手段と、蒸発した蒸着材料をプラズマにより活性化させる手段とを有する。 (もっと読む)


【課題】より入手しやすいTiを母体材料とした透明導電膜を提供する。
【解決手段】透明導電膜は、TiONの結晶から構成されてる。この結晶は、後述するように、面心立方格子構造のTiOもしくはTiNの回折点(200)と同じ位置にX線の回折ピークを示す結晶性を有するものである。また、透明導電膜は、金属Tiターゲットを用いた反応性スパッタ法により形成できる。このスパッタ法において、酸素ガスの流量は、ターゲットの表面に金属Tiが露出した状態が定常的に保持される上限の流量よりも少ない流量とすればよい。 (もっと読む)


【課題】本発明は、クレーター摩耗を低減するとともに高度な耐摩耗性を付与することができる被膜を備えた表面被覆切削工具を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明の表面被覆切削工具は、1以上の層を含み、該層のうち少なくとも1の層は、化学式Ti1-XZrXαβ(ただし、MはYおよびSiの少なくとも一方、X、α、βはそれぞれ原子比を示し、Xは0.2≦X≦0.6であり、αは0.02≦α≦0.2、βは0.1≦β≦2である。また、Zは酸素、炭素、および窒素からなる群から選ばれる少なくとも1種の元素を示す。)で示される第1化合物を含むY/Si添加チタンジルコニウム層であり、上記第1化合物は、X線回折における(111)面のピーク強度Aと(200)面のピーク強度Bとの比B/Aが0≦B/A≦1となる結晶構造を有することを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】導電性と耐久性を兼ね備えると共に、相手材(特にハンダに含まれるSn)の付着・凝着を極力低減して長寿命化を図ることのできる非晶質炭素膜被覆部材を製造するための有用な方法、およびこのような非晶質炭素膜被覆部材からなる半導体検査装置用プローブピンを提供する。
【解決手段】基材表面にタングステン含有非晶質炭素膜を被覆した非晶質炭素膜被覆部材を製造するに当り、固体炭素ターゲット3と固体タングステンターゲット2から別々に形成される2つの蒸発雰囲気で、前記基材表面を交互に複数回処理すると共に、1回当りの処理で蒸着されるタングステン量は理論厚さが0.40×10-10m以上、2.74×10-10m未満に相当するように設定して操業する。 (もっと読む)


【課題】高速加工およびドライ加工でさらなる長寿命化を達成することができる表面被覆切削工具を提供する。
【解決手段】本発明は、基材と、該基材上に形成された被覆膜とを備え、該被覆膜は、AlaTibSicN(ただし、0.3≦b≦0.65、0.02≦c≦0.15、a+b+c=1)からなるA層と、AldCreSifN(ただし、0.2≦e≦0.5、0.02≦f≦0.15、d+e+f=1)からなるB層とがそれぞれ交互に積層されて構成されており、A層の厚みをλaとし、B層の厚みをλbとすると、互いに接しているA層およびB層の厚みの比であるλa/λbの値は、基材に最も近い位置においては1.0≦λa/λb≦1.7であり、基材側から被覆膜の最表面側に進むにしたがって連続的および/または段階的に減少し、被覆膜の最表面に最も近い位置においては0.6≦λa/λb≦1.0となる表面被覆切削工具である。 (もっと読む)


【課題】DLC並みの潤滑特性を有し且つ高硬度、高耐熱性の硬質皮膜を被覆した多層皮膜被覆部材およびその製造方法を提供する。
【解決手段】
基材表面に組成が異なる硬質皮膜を2層以上被覆した多層皮膜被覆部材であって、硬質皮膜1の組成は、SiaBuCvNwOzで表され、該硬質皮膜1の下部層である該硬質皮膜2の組成は、金属成分がAl、Ti、Cr、Nb、W、Si、V、Zr、およびMoから選択される2種以上と、非金属成分がNとB、C、O、およびSから選択される少なくとも1種を有し、該硬質皮膜1はラマン分光分析において1300から1600cm−1の間に検出される最大強度のピーク強度Ixを有し、1900から2200cm−1の間に検出される最大強度のピーク強度Iyを有し、3.2≦Ix/Iy≦8.0であることを特徴とする多層皮膜被覆部材である。 (もっと読む)


【課題】高速加工およびドライ加工でさらなる長寿命化を達成することができる表面被覆切削工具を提供する。
【解決手段】本発明は、基材と、該基材上に形成された被覆膜とを備え、該被覆膜は、AlaTibSicN(ただし、0.3≦b≦0.65、0.02≦c≦0.15、a+b+c=1)からなるA層と、AldCreN(ただし、0.2≦e≦0.5、d+e=1)からなるB層とがそれぞれ交互に積層されて構成されており、A層の厚みをλaとし、B層の厚みをλbとすると、互いに接しているA層およびB層の厚みの比であるλa/λbの値は、基材に最も近い位置においては1.0≦λa/λb≦1.7であり、基材側から被覆膜の最表面側に進むにしたがって連続的および/または段階的に減少し、被覆膜の最表面に最も近い位置においては0.6≦λa/λb≦1.0となる表面被覆切削工具である。 (もっと読む)


イオン注入方法は、プラズマをチャンバのプラズマ領域に供給するステップと、複数の開口を有する第1のグリッドプレートを正にバイアスするステップと、複数の開口を有する第2のグリッドプレートを負にバイアスするステップと、プラズマ領域のプラズマからのイオンを正にバイアスされた第1のグリッドプレートの開口を通して流すステップと、正にバイアスされた第1のグリッドプレートの開口を通して流されたイオンの少なくとも一部を、負にバイアスされた第2のグリッドプレートの開口を通して流すステップと、負にバイアスされた第2のグリッドプレートの開口を通して流されたイオンの少なくとも一部を基板に注入するステップとを有する。
(もっと読む)


【課題】小径低速切削あるいは高速重切削等で、硬質被覆層の耐欠損性、耐剥離性に優れるヘテロエピタキシャル界面を有する表面被覆切削工具を提供する。
【解決手段】WC超硬基体表面に、柱状晶組織のTiN層を物理蒸着で被覆形成した表面被覆切削工具であって、WC超硬基体表面とTiN層との界面において、[0001]WCと[110]TiNが平行、かつ、[10−10] WCと[001] TiNが平行である界面の長さをX、また、[0001]WCと[111]TiNが平行、かつ、[11−20] WCと[110] TiNが平行である界面の長さをXとした場合に、1>(X+X)/X≧0.3、(但し、Xは界面の全長)を満足するヘテロエピタキシャル界面を有する表面被覆切削工具。 (もっと読む)


【課題】高速度加工、高送り加工、難削材の加工など加工条件が厳しい切削加工において、長寿命を実現する被覆工具の提供を目的とする。
【解決手段】
基材とその表面に被覆された被膜とからなり、Cr−Kα線を用いたX線応力測定により得られた基材の圧縮残留応力σbCrは、Co−Kα線を用いたX線応力測定により得られた基材の圧縮残留応力σbCoよりも大きい被覆工具。 (もっと読む)


【課題】高硬度を維持しつつ残留圧縮応力の低減化を図り、2層構造を有する硬質皮膜層1、2の密着強度を改善して硬質皮膜被覆切削工具の長寿命化を図る。
【解決手段】
超硬合金を基材とする切削工具に硬質皮膜を被覆した硬質皮膜被覆切削工具において、表面側に硬質皮膜層1、基材側に硬質皮膜層2が被覆され、硬質皮膜層1は(AlCr1−a)N、但し、0.5≦a≦0.75、0.9≦x≦1.1であり、硬質皮膜層2は(TiAl1−b)N、但し、0.4≦b≦0.6、0.9≦y≦1.1であり、X線回折における硬質皮膜層1の(111)面の格子定数をa1(nm)、硬質皮膜層2の(111)面の格子定数をa2(nm)としたとき、1.005≦a2/a1≦1.025であることを特徴とする硬質皮膜被覆切削工具である。 (もっと読む)


【課題】金属からなる基材層とその表面に配置された導電性炭素層とを有する導電部材において、その優れた導電性を十分に確保しつつ、耐食性をより一層向上させうる手段を提供する。
【解決手段】本発明の導電部材の製造方法は、乾式成膜法において、金属基材上に中間層を形成する工程と、中間層上に導電性炭素層を形成する工程とを有し、中間層形成時における負のバイアス電圧を少なくとも低い値から高い値へ変化させることを有することを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】焼入れ鋼等の高硬度鋼の高速断続切削加工で、すぐれた耐欠損性と耐摩耗性を長期の使用に亘って発揮する表面被覆切削工具を提供すること。
【解決手段】立方晶窒化ほう素粒子を70vol%以上含有し、残部は硬質分散相と結合相とからなる立方晶窒化ほう素基超高圧焼結材料製工具基体の表面に、Cr0.33(1−X)0.67(1−X)(但し、Xは原子比で、0.05〜0.5)を満足するCr、BおよびNの複合化合物層からなる中間層と、(Cr1−YAl)N(但し、Yは原子比で、0.4〜0.7)を満足するCrとAlの複合窒化物層からなる上部層を順次形成して硬質被覆層を構成する。 (もっと読む)


本発明は、化学組成CSiMe(Meは、Al、Ti、V、Cr、Zr、Nb、Mo、Hf、Ta、W、Y、Sc、La、Ce、Nd、Pm、Sm、Pr、Mg、Ni、Co、Fe、Mnからなる群の少なくとも1つの金属であり、a+b+d+e+g+l+m=1である)を有する保護コーティングに関する。本発明によれば、0.45≦a≦0.98、0.01≦b≦0.40、0.01≦d≦0.30、0≦e≦0.35、0≦g≦0.20、0≦l≦0.35、0≦m≦0.20の条件が満たされる。本発明は、また、保護コーティングを有するコーティング部材、並びに部材のための保護コーティング、特に多層膜を製造するための方法に関する。
(もっと読む)


【課題】アスペクト比の高いホール内に、被覆性の良好な、コンタクト抵抗の低いバリア層を形成する半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】タンタルまたはタンタルナイトライド等のライナー材料をホール内にスパッタ堆積する。ロングスロースパッタリング、自己イオン化プラズマ(SIP)スパッタリング、誘導結合プラズマ(ICP)再スパッタリング及びコイルスパッタリングを1つのチャンバ内で組み合わせたリアクタ150を使う。ロングスローSIPスパッタリングは、ホール被覆を促進する。ICP再スパッタリングは、ホール底部のライナー膜の厚さを低減して、第1のメタル層との接触抵抗を低減する。ICPコイルスパッタリングは、ICP再スパッタリングの間、再スパッタリングによる薄膜化は好ましくないホール開口部に隣接しているような領域上に、保護層を堆積する。 (もっと読む)


【課題】新規な炭素膜製造装置を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明の炭素膜製造装置は、供給ガスに電子ビームを照射し、プラズマを発生させる電子ビーム発生装置7と、炭素源を収容し、炭素源を加熱して気化させる炭素源容器4と、炭素膜を堆積させる基板3を有する。ここで、供給ガスは、アルゴンガスであることが好ましい。また、電子ビーム発生装置7の電子通過量は10〜100Aの範囲内にあることが好ましい。また、炭素源は、フラーレンC60、フラーレンC70、その他ナノメートルスケールのカーボン粒子であることが好ましい。また、基板3の広さは1〜100cm2 の範囲内にあることが好ましい。また、基板3のバイアス電圧は-500〜0Vの範囲内にあることが好ましい。 (もっと読む)


【課題】被膜形成物および被膜形成物の製造方法を提供する。
【解決手段】金属元素および半金属元素から選択された1以上の元素と、第1元素と、第2元素とを含む化合物被膜を、成膜室に配置された基板の表面に形成することにより、被膜形成物を製造する方法であって、前記第1元素を含む第1ガスおよび前記第2元素を含む第2ガスから選択された1以上のガスを前記成膜室に供給し、前記1以上の元素を含む粒子を、前記ガスの中を通過させて前記基板に照射する段階と、前記成膜室における前記第1ガスと前記第2ガスの分圧比を変化させる段階と、を備えた被膜形成物の製造方法が提供される。 (もっと読む)


本発明は、多結晶の立方晶窒化ホウ素(PCBN)の本体を固体のインサートとして又は支持体に取り付けられるものとして含む、その上に硬質かつ耐摩耗性のPVDコーティングが堆積された、チップ除去による機械加工のための切削工具インサートに関する。前記コーティングは、A層及びB層の互層の多結晶のナノ積層構造を含み、ここで、A層は(Ti、Al、Me1)NでありMe1は周期表の3、4、5又は6族からの金属元素の1種以上であり、B層は(Ti、Si、Me2)Nであり、Me2は、Alを含む周期表の3、4、5又は6族からの金属元素の1種以上であり、厚さは、0.5〜10mである。本発明のインサートは、高温を発生する金属切削用途、例えば、鋼、鋳鉄、超合金及び硬化鋼の高速加工において特に有用である。
(もっと読む)


【課題】アーク式蒸発源において、磁力線を基板方向に誘導して成膜速度を速くする。
【解決手段】ターゲット2の外周を取り囲んでいて磁化方向がターゲット2の表面と直交する方向に沿うように配置された1又は複数の外周磁石3と、ターゲット2の背面側に配置された背面磁石4とを備えている。背面磁石4は、極性が外周磁石3と同方向で且つ磁化方向がターゲット2の表面と直交する方向に沿うように配置されている非リング状の第1の永久磁石4Aを有している。 (もっと読む)


281 - 300 / 996