【課題】同軸型アーク蒸着源のメンテナンスに要するコストを低減する。
【解決手段】本発明の蒸着源５は、円筒状のアノード電極２３と、円柱状のカソード電極１２と、円筒状のトリガ電極１３と、カソード電極１２に接続された蒸着材料１１と、蒸着材料１１とトリガ電極１３との間に配置されたハット状の絶縁碍子１４とを有し、ハット状の絶縁碍子１４は、円筒状部分と円板状部分からなり、円板状部分の側周部に凹所または凸所がある。このため、蒸着材料１１とトリガ電極１３との間の耐電圧が低下しないように、沿面距離を確保しつつ絶縁碍子１４の高さを低くできるので、交換部品である絶縁碍子１４のコストを低減することができる。 （もっと読む）

【課題】増大して安定した熱吸収係数を具備する炭素に基づく材料を用いたアブソーバ層およびそのようなアブソーバ層を生成するための経済的な方法を提供する。
【解決手段】一実施形態は、基板３００の上面にアブソーバ層３１２を堆積し、基板は第１の温度の下で維持されるステップと、加熱処理チャンバにおいて基板をアニーリングし、基板は第２の温度まで加熱され、第２の温度は第１の温度より高いステップと、基板からアブソーバ層を除去するステップとを備える。 （もっと読む）

【課題】基板ホルダ内における温度の均一性を保持しつつ、基板ホルダ表面への成膜材料の付着（蒸着）を実質的に防止可能とする真空蒸着装置を提供すること。
【解決手段】基板に成膜材料を真空蒸着させて膜を形成する真空蒸着装置であって、前記基板を保持する基板ホルダを、基板保持部と蒸着領域規制部材（マスク）とから構成し、前記基板保持部と蒸着領域規制部材（マスク）とを異なる材料から構成するとともに、前記基板保持部を熱伝導率１００Ｗ／ｍ・Ｋ以上、かつ比重４．０×１０^３ｋｇ／ｍ^３以下の材料で、前記蒸着領域規制部材（マスク）を融点１３００℃以上の材料でそれぞれ構成してなることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】被蒸着材上に均一で欠陥のない非晶質セレンの膜を形成できるセレン蒸着装置を提供することを課題とする。
【解決手段】真空チャンバと、真空チャンバ内に設置され、被蒸着材を保持する保持機構と、保持機構の下部に配置され、セレンを主成分とする蒸発材料を蒸発させる蒸発源と、蒸発源の外周の少なくとも一部を覆う蒸発源カバー、蒸発源に対向して配置され蒸発源から被蒸着材に向かう蒸発材料の蒸気を遮蔽するシャッター及び保持機構に保持された被蒸着材と蒸発源との間の蒸発材料が通過する領域を覆う防着カバーの少なくとも１つとを有し、さらに、蒸発源カバー、シャッター及び防着カバーの少なくとも１つを６０℃以下または１００℃以上に保持する温度調整機構とを有する構成とすることで、上記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】金属または半金属のドープ量が調整可能であって、機能性材料としての性質を発現するチタン酸ストロンチウム結晶を安価に提供すること。
【解決手段】 原子番号７９以下の金属元素または半金属元素（ただし、Ｎｂ，Ｉｎ，ランタノイドを除く）をドープしたチタン酸ストロンチウム結晶である。これは、気化または昇華させた金属元素または半金属元素を８００℃〜１３００℃の温度の真空雰囲気下にてチタン酸ストロンチウム結晶に付着ないし拡散させることにより得ることができる。 （もっと読む）

【要 約】
【課題】成膜速度が速い蒸着装置を提供する。
【解決手段】カソード電極３１の先端とアノード電極２１の先端とを揃え、アーク放電によって生じたプラズマがアノード電極２１に接触しないようにする。プラズマ中に微小荷電粒子が電荷を失い、中性粒子となることが防止されるので、磁界形成装置１５によって成膜対象物１７方向に曲げられる粒子が増加し、成膜速度が速くなる。アノード電極２１の先端の成膜対象物１７が配置された側に遮蔽電極２７を設けておくと、巨大粒子が成膜対象物１７に到達せず、膜質が向上する。 （もっと読む）

【課題】磁性元素を含む半導体中で、磁性元素を高濃度に含むナノ結晶の自律的形成を人為的に制御し、結晶中の磁性元素の平均の組成が２０％以下の小さい範囲でも、室温以上で強磁性あるいは超常磁性状態となって磁化過程に履歴現象が生じるような薄膜結晶を実現する。
【解決手段】磁性元素を含む半導体において、ｎ型またはｐ型のドーパントを添加するか、あるいは化合物半導体の場合は結晶成長時の原料供給量の調節により化合物における構成元素の組成割合における化学量論比からのずれを調整することにより、磁性元素イオンの結晶中での価数を変化させてイオン間の引力相互作用を調整することで、磁性元素を高濃度に含むナノ結晶の自律的な形成を人為的に制御することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】 成膜装置及び成膜方法に関し、長期稼動によって生じ易い膜剥離による二次パーティクル発生を抑制し、高品質な薄膜形成を可能にする。
【解決手段】 アーク放電により、ターゲット１からターゲット材料を蒸発させ、基板２上に堆積させる成膜装置に、ターゲット１からのパーティクル７を捕獲する防着板３のパーティクル付着面５を大気解放することなく取り替える付着面取替機構を設ける。 （もっと読む）

【課題】金型を多結晶ダイヤモンド膜(ＵＮＣＤ)でコーティングする技術を提供する。
【解決手段】グラファイトで構成されたカソード電極１４２とトリガ電極１４４の間にトリガ放電を発生させ、アノード電極１４１とカソード電極１４２の間にアーク放電を誘起させ、カーボン蒸気のイオンを真空槽１０内に放出させる。真空槽１０内は水素ガス雰囲気にしておき、電荷を有するカーボン蒸気を金型２０に到達させる。金型２０の表面にＳｉＣ膜から成る中間層２１を形成しておくと、ウルトラ・ナノ・結晶・ダイヤモンド（ＵＮＣＤと呼称）が成長する。 （もっと読む）

【課題】チタンなどの金属膜中にハイドロキシアパタイト粒子が分散されてなるハイドロキシアパタイト分散金属膜を提供する。
【解決手段】金属膜とハイドロキシアパタイト粒子を含有するハイドロキシアパタイト粒子分散金属膜であって、金属膜２と、金属膜２中に分散された、ハイドロキシアパタイト粒子３とを有する膜であって、ハイドロキシアパタイト粒子と、不活性ガス雰囲気下で金属蒸発源の加熱により生成された金属膜となる金属粒子とを混合し、超音速フリージェットの気流に乗せて真空チャンバー中に噴出して、真空チャンバー中に配置した基板上に物理蒸着させて形成する。 （もっと読む）

【課題】蒸着材料蒸発装置による複数の蒸着材料からなる化合物の層の成膜において、均一な成分比を有する蒸着膜を形成する。
【解決手段】蒸着材料を加熱して蒸発させる蒸着材料蒸発装置において、異なる蒸着材料14、15をそれぞれ収容する複数の蒸着容器11a、11bと、これらの蒸着容器11a、11bに収容された蒸着材料14、15を加熱する加熱手段16と、この複数の蒸着容器11a、11b内で蒸発した蒸着材料14、15が共に通過して出て行く共通開口13とを備える。 （もっと読む）

【課題】電池用極板に用いる高容量活物質の成膜時等に見られる、基板冷却の不足を解決する、熱伝導を実現するための成膜装置を提供すると共に、これを用いた成膜方法を提供すること。電池用途に限らず、広く真空成膜装置一般における熱負荷課題の解決を図る。
【解決手段】基板と接する側から順に少なくとも硬質樹脂層２５、軟質樹脂層２４、金属部２３を有する、冷媒または熱媒の循環機構によって温度制御された、巡回支持体６に沿って基板が走行中に、成膜源９から飛来する粒子によって基板上に真空中で成膜を行う。 （もっと読む）

【課題】ガラス転移点（Ｔｇ）が低い通常の多成分系ガラスであっても、高い被覆率でダイヤモンド薄膜を合成するダイヤモンド薄膜の合成方法及びガラス基板にダイヤモンドの薄膜が積層してなる複合体を提供する。
【解決手段】多成分系ガラスからなるガラス基板にダイヤモンドの薄膜が積層してなる複合体であって、ガラス基板が多成分系ガラスであり、かつダイヤモンドの被覆率が５０％以上である複合体であって、上記ダイヤモンド薄膜の合成方法は、（Ａ）内部に加熱手段を有する密閉されたチャンバ内に水素及びダイヤモンド薄膜の炭素源としての液体炭素源を導入する工程、（Ｂ）前記加熱手段にて加熱し、液体炭素源から炭素を蒸発させてガラス基板上にダイヤモンドとして析出させる工程を有する。 （もっと読む）

【課題】比較的小さなサイズの量子ドットを相互に短絡することなく均一に分散させた量子ドットアレイを得る。
【解決手段】量子ドットアレイの製造方法は、基板上（２）に、それぞれが上下をバリア層（８ａ、８）で挟まれた量子ドット（６）を含む複数の柱状部（４）を設けることにより、量子ドットアレイ（１００）を形成するために、基板（２）を回転させながら第１の材料を斜方蒸着することにより、基板（２）上に前記複数の柱状部（４）を形成するための基礎部を形成し、その後、基板の回転を停止して前記バリア層の材料および量子ドットの材料を順次斜方蒸着することにより、基礎部上に上下をバリア層で挟まれた量子ドットを形成する、各工程を含む。 （もっと読む）

【課題】ポートの数を増やすことなく，還元性ガスを分子線結晶成長装置の成長室内に導入することを可能にする分子線源を提供する。
【解決手段】本発明の分子線源は，結晶成長のための分子線を放出する分子線放出部と，前記分子線放出部に結合され，前記分子線を加熱して分解するクラッキングゾーンとを備え，前記分子線放出部と前記クラッキングゾーンの間に還元性ガスを導入するための還元性ガス導入部を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】大気開放状態における真空容器の内部の環境を改善することができる真空成膜装置を提供する。
【解決手段】真空成膜装置は、成膜処理ユニット３を収容し、密閉可能な真空容器１と、真空容器１内を真空にする真空排気系５と、前記真空容器１から気体を送出して、大気開放状態における真空容器１の内部を換気する排気ファン４３と、排気ファン４３および真空容器１の間を連通する第２配管４１を開閉するバルブ４５とを備えている。基板１１に膜を形成する際は、バルブ４５を閉止させることで、真空排気系５は真空容器１内を真空にすることができる。また、真空容器１が大気開放状態にあるときは、バルブ４５を開放させるとともに、排気ファン４３は真空容器１から気体を送出することで、真空容器１内を換気することができる。これにより、大気開放状態における真空容器１の内部の環境を改善することができる。 （もっと読む）

【課題】 高容量負極活物質であるケイ素酸化物を、生産性の高い蒸着法で形成し、充放電特性劣化を起こさない負極とすること。
【解決手段】 真空蒸着装置において、第一キャン１２から第二キャン１３の間、および、第三キャン１４から第四キャン１５の間を通過する基板４を、蒸発源９に対して左右対称に配置し、基板４の表裏面にそれぞれ形成される第１の活物質層２１の成長方向と第２の活物質層２３の成長方向とが、略対称に形成されるようにする。また、排気ポンプ１と、第二キャン１３と第四キャン１５周辺に設置された補助排気口３０と連通する補助排気ポンプ３１により、真空槽２内を真空排気する。 （もっと読む）

【課題】周期表第２Ａ族に属する元素の酸化物からなるＰＤＰ用蒸着材の耐湿性を改善し、電子ビーム蒸着法を使用して基板上に保護膜を成膜するためのターゲット材として使用する焼結体であって、得られた保護膜の密度及び耐スパッタ性を低下させることなく、優れた膜特性、例えば、ＰＤＰ用保護膜として使用した場合の放電特性などを向上させることが可能な焼結体及びその製造方法、並びにこの焼結体をターゲット材として得られたＰＤＰ用保護膜を提供することである。
【解決手段】周期表第２Ａ族に属する元素の酸化物からなる相対密度が９０％以上の焼結体で、平均粒子径が１００μｍ以上であるＰＤＰ保護膜用蒸着材であり、また、それらの酸化物単体および、それらの２つ以上の組合せによる混合物あるいは固溶体からなるＰＤＰ保護膜用蒸着材で、更に、有機シリケートで表面処理したことを特徴とするＰＤＰ保護膜用蒸着材である。 （もっと読む）

【課題】フラーレンを原料として用い、摩擦係数０．１以下で実用的な面積を持つ超低摩擦表面を実現できる炭素質皮膜の形成方法を提供する。
【解決手段】フラーレンを原料とし、クラスタイオンビーム法または分子線エピタキシー法により、基板上にフラーレンから成る炭素質皮膜を形成する。基板上に形成される炭素質皮膜は典型的にはフラーレンＣ６０から成る。皮膜形成に用いる基板として高配向性グラファイト（ＨＯＰＧ）が望ましい。 （もっと読む）

【課題】ガスバリアフィルムを積層体として用いる際に、積層体にした後でも基材への処理の有無を確認できるようなガスバリアフィルム積層体を提供する。
【解決手段】プラスチック基材（１）の少なくとも一方の面に厚さ５〜１００ｎｍの無機酸化物蒸着層（２）を設けたガスバリアフィルムの無機酸化物蒸着層側と他のプラスチックフィルム（５）とをドライラミネートすることにより作製したガスバリアフィルム積層体において、この積層体を剥離面に水を塗布しながら剥離すると、ガスバリアフィルムの基材（１）の表層で剥離が起こり、さらに剥離面のプラスチックフィルム（５）側をＸ線光電子分光測定した時に、剥離面から検出される無機酸化物蒸着層に含まれる無機物に由来する元素の合計比率が９．０ａｔｏｍｉｃ％以下であることを特徴とするガスバリアフィルム積層体。 （もっと読む）