本発明の実施例は、一般的に化学蒸着（ＣＶＤ）プロセス用装置に関する。一の実施例では、蒸着反応装置システム内のウエハキャリアを浮上させて移動させるウエハキャリアトラックが設けられており、このトラックはトラックアセンブリの上側及び下部を具え、その間にガスキャビティが形成されている。上部の上面に沿って、及び２つの側面に沿ってガイドパスが延びており、これらの側面は、ガイドパスに沿ってその上に及び互いに平行に延在している。ガイドパスに沿って複数のガス孔が、上部の上面から、上部を通って、ガスキャビティへ延在している。いくつかの実施例では、トラックアセンブリの上側及び下部が、独立して石英を具えており、いくつかの実施例では、互いに結合されている。 （もっと読む）

【課題】表面性状が良好でかつ高品質のＣＶＤ−Ｃｕ膜を下地に対して高い密着性をもって成膜することができるＣｕ膜の成膜方法を提供すること。
【解決手段】チャンバー１内にウエハＷを収容し、チャンバー１内にカルボン酸第１銅錯体、例えばＣＨ_３ＣＯＯＣｕとこれを還元する還元剤とを気相状態で導入して、ウエハＷ上にＣＶＤ法によりＣｕ膜を成膜する。 （もっと読む）

【課題】被処理物の表面の接着性を向上することができる表面処理方法を提供する。
【解決手段】大気圧近傍の圧力下で対向する電極間に発生させた放電プラズマに被処理物を曝す工程と、ケイ素を骨格に持ち水により加水分解されるケイ素化合物の蒸気と水蒸気とを４０℃以上の温度で３０分以上接触させる工程と、放電プラズマに曝された後の被処理物を接触後の蒸気に曝す工程とを含む表面処理方法である。 （もっと読む）

【課題】ゲルマニウムを含む薄膜の成膜後にゲルマニウムが汚染物質となる薄膜を成膜する際の前記汚染を防止する。
【解決手段】被処理体Ｗを保持具２５に保持させて反応容器２内に搬入し成膜を行う熱処理装置１の運転方法において、反応容器２内に処理ガスを供給すると共に反応容器２内を加熱して被処理体Ｗにゲルマニウムを含む薄膜を成膜する工程と、反応容器２内に被処理体Ｗが搬入されていない状態でクリーニングガスを供給して前記反応容器２内に成膜されたゲルマニウムを含む薄膜を除去する工程と、酸化ガスと水素ガスとを反応容器２内に供給すると共に加熱して活性化されたガスにより反応容器２内に存在するゲルマニウムを除去する工程と、その後に反応容器２内に被処理体Ｗを搬入して処理ガスを供給すると共に加熱して被処理体Ｗにゲルマニウムが汚染物質となる薄膜を成膜する工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】結晶成長層にダメージを与えることなくサファイア基板から結晶成長層を容易に分離することが可能なＧａＮ系化合物半導体の成長方法及び当該成長層付き基板を提供する。
【解決手段】サファイア基板１０上にコラム状結晶層１１を成長する工程と、コラム状結晶層１１上にバッファ層１２を成長する工程と、バッファ層１２上にＧａＮ系化合物結晶１３を成長する工程と、を有する。結晶成長後に降温すると、サファイア基板１０とナノコラム状態のＺｒＢ2層１１の界面に大きな歪みが生じ、サファイア基板１０から結晶成長層１８が容易に分離する。 （もっと読む）

【課題】高い表面処理能力を発揮することを可能とする。
【解決手段】処理室と、前記処理室内の基板の縁の外側でのガスの流れを制限する制限手段と、活性化室と、前記活性化室及び処理室にガスを供給するガス供給手段と、前記活性化室に供給されたガスを活性化させる活性化手段と、前記活性化室及び前記処理室内に磁場を形成する磁場形成手段と、前記磁場の作用を与えられた前記イオン、前記電子を含む電荷を持った粒子が前記処理室に供給されるのを制限する抑制手段と、前記処理室の粒子及び前記ガスを吸気するための吸気室とを有し、前記活性化室から処理室に供給されたラジカルを含む粒子と、処理室に供給された前記ガスとを反応させて生成されたラジカル、イオン、電子、分子、及び原子を含む粒子を、前記基板と反応させて前記基板を処理する。 （もっと読む）

【課題】ボロンドープシリコンゲルマニウム膜を成膜する場合、ゲルマニウム原料の使用量を抑制すると共に金属膜との結合力を強くし、生産性を向上することが可能となる半導体装置の製造方法及び基板処理装置を提供する。
【解決手段】処理室内に基板を搬入する搬入工程Ｓ１４と、処理室内にシリコン原子含有ガスとボロン原子含有ガスとゲルマニウム原子含有ガスを供給して、基板上に第一膜を成膜する第一成膜工程Ｓ２２と、処理室内にシリコン原子含有ガスとボロン原子含有ガスを供給して、第一膜上に第二膜を成膜する第二成膜工程Ｓ２４と、基板を処理室内から搬出する搬出工程Ｓ３０とを有する。 （もっと読む）

【課題】食品、日用品、医薬品などの包装分野や電子機器関連部材などの分野において、包装材料としての通常の加工を施してもガスバリア性が劣化しない、特に高いガスバリア性が必要とされる場合に好適に用いることができる透明なガスバリア性積層フィルムを提供する。
【解決手段】基材層１の一方の表面上に、ガスバリア層２（厚さＸａ）、被膜層３（厚さＹａ）、ガスバリア層４（厚さＸｂ）、被膜層５（厚さＹｂ）を順次積層してなり、Ｘａ、Ｘｂ、ＹａおよびＹｂの関係が、０．００２≦ＸａＹａ、０．００２≦ＸｂＹｂ、ＸａＹａ＋（Ｘａ＋Ｘｂ）Ｙｂ≦０．５（単位はμｍである）を満たす。 （もっと読む）

【課題】酸化雰囲気での熱処理によるＳｉ−ＳｉＧｅ積層体の表面からの酸化速度の位置による差異を抑えつつ、歪緩和ＳｉＧｅ層の主表面に設けられた歪みＳｉ層の主表面の表面粗さを小さくできる半導体基板の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板の製造方法は、基板に第１Ｓｉ層を形成する第１シリコン層形成工程Ｓ１と、その上に第１ＳｉＧｅ層を形成する第１シリコンゲルマニウム層形成工程Ｓ２と、その上に第２Ｓｉ層を形成する第２シリコン層形成工程Ｓ３と、その上に第２ＳｉＧｅ層を形成する第２シリコンゲルマニウム層形成工程Ｓ４と、その上にＳｉキャップ層を形成するシリコンキャップ層形成工程Ｓ５と、酸化雰囲気でこれらＳｉ−ＳｉＧｅ積層体を熱処理する改質工程Ｓ６と、熱処理で形成された酸化物を除去する酸化物除去工程Ｓ７と、露出した歪緩和ＳｉＧｅ層に第３Ｓｉ層（歪みＳｉ層）を形成する第３シリコン層形成工程Ｓ８と、を備える。 （もっと読む）

【課題】Ｖ族構成元素として窒素元素及びヒ素元素を含むIII−Ｖ化合物半導体を下地のIII−Ｖ化合物半導体上に成長する際にその界面付近における窒素組成のパイルアップを低減できるIII−Ｖ化合物半導体を成長する方法を提供する。
【解決手段】Ｎソースガスを時刻ｔ２で急激に増加して、時刻ｔ２１において定常値に到達する。時刻ｔ２にＧａソースガスの供給を再び開始した後に、Ｇａソースガスの供給量をゆるやかに増加させて時刻ｔ２１の後の時刻ｔ２２において定常値に到達する。また、時刻ｔ２にＩｎソースガスの供給を開始した後に、Ｉｎソースガスの供給量をゆるやかに増加させて、例えば時刻ｔ２２において定常値に到達する。この実施例では、Ｉｎソースガスが時刻ｔ２２で定常値に到達するが、この時刻は、時刻ｔ２１よりも遅い時刻である。時刻ｔ２と時刻ｔ２２との差は時間△ｔ２０である。時間△ｔ２０は時間△ｔ２よりも大きい。 （もっと読む）

【課題】電気抵抗率の低いアモルファスカーボン及びその製造方法を提供する。
【解決手段】アモルファスカーボンは、水素濃度が５〜３０％（ａｔｍ）であり、ドーピング元素を含有している。Ｐ型ドーピングにはホウ素、Ｎ型ドーピングには窒素を１０％（ａｔｍ）以下の濃度で含有させる。これによって、電気抵抗率が低く導電型を制御可能な、太陽電池などの光電変換素子用アモルファスカーボンが実現可能となる。 （もっと読む）

ルテニウムを堆積するための組成物及び方法。四酸化ルテニウムＲｕＯ_４を含有する組成物を前駆体溶液６０８として使用し、ＡＬＤ、プラズマ強化堆積、及び／またはＣＶＤによって基板４００を被覆する。周期的プラズマ濃縮を使用することもできる。
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【課題】多孔質絶縁膜における空孔の径を小さくすることができ、かつ多孔質絶縁膜の強度を高くすることができる多孔質絶縁膜の製造方法を提供する。
【解決手段】環状シロキサンを骨格とし側鎖に少なくとも一つの揮発性炭化水素基が結合した環状シロキサン化合物と、シリコン含有化合物とを、プラズマ中に導入し、基板上に絶縁膜を形成する工程と、絶縁膜にエネルギーを加えることにより、絶縁膜を多孔質絶縁膜にする工程とを備える。シリコン含有化合物は、環状シロキサン化合物の骨格、揮発性炭化水素基、及び環状シロキサン化合物と揮発性炭化水素基の結合より低エネルギーで分解する。 （もっと読む）

【課題】 本発明の目的は、膜中の炭素、水素、窒素、塩素等の不純物濃度が極めて低い絶縁膜を低温で形成することができる半導体装置の製造方法および基板処理装置を提供することにある。
【解決手段】 基板を収容した処理容器内に所定元素を含む原料ガスを供給することで、基板上に所定元素含有層を形成する工程と、大気圧未満の圧力に設定した処理容器内に酸素含有ガスと水素含有ガスとを供給することで、所定元素含有層を酸化層に改質する工程と、を交互に繰り返すことで、基板上に所定膜厚の酸化膜を形成する工程を有し、酸素含有ガスが酸素ガスまたはオゾンガスであり、水素含有ガスが水素ガスまたは重水素ガスであり、酸化膜を形成する工程では、基板の温度を４００℃以上７００℃以下とする。 （もっと読む）

【課題】ガスノズルの水平部とガス排気口を同一面方向に設けた場合でも、基板に対する処理ガスの接触時間を増加させ、基板に成膜される膜厚の均一性を向上させる基板処理装置を提供する。
【解決手段】複数の基板１５を所定の間隔で収容する処理室８と、該処理室内に基板を処理するガスを供給するガス供給手段と、前記処理室内のガスを排気するガス排気手段とを具備し、前記ガス供給手段はガスノズル１１を有し、該ガスノズルは水平部と円弧状部と垂直部から構成され、前記水平部は前記ガス排気手段に隣接した箇所から前記処理室内に貫通され、前記円弧状部は前記ガス排気手段から遠ざかる様に前記処理室の内壁に沿って水平面内に円弧状に延在され、前記垂直部は前記処理室の内壁に沿って垂直に設けた。 （もっと読む）

【課題】ウェーハ等の処理基板に対する処理ガス接触時間を増加させ、均一な処理ガスを供給できる基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板を収容するインナーチューブ４と、該インナーチューブを取囲むアウターチューブ２と、前記インナーチューブ内に設けられ、該インナーチューブ内にガスを供給するガスノズル８と、前記インナーチューブと前記アウターチューブとの間にガスを排気する為に前記ガスノズルに対して径方向に対向する位置の前記インナーチューブに設けられた第１排気口３と、前記インナーチューブと前記アウターチューブの間のガスを排気する為に、前記第１排気口に対して径方向に対向する位置の前記アウターチューブに設けられた第２排気口６とを具備する。 （もっと読む）

本発明は、プラズマチャンバシステム内で基材上に微結晶シリコンを堆積するための方法であって、プラズマチャンバシステムが、プラズマ開始前には、少なくとも１種の反応性のシリコン含有ガスと水素を、または水素だけを含むステップ、プラズマを開始するステップ、プラズマ開始後、チャンバシステムに連続的に反応性のシリコン含有ガスだけを供給するか、またはプラズマ開始後、チャンバシステムに連続的に反応性のシリコン含有ガスおよび水素を含む少なくとも１種の混合物を供給し、その際、チャンバ内に供給する際の反応性のシリコン含有ガスの濃度を０．５％超に調整するステップ、およびプラズマ出力を、０．１〜２．５Ｗ／ｃｍ^２電極面の間に調整するステップ、０．５ｎｍ／ｓ超の堆積速度を選択し、かつ微結晶層を基材上に１０００ナノメートル未満の厚さで堆積するステップ、を含む方法に関する。 （もっと読む）

【課題】高速切削条件下でクレーター摩耗を低減しかつ高度な耐摩耗性を付与する被膜を備えた表面被覆切削工具の提供。
【解決手段】基材と該基材上に形成された被膜とを備える表面被覆切削工具であって、この被膜は、１層または２層以上の層からなり、被膜のうち少なくとも１層は、ＴｉとＺｒとを少なくとも含む硬質被膜層であり、この硬質被膜層は、ＴｉとＺｒの含有量が硬質被膜層の厚み方向に沿って変化する組成構造を有し、この変化は、Ｔｉの含有量が極大となるＴｉ極大含有点とＺｒの含有量が極大となるＺｒ極大含有点とを含み、Ｔｉ極大含有点とＺｒ極大含有点とが繰り返し存在し、Ｔｉ極大含有点におけるＴｉの含有比率Ｔｉ／（Ｔｉ＋Ｚｒ）は、原子比で０．９９≦Ｔｉ／（Ｔｉ＋Ｚｒ）≦０．９９９９であり、Ｚｒ極大含有点におけるＺｒの含有量比率Ｚｒ／（Ｔｉ＋Ｚｒ）は、原子比で０．００１≦Ｚｒ／（Ｔｉ＋Ｚｒ）≦０．２であることを特徴とする。 （もっと読む）

本発明は、ミクロ／ナノ固体もしくはミクロ／ナノ液体を備えたミストの準備方法、およびミストガス放電による新規の材料の形成方法を提供し、また、進歩性を有する方法による新規の材料の形成装置を提供する。本発明の利点は、従来のガスと比較して、ミストがより広範な範囲の元素および化合物から選択され、より広範な範囲の適切な温度および圧力を有することである。ミストＡＩ（ｍ）の存在により、密閉容器中では、単位体積当たりのミストの濃度は、単位体積当たりのガスの濃度に比べて遥かに高い。特定の状態においては、物理的／化学的反応がより簡単に実施され、新規の材料がより高い効率で形成される。
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本発明は、化学気相成長法を用いて基板（１４）をコーティングするデバイス、特にダイヤモンド又はシリコンで基板をコーティングするデバイスであって、複数の細長い熱伝導体（２）から構成される熱伝導体アレイが、ハウジング（１０）内に提供され、前記熱伝導体が、第１の電極（１）と第２の電極（８）との間に延在し、熱伝導体（２）が、その一端に取り付けられた緊張装置によって個別にぴんと張った状態に保持されるデバイスに関する。熱伝導体（２）の寿命を延ばすために、本発明は、緊張装置が緊張ウェイト（Ｇ）を有する傾斜アーム（５）を備え、熱伝導体（２）が前記傾斜アームの第１の端部（Ｅ１）に取り付けられ、その第２の端部がほぼ水平軸（Ｈ）周りに枢動可能に装着されることを提案する。
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