【課題】工程効率の低下なしに、基板に極低濃度に蒸着される金属触媒の均一度を向上することができるスパッタリング装置を提供する。
【解決手段】第１領域及び第２領域を含む工程チャンバと、前記工程チャンバの内側で金属ターゲットを移動させ、前記金属ターゲットから放出される金属触媒の進行方向を制御するための第１シールドを備えるターゲット移送部と、前記第２領域に前記金属ターゲットに対向するように位置する基板ホルダと、を含み、前記基板ホルダに支えられる基板と前記金属ターゲットとの間の直線距離と前記第１シールドの長さとの差は３ｃｍ以下であることを特徴とするスパッタリング装置。 （もっと読む）

【課題】ある１つのターゲットから飛散したスパッタ粒子が他のターゲットに付着することを防止できるスパッタ装置及びスパッタ法を提供する。
【解決手段】プラズマを生成させるプラズマ室、及び該プラズマ室に連通した成膜室を含む容器を備え、該容器内に設置された少なくとも２つ以上のターゲットをプラズマでスパッタし、スパッタされたターゲットから飛散したスパッタ粒子を成膜室内に設置された基板の表面に堆積させて薄膜を形成するスパッタ装置であって、２つ以上のターゲットのうち１つのターゲットをプラズマでスパッタするときに、スパッタされたターゲットから飛散するスパッタ粒子が他のターゲットに付着することを抑制する抑制手段を備える、スパッタ装置、及び該装置を用いたスパッタ法とする。 （もっと読む）

【課題】装置によって得られる情報を迅速に解析することが可能なプロセス管理システムを提供すること。
【解決手段】真空プロセス装置１の各部の状態を示す状態情報を取得する第１の取得手段（制御監視部２０）と、真空プロセス装置の制御に関する制御情報を取得する第２の取得手段（制御監視部２０）と、第１および第２の取得手段によって取得された状態情報と制御情報を対応付けする対応付手段（タイマ３４）と、対応付手段によって対応付けがされた状態情報および制御情報を格納する格納手段（ログ格納装置２）と、制御情報を参照して、状態情報に対して解析処理を施す解析手段（解析装置４）と、解析手段の解析の結果として得られた情報を呈示する呈示手段（解析装置４）と、を有し、第１の取得手段は、装置がプロセス処理を実行中である場合には第１の周期で状態情報を取得し、プロセス処理を実行中でない場合には第１の周期よりも周期が長い第２の周期で状態情報を取得する。 （もっと読む）

【課題】高硬度鋼の高速重切削加工条件下において、硬質被覆層がすぐれた潤滑性と耐摩耗性を発揮する表面被覆切削工具を提供する。
【解決手段】ＷＣ基超硬合金またはＴｉＣＮ基サーメットで構成された工具基体の表面に、硬質被覆層として、立方晶構造のＮｂＮと六方晶構造のＮｂＮの混合組織からなり、かつ、該混合組織についてＸ線回折による回折ピーク強度を調査したとき、立方晶構造のＮｂＮの（２００）面からの回折ピーク強度をＩｃ、また、六方晶構造のＮｂＮの（１０３）面と（１１０）面からの回折ピーク強度をＩｈとした場合、０．０５≦Ｉｃ／Ｉｈ≦１．０を満足する回折ピーク強度比を有する表面被覆切削工具。 （もっと読む）

【課題】キャリアからの基板の脱落を防止すると共に、キャリアを高速で搬送することができるインライン式成膜装置を提供する。
【解決手段】第１の支持部材４１の熱膨張による水平方向の伸びに応じて、この第１の支持部材４１が支持台４０の取付面Ｓ１に沿った方向に変位可能に支持され、第２の支持部材４２の熱膨張による水平方向の伸びに応じて、この第２の支持部材４２が第１の支持部材４２の取付面Ｓ２に沿って、第１の支持部材４１の熱膨張による水平方向の伸びを打ち消す方向に変位可能に支持され、ホルダ３の熱膨張による鉛直方向の伸びに応じて、このホルダ３が第３の支持部材４３の取付面Ｓ３に沿って、第１及び第２の支持部材４１，４２の熱膨張による鉛直方向の伸びを打ち消す方向に変位可能に支持されている。 （もっと読む）

【課題】高い光電変換効率の太陽電池、光センサーや撮像素子等の光電変換装置を提供すること。
【解決手段】高周波成分をカットした直流電力印加の下でのＣｕ（Ｃｕ-Ｇａ）ターゲットへのＤＣ印加と導電性基板への高周波印加とによりＣｕ（Ｃｕ-Ｇａ）膜を成膜し、該Ｃｕ（Ｃｕ-Ｇａ）膜上に、高周波成分をカットした直流電力印加の下でのＩｎターゲットへのＤＣ印加と導電性基板への高周波印加とによりＩｎ膜をＣｕ（Ｃｕ-Ｇａ）膜上に積層成膜する工程を有する光電変換装置の製法。 （もっと読む）

【課題】 均一で高密度な長尺のライン状プラズマを生成することが可能であるプラズマ発生装置、及びこのプラズマ発生装置を利用した大面積基板への成膜が可能である成膜装置、並びにエッチング装置、表面処理装置、イオン注入装置を提供すること。
【解決手段】 マイクロ波を発生するマイクロ波発生源と、前記マイクロ波発生源から発生したマイクロ波が導入されるとともに、該マイクロ波の伝播方向に延びるスリットを有する導波管と、前記スリットから誘電体窓を介して漏れ出すマイクロ波によってプラズマ化されるプラズマ生成用ガスが供給されるチャンバーと、前記プラズマに対して磁場を印加することによって前記チャンバー内に電子サイクロトロン共鳴を生じさせる磁場発生機構と、を備えていることを特徴とする電子サイクロトロン共鳴ラインプラズマ発生装置とする。 （もっと読む）

【課題】酸素または水素雰囲気中でのレーザーアブレーションにより金属などの異種基板に対して良好なダイヤモンド膜を形成できる方法を提供する。
【解決手段】酸素または水素雰囲気中で、グラファイト、アモルファスカーボン、グラッシーカーボン、またはダイヤモンドからなる炭素ターゲットに、５０ｎｓ以下のパルス幅でレーザー光を照射し、レーザーアブレーションによって前記ターゲットから炭素粒子を飛散させて基板上に堆積させ、パルス毎に堆積粒子の過飽和状態を形成して前記基板上にダイヤモンド膜を形成する方法において、前記基板に負バイアスを印加した状態で前記レーザー光を照射する。 （もっと読む）

【課題】接合時の変形に追従して被膜の断裂や密着性の悪化などが生じず、耐電位差腐食性に優れた金属被膜がコーティングされたセルフピアスリベットおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】鉄またはその合金を母材とし、その表面に柱状結晶組織の金属被膜を有する。またその製造方法は、鉄またはその合金によって形成された母材の表面に、雰囲気圧力０．１〜３．０Ｐａ、平均成膜速度０．０１〜１０μｍ／分で、金属蒸着被膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、ＶＮの特性とＴｉＡｌＳｉＮの特性とを兼備し、特に耐摩耗性に優れた被覆膜を備えた表面被覆切削工具を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明の表面被覆切削工具は、基材とその上に形成された被覆膜とを備え、該被覆膜は、ＶＮからなるＡ層と、Ｔｉ_1-x-yＡｌ_xＳｉ_yＮ（ただし式中ｘは０．３≦ｘ≦０．７、式中ｙは０．０１≦ｙ≦０．２５）からなるＢ層とが交互に各々２層以上積層されてなり、該Ａ層の層厚λａと該Ｂ層の層厚λｂとは、それぞれ２ｎｍ以上１０００ｎｍ以下であり、その層厚比λａ／λｂは、基材側から被覆膜の最表面側にかけて増大し、かつ基材に最も近いＡ層とＢ層の層厚比λａ／λｂは０．１以上０．７以下であり、最表面側に最も近いＡ層とＢ層の層厚比λａ／λｂは１．５以上１０以下であることを特徴としている。 （もっと読む）

【課題】従来の皮膜よりも耐酸化性および耐摩耗性に優れた硬質皮膜を提供する。
【解決手段】（Ａｌ_ａ，Ｍ_ｂ，Ｃｒ_{１−ａ−ｂ}）（Ｃ_１−ｅＮ_ｅ）からなる硬質皮膜（但し、ＭはＷ及び／又はＭｏ）であって、
０．２５≦ａ≦０．６５、
０．０５≦ｂ≦０．３５、
０．５≦ｅ≦１
（ａ，ｂ，ｅはそれぞれＡｌ，Ｍ，Ｎの原子比を示す。）
であることを特徴とする硬質皮膜。 （もっと読む）

【課題】本発明は、ＭｏＮの特性とＴｉＡｌＳｉＮの特性とを兼備し、特に耐摩耗性に優れた被覆膜を備えた表面被覆切削工具を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明の表面被覆切削工具は、基材とその上に形成された被覆膜とを備え、該被覆膜は、ＭｏＮ_z（ただし式中ｚは０．０１≦ｚ≦０．２）で表されるＭｏとＮとの固溶体、Ｍｏ₂Ｎ、ＭｏＮまたはこれらの混合体からなるＡ層と、Ｔｉ_1-x-yＡｌ_xＳｉ_yＮ（ただし式中ｘは０．３≦ｘ≦０．７、式中ｙは０．０１≦ｙ≦０．２５）からなるＢ層とが交互に各々２層以上積層されてなり、該Ａ層の層厚λａと該Ｂ層の層厚λｂとは、それぞれ２ｎｍ以上１０００ｎｍ以下であり、その層厚比λａ／λｂは、基材側から被覆膜の最表面側にかけて増大し、かつ基材に最も近いＡ層とＢ層の層厚比λａ／λｂは０．１以上０．７以下であり、最表面側に最も近いＡ層とＢ層の層厚比λａ／λｂは１．５以上１０以下であることを特徴としている。 （もっと読む）

本発明は、ガス雰囲気中におけるカソードスパッタリングにより、且つ、少なくとも１つの金属ターゲット（１６）を使用することにより、摩擦的に有効な摺動層（６）を有する基材の表面（５）を被覆することによって滑り軸受要素（１）を製造する方法であって、円筒形空洞（３）を有する基材が使用され、且つ、ターゲット（１６）は、空洞（３）内に少なくとも部分的に配置され、且つ、更には、ターゲット（１６）をスパッタリングするための放電は、第３電極（２６）によって支持又は維持される方法に関する。
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【課題】断続重切削加工で硬質被覆層がすぐれた耐欠損性を発揮する表面被覆切削工具を提供する。
【解決手段】ＷＣ基超硬合金製工具基体表面にＴｉＮ層からなる硬質被覆層を物理蒸着で形成した表面被覆切削工具において、ＴｉＮ層は、平均層厚と等しい高さを有し、かつ、工具基体表面に対して直立方向に成長した縦長平板状のＴｉＮ結晶粒からなり、さらに、上記ＴｉＮ層の表面から０．１μｍの高さの水平断面におけるＴｉＮ結晶粒組織を観察した場合、短辺が５〜１００ｎｍ、アスペクト比が３以上である上記縦長平板状のＴｉＮ結晶粒の占める面積割合が、全水平断面積の３０％以上である。 （もっと読む）

【課題】高硬度材の高速切削加工で、すぐれた耐チッピング性と仕上げ面精度を発揮する表面被覆立方晶窒化ほう素基超高圧焼結材料製切削工具を提供する。
【解決手段】バインダー相であるＴｉＮを２０〜５０ｖｏｌ％含有するｃＢＮ工具基体の表面から１μｍ以内の深さ領域において、上記バインダー相は０．１〜５原子％のＳｉを含有し、さらに、該工具基体表面上に、（Ｔｉ_１−ＸＳｉ_Ｘ）Ｎ層（但し、Ｘは０．００１〜０．０５）を下部層として蒸着形成し、ｃＢＮ工具基体と下部層の付着強度を高め、この上にさらに、ＴｉＮ、ＴｉＣＮおよび（Ｔｉ，Ａｌ）Ｎの何れかからなる上部層を蒸着形成する。 （もっと読む）

【課題】立方晶窒化ほう素基超高圧焼結材料からなる工具基体及びこの表面に被覆された硬質被覆層の残留応力差をコントロールすることにより、長時間断続切削を行った場合でも、優れた耐チッピング性を発揮する表面被覆切削工具を提供する。
【解決手段】 立方晶窒化ほう素基超高圧焼結材料からなる工具基体表面に、硬質被覆層を蒸着形成した表面被覆切削工具であって、工具基体と硬質被覆層との界面における工具基体及び硬質被覆層の残留応力値が、それぞれが−２ＧＰａ以下の残留応力であり、かつ、両者の残留応力の差が０．５ＧＰａ以下であり、好ましくは、硬質被覆層中の残留応力の値が、硬質被覆層の表面に向かって絶対値で次第に小さくなる残留応力分布を示す表面被覆切削工具。 （もっと読む）

【課題】耐摩耗性に優れた硬質皮膜を提供する。
【解決手段】本発明に係る硬質皮膜は、組成が（Ｔｉ_aＣｒ_bＡｌ_cＬ_d）（Ｂ_xＣ_yＮ_z）からなり、前記ＬはＳｉ及びＹのうちの少なくとも１種であり、前記ａ、ｂ、ｃ、ｄ、ｘ、ｙ、ｚが原子比であるときに、０．１≦ａ＜０．３、０．３＜ｂ＜０．６、０．２≦ｃ＜０．３５、０．０１≦ｄ＜０．１、ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＝１、ｘ≦０．１、ｙ≦０．１、０．８≦ｚ≦１、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１を満足することを特徴としている。 （もっと読む）

【課題】密着性の向上および厚膜化が可能であり、耐摩耗性に優れる硬質膜およびその成膜方法を提供する。
【解決手段】中間層３と表面層４とからなる硬質膜１の成膜方法であって、基材２上に金属系材料を主体とする中間層３を形成する中間層形成工程と、中間層３の上にＤＬＣを主体とする表面層４を形成する表面層形成工程とを有し、中間層３および表面層４は、スパッタリングガスとしてＡｒガスを用いたＵＢＭＳ装置を使用し、上記表面層形成工程は、炭素供給源として黒鉛ターゲットと炭化水素系ガスとを併用し、アルゴンガスの導入量１００に対する炭化水素系ガスの導入量の割合が１〜５、装置内真空度が０．２〜０．８Ｐａ、基材２に印加するバイアス電圧が７０〜１５０Ｖの条件下で、炭素供給源から生じる炭素原子を、中間層３上に堆積させてＤＬＣを主体とする表面層４を形成する工程である。 （もっと読む）

【課題】ダイシングによりコーティング層が剥離することを防止できる光学素子の製造方法を提供する。
【解決手段】基材１１上にコーティング層１６が形成された光学素子の製造方法において、親基材１の裏面にダイシングシート２を貼着し、前記親基材１の表面側をダイシングして複数の前記基材１１に分割するダイシング工程と、前記ダイシング工程を行なった後、前記ダイシングシート２に貼着された複数の前記基材１１の表面に前記コーティング層１５を成膜する成膜工程と、前記コーティング層１５が成膜された複数の前記基材１１を、前記ダイシングシート２から剥離するピックアップ工程とを備えること構成とする。 （もっと読む）

【課題】密着性および耐摩耗性の両面に優れ、かつ、表面平滑性の高いＤＬＣ膜およびその成膜方法を提供する。
【解決手段】基材２の表面に形成された中間層３と表面層４とからなり、表面層４の最表面に有する高さ０．１μｍ以上の突起が測定長さ２０ｍｍの計測で１ｍｍ当り１．５個未満である硬質膜１の成膜方法であって、該成膜方法は、基材２上に金属系材料を主体とする中間層３を形成する中間層形成工程と、中間層３の上にＤＬＣを主体とする表面層４を形成する表面層形成工程とを有し、両工程において、スパッタリングガスとしてＡｒガスを用いたＵＢＭＳ装置を使用し、上記表面層形成工程は、上記装置内の真空度：０．２〜０．８Ｐａ、基材２に印加するバイアス電圧：７０〜２５０Ｖである条件下で、ターゲットから生じる炭素原子を、中間層３上に堆積させて表面層４を形成する工程である。 （もっと読む）