【課題】少なくともＡｌ／Ｃｒ比に関して調節可能な均質または変更可能な層組成を有しかつ少なくとも特定の用途においては従来公知の層を設けた工作物よりも高い耐摩耗性を有する工作物を提供する。
【解決手段】工作物あるいは部品であって、組成（Ａｌ_yＣｒ_1-y）Ｘの少なくとも１層を含む層システムを有し、Ｘ＝Ｎ、Ｃ、Ｂ、ＣＮ、ＢＮ、ＣＢＮ、ＮＯ、ＣＯ、ＢＯ、ＣＮＯ、ＢＮＯまたはＣＢＮＯでありかつ０．２≦ｙ＜０．７であり、上記層中の層組成は、実質的に一定であるか、または層厚にわたって連続的あるいは段階的に変化する。 （もっと読む）

本発明は、超硬合金、サーメット、セラミックス、立方晶窒化ホウ素を基礎とした材料又は高速度鋼の硬質合金の本体を含む、その上に硬質かつ耐摩耗性の物理蒸着法（ＰＶＤ）によりコーティングが蒸着された、チップ除去による機械加工のための切削工具インサートに関する。前記コーティングは、A層及びB層の互層の多結晶のナノ積層構造を含み、ここで、A層は（Ｔｉ、Ａｌ、Ｍｅ１）ＮでありＭｅ１は所望により周期表の３、４、５又は６族からの金属元素の１種以上であり、B層は（Ｔｉ、Ｓｉ、Ｍｅ２）Ｎであり、Me２は、所望によりAlを含む周期表の３、４、５又は６族からの金属元素の１種以上であり、厚さは、０．５〜２０uｍであり、この製造方法。このインサートは、エッジの完全な状態を改善しつつ、高温を発生する金属切削用途、例えば、超合金、ステンレス鋼及び硬化鋼の機械加工において特に有用である。
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【課題】素子特性に優れたＩＩＩ族窒化物半導体素子の製造方法を提供する。
【解決手段】基板上に、ＩＩＩ族窒化物化合物からなるバッファ層及び下地層を積層する方法であって、バッファ層をＡｌＮで形成し、バッファ層の膜厚を１０〜５００ｎｍの範囲とし、バッファ層のa軸の格子定数がバルク状態におけるＡｌＮのa軸の格子定数より小さく、バッファ層の格子定数が下記（１）式で表される関係を満たし、バッファ層はＶ族元素を含むガスと金属材料とを、プラズマで活性化して反応させることによって成膜し、下地層はＧａＮからなり、バッファ層に接して設けられるＩＩＩ族窒化物半導体素子の製造方法を提供する。（ｃ_０−ｃ）／（ａ_０−ａ）≧−１．４…（１）（但し、（１）式中、ｃ_０はバルクのＡｌＮのｃ軸の格子定数、ｃはバッファ層のｃ軸の格子定数、ａ_０はバルクのＡｌＮのａ軸の格子定数、ａはバッファ層のａ軸の格子定数である。） （もっと読む）

【課題】 主電極からカソードマウントへの伝熱を抑制するための伝熱抑制構造を備えた利便性に優れる圧力勾配型プラズマガンを提供すること。
【解決手段】 圧力勾配型プラズマガン１００が、主電極１７と、前記主電極をその第１の部分が少なくとも包囲して該第１の部分が前記主電極を少なくとも保護する電極保護部１８ａ，２０と、前記電極保護部の第２の部分がその主面に連結され該主面が前記第２の部分を支持することで前記第１の部分を間接的に支持することにより前記主電極を間接的に支持する電極支持部１０と、を備え、前記電極保護部の第２の部分に、前記主電極から前記電極支持部への伝熱を抑制する伝熱抑制構造２１ａ，２１ｂが設けられている。 （もっと読む）

【課題】インライン方式の成膜装置において、各層を成膜する間の時間に、チャンバー内で各層の表面が劣化（酸化）する。各層にダメージを与えることなく生じた劣化を解消し、効果的に性質を向上させることが可能な磁気記録媒体の製造方法を提供。
【解決手段】基板上に複数の層を積層してなる磁気記録媒体の製造方法において、成膜装置を用いて、基板上に複数の層のいずれかを成膜し、成膜を行わずに基板にバイアスを印加し、基板上に次の層を成膜する。 （もっと読む）

【課題】アークをプラズマ源とし、成膜面に付着するマクロパーティクル数を低減しつつ、高い成膜レートで良質な薄膜を形成できる成膜装置及び成膜方法を提供する。
【解決手段】プラズマ発生部１０で発生しプラズマ分離部２０に進入したプラズマは、斜め磁場発生コイル２３の磁場により進行方向が曲げられ、プラズマ輸送部４０を介して成膜チャンバ５０内に入る。一方、アーク放電にともなって発生したマクロパーティクルは、磁場の影響を殆ど受けないためプラズマ分離部２０を直進してパーティクルトラップ部３０で捕捉される。プラズマ輸送部４０は、プラズマの流路に沿って相互に電気的に絶縁された２つの電場フィルタ部４０ａ，４０ｂに分割されている。プラズマ分離部２０側の電場フィルタ部４０ａには例えば−２０Ｖの電圧が印加され、成膜チャンバ５０側の電場フィルタ部４０ｂには例えば−５Ｖの電圧が印加される。 （もっと読む）

【課題】プラスチック基板フィルムの両面に高品位の金属含有蒸着膜を成膜する技術を提供する。
【解決手段】蒸着ドラム１１を有する蒸着装置１ａで、非磁性プラスチック基板フィルム１６の両面に金属含有蒸着膜を形成する両面蒸着膜の製造方法であって、該基板フィルムの一方の面（Ａ面）に金属含有蒸着膜を形成した後に、該金属含有蒸着膜上に有機物膜を形成し、次いで、該基板フィルムの他方の面（Ｂ面）に金属含有蒸着膜を形成することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】摺動部材の耐摩耗性に優れており、摺動の間優れた摩擦特性を安定して発揮し得る低摩擦擦摺動部材及び摺動方法を提供すること。
【解決手段】摺動部がダイヤモンドライクカーボン材料で被覆されており、潤滑剤の存在下で摺動する摺動部材において、前記潤滑剤が基油と、アルキルリン酸エステルのアミン塩および／またはアルキル亜リン酸エステルのアミン塩を含むことを特徴とする摺動部材である。潤滑剤は、更に基油および／または増ちょう剤を含む。 （もっと読む）

【課題】シートの一方に第１の薄膜を形成した後、他方の面にも第２の薄膜を形成する場合に、５０［ｎｍ］以上の比較的厚い金属薄膜や金属酸化物薄膜であっても高速で熱負けなく、製造できる薄膜付シートの製造装置ならびに薄膜付シートの製造方法の提供。
【解決手段】減圧雰囲気下において、一方の表面に第１の薄膜１３が形成されているシート１を円筒状ロールの表面３に接触させ、前記円筒状ロールの回転運動に伴って搬送されている前記シート上に、蒸発源７から前記シートに向けて金属蒸気１０を飛来させ、前記シート上に連続的に第２の薄膜１４を形成する薄膜付シートの製造方法であって、該円筒状ロールの表面に体積抵抗が１０^８〜１０^１１Ωｃｍの範囲内である絶縁体層２０を被覆したものを用い、前記第１の薄膜が形成されている面と前記円筒状ロールとの間に１００〜４００Ｖの範囲内の電圧を印加して、前記シートの他方の表面に第２の薄膜を形成。 （もっと読む）

【課題】堆積させる薄膜の特性の制御が可能な物理的気相成長方法を提供する。
【解決手段】第１の位相を持つ第１の高周波信号を物理的気相成長装置内の、スパッタリングターゲットを含むカソードに印加するステップと、第２の位相を持つ第２の高周波信号を前記物理的気相成長装置内のチャックに印加するステップと、スパッタリングターゲットからの物質を基板上に堆積させるステップと、を備え、前記チャックは、基板を保持し、前記第１の位相と前記第２の位相の位相差は、前記基板上に正の自己バイアス直流電圧を引き起こす物理的気相成長方法。 （もっと読む）

【課題】 高アスペクト比の微細ホールに対して高いボトムカバレッジ率で、かつ、膜厚分布の面内均一性よく成膜できる高い生産性の成膜方法を提供する。
【解決手段】真空チャンバ１内で基板Ｗを保持し、チャンバ内が、１０〜３０Ｐａの高圧力領域に保持されるようにスパッタガスを導入し、基板に対向近接配置されたターゲット２に直流電圧を印加すると共に、基板に高周波バイアス電圧を印加し、ターゲット側の直流プラズマと基板側の高周波バイアスプラズマとが重畳されたプラズマをターゲット及び基板間に発生させてターゲットをスパッタして成膜する。ターゲットの下方に磁場を局所的に形成する磁石ユニット６をターゲット中央から径方向外方にオフセット配置し、成膜中、少なくともターゲットの中央部を除くその外周が侵食されるように磁石ユニットを回転移動する。 （もっと読む）

【課題】物理的気相成長法（ＰＶＤ）により基板上に層を形成するプロセス中に、層の特性を制御可能なスパッタリング方法及び成膜装置を提供する。
【解決手段】 ターゲット物質（例えば、ＰＺＴ）をスパッタリングする方法及び装置であって、ターゲットと基板との間に導電グリッドを配置する。ターゲット、基板及びスパッタリング・ガスをチャンバー内に収容し、第１のＲＦ電源の電力がチャンバー内のプラズマを維持するために加えられる。第２のＲＦ電源の電力は導電グリッドに加えられる。ターゲット物質はターゲットから基板にスパッタされる。導電グリッドの位置及び第２のＲＦ電源により加えられる電力により、ターゲット物質のスパッタ成膜の特性が変化する。例えば、第２のＲＦ電源及び導電グリッドは、容量性回路の一部を構成しており、容量性回路内における電圧の変化によりスパッタリング・ガスの特性が変化し、その後、スパッタ・成膜プロセスの特性が変化する。 （もっと読む）

【課題】所望の硬さを維持しつつ基材への密着性に優れた高硬度の硬質皮膜で被覆された硬質皮膜被覆部材およびその製造方法を提供する。
【解決手段】基材１上に下地層２としてクロム皮膜が形成され、この下地層２上に応力緩和層としてのクロム皮膜３と硬質層としての窒素含有クロム皮膜４が交互に配置されるように複数のクロム皮膜３と複数の窒素含有クロム皮膜４を形成する硬質皮膜被覆部材の製造方法において、バイアス電圧−３０Ｖ〜−７０Ｖ、好ましくは−３０Ｖ〜−５０Ｖでスパッタリングして、略同一の厚さ１０〜５０ｎｍ、好ましくは２０〜４０ｎｍのクロム皮膜３と、略同一の厚さ１０〜５０ｎｍ、好ましくは２０〜４０ｎｍの窒素含有クロム皮膜４を交互に形成する。 （もっと読む）

【課題】プラズマに混入する帯電ドロップレット及び中性ドロップレットをより効率的に除去でき、高純度プラズマによる成膜等の表面処理精度の向上を図る。
【解決手段】プラズマ発生部Ａとプラズマ輸送管Ｂとプラズマ処理部Ｃを含むプラズマ処理装置において、プラズマ輸送管の始端側と終端側に絶縁体ＩＳ及び絶縁体ＩＦを介し、プラズマ輸送管Ｂをプラズマ発生部Ａとプラズマ処理部Ｃから電気的に独立させた絶縁体介装型プラズマ処理装置を構成する。プラズマ輸送管Ｂを中間絶縁体ＩＩ１を介して複数の小輸送管Ｂ０１、Ｂ２３に分割し、各小輸送管を電気的に独立させる。プラズマ輸送管又は複数の小輸送管を電気的浮動状態にし、又は輸送管用バイアス電源ＥＢ０１、ＥＢ２３を接続して、プラズマ輸送管又は小輸送管の電位をＧＮＤ、可変正電位又は可変負電位に設定可能にする。又、小輸送管を屈曲状に連接して幾何学的構造でドロップレットを除去する。 （もっと読む）

【課題】高硬度材の高速切削加工で、すぐれた耐欠損性と仕上げ面精度を発揮する表面被覆立方晶窒化ほう素基超高圧焼結材料製切削工具を提供する。
【解決手段】 立方晶窒化ほう素基超高圧焼結材料からなる工具基体の表面に、Ｔｉ化合物層からなる硬質被覆層を蒸着形成した被覆ｃＢＮ基焼結工具において、工具基体と上記硬質被覆層の間に、立方晶窒化ほう素基超高圧焼結材料の構成成分であるバインダーの非晶質層、非晶質ほう化チタン層、非晶質窒化珪素層の何れかからなる非晶質密着層を形成する。 （もっと読む）

【課題】耐摩耗性と耐熱性とに優れたγ−アルミナベースの硬質皮膜を１０００℃以下で形成でき、その皮膜を備えた耐摩耗性部材を提供する。
【解決手段】アルミニウム酸化物を基とする硬質皮膜を基材に被覆した硬質皮膜形成部材であって、硬質皮膜は、Ａｌ_1-xＭ_x(Ｏ_1-yＮ_y)_z（０≦ｘ≦０．５、０＜ｙ≦０．４、ｚ＞０）で表される組成を有し、この組成におけるＭは、Ｔｉ，Ｚｒ，Ｖ，Ｎｂ，Ｍｏ，Ｗ，Ｙ，Ｍｇ，Ｓｉ，Ｂから選択される少なくとも１種の元素であることを特微とする。このような硬質皮膜は、基材の温度を４００〜６００℃として形成できる。 （もっと読む）

【課題】高速重切削加工で硬質被覆層がすぐれた耐ピッチング性、耐摩耗性を発揮する表面被覆切削工具を提供する。
【解決手段】工具基体表面に、（ａ）下部層として、組成式：（Ａｌ_１−αＣｒ_α）Ｎあるいは（Ａｌ_{１−α−β}Ｃｒ_αＳｉ_β）Ｎで表されるＡｌとＣｒ（とＳｉ）の複合窒化物層、（ｂ）中間層として、組成式：（Ａｌ_１−ＹＣｒ_Ｙ）_２Ｏ_３あるいは（Ａｌ_{１−Ｙ−Ｚ}Ｃｒ_ＹＳｉ_Ｚ）_２Ｏ_３で表されるＡｌとＣｒ（とＳｉ）の複合酸化物層、（ｃ）上部層として、組成式：（Ａｌ_１−ＹＣｒ_Ｙ）_１−ＸＯ_Ｘあるいは（Ａｌ_{１−Ｙ−Ｚ}Ｃｒ_ＹＳｉ_Ｚ）_１−ＸＯ_Ｘで表され、かつ、上部層のＯ（酸素）含有割合が、中間層側から上部層表面に向かって減少する組成傾斜型のＡｌとＣｒ（とＳｉ）の複合酸化物層、を蒸着形成する。ここで、０．２５≦α≦０．４５、０．０１≦β≦０．１０、０＜Ｘ≦０．２，０．２５≦Ｙ≦０．５５、０．０１≦Ｚ≦０．１０（α，β，Ｘ，Ｙ，Ｚはいずれも原子比）。 （もっと読む）

物理蒸着法によって、柔らかく多孔質の材料に多層セラミックコーティングをコーティングする。このようにしてコーティングされた材料は、フードウェア、具体的にはプレーンな銅の基板、基コーティング、および、セラミックコーティングを含む銅製フードウェア物品として使用するのに適している。基コーティングは、スパッタリングと陰極アークとの組み合わせによって堆積され、優れた耐食性、および、基板への付着を提供することができる。セラミックコーティングは物理蒸着窒化物または炭窒化物層を含み、変色しにくい表面、優れた耐久性、および、熱安定性を提供することができる。コーティングされた銅製フードウェア物品は、純銅と同じ熱伝導性、優れた耐食性、高い耐久性、優れた調理性能、および、クリーニングの容易さを示す。また、多層コーティングを有する金属製物品、および、このような金属製物品の製造方法も説明される。 （もっと読む）

【課題】膜の結晶配向性及び結晶粒度を適宜に調節可能とする。
【解決手段】非平衡マグネトロンスパッタ装置１は、ターゲットＴから放出させたスパッタ粒子を基板Ｓ上に付着させて膜を形成する。非平衡マグネトロンスパッタ装置１は、処理室１１が形成された真空容器１０と、処理室１１内に配設され、基板Ｓを保持する基板保持部２と、処理室１１内に配設され、ターゲットＴを保持すると共にターゲットＴの表面側に磁界を形成するマグネトロン電極３と、基板Ｓに電圧を印加するバイポーラパルス電源１５と、マグネトロン電極３を介してターゲットＴに電圧を印加する可変直流電源１７とを備えている。バイポーラパルス電源１５は、基板Ｓに対して、負の電圧と正の電圧とを交互に印加する。 （もっと読む）

【課題】高硬度材の高速切削加工で、すぐれた耐欠損性と仕上げ面精度を発揮する表面被覆立方晶窒化ほう素基超高圧焼結材料製切削工具を提供する。
【解決手段】立方晶窒化ほう素基超高圧焼結材料からなる工具基体の表面に、（Ｔｉ，Ａｌ）Ｎ層からなる硬質被覆層を蒸着形成した被覆ｃＢＮ基焼結工具において、工具基体と上記硬質被覆層の間に、立方晶窒化ほう素基超高圧焼結材料の構成成分であるバインダーの非晶質層、非晶質ほう化チタン層、非晶質窒化珪素層の何れかからなる非晶質密着層を形成する。 （もっと読む）